JPS5810620A - 電磁放射検出装置 - Google Patents
電磁放射検出装置Info
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- JPS5810620A JPS5810620A JP57111855A JP11185582A JPS5810620A JP S5810620 A JPS5810620 A JP S5810620A JP 57111855 A JP57111855 A JP 57111855A JP 11185582 A JP11185582 A JP 11185582A JP S5810620 A JPS5810620 A JP S5810620A
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- Japan
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- optical system
- radiation
- array
- shielding
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/30—Coatings
- H10F77/306—Coatings for devices having potential barriers
- H10F77/331—Coatings for devices having potential barriers for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
- H10F77/334—Coatings for devices having potential barriers for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors for shielding light, e.g. light blocking layers or cold shields for infrared detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/107—Integrated devices having multiple elements covered by H10F30/00 in a repetitive configuration, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ζＯ発明は、放射−検知−ｔ１膳重しく−＆−臂量電磁
放射−から遮蔽する装置Ｋｌｌするものである。そのよ
うな遮蔽は、特に、赤外−検知器およびそのシステムに
適用可能でああ、しかしながら、この発明に係る遮蔽は
、システム検知器のスペクトル帝あるいは電磁エネルギ
ーＷＩＫおける背景放射−を遮蔽することが望ましい他
の検知器システムに対しても、同様に適用可能である。
放射−から遮蔽する装置Ｋｌｌするものである。そのよ
うな遮蔽は、特に、赤外−検知器およびそのシステムに
適用可能でああ、しかしながら、この発明に係る遮蔽は
、システム検知器のスペクトル帝あるいは電磁エネルギ
ーＷＩＫおける背景放射−を遮蔽することが望ましい他
の検知器システムに対しても、同様に適用可能である。
背景放射−がｗ４＠された赤外線検知器では、個々の探
知器ｏＨ度あるいは有効数字が、一般に、配列円Ｏ％検
知器が赤外−システム０適用可能な光学系のみに臨むよ
うにすることが望ましい。
知器ｏＨ度あるいは有効数字が、一般に、配列円Ｏ％検
知器が赤外−システム０適用可能な光学系のみに臨むよ
うにすることが望ましい。
光学系において、遮蔽によって背景放射ＩＩＩ管低減す
ることは、困ｓｅ問題でしかもシステムの重量あるいは
構成Ｏ複雑さを増加させることが多い。
ることは、困ｓｅ問題でしかもシステムの重量あるいは
構成Ｏ複雑さを増加させることが多い。
したがって、システムにおける遮蔽は、長呻の間、背景
放射−ｔＷ限する効果的かつ冥行可能な試みとして認め
られて自え、従来、＠々の検知器エレメントは、各種の
ＩＰ段を用いて遮蔽されてきた。
放射−ｔＷ限する効果的かつ冥行可能な試みとして認め
られて自え、従来、＠々の検知器エレメントは、各種の
ＩＰ段を用いて遮蔽されてきた。
検知ｍｏａｔ形配列の場合には、みぞ孔！イブの遮蔽が
しばしば用いられた。この場合、金属あるいはある種の
反射＠料かもなる平行なストリップが、遊エネルギーが
検知器を照射しないように制限している。このようなシ
ステムは次の次点を有していた。即ち、−形配列に直交
する一方向における浮遊エネルギーだけしか拒絶するこ
とかで龜ないという不具合である。そのうえ、検知器０
基ｌＦ以外のどこかにマスクが配設されると、浮遊エネ
ルギーがシステムの内表面から検知器配列上に１に射さ
れ、さらに遮蔽効率を低下させていた。
しばしば用いられた。この場合、金属あるいはある種の
反射＠料かもなる平行なストリップが、遊エネルギーが
検知器を照射しないように制限している。このようなシ
ステムは次の次点を有していた。即ち、−形配列に直交
する一方向における浮遊エネルギーだけしか拒絶するこ
とかで龜ないという不具合である。そのうえ、検知器０
基ｌＦ以外のどこかにマスクが配設されると、浮遊エネ
ルギーがシステムの内表面から検知器配列上に１に射さ
れ、さらに遮蔽効率を低下させていた。
米国特許第３．９６３．９２１１号、Ｓ、凰、ｌｌ＠ｒ
ｒ＠ｌｌ＊。
ｒ＠ｌｌ＊。
・Ｄ＠ｔ＊ｅｔｏｒＣｏｌｄｌｈｌ＊１ｄ’ （以下Ｂ
ｏｒｒｅｌｌｅと略称する〕に記載され喪、コールド層
重では、シリコンが検知器の基板に貼着され、会検知器
エレメントに対応する個々の孔が、エツチング４６１１
１によって、＠料中に形成されている。ζ０孔□壁、お
