JPH0348636A - アシル基置換芳香族化合物の製造方法 - Google Patents
アシル基置換芳香族化合物の製造方法Info
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- JPH0348636A JPH0348636A JP1182270A JP18227089A JPH0348636A JP H0348636 A JPH0348636 A JP H0348636A JP 1182270 A JP1182270 A JP 1182270A JP 18227089 A JP18227089 A JP 18227089A JP H0348636 A JPH0348636 A JP H0348636A
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- aromatic compound
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Landscapes
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
- Catalysts (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は農薬、写真薬、ＵＶ吸収剤などとして有用な化
合物であるアシル基置換芳香族化合物の新規な製造方法
に関する。
合物であるアシル基置換芳香族化合物の新規な製造方法
に関する。
芳香族化合物とカルボン酸類とからアシル基置換芳香族
化合物を製造する方法において、触媒としてイオン交換
型層粘土を使用する方法が提案されている（特開昭６１
−１５２６３６号公報）。 この方法は操作が簡単で、
工業的な製造に適しているが、さらに高活性の触媒を使
用して効率よくアシル基置換芳香族化合物を製造する方
法が要望されている。
化合物を製造する方法において、触媒としてイオン交換
型層粘土を使用する方法が提案されている（特開昭６１
−１５２６３６号公報）。 この方法は操作が簡単で、
工業的な製造に適しているが、さらに高活性の触媒を使
用して効率よくアシル基置換芳香族化合物を製造する方
法が要望されている。
本発明の目的は、高活性の触媒を使用し、水が存在して
も高収率でアシル基置換芳香族化合物を製造できるアシ
ル基置換芳香族化合物の製造方法を提案することである
。
も高収率でアシル基置換芳香族化合物を製造できるアシ
ル基置換芳香族化合物の製造方法を提案することである
。
本発明は、下記−能代（１）
（式中、Ｒは水素原子、アルキル基、アルコキシ基また
はハロゲン原子、ｍは１〜３の整数、ＰおよびＱは両方
とも水素原子であるか、どちらか−方がフェニル基であ
って他方が水素原子であるか、または両方が結合して置
換もしくは非置換のナフタレン環またはテトラリン環を
形成するのに必要な炭化水素基を示す、） で表わされる芳香族化合物とカルボン酸類とを反応させ
てアシル基置換芳香族化合物を製造する方法において、
触媒として、下記−能代〔■〕（Ｘ’＋−Ａ ｒ’−（
Ｓｏ、Ｈ）。
はハロゲン原子、ｍは１〜３の整数、ＰおよびＱは両方
とも水素原子であるか、どちらか−方がフェニル基であ
って他方が水素原子であるか、または両方が結合して置
換もしくは非置換のナフタレン環またはテトラリン環を
形成するのに必要な炭化水素基を示す、） で表わされる芳香族化合物とカルボン酸類とを反応させ
てアシル基置換芳香族化合物を製造する方法において、
触媒として、下記−能代〔■〕（Ｘ’＋−Ａ ｒ’−（
Ｓｏ、Ｈ）。
・・・（ＩＩ）
（式中、ｘｌはフッ素原子またはエーテル酸素原子を含
んでいてもよい炭素数１〜１４のフッ素含有アルキル基
、 Ａｒ”はアリール基、 ｎは１〜５の整数、ｍは１
〜３の整数を示す。ｎが２以上の場合、ｘｌは同一でも
異なっていてもよい。） で表わされるフッ素含有芳香族スルホン酸触媒、または
下記−能代（ｍ、１ （Ｘ２）−Ａｒ２−（ＳＯｌＨ）ＩＩ・・・〔■〕（式
中、ｘ２はフッ素原子またはエーテル酸素原子を含んで
いてもよい炭素数１〜１４のフッ素含有アルキル基、Ａ
ｒ”はアリール基、 ｎは１〜５の整数、ｍは１〜３の
整数を示す、ｎが２以上の場合 ｘ２は同一でも異なっ