よび三次元＠料マスクは、４）検知−Ｋｍ−ける観視場
を集光光学系に収束されるコーン状のエネルギーに制限
することに役立っている。
ｏｒｒｅｌｌｅと略称する〕に記載され喪、コールド層
重では、シリコンが検知器の基板に貼着され、会検知器
エレメントに対応する個々の孔が、エツチング４６１１
１によって、＠料中に形成されている。ζ０孔□壁、お
よび三次元＠料マスクは、４）検知−Ｋｍ−ける観視場
を集光光学系に収束されるコーン状のエネルギーに制限
することに役立っている。
Ｂｏｒｒ＠ｌｌｏ□デザインによれば、孔の側面は、マ
スクＩＩ刹を介して検知器！１１面のはるか上方に必ず
延長されなければならない。したがって配列マスクある
いはコールド遮蔽構ＭＩＫ対して機械的支持Ｗ６＠が必
要となる。低いｆ−数の光学システムによって収束され
るコーン状のエネルギーが比較的広い場合には、＠料が
厚過ぎるとマスク舅料による壁が房望の光学ビームｔ−
歌収するので、検知器を適当にｍ薮すゐ一方、それに必
要な機械的剛性を支えゐことは不可能である。
スクＩＩ刹を介して検知器！１１面のはるか上方に必ず
延長されなければならない。したがって配列マスクある
いはコールド遮蔽構ＭＩＫ対して機械的支持Ｗ６＠が必
要となる。低いｆ−数の光学システムによって収束され
るコーン状のエネルギーが比較的広い場合には、＠料が
厚過ぎるとマスク舅料による壁が房望の光学ビームｔ−
歌収するので、検知器を適当にｍ薮すゐ一方、それに必
要な機械的剛性を支えゐことは不可能である。
１１＠ｒｒ・１ｌｏＯｊｌ蔽についてのさらに別の欠点
は、シリコンの選択的エツチング性にある。即ちコール
ドＩＩ蔽開孔の配置を従来の検知器の配ｔに適合させる
ことが不可能で、そのため遮蔽効率を低下させるという
ととになる１Ｂｏｒｒｅｌｌｏによゐコールド遮蔽の別
の欠点は、シリコンの選択的エツチング性のために、近
接して離設された検知器配列におケるエツチング孔Ｏ癒
着１１８！、 ＄１３１１を機械的Ｋｌｌめるというこ
とにある。これらＯ火点につい−［ｔｉ、１９８１年３
月２７ｆｉＫｉｌ出”ｇれえ米ｓｌ轡許出膠第２４８
．１２７号、ＶＬ Ｊ−Ｗｈｉｔ＠、” １ｃｔｃｂａ
ｂｌ＠ＱｌａｓｓＣｏｌｄ ｇｈｌ＠１ｄ ｔｏｙ Ｂ
ａｃｋｇｒｏｕｎｄ Ｌｉｖｉｔｓｄ Ｄｅｔｅｃｔｏ
ｒｓ”（以下Ｍｉｔ・と略称する）において、詳述され
てい、６． Ｗｈｌｔ＠ ０ＦＨ１１ＡＩＩＣｋイ’Ｃ
開ｎＣサｔＬ ティ４ ：２− ＃ド燗蔽はこれらの問
題を克服し、そのうえにそ０出願において述べられてい
る他の利点１ｍ供している。
は、シリコンの選択的エツチング性にある。即ちコール
ドＩＩ蔽開孔の配置を従来の検知器の配ｔに適合させる
ことが不可能で、そのため遮蔽効率を低下させるという
ととになる１Ｂｏｒｒｅｌｌｏによゐコールド遮蔽の別
の欠点は、シリコンの選択的エツチング性のために、近
接して離設された検知器配列におケるエツチング孔Ｏ癒
着１１８！、 ＄１３１１を機械的Ｋｌｌめるというこ
とにある。これらＯ火点につい−［ｔｉ、１９８１年３
月２７ｆｉＫｉｌ出”ｇれえ米ｓｌ轡許出膠第２４８
．１２７号、ＶＬ Ｊ−Ｗｈｉｔ＠、” １ｃｔｃｂａ
ｂｌ＠ＱｌａｓｓＣｏｌｄ ｇｈｌ＠１ｄ ｔｏｙ Ｂ
ａｃｋｇｒｏｕｎｄ Ｌｉｖｉｔｓｄ Ｄｅｔｅｃｔｏ
ｒｓ”（以下Ｍｉｔ・と略称する）において、詳述され
てい、６． Ｗｈｌｔ＠ ０ＦＨ１１ＡＩＩＣｋイ’Ｃ
開ｎＣサｔＬ ティ４ ：２− ＃ド燗蔽はこれらの問
題を克服し、そのうえにそ０出願において述べられてい
る他の利点１ｍ供している。
ｗｈｔｔ・が開示し九遮蔽は、そのＰＩＩＩＫ形成しぇ
孔を有するエツチング可能なガラスがら威〕、この孔の
ｇＩＡＩＩＩの位置は電磁放射−検知システムＰ９１１
における検知器の端部と所定の関係にある。その遮蔽は
、システム光学系０＠視場０外１１において生ずる電磁
放射−から検知器を遮蔽し、それにょツ”（シｊＣｆム
０ＩＩＡ度管高めて−る。
孔を有するエツチング可能なガラスがら威〕、この孔の
ｇＩＡＩＩＩの位置は電磁放射−検知システムＰ９１１
における検知器の端部と所定の関係にある。その遮蔽は
、システム光学系０＠視場０外１１において生ずる電磁
放射−から検知器を遮蔽し、それにょツ”（シｊＣｆム
０ＩＩＡ度管高めて−る。
箔口・の遮蔽は１ｌｏｒｒ＠１１・が開示した４０に比
較して多くの利点を提供しているが本発明は更に特別の
利点を提供するものでｈ為０本発明に訃−ては１後方照
射検知器を支承している１ＩＩＩＩＩ上に直蒙あるいは
そＯ基蓼内１１に、検知器に非常に接近して、非常に薄
いコールド遮蔽を配置で龜、後述するように、非常に高
１１１！配列の検知器をコールド遮蔽することができる
。
較して多くの利点を提供しているが本発明は更に特別の
利点を提供するものでｈ為０本発明に訃−ては１後方照
射検知器を支承している１ＩＩＩＩＩ上に直蒙あるいは
そＯ基蓼内１１に、検知器に非常に接近して、非常に薄
いコールド遮蔽を配置で龜、後述するように、非常に高
１１１！配列の検知器をコールド遮蔽することができる
。
さらに、本発明では、不透過性の吸収＠あるいは反射＠
を用いる。例えば、薄いフィルムを用いるため、物理的
部材に孔をエツチングするよシもずっと容易にパターン
化することができる。
を用いる。例えば、薄いフィルムを用いるため、物理的
部材に孔をエツチングするよシもずっと容易にパターン
化することができる。
更に、本発−によれば、一体Ｓ威が可能とな夛、検知器
配列とコールド遮蔽をすべて一体に構成できるので、一
つの構造物を他の構造物上に重ね合せることを費せず、
したがって、この一体構成によって、更に高い化量効率
が得られるようになる。
配列とコールド遮蔽をすべて一体に構成できるので、一
つの構造物を他の構造物上に重ね合せることを費せず、
したがって、この一体構成によって、更に高い化量効率
が得られるようになる。
１６ｒｒ＠ｌｌ＠あるいはＷｈｌｔ・のコールド層蔽を
用いてそれを検知器配列の前ＩＩＫｊｌ付け、それで後
面の検知器を遮蔽することは可能であるが、そのような
試みは、非常に高１１置の配列に対して、特にＢｏｒｒ
＠１１＠０ｊｌｌ［Ｏ場合、層蔽そのものＯ厚さに関す
る間ｍを提供することになる（この点については、Ｗｈ
ｌ ｔ・□ＩＩＩ不が詳述している）。検知器から放
射−−に向って見た場合、エネルギーがＰ９ｍ１１に収
集されゐ包括角度が存在する。近接して一１２１＆され
た検知器を儒えた高密度の配列において、あるいは、さ
ほど近接しては＊設されてはいない検知器の配列におい
て、検知器よ〉離れれば離れるほど、包括角度の重複が
始まる。重禎が起ると厘ちに、コールド層蔽用の物理的
構造は使用不可能となる。何故ならば孔の重複は、孔の
間に剃料が存在しないことを意味するからである。
用いてそれを検知器配列の前ＩＩＫｊｌ付け、それで後
面の検知器を遮蔽することは可能であるが、そのような
試みは、非常に高１１置の配列に対して、特にＢｏｒｒ
＠１１＠０ｊｌｌ［Ｏ場合、層蔽そのものＯ厚さに関す
る間ｍを提供することになる（この点については、Ｗｈ
ｌ ｔ・□ＩＩＩ不が詳述している）。検知器から放
射−−に向って見た場合、エネルギーがＰ９ｍ１１に収
集されゐ包括角度が存在する。近接して一１２１＆され
た検知器を儒えた高密度の配列において、あるいは、さ
ほど近接しては＊設されてはいない検知器の配列におい
て、検知器よ〉離れれば離れるほど、包括角度の重複が
始まる。重禎が起ると厘ちに、コールド層蔽用の物理的
構造は使用不可能となる。何故ならば孔の重複は、孔の
間に剃料が存在しないことを意味するからである。
しかしながら、本発明によって、コールドｍｓは、例え
ば後面の検知器の場合には、検知器の基板の前表面上に
直接に薄いフィルムを設けることで、検知器に非常に接
近して配置することができる。この試みでは、十分に薄
い＊ｔＰ＃でもって検知器に十分に近接することがで龜
、したがって遮蔽の孔の重複は生じないことになる。
ば後面の検知器の場合には、検知器の基板の前表面上に
直接に薄いフィルムを設けることで、検知器に非常に接
近して配置することができる。この試みでは、十分に薄
い＊ｔＰ＃でもって検知器に十分に近接することがで龜
、したがって遮蔽の孔の重複は生じないことになる。
これに対し、ＢｏｒｒｓｌＬｅあるいはＷｂ ｌ ｔ・
のコールド遮蔽のように、物理的な構成物を用いるとす
れば、それ自身を一体傍持するのに十分な厚さを有して
いなければならないことＫなる。このよ５にして、代勇
的な現代の配列では、そのような遮蔽を用いようとする
際、いくつかの適用例では全く構造ｔｍえずに終わると
とくなる。
のコールド遮蔽のように、物理的な構成物を用いるとす
れば、それ自身を一体傍持するのに十分な厚さを有して
いなければならないことＫなる。このよ５にして、代勇
的な現代の配列では、そのような遮蔽を用いようとする
際、いくつかの適用例では全く構造ｔｍえずに終わると
とくなる。
本発明によって、コールド遮蔽は、近接して離設された
検知器エレメントの赤外ｍ検知器配列における偏〜のエ
レメント￥ｔＩＩ蔽するのに設けられる一方−良好な機
械的特性管援供することができゐ＠本発明はへ低いｆ−
数の光学システム参るいは高密度の配列に対しては特に
利ｆ＆を有するが、そのようなシステムに制限されるも
のではない、さらに、本発明は、標準の半導体処理技術
によって、個々の検知器と所定Ｏ関係でコールドｍ薮マ
スＩを光学的に配置する手＊１＊便する一方、特に後Ｉ
Ｉ照射検知器配列に対し、別々の層蔽および配列を一列
に並べるという間聰をも解消する。まえ、ｗｈ五ｔ＠Ｃ
）コールド層蔽と１ｗ１ＩＩａ１本発明によって提供さ
れるコールド遮蔽開孔は、従来の検知器の配置に適合し
うるものである。更に、本発明によるコールド遮蔽は容
易に、かつ安価に製造が可能である。
検知器エレメントの赤外ｍ検知器配列における偏〜のエ
レメント￥ｔＩＩ蔽するのに設けられる一方−良好な機
械的特性管援供することができゐ＠本発明はへ低いｆ−
数の光学システム参るいは高密度の配列に対しては特に
利ｆ＆を有するが、そのようなシステムに制限されるも
のではない、さらに、本発明は、標準の半導体処理技術
によって、個々の検知器と所定Ｏ関係でコールドｍ薮マ
スＩを光学的に配置する手＊１＊便する一方、特に後Ｉ
Ｉ照射検知器配列に対し、別々の層蔽および配列を一列
に並べるという間聰をも解消する。まえ、ｗｈ五ｔ＠Ｃ
）コールド層蔽と１ｗ１ＩＩａ１本発明によって提供さ
れるコールド遮蔽開孔は、従来の検知器の配置に適合し
うるものである。更に、本発明によるコールド遮蔽は容
易に、かつ安価に製造が可能である。
本発明は、電磁エネルギー検知システムにシける光学系
によって検知器に与えられる放射−に対し、電磁エネル
ギー放射−検知器が受ける放射−ｔｌｌ［する層蔽に関
し、この１ＩｌｌＫは、放射ＩＩＯ所電スペクトルに対
し透過性であｈｗ材から榊威される。不透過性の薄いフ
ィルム−ｔＩＸｌｌ＄１０１Ｉ−上に配置され・この薄
いフィルムはそ０円１１に開孔を有し、検知器が、前記
部材と開孔とを介して、光学系に臨むようになっている
。こＯ薄いフィルムは、光学系の観視場の外側で生ずる
電磁放射−から検知器を層蔽し、それによって検知シス
テムＯ感度を高める。本質的には、ｓ＠は如何なる犀１
でも良く、検知器のｍａｔ非常に接近して配置すること
ができ、このため非常に高壷ＩｆＯ検知−配列を得るこ
とができる。
によって検知器に与えられる放射−に対し、電磁エネル
ギー放射−検知器が受ける放射−ｔｌｌ［する層蔽に関
し、この１ＩｌｌＫは、放射ＩＩＯ所電スペクトルに対
し透過性であｈｗ材から榊威される。不透過性の薄いフ
ィルム−ｔＩＸｌｌ＄１０１Ｉ−上に配置され・この薄
いフィルムはそ０円１１に開孔を有し、検知器が、前記
部材と開孔とを介して、光学系に臨むようになっている