ていてもよい。） で表わされる置換アリール基がマトリックスに結合した
フッ素含有芳香族スルホン酸触媒を使用することを特徴
とするアシル基置換芳香族化合物の製造方法である。
んでいてもよい炭素数１〜１４のフッ素含有アルキル基
、 Ａｒ”はアリール基、 ｎは１〜５の整数、ｍは１
〜３の整数を示す。ｎが２以上の場合、ｘｌは同一でも
異なっていてもよい。） で表わされるフッ素含有芳香族スルホン酸触媒、または
下記−能代（ｍ、１ （Ｘ２）−Ａｒ２−（ＳＯｌＨ）ＩＩ・・・〔■〕（式
中、ｘ２はフッ素原子またはエーテル酸素原子を含んで
いてもよい炭素数１〜１４のフッ素含有アルキル基、Ａ
ｒ”はアリール基、 ｎは１〜５の整数、ｍは１〜３の
整数を示す、ｎが２以上の場合 ｘ２は同一でも異なっ
ていてもよい。） で表わされる置換アリール基がマトリックスに結合した
フッ素含有芳香族スルホン酸触媒を使用することを特徴
とするアシル基置換芳香族化合物の製造方法である。
本発明で出発原料として用いられる芳香族化合物は、前
記−能代（１）で表わされる芳香族化合物である。
記−能代（１）で表わされる芳香族化合物である。
前記−能代［１）で表わされる芳香族化合物として具体
的には、例えばベンゼン、トルエン、ｏ、ａｔ。
的には、例えばベンゼン、トルエン、ｏ、ａｔ。
Ｐ−キシレン、メシチレン、プソイドクメン、１．２゜
４．５−テトラメチルベンゼン、エチルベンゼン、 ｎ
−プロピルベンゼン、イソプロピルベンゼン、ブチルベ
ンゼン、ジエチルベンゼン、ジイソプロピルベンゼン等
のアルキルベンゼン類；アニソール、メチルメトキシベ
ンゼン、エチルメトキシベンゼン、エトキシベンゼン、
メチルエトキシベンゼン。
４．５−テトラメチルベンゼン、エチルベンゼン、 ｎ
−プロピルベンゼン、イソプロピルベンゼン、ブチルベ
ンゼン、ジエチルベンゼン、ジイソプロピルベンゼン等
のアルキルベンゼン類；アニソール、メチルメトキシベ
ンゼン、エチルメトキシベンゼン、エトキシベンゼン、
メチルエトキシベンゼン。
プロポキシベンゼン等のアルコキシベンゼン類；クロロ
ベンゼン、メチルクロロベンゼン、メトキシクロロベン
ゼン、ブロモベンゼン、メチルブロモベンゼン、ヨード
ベンゼン、フルオロベンゼン等のハロゲン化ベンゼン類
；ビフェニル；ナフタレン、α−メチルナフタレン、β
−メチルナフタレン、２．６−ジメチルナフタレン、メ
チルクロロナフタレン、メトキシナフタレン等のナフタ
レン類；テトラリンなどを例示できる。これらの中では
トルエン＋ ０ｅｌｌ＋Ｐ−キシレン、メシチレン、ア
ニソール、ナフタレン、メチルナフタレン、ジメチルナ
フタレン、メトキシナフタレンなどを使用すると反応収
率が高いので好ましい。
ベンゼン、メチルクロロベンゼン、メトキシクロロベン
ゼン、ブロモベンゼン、メチルブロモベンゼン、ヨード
ベンゼン、フルオロベンゼン等のハロゲン化ベンゼン類
；ビフェニル；ナフタレン、α−メチルナフタレン、β
−メチルナフタレン、２．６−ジメチルナフタレン、メ
チルクロロナフタレン、メトキシナフタレン等のナフタ
レン類；テトラリンなどを例示できる。これらの中では
トルエン＋ ０ｅｌｌ＋Ｐ−キシレン、メシチレン、ア
ニソール、ナフタレン、メチルナフタレン、ジメチルナ
フタレン、メトキシナフタレンなどを使用すると反応収
率が高いので好ましい。
本発明のアシル基置換芳香族化合物の製造方法で用いら
れるカルボン酸類としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸
、ステアリン酸、ラウリル酸、アクリル酸、メタクリル
酸、シュウ酸、コハク酸、マレイン酸等の脂肪族カルボ
ン酸類；フェニル酢酸。
れるカルボン酸類としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸
、ステアリン酸、ラウリル酸、アクリル酸、メタクリル
酸、シュウ酸、コハク酸、マレイン酸等の脂肪族カルボ
ン酸類；フェニル酢酸。
ケイ皮酸等の置換または無置換の芳香族炭化水素で置換
された脂肪族カルボン酸類；安息香酸、トルイル酸、エ
チル安息香酸、フェニル安息香酸、ヒドロキシ安息香酸
、メトキシ安息香酸、アリール安息香酸、クロロ安息香