。こＯ薄いフィルムは、光学系の観視場の外側で生ずる
電磁放射−から検知器を層蔽し、それによって検知シス
テムＯ感度を高める。本質的には、ｓ＠は如何なる犀１
でも良く、検知器のｍａｔ非常に接近して配置すること
ができ、このため非常に高壷ＩｆＯ検知−配列を得るこ
とができる。
以下、本発明の実施例ｔ、添付ＷＡＩＩｉに沿って詳述
する。
する。
本発明によれに、例えに参照番号１０．１１゜１２によ
って示す後方照射検知器、配列は、所定の局ＩＥＩ！ｌ
１ＩＫＦして透過性である基１１１０上に形成される。
って示す後方照射検知器、配列は、所定の局ＩＥＩ！ｌ
１ＩＫＦして透過性である基１１１０上に形成される。
−例として、狭いエネルギを有するＩｉｇＣｄＴ・層１
を検知器製造の当業者に周知である液相エピタキシ技術
によってＣｄＴ・基１［１上に成長させる。ＨｇＣＩＴ
・層２０厚さは一般にＩＩｇＣｄＴ・の少数キャリイヤ
の拡散長に比して薄くする。光電検知器３ｔたは４はイ
オン注入（第１図参照）あるいＦｉ第２層ｏｇ長（第２
図参照）０いづれかによって、ＨｇＣｄＴ・層Ｏ自由表
面上に形成される。
を検知器製造の当業者に周知である液相エピタキシ技術
によってＣｄＴ・基１［１上に成長させる。ＨｇＣＩＴ
・層２０厚さは一般にＩＩｇＣｄＴ・の少数キャリイヤ
の拡散長に比して薄くする。光電検知器３ｔたは４はイ
オン注入（第１図参照）あるいＦｉ第２層ｏｇ長（第２
図参照）０いづれかによって、ＨｇＣｄＴ・層Ｏ自由表
面上に形成される。
例えば、ＷＸ２図に示されるように、層２に対して、反
対のキャリイヤを有するＨｇＣｄＴ＠（ＤＩＩ２層は成
長させ、ＨｇＣｄＴ・の第２層を介して層２ヘエッチン
グする仁とで、検知器配列を形成する。図示の配列にお
いて、ＣｄＴ・基＠１に入射する放射５Ｉ５が、基板１
を通じてＨｇＣｄＴｅ層２へ貫通し、検知器３あるいは
４層９部の検知器接＠１１７ｔｃ収集される少数キャリ
イヤｔ−住する。この接合１１７は第１図および第２１
において破、−で示す平面図である。
対のキャリイヤを有するＨｇＣｄＴ＠（ＤＩＩ２層は成
長させ、ＨｇＣｄＴ・の第２層を介して層２ヘエッチン
グする仁とで、検知器配列を形成する。図示の配列にお
いて、ＣｄＴ・基＠１に入射する放射５Ｉ５が、基板１
を通じてＨｇＣｄＴｅ層２へ貫通し、検知器３あるいは
４層９部の検知器接＠１１７ｔｃ収集される少数キャリ
イヤｔ−住する。この接合１１７は第１図および第２１
において破、−で示す平面図である。
本発明の一実施例によれば、吸収あるいは反射＠料から
なる不通ｖＡの薄いフィルム６は検知器３あるいは４が
配置されているｐＩｉと祉反対儒の基１１１０！！ｌｌ
５Ｋ設けられる。−収＠料の一例は露１０ｘで、８〜１
２ζクロンＯヌベクトル帝域で一４収する。このよう危
＃科は、例えば、ｍ諌技術分野Ｋかいて周知の蒸着ｌ＆
理にて形成される０層・となる反射＠料の例として嬬、
クロム、金、およびクロム−ゴールドなどがある。これ
らのｍ科は公知のスパッター技術で被着させる。次いで
、開孔−の配列を写真印刷−メび周知０１ｌｌｉ準エツ
苧ングあるいはりフト・オフ技＠管用いて、層６に形成
する。例えば、耐光剤（ホトレジスト）がクロムゴール
ド層６上に被着させる。次いでこの耐光剤は露出され現
舞されて、検知Ｓ＊＊Ｓｔとほぼ一列となる開口管形成
する。それから、クロムゴールド層６がエツチング除去
されて、開孔畠を形威し、しかる後に耐光剤が取除かれ
る。
なる不通ｖＡの薄いフィルム６は検知器３あるいは４が
配置されているｐＩｉと祉反対儒の基１１１０！！ｌｌ
５Ｋ設けられる。−収＠料の一例は露１０ｘで、８〜１
２ζクロンＯヌベクトル帝域で一４収する。このよう危
＃科は、例えば、ｍ諌技術分野Ｋかいて周知の蒸着ｌ＆
理にて形成される０層・となる反射＠料の例として嬬、
クロム、金、およびクロム−ゴールドなどがある。これ
らのｍ科は公知のスパッター技術で被着させる。次いで
、開孔−の配列を写真印刷−メび周知０１ｌｌｉ準エツ
苧ングあるいはりフト・オフ技＠管用いて、層６に形成
する。例えば、耐光剤（ホトレジスト）がクロムゴール
ド層６上に被着させる。次いでこの耐光剤は露出され現
舞されて、検知Ｓ＊＊Ｓｔとほぼ一列となる開口管形成
する。それから、クロムゴールド層６がエツチング除去
されて、開孔畠を形威し、しかる後に耐光剤が取除かれ
る。
マスクあるいはコールド遮蔽を饋えた検知ＩＩ＠料２お
よび基１ｉ１が別島に製造される場合には１、旨 開孔８０配列は、赤外ｌ１ｊＩｌｌ黴鏡あるいは類似の
技術によって、検知器配列と一列になるよ５に會せを行
う。その場合には、ｍ着剤履口が１１１１と層２を接合
するＯＫＩ！！用される。
よび基１ｉ１が別島に製造される場合には１、旨 開孔８０配列は、赤外ｌ１ｊＩｌｌ黴鏡あるいは類似の
技術によって、検知器配列と一列になるよ５に會せを行
う。その場合には、ｍ着剤履口が１１１１と層２を接合
するＯＫＩ！！用される。
まえ、本発明は、検知器配列に用いる別体のコール）’
ｌｌ蔽アッセンブリの形ａｔ取って４！い＃、Ｗｈｔｔ
ａ ６るいはＢｏｒｒ＠ｌｌ・の手法を用いて別々に製
造してもよい。例えば、電磁エネルギーの所足のスペク
トルに対し透過性である＠料からなるｌＩ＠１は、吸収
あるいは反射林料からなる不透過性の薄いフィルム６で
被覆されていてもよい。上述したように開孔８の輪郭を
占いた後、そのようなアッセンブリがＷｈ ｌ ｔ・あ
るいはＢｏｒｒ＠ｌｌｏ Ｏような検知器配列に適用さ
れ、最終のアッセンブリが、開孔ａｔ通じて、適用可能
なシステム光学系を臨むようにしてもよい。そのような
コールド遮蔽は、本出願の図面が開示しているように、
後面照射型の検知塵に適用できるが、従来的な意味では
Ｗｈｔｔａおよび１゜ｒｒｓｌｌｏが開示している、前
面照射検知器にも適用可能である。本発ｖｓＫよる別々
のコールド遮蔽を適用するとき、コールド層蔽が、層１