酸、ニトロ安息香酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフ
タル酸、ナフトエ酸、ナフタレンジカルボン酸等の芳香
族カルボン酸類；無水酢酸、無水プロピオン酸、無水安
息香酸、無水フタル酸等の酸無水物；塩化アセチル。
された脂肪族カルボン酸類；安息香酸、トルイル酸、エ
チル安息香酸、フェニル安息香酸、ヒドロキシ安息香酸
、メトキシ安息香酸、アリール安息香酸、クロロ安息香
酸、ニトロ安息香酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフ
タル酸、ナフトエ酸、ナフタレンジカルボン酸等の芳香
族カルボン酸類；無水酢酸、無水プロピオン酸、無水安
息香酸、無水フタル酸等の酸無水物；塩化アセチル。
塩化ベンゾイル等の酸ハロゲン化物；ピルビン酸等のケ
トカルボン酸類などをあげることができる。
トカルボン酸類などをあげることができる。
本発明では、触媒として前記−能代（Ｉｌ〕で表わされ
るフッ素含有芳香族スルホン酸触媒（以下。
るフッ素含有芳香族スルホン酸触媒（以下。
触媒１と略記する場合がある）、または前記−能代（ｍ
）で表わされる置換アリール基がマトリックスに結合し
たフッ素含有芳香族スルホン酸触媒（以下、触媒２と略
記する場合がある）を使用する。
）で表わされる置換アリール基がマトリックスに結合し
たフッ素含有芳香族スルホン酸触媒（以下、触媒２と略
記する場合がある）を使用する。
触媒１は芳香族化合物にフッ素原子またはフッ素含有ア
ルキル基、およびスルホン酸基が置換したフッ素含有芳
香族スルホン酸からなる。また触媒２はこのようなフッ
素含有芳香族スルホン酸がマトリックスに結合したもの
である。
ルキル基、およびスルホン酸基が置換したフッ素含有芳
香族スルホン酸からなる。また触媒２はこのようなフッ
素含有芳香族スルホン酸がマトリックスに結合したもの
である。
前記−能代（Ｉｆ）および（ｍ）において、Ａｒ１、Ａ
ｒ２で表わされるアリール基としては、例えばフェニル
基、ナフチル基、アントリル基などをあげることができ
る。
ｒ２で表わされるアリール基としては、例えばフェニル
基、ナフチル基、アントリル基などをあげることができ
る。
前記−能代（ＩＩ）および（ＩＩ［）において、 ｘ”
、 ｘ”で表わされるフッ素含有アルキル基としては、
具体的には−ＣＦ３．−ＣＦ２ＣＦ、、 −ＣＦ２ＣＦ
２ＣＦ、。
、 ｘ”で表わされるフッ素含有アルキル基としては、
具体的には−ＣＦ３．−ＣＦ２ＣＦ、、 −ＣＦ２ＣＦ
２ＣＦ、。
−ＣＨ２Ｃ７１，−ＣＨａＣ＋Ｆｓ−−ＣＨｘＣｓＦｘ
ｘ、−ＣＨ２Ｃ７Ｆｘｓ。
ｘ、−ＣＨ２Ｃ７Ｆｘｓ。
−Ｃ１ｌｚＣｓＦｔｔ、−ｃＨ，ｃ、Ｆ、、、 −ｃ
Ｈ，ｃ１ｏＦ２．。
Ｈ，ｃ１ｏＦ２．。
−Ｃ１ｌ、Ｃ）Ｉ、ＣＦ、、 −ＣＨ，ＣＨ２Ｃ，Ｆ、
、 −ＣＨ２ＣＨ，Ｃ，Ｆ、。
、 −ＣＨ２ＣＨ，Ｃ，Ｆ、。
−Ｃ）ｌｚＣＨｚＣ４Ｆｓ、−ＣＨｚＣＨｚＣｓＦｘｎ
ｔ −ＣＨｚＣ）Ｉ２ＣｔＦｔｓ。
ｔ −ＣＨｚＣ）Ｉ２ＣｔＦｔｓ。
−ＣＨ２Ｃ）Ｈ２Ｃ，Ｆ、、、 −Ｃｌ（２Ｃ８２Ｃ，
Ｆｉ、、 −Ｃ１１，Ｃ）１．Ｃ，。Ｆ、、。
Ｆｉ、、 −Ｃ１１，Ｃ）１．Ｃ，。Ｆ、、。
−ＣＨ２（ＣＦＺ）、１１．−ＣＩｌ２（ＣＦ２）４Ｈ
，−ＣＩｌ２（ＣＦ２）、１１゜−Ｃ）１ｚ（ＣＦｚ）
ｓＨｌ−Ｃ１ｌａ（ＣＦ、ａ）ｔｏＨ２−ＣＩｌ（ＣＦ
３）２゜−ｃｌｌ□ＣＦ、ｃＨ［７ＣＦ、、 −ＣＨ
ｚＣＦｚＣＨＦ（ＣＦ２）ｓ’ｔ−Ｃ１１，ＣＦ（ＣＦ
３）ＣＨＦＣＦ（ＣＦ、）、、 −Ｃ）１２ＣＦ（Ｃ，
Ｆ、）Ｃ）ｌ（ＣＦ、）、。
，−ＣＩｌ２（ＣＦ２）、１１゜−Ｃ）１ｚ（ＣＦｚ）
ｓＨｌ−Ｃ１ｌａ（ＣＦ、ａ）ｔｏＨ２−ＣＩｌ（ＣＦ
３）２゜−ｃｌｌ□ＣＦ、ｃＨ［７ＣＦ、、 −ＣＨ
ｚＣＦｚＣＨＦ（ＣＦ２）ｓ’ｔ−Ｃ１１，ＣＦ（ＣＦ
３）ＣＨＦＣＦ（ＣＦ、）、、 −Ｃ）１２ＣＦ（Ｃ，
Ｆ、）Ｃ）ｌ（ＣＦ、）、。
−ＣＨａＣｓＨＦｚ＊ 、−ＣｃＨＦｉａ 、−ＣＨｚ
ＣｔａＨＦ＊ｏ 。
ＣｔａＨＦ＊ｏ 。
−Ｃ）Ｉ、Ｃ３Ｆ１．）Ｉ、 −（Ｃ１１，）ＳＯＣＦ
（ＣＦ３）２゜−（ＣＨｚ）ｚｘＯｃＦ（ＣＦｉ）ｚ
−−ＣＨｚ （ＣＦ２）ｚＯｃＦ３゜−ＣＩｌ、 （Ｃ
Ｆ２ ＞２ＱＣ，Ｆ、 ｌ −ｃＨｚ （ＣＦＰ ）２
０Ｃ３Ｆ？ 。
（ＣＦ３）２゜−（ＣＨｚ）ｚｘＯｃＦ（ＣＦｉ）ｚ
−−ＣＨｚ （ＣＦ２）ｚＯｃＦ３゜−ＣＩｌ、 （Ｃ
Ｆ２ ＞２ＱＣ，Ｆ、 ｌ −ｃＨｚ （ＣＦＰ ）２
０Ｃ３Ｆ？ 。
などが例示できる。Ｘｌ、Ｘ２としてはフッ素原子また
は一〇Ｆ、が好ましい。
は一〇Ｆ、が好ましい。
触媒１は上記フッ素含有芳香族スルホン酸をそのまま使
用してもよいし、活性炭などの担体に物理的に担持させ
て使用してもよい。
用してもよいし、活性炭などの担体に物理的に担持させ
て使用してもよい。
触媒１は、前記Ａｒ”に相当する芳香族化合物をフッ素
化剤でフッ素化した後スルホン化剤でスルホン化する方
法、スルホン化剤でスルホン化したのフッ素含有芳香族
スルホクロリドを加水分解する方法などにより製造でき
る。フッ素化に用いるフッ素化剤としては、例えばフッ
化キセノン、フッ素ガスなどの公知のフッ素化剤が使用
でき、またスルホン化に用いるスルホン化剤としては１
例えばクロロ硫酸、濃硫酸などの公知のスルホン化剤が
使用できる。
化剤でフッ素化した後スルホン化剤でスルホン化する方
法、スルホン化剤でスルホン化したのフッ素含有芳香族
スルホクロリドを加水分解する方法などにより製造でき
る。フッ素化に用いるフッ素化剤としては、例えばフッ
化キセノン、フッ素ガスなどの公知のフッ素化剤が使用
でき、またスルホン化に用いるスルホン化剤としては１
例えばクロロ硫酸、濃硫酸などの公知のスルホン化剤が
使用できる。
触媒２において一般式（ＩＩＩ）で表わされる置換アリ
ール基が結合するマトリックスとしては特に制限はなく
、Ａｒ２と化学的に結合できるものであればよい。この
ようなマトリックスの具体的なものとしては、例えばポ
リシロキサン；シクロデキストリン；イオン交換樹脂；
ポリスチレン等の重合体；ジルコニウム、アルミニウム
、チタン等の金属化合物；ベントナイト、モンモリロナ
イト、雲母等の粘土；シリカ・アルミナなどをあげるこ
とができる。金属化合物の具体的なものとしては、例え
ばリン酸ジルコニウムなどをあげることができる。これ
らの中ではポリシロキサン、ジルコニウム化合物、雲母
、モンモリロナイトが好ましく使用できる。
ール基が結合するマトリックスとしては特に制限はなく
、Ａｒ２と化学的に結合できるものであればよい。この
ようなマトリックスの具体的なものとしては、例えばポ
リシロキサン；シクロデキストリン；イオン交換樹脂；
ポリスチレン等の重合体；ジルコニウム、アルミニウム
、チタン等の金属化合物；ベントナイト、モンモリロナ
イト、雲母等の粘土；シリカ・アルミナなどをあげるこ
とができる。金属化合物の具体的なものとしては、例え
ばリン酸ジルコニウムなどをあげることができる。これ
らの中ではポリシロキサン、ジルコニウム化合物、雲母
、モンモリロナイトが好ましく使用できる。
触媒２を製造するには、これらのマトリックスに前記一
般式（ｍ）で表わされる置換アリール基が結合した構造
が与えられる方法であればどのような方法でも採用でき
るが、具体的な例としては次の製造方法１〜５があげら
れる。なお、各製造方法において−Ａ、Ｂはそれぞれ反
応基を示している。またＡｒ２およびｘｌは前記一般式
〔旧〕 と同じものを示している６ 製造方法１ Ａ−８ マトリックス−Ａ ＋ Ｂ−Ａｒ”〜ｘ”−一→製
造方法３ この方法は、既に芳香族基が導入されているマトリック
スの芳香族基をスルホン化剤でスルホン化した後、フッ
素化剤でフッ素化する方法である。
般式（ｍ）で表わされる置換アリール基が結合した構造
が与えられる方法であればどのような方法でも採用でき
るが、具体的な例としては次の製造方法１〜５があげら
れる。なお、各製造方法において−Ａ、Ｂはそれぞれ反
応基を示している。またＡｒ２およびｘｌは前記一般式
〔旧〕 と同じものを示している６ 製造方法１ Ａ−８ マトリックス−Ａ ＋ Ｂ−Ａｒ”〜ｘ”−一→製
造方法３ この方法は、既に芳香族基が導入されているマトリック
スの芳香族基をスルホン化剤でスルホン化した後、フッ
素化剤でフッ素化する方法である。
製造方法４
この方法は、まずマトリックスにフッ素含有芳香族基を
導入し、次にこれをスルホン化剤でスルホン化する方法
である。
導入し、次にこれをスルホン化剤でスルホン化する方法
である。
製造方法２
Ａ−８