の厚さが希望通シに薄く形成されて−るので、前ｆｋＩ
型あゐいは後面ｌｌ１ｔ間はず検知器に非常に近接して
配置され、第３ＩＩ図に一例を示すように、第１１３１
１すなわち基＠１と第２ｓ＠すなわち基標１ｂとの間に
薄フィルム６を挾むことで、必要な強度補強がなされる
。
ｌｌ蔽アッセンブリの形ａｔ取って４！い＃、Ｗｈｔｔ
ａ ６るいはＢｏｒｒ＠ｌｌ・の手法を用いて別々に製
造してもよい。例えば、電磁エネルギーの所足のスペク
トルに対し透過性である＠料からなるｌＩ＠１は、吸収
あるいは反射林料からなる不透過性の薄いフィルム６で
被覆されていてもよい。上述したように開孔８の輪郭を
占いた後、そのようなアッセンブリがＷｈ ｌ ｔ・あ
るいはＢｏｒｒ＠ｌｌｏ Ｏような検知器配列に適用さ
れ、最終のアッセンブリが、開孔ａｔ通じて、適用可能
なシステム光学系を臨むようにしてもよい。そのような
コールド遮蔽は、本出願の図面が開示しているように、
後面照射型の検知塵に適用できるが、従来的な意味では
Ｗｈｔｔａおよび１゜ｒｒｓｌｌｏが開示している、前
面照射検知器にも適用可能である。本発ｖｓＫよる別々
のコールド遮蔽を適用するとき、コールド層蔽が、層１
の厚さが希望通シに薄く形成されて−るので、前ｆｋＩ
型あゐいは後面ｌｌ１ｔ間はず検知器に非常に近接して
配置され、第３ＩＩ図に一例を示すように、第１１３１
１すなわち基＠１と第２ｓ＠すなわち基標１ｂとの間に
薄フィルム６を挾むことで、必要な強度補強がなされる
。
し九がって、前述したように、この発明は最小厚さのコ
ールド遮蔽を提供し、高書度配列および低いｆ−数のシ
ステムに対する最適のｌｌ蔽を提供することになる。こ
の点については、薄ｖｈフィルムｂの厚さが、はぼ数十
分の１建タロンからは埋ｆＩ！ｌζクロンまでの範囲に
あるＯが違例である。実質的には、薄いフィル＾６が取
付けられている遮蔽多るいは基板１に対し、如伺なる所
望ｏｙｉｓあってよい。
ールド遮蔽を提供し、高書度配列および低いｆ−数のシ
ステムに対する最適のｌｌ蔽を提供することになる。こ
の点については、薄ｖｈフィルムｂの厚さが、はぼ数十
分の１建タロンからは埋ｆＩ！ｌζクロンまでの範囲に
あるＯが違例である。実質的には、薄いフィル＾６が取
付けられている遮蔽多るいは基板１に対し、如伺なる所
望ｏｙｉｓあってよい。
層蔽６によるコールド層蔽の効果は、相対ナイズ、検知
器のｗｃｏｓｒの間隔および熔蔽開孔＠に大息く依存し
ている。これについて轢、前述しえように、Ｗｈｉｔ＠
Ｑｌｌ蔽および本発明は両方とも、開孔８が、システム
光学系に臨むと１１１１Ｉ４知器０１！合ｓ１と向−あ
るいは本質的に同一〇幾何学的配置を有するように配置
されている点で非常に有馴になる。上述したように、を
九Ｗｈｉｔｅ □記載にもあるように、本願とＢｏｒｒ
＠１１ｏが開示している１１１ｉＩとは著しく異な〕、
その−五は、制限された所定ｄ配置においてのみ有効で
ある。というのは、シリコンにおいてエツチングされた
Ｗａ孔の配置は、シリコン０選劉的エツチング平１１に
よって、少なくとも部分的に決定されるからである。
器のｗｃｏｓｒの間隔および熔蔽開孔＠に大息く依存し
ている。これについて轢、前述しえように、Ｗｈｉｔ＠
Ｑｌｌ蔽および本発明は両方とも、開孔８が、システム
光学系に臨むと１１１１Ｉ４知器０１！合ｓ１と向−あ
るいは本質的に同一〇幾何学的配置を有するように配置
されている点で非常に有馴になる。上述したように、を
九Ｗｈｉｔｅ □記載にもあるように、本願とＢｏｒｒ
＠１１ｏが開示している１１１ｉＩとは著しく異な〕、
その−五は、制限された所定ｄ配置においてのみ有効で
ある。というのは、シリコンにおいてエツチングされた
Ｗａ孔の配置は、シリコン０選劉的エツチング平１１に
よって、少なくとも部分的に決定されるからである。
代表的な赤外−システムを、電磁放射靜検知シる光学系
ＩＳｔ有し、この光学系か状況の被視場を提供する（光
学系１３は光学的走査器を有するか、またはシステムは
光学的走査器を含まずにスターリング・センナを利用す
る。）システムは・また、検知器に衝突すゐ電磁放射−
を代表する電気信号上発生する光学系の被視場の通路に
設けられた電磁放射−検知器配列１０．１１、あるいは
１２のような配列を有する。本発明によれけ、システム
は、また、光学系が検知器に与える放射−に対し、検知
器が受ける放射ＩＩ ｔ ＩＩ ＠するｍ蔽を有してい
為。遮蔽は放射ＩＩＯ所定のスペクトルに対し透過性で
ある＠料からなるｌＩｌ＠をＡ＃Ｉする。不透ｍ性ｏ薄
いフィルムはａ＠ＯＦ面上に配置され、検知器は、ｍ＠
および開孔を介して、光学系に臨む。薄いフィルムは、
光学系の被視場外で生ずる電磁放射−から検知１ｇなｍ
蔽し、それによって検知器配列の感度を改良する０代表
的なシステムでは、検知器の配列および遮蔽を冷却する
冷却手段１４に有し、電気光学系１ｓが検知―配列Ｏ電
気出力に連係されて、光学系１３で被視される状況の表
示を行う。
ＩＳｔ有し、この光学系か状況の被視場を提供する（光
学系１３は光学的走査器を有するか、またはシステムは
光学的走査器を含まずにスターリング・センナを利用す
る。）システムは・また、検知器に衝突すゐ電磁放射−
を代表する電気信号上発生する光学系の被視場の通路に
設けられた電磁放射−検知器配列１０．１１、あるいは
１２のような配列を有する。本発明によれけ、システム
は、また、光学系が検知器に与える放射−に対し、検知
器が受ける放射ＩＩ ｔ ＩＩ ＠するｍ蔽を有してい
為。遮蔽は放射ＩＩＯ所定のスペクトルに対し透過性で
ある＠料からなるｌＩｌ＠をＡ＃Ｉする。不透ｍ性ｏ薄
いフィルムはａ＠ＯＦ面上に配置され、検知器は、ｍ＠
および開孔を介して、光学系に臨む。薄いフィルムは、
光学系の被視場外で生ずる電磁放射−から検知１ｇなｍ
蔽し、それによって検知器配列の感度を改良する０代表
的なシステムでは、検知器の配列および遮蔽を冷却する