マトリックス−Ａ ＋ Ｂ−Ａｒ”−３ｏ３Ｈ−〉
この方法は、まずマトリックスにスルホン酸基含有芳香
族基を導入し、次にこれをフッ素化剤でフッ素化する方
法である。
この方法は、まずマトリックスにスルホン酸基含有芳香
族基を導入し、次にこれをフッ素化剤でフッ素化する方
法である。
この方法は、既に芳香族基が導入されているマトリック
スの芳香族基をフッ素化剤でフッ素化した後、スルホン
化剤でスルホン化する方法である。
スの芳香族基をフッ素化剤でフッ素化した後、スルホン
化剤でスルホン化する方法である。
製造方法５
２
Ａ−Ｂ
マトリックス−Ａ ＋ Ｂ−Ａｒ２−９ｏ３１＋−〉触
媒２この方法は、フッ素およびスルホン酸基が結合して
いる芳香族基をマトリックスに導入する方法である。
媒２この方法は、フッ素およびスルホン酸基が結合して
いる芳香族基をマトリックスに導入する方法である。
各製造方法において、フッ素化に用いるフッ素化剤とし
ては、例えばフッ化キセノン、フッ素ガスなどの公知の
フッ素化剤が使用でき、またスルホン化に用いるスルホ
ン化剤としては、例えばクロロ硫酸、濃硫酸などの公知
のスルホン化剤が使用できる。
ては、例えばフッ化キセノン、フッ素ガスなどの公知の
フッ素化剤が使用でき、またスルホン化に用いるスルホ
ン化剤としては、例えばクロロ硫酸、濃硫酸などの公知
のスルホン化剤が使用できる。
本発明で使用する触媒１および触媒２は、いずれも電子
吸引性の大きいフッ素原子を含んでいるためスルホン酸
基の酸強度が強められ、しかもフッ素原子を持っている
ため撥水性に優れている。
吸引性の大きいフッ素原子を含んでいるためスルホン酸
基の酸強度が強められ、しかもフッ素原子を持っている
ため撥水性に優れている。
このため、本発明の方法では１反応系に水が存在しても
、触媒が水による被毒作用を受けることなく、高活性が
継続的に発揮されるため、目的とするアシル基置換芳香
族化合物を高収率で製造できる。
、触媒が水による被毒作用を受けることなく、高活性が
継続的に発揮されるため、目的とするアシル基置換芳香
族化合物を高収率で製造できる。
これらの触媒１．２の使用量は、原料化合物や反応条件
によっても、多少異なるが、原料として仕込んだ芳香族
化合物およびカルボン酸類の合計１００重量部に対して
、通常０．１〜１００重量部、好ましくは１〜３０重量
部が好ましい。
によっても、多少異なるが、原料として仕込んだ芳香族
化合物およびカルボン酸類の合計１００重量部に対して
、通常０．１〜１００重量部、好ましくは１〜３０重量
部が好ましい。
本発明においては、触媒１または触媒２の存在下に、前
記芳香族化合物と前記カルボン酸類とを反応させること
によりアシル基置換芳香族化合物が得られる。生成され
るアシル基置換芳香族化合物として具体的には、例えば
ベンズアルデヒド、アセトフェノン、エチルフェニルケ
トン、ｎ−プロピルフェニルケトン、プロピルフェニル
ケトン、ブチルフェニルケトン等のアルキルフェニルケ
トン類；２−メチルベンズアルデヒド、４−メチルアセ
トフェノン、２．４−ジメチルアセトフェノン、２，４
゜６−ドリメチルアセトフエノン、２−エチルアセトフ
ェノン、４−メトキシアセトフェノン、４−エトキシア
セトフェノン、２．４−ジメチルフェニルエチルケトン
、２，４．６−ドリメチルフエニルエチルケトン、２．
４．６−ドリメチルフエニルプロピルケトン、４−メト
キシフェニルブチルケ１−ン等のアルキルアリールケト
ン類；ベンゾフェノン、２−メチルベンゾフェノン、４
−エチルベンゾフェノン、２，４−ジメチルベンゾフェ
ノン、３．４−ジメチルベンゾフェノン、２．５−ジメ
チルベンゾフェノン、２，４．６−１−ジメチルベンゾ
フェノン、２，４．６− トリメチル−４′−メチルベ
ンゾフェノン、２，４−ジエチル−４′−メチルベンゾ
フェノン、２．４−ジメチル−４′−メトキシベンゾフ
ェノン、４−メトキシベンゾフェノン、４−メトキシ−
４′−メチルベンゾフェノン、４，４′−ジメトキシベ
ンゾフェノン等のジアリールケトン類；ｌ−ナフチルエ
チルケトン、２−ナフチルメチルケトン、１−ナフチル
エチルケトン、■−ナフチルプロピルケトン、１−（６
−メチルナフチル）メチルケトン、２−（ｌ−メトキシ
ナフチル）メチルケトン、 ２−（１−メトキシナフチ
ル）エチルケトン等のアルキルナフチルケトン類；フェ
ニル−１−ナフチルケトン、フェニル−２−ナフチルケ
トン、フェニル−１−（２−メチルナフチル）ケトン、
フェニル−１−（６−メチルナフチル）ケトン、フェニ
ル−１−（２，６−シメチルナフチルニル−１−（６−
エチルナフチル）ケトン、フ土ニル−１−（２−メチル
−４−エチルナフチル）ケトン、フェニル−１−（６−
プロピルナフチル）ケトン、フェニル−２−（２−メチ
ルナフチル）ケトン、フェニル−２−（６−メチルナフ
チル）ケトン、フェニル−２−（１−メトキシナフチル
）ケトン等のフェニルナフチルケトン類；トリル−１−
ナフチルケ１ーン，トリルー２ーナフチルケトン、２．
４−ジメチルフェニル−１′−ナフチルケトン、２、４
−ジメチルフェニル−２′−ナフチルケトン、２，４。
記芳香族化合物と前記カルボン酸類とを反応させること
によりアシル基置換芳香族化合物が得られる。生成され
るアシル基置換芳香族化合物として具体的には、例えば
ベンズアルデヒド、アセトフェノン、エチルフェニルケ
トン、ｎ−プロピルフェニルケトン、プロピルフェニル
ケトン、ブチルフェニルケトン等のアルキルフェニルケ
トン類；２−メチルベンズアルデヒド、４−メチルアセ
トフェノン、２．４−ジメチルアセトフェノン、２，４
゜６−ドリメチルアセトフエノン、２−エチルアセトフ
ェノン、４−メトキシアセトフェノン、４−エトキシア
セトフェノン、２．４−ジメチルフェニルエチルケトン
、２，４．６−ドリメチルフエニルエチルケトン、２．
４．６−ドリメチルフエニルプロピルケトン、４−メト
キシフェニルブチルケ１−ン等のアルキルアリールケト
ン類；ベンゾフェノン、２−メチルベンゾフェノン、４
−エチルベンゾフェノン、２，４−ジメチルベンゾフェ
ノン、３．４−ジメチルベンゾフェノン、２．５−ジメ
チルベンゾフェノン、２，４．６−１−ジメチルベンゾ
フェノン、２，４．６− トリメチル−４′−メチルベ
ンゾフェノン、２，４−ジエチル−４′−メチルベンゾ
フェノン、２．４−ジメチル−４′−メトキシベンゾフ
ェノン、４−メトキシベンゾフェノン、４−メトキシ−
４′−メチルベンゾフェノン、４，４′−ジメトキシベ
ンゾフェノン等のジアリールケトン類；ｌ−ナフチルエ
チルケトン、２−ナフチルメチルケトン、１−ナフチル
エチルケトン、■−ナフチルプロピルケトン、１−（６
−メチルナフチル）メチルケトン、２−（ｌ−メトキシ
ナフチル）メチルケトン、 ２−（１−メトキシナフチ
ル）エチルケトン等のアルキルナフチルケトン類；フェ
ニル−１−ナフチルケトン、フェニル−２−ナフチルケ
トン、フェニル−１−（２−メチルナフチル）ケトン、
フェニル−１−（６−メチルナフチル）ケトン、フェニ
ル−１−（２，６−シメチルナフチルニル−１−（６−
エチルナフチル）ケトン、フ土ニル−１−（２−メチル
−４−エチルナフチル）ケトン、フェニル−１−（６−
プロピルナフチル）ケトン、フェニル−２−（２−メチ
ルナフチル）ケトン、フェニル−２−（６−メチルナフ
チル）ケトン、フェニル−２−（１−メトキシナフチル
）ケトン等のフェニルナフチルケトン類；トリル−１−
ナフチルケ１ーン，トリルー２ーナフチルケトン、２．
４−ジメチルフェニル−１′−ナフチルケトン、２、４
−ジメチルフェニル−２′−ナフチルケトン、２，４。
６−ドリメチルフエニルー１′−ナフチルケトン、２，
４。
４。
６−ドリメチルフエニルー２′−ナフチルケトン、２，
４−ジメチルフェニル−１’ − （４’−メチルナフ
チル）ケ１−ン、２，４．６− トリメチルフェニル−
１’−（６’−メチルナフチル）ケトン、４−メトキシ
フェニル−１′−ナフチルケトン、４−メトキシフェニ
ル−２−ナフチルケトン、４−メトキシフェニル−２’
−（６’−メトキシナフチル）ケトン等のアリールナフ
チルケトン類； １，１’ージナフチルケトン、１．２
′−ジナフチルケトン、２。
４−ジメチルフェニル−１’ − （４’−メチルナフ
チル）ケ１−ン、２，４．６− トリメチルフェニル−
１’−（６’−メチルナフチル）ケトン、４−メトキシ
フェニル−１′−ナフチルケトン、４−メトキシフェニ
ル−２−ナフチルケトン、４−メトキシフェニル−２’
−（６’−メトキシナフチル）ケトン等のアリールナフ