冷却手段１４に有し、電気光学系１ｓが検知―配列Ｏ電
気出力に連係されて、光学系１３で被視される状況の表
示を行う。
第１図は、個々の検知器エレメントの領域内でイオン注
入で生成された従来の電磁エネルギー検知器配列の図、
第２図は、１つのキャリイヤタイプの＠料’ｋ、反対の
キャリイヤタイプのペース上に成長させてエツチングに
よって形成し九従未の電磁エネルギー検知器配列の図、
第３Ａ図は、本発明による検知器配列の斜視図、第３Ｂ
図は、本発明の別の望ましい実施例による検知器配列の
内部に埋設され九コールド遮蔽の縦断ｌｌ１ｍ１．第４
図は、代表的な赤外線あるいは他の電磁エネルギー検知
システムのブロック図である。 １ｅ・・・基鈑、２・・・・層、３．４・・・・検知器
、５・ｅ・・赤外神、６・・・・不透過性の薄いフィル
ム、７・・・・検知ｌｉＯ接合部、８・・・・開孔、ｅ
・−−・接着剤層、１０．１１１２・・・・配列、１３
・・・・光学系、１４・・・・冷却手段、１５・・・・
電気光学系。 特許出膳人 ハネウェル・インコーポレーテツド復代
理人 山 川 政 樹（ほか１名）Ｆｌｃ、、１ ７・、 Ｆｉｃ；、２
入で生成された従来の電磁エネルギー検知器配列の図、
第２図は、１つのキャリイヤタイプの＠料’ｋ、反対の
キャリイヤタイプのペース上に成長させてエツチングに
よって形成し九従未の電磁エネルギー検知器配列の図、
第３Ａ図は、本発明による検知器配列の斜視図、第３Ｂ
図は、本発明の別の望ましい実施例による検知器配列の
内部に埋設され九コールド遮蔽の縦断ｌｌ１ｍ１．第４
図は、代表的な赤外線あるいは他の電磁エネルギー検知
システムのブロック図である。 １ｅ・・・基鈑、２・・・・層、３．４・・・・検知器
、５・ｅ・・赤外神、６・・・・不透過性の薄いフィル
ム、７・・・・検知ｌｉＯ接合部、８・・・・開孔、ｅ
・−−・接着剤層、１０．１１１２・・・・配列、１３
・・・・光学系、１４・・・・冷却手段、１５・・・・
電気光学系。 特許出膳人 ハネウェル・インコーポレーテツド復代
理人 山 川 政 樹（ほか１名）Ｆｌｃ、、１ ７・、 Ｆｉｃ；、２
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｔｉｔｔ磁放射曽（がが入射する状況を観視し、この状
況を皺視する場簀を蝿供する光学系０と、この光学系Ｏ
観視場の通路に取付けられ、検知１１に衝突する電磁放
射−を表す電気的信号を発生する検知器（３，４″）０
配列（１Ｇ、１１．１２）と、電磁放射−ａＳ定のスペ
クトルに対し透過性である第ｉ＊＊ｔｔｉシから成シ、
このＩＩ剃Ｏ＊Ｗｔに配置され、その円Ｓに形成した開
孔（８１含有し、検知器祉前配ＩＢ＠シよび開孔を通じ
て光学系に臨み、光学系における観視場Ｏ外儒で生ずる
電磁放射曽よシ検知ａｔｍ＊ｔ、。 て検知響配列Ｏｓ度を改良する不透過性の薄い７４ルム
からなる１１１１（６１と、検知器配列とシールドとを
冷却する冷却苧段Ｉと、前記配列ＯＩＩ気的出力に連係
され、光学系に′ｃ＠視され良状況を一示する電気光学
系０９とからなシ、これによって実質的に社＊ｔ：Ｓ＠
は如伺愈る厚さでもよく、検知器に対し層蔽を非常に接
近して配置することがで自、非常に高１５匿の検知器配
列が得られることｔｅａとするところの電磁放射線検知
装置、 （２１電磁エネルギー探知装置における光学系０によっ
て検知器に与えられる放射−に対し、電磁エネルギー放
射検知器（３，４庫受ける放射−（６１劃−する層蔽（
６１であって、こＯ遮蔽は電離放射ＩＩＯ所定のスペク
トルに対し透過性で参る第１ｓ舅（１）からなシ、ζ０
１６ｍの表面には薄いフィルムが配置され、このフィル
ムはＰＩＩＩＫ形成し九一孔（３）を有し、検知器は前
記Ｓ徊および開孔を介して光学系に臨み、前記フィルム
は光学系における観視場の外で生ずる電磁放射−よル検
知器を層蔽して検知！配列の感匿を改良し、これによっ
て実質的には前記Ｓ＠の厚さ轄何如なるもＯでもよく、
検知−に対し非常に近接して配置で匙、非常に高−ＩＦ
履で配列できることを４９１１とする電離放射−探知装
置のｌ！藪。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/279,297 US4446372A (en) | 1981-07-01 | 1981-07-01 | Detector cold shield |
| US279297 | 1981-07-01 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5810620A true JPS5810620A (ja) | 1983-01-21 |
| JPH0230446B2 JPH0230446B2 (ja) | 1990-07-06 |
Family
ID=23068387
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57111855A Granted JPS5810620A (ja) | 1981-07-01 | 1982-06-30 | 電磁放射検出装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4446372A (ja) |
| EP (1) | EP0068456B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5810620A (ja) |
| DE (1) | DE3278960D1 (ja) |
| IL (1) | IL66052A (ja) |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4609820A (en) * | 1983-04-07 | 1986-09-02 | Fujitsu Limited | Optical shield for image sensing device |