チルケトン類； １，１’ージナフチルケトン、１．２
′−ジナフチルケトン、２。
２′−ジナフチルケトン、１−（２−メチルナフチル）
−１′−ナフチルケトン、■−（５−メチルナフチル）
−ｔ’−ナフチルケトン、ｌ−（６−メチルナフチル）
−１′−ナフチルケトン、１−（４．６−シメチルナフ
チル）−１′−ナフチルケトン、１−（５−エチルナフ
チル）−１′−ナフチルケトン、ｌ−ナフチル−１’−
（６’−メチルナフチル）ケトン、 Ｌ−（４−メチル
ナフチル）−１’−（６’−メチルナフチル）ケトン、
１−（４−メチルナフチル）−２′−ナフチルケトン、
１−（６−プロピルナフチル）−２′−ナフチルケトン
、■−ナフチルー２’ −（６’−メチルナフチル）ケ
トン、１−（６−メチルナフチル）−２’−（４’−メ
チルナフチル）ケトン、２−（６−メチルナフチル）−
２’−（４’ 、７’−ジメチルナフチル）ケトン、２
−（１−メトキシナフチル）−１′−ナフチルケトン、
２−（１−メトキシナフチル）−１，’−（６’−メチ
ルナフチル）ケトン、２−（１−メトキシナフチル）−
１’−（４’−メトキシナフチル）ケトン等のジナフチ
ルケトン類などを例示できる。
−１′−ナフチルケトン、■−（５−メチルナフチル）
−ｔ’−ナフチルケトン、ｌ−（６−メチルナフチル）
−１′−ナフチルケトン、１−（４．６−シメチルナフ
チル）−１′−ナフチルケトン、１−（５−エチルナフ
チル）−１′−ナフチルケトン、ｌ−ナフチル−１’−
（６’−メチルナフチル）ケトン、 Ｌ−（４−メチル
ナフチル）−１’−（６’−メチルナフチル）ケトン、
１−（４−メチルナフチル）−２′−ナフチルケトン、
１−（６−プロピルナフチル）−２′−ナフチルケトン
、■−ナフチルー２’ −（６’−メチルナフチル）ケ
トン、１−（６−メチルナフチル）−２’−（４’−メ
チルナフチル）ケトン、２−（６−メチルナフチル）−
２’−（４’ 、７’−ジメチルナフチル）ケトン、２
−（１−メトキシナフチル）−１′−ナフチルケトン、
２−（１−メトキシナフチル）−１，’−（６’−メチ
ルナフチル）ケトン、２−（１−メトキシナフチル）−
１’−（４’−メトキシナフチル）ケトン等のジナフチ
ルケトン類などを例示できる。
上記アシル基置換芳香族化合物の中でも特にメチルベン
ゾフェノン、ジメチルベンゾフェノン、トリメチルベン
ゾフェノン、メトキシベンゾフェノンのジアリールケト
ン類；メチルアセトフェノン、ジメチルアセトフェノン
のアルキルアリールケトン類；フェニルナフチルケトン
、フェニルメトキシナフチルケトンのフェニルナフチル
ケトン類；メトキシフェニルナフチルケトン、フェニル
メトキシナフチルケトンのアリールナフチルケトン類；
メトキシナフチルメチルケトンのアルキルナフチルケト
ン類を製造する場合に、本発明の方法を用いると反応収
率が高くなるので好ましい。
ゾフェノン、ジメチルベンゾフェノン、トリメチルベン
ゾフェノン、メトキシベンゾフェノンのジアリールケト
ン類；メチルアセトフェノン、ジメチルアセトフェノン
のアルキルアリールケトン類；フェニルナフチルケトン
、フェニルメトキシナフチルケトンのフェニルナフチル
ケトン類；メトキシフェニルナフチルケトン、フェニル
メトキシナフチルケトンのアリールナフチルケトン類；
メトキシナフチルメチルケトンのアルキルナフチルケト
ン類を製造する場合に、本発明の方法を用いると反応収
率が高くなるので好ましい。
本発明の方法による反応は液相法あるいは気相法のいず
れの方法を用いても実施できるが、中でも液相法で行う
ことが効率上望ましい。
れの方法を用いても実施できるが、中でも液相法で行う
ことが効率上望ましい。
反応は溶媒は用いないで行うこともできるし、溶媒を用
いて行うこともできる。溶媒としては、例えばクロロベ
ンゼン、ジクロロベンゼン、ブロモベンゼン等のハロゲ
ン置換芳香族炭化水素などがあげられる。溶媒の使用量
は、原料として仕込んだ芳香族化合物およびカルボン酸
類の合計１重量部に対して０．１〜１００重量部が好ま
しい。
いて行うこともできる。溶媒としては、例えばクロロベ
ンゼン、ジクロロベンゼン、ブロモベンゼン等のハロゲ
ン置換芳香族炭化水素などがあげられる。溶媒の使用量
は、原料として仕込んだ芳香族化合物およびカルボン酸