| FR2577073B1 (fr) * | 1985-02-06 | 1987-09-25 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif matriciel de detection d'un rayonnement lumineux a ecrans froids individuels integres dans un substrat et son procede de fabrication |
| DE3667226D1 (de) * | 1985-08-27 | 1990-01-04 | Siemens Ag | Fotoempfindliche anordnung auf der basis von a-si:h fuer bildsensoren. |
| JPS62201325A (ja) * | 1986-02-07 | 1987-09-05 | Fujitsu Ltd | 赤外線検知器 |
| US4724326A (en) * | 1986-06-05 | 1988-02-09 | The Perkin-Elmer Corporation | Off-chip time-delayed integration area array Fraunhofer line discriminator |
| DE3885653T2 (de) * | 1987-05-26 | 1994-06-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Strahlungsdetektor. |
| US4814620A (en) * | 1987-12-01 | 1989-03-21 | Honeywell Inc. | Tilted array with parallel cold shield |
| FR2628562A1 (fr) * | 1988-03-11 | 1989-09-15 | Thomson Csf | Dispositif d'imagerie a structure matricielle |
| US4898435A (en) * | 1988-06-24 | 1990-02-06 | Honeywell Inc. | Dark mirror coated prism |
| US4995700A (en) * | 1989-03-31 | 1991-02-26 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Cryogenic shutter |
| US5128796A (en) * | 1989-03-31 | 1992-07-07 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Cryogenic shutter |
| FR2651315B1 (fr) * | 1989-08-22 | 1991-11-15 | Detecteurs Infra Rouges Ste Fs | Dispositif de detection infra-rouge. |
| JPH03209769A (ja) * | 1990-01-11 | 1991-09-12 | Mitsubishi Electric Corp | 赤外線イメージセンサ |
| US5378892A (en) * | 1990-09-28 | 1995-01-03 | Martin Marietta Corporation | Angle filter for use in an infrared optical system |
| US5216248A (en) * | 1990-11-08 | 1993-06-01 | Asahi Kogaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Photodetector with mask for stable output signal |
| US5502309A (en) * | 1994-09-06 | 1996-03-26 | Rockwell International Corporation | Staring sensor |
| US5627675A (en) * | 1995-05-13 | 1997-05-06 | Boeing North American Inc. | Optics assembly for observing a panoramic scene |
| US5841589A (en) * | 1995-09-26 | 1998-11-24 | Boeing North American, Inc. | Panoramic optics assembly having an initial flat reflective element |
| DE60142952D1 (de) * | 2000-05-18 | 2010-10-14 | Bridgestone Corp | Verfahren zur herstellung einer elektromagnetisch abschirmenden und lichtdurchlässigen platte |
| US7450862B2 (en) * | 2002-03-19 | 2008-11-11 | Axsun Technologies, Inc. | Stray light insensitive detector system and amplifier |
| DE102005048022A1 (de) * | 2005-10-06 | 2007-02-01 | Siemens Ag | Messkopf für ein Leuchtdichte- und/oder Chroma-Messgerät |
| US8379408B2 (en) * | 2008-02-28 | 2013-02-19 | Nec Corporation | Electromagnetic shield structure, wireless device using the structure, and method of manufacturing electromagnetic shield |
| US8692172B2 (en) * | 2009-04-21 | 2014-04-08 | Raytheon Company | Cold shield apparatus and methods |
| JP5716347B2 (ja) | 2010-10-21 | 2015-05-13 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及び電子機器 |
| JP6863578B2 (ja) * | 2017-04-19 | 2021-04-21 | 日本分光株式会社 | 赤外顕微鏡 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5430883A (en) * | 1977-08-12 | 1979-03-07 | Oki Electric Ind Co Ltd | Charge transfer type photo detector |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3633031A (en) * | 1970-01-09 | 1972-01-04 | Continental Can Co | Can weld side-seam defect detector utilizing infrared detection means and collimator fiber optics |
| US3929398A (en) * | 1971-08-18 | 1975-12-30 | Harry E Bates | High speed optical wavelength detection system |
| US3963926A (en) * | 1975-01-09 | 1976-06-15 | Texas Instruments Incorporated | Detector cold shield |
| US4078243A (en) * | 1975-12-12 | 1978-03-07 | International Business Machines Corporation | Phototransistor array having uniform current response and method of manufacture |
| US4039833A (en) * | 1976-08-17 | 1977-08-02 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | High density infrared detector array |
| US4253022A (en) * | 1979-05-08 | 1981-02-24 | Texas Instruments Incorporated | Infrared detector array assembly with attached optical microphonics filter |
| FR2464563A1 (fr) * | 1979-08-31 | 1981-03-06 | Thomson Csf | Dispositif photodetecteur a semi-conducteur et procede de fabrication, et analyseur d'image comportant un tel dispositif |
-
1981
- 1981-07-01 US US06/279,297 patent/US4446372A/en not_active Expired - Fee Related
-
1982
- 1982-06-14 IL IL66052A patent/IL66052A/xx unknown
- 1982-06-25 DE DE8282105621T patent/DE3278960D1/de not_active Expired
- 1982-06-25 EP EP82105621A patent/EP0068456B1/en not_active Expired
- 1982-06-30 JP JP57111855A patent/JPS5810620A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5430883A (en) * | 1977-08-12 | 1979-03-07 | Oki Electric Ind Co Ltd | Charge transfer type photo detector |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0068456A3 (en) | 1985-01-30 |
| US4446372A (en) | 1984-05-01 |
| EP0068456A2 (en) | 1983-01-05 |
| DE3278960D1 (en) | 1988-09-29 |
| JPH0230446B2 (ja) | 1990-07-06 |
| IL66052A (en) | 1985-11-29 |
| EP0068456B1 (en) | 1988-08-24 |
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