類の合計１重量部に対して０．１〜１００重量部が好ま
しい。
本発明の方法においては、原料の芳香族化合物の１００
モルに対してカルボン酸類は、通常１〜１０００モル使
用できるが、好ましくはカルボン酸類を１０〜５０モル
と芳香族化合物が過剰になる条件で反応を行わせること
がアシル基置換芳香族化合物の選択率を高くする上から
も好ましい。
モルに対してカルボン酸類は、通常１〜１０００モル使
用できるが、好ましくはカルボン酸類を１０〜５０モル
と芳香族化合物が過剰になる条件で反応を行わせること
がアシル基置換芳香族化合物の選択率を高くする上から
も好ましい。
本発明のアシル化反応の反応温度は通常常温〜３５０℃
、好ましくは１００〜２５０℃であり、温度範囲におい
て必要に応じて液相法あるいは気相法のいずれかを採用
して反応を実施できる。このときの反応時間は適宜であ
るが、特に液相法の場合通常０．１〜２０時間反応を行
えば、充分である。
、好ましくは１００〜２５０℃であり、温度範囲におい
て必要に応じて液相法あるいは気相法のいずれかを採用
して反応を実施できる。このときの反応時間は適宜であ
るが、特に液相法の場合通常０．１〜２０時間反応を行
えば、充分である。
反応圧力は必要に応じて減圧、大気圧あるいは加圧下の
いずれでも行うことができる。さらに本発明の方法では
、必要に応じて生成する水を系外に除去しながら反応を
行うと、容易に反応が進むので好ましい。
いずれでも行うことができる。さらに本発明の方法では
、必要に応じて生成する水を系外に除去しながら反応を
行うと、容易に反応が進むので好ましい。
反応終了後、蒸留法、晶析法または抽出法などによって
アシル基置換芳香族化合物を得ることができる。
アシル基置換芳香族化合物を得ることができる。
本発明によれば、触媒としてフッ素原子またはフッ素含
有アルキル基、およびスルホン酸基を有するフッ素含有
芳香族スルホン酸触媒を使用するようにしたので、水が
存在しても高い収率でアシル基置換芳香族化合物が製造
できる。
有アルキル基、およびスルホン酸基を有するフッ素含有
芳香族スルホン酸触媒を使用するようにしたので、水が
存在しても高い収率でアシル基置換芳香族化合物が製造
できる。
以下、本発明の実施例について説明する。
実施例１
ｐ−フルオロベンゼンスルホン酸（以下、ＦＩＢＳＡと
略記する） ０．２ｇ、無水安息香酸５．６ｇおよびｍ
−キシレン２０＋ａＱを反応容器に入れ、ｍ−キシレン
還流下に２時間反応させ、ｍ−キシレンのアシル化反応
を行った。結果を表１に示す。
略記する） ０．２ｇ、無水安息香酸５．６ｇおよびｍ
−キシレン２０＋ａＱを反応容器に入れ、ｍ−キシレン
還流下に２時間反応させ、ｍ−キシレンのアシル化反応
を行った。結果を表１に示す。
実施例２
実施例１において、触媒をペンタフルオロベンゼンスル
ホン酸（以下、Ｆ５ＢＳＡと略記する）に変更した以外
は同一条件で反応を行った。結果を表１に示す。
ホン酸（以下、Ｆ５ＢＳＡと略記する）に変更した以外
は同一条件で反応を行った。結果を表１に示す。
比較例１〜３
実施例１において、触媒をスルホン化ポリフェニルシロ
キサン（比較例１）、ｐ−トルエンスルホン酸（比較例
２）、またはシリカ・アルミナ（比較例３）に変更した
以外は同一条件で反応を行った。結果を表１に示す。
キサン（比較例１）、ｐ−トルエンスルホン酸（比較例
２）、またはシリカ・アルミナ（比較例３）に変更した
以外は同一条件で反応を行った。結果を表１に示す。
表１
実施例３
クロロトリエ１−キシシラン８．０ｇをエーテル１００
ｎ＋Ｑに溶解し、トライアイス−アセトン浴上で撹拌し
た。次にＰ−フルオロフェニルマグネシウムブロミＦ
（Ｆ ８ Ｍ ｇ Ｂ ｒ ）の２．０Ｍエーテル溶液
２０ｍＱを滴下し１反応を行った。エーテルを留去して
得た淡黄色油状物をエタノール１００ｎ＋Ｑに溶解し、
テトラエトキシシラン２０ｇおよび０．ＩＮ塩酸３５ｍ
ｆｉを加えて、１２０℃で加熱し、２時間撹拌しながら
エタノールを留去した。
ｎ＋Ｑに溶解し、トライアイス−アセトン浴上で撹拌し
た。次にＰ−フルオロフェニルマグネシウムブロミＦ
（Ｆ ８ Ｍ ｇ Ｂ ｒ ）の２．０Ｍエーテル溶液
２０ｍＱを滴下し１反応を行った。エーテルを留去して
得た淡黄色油状物をエタノール１００ｎ＋Ｑに溶解し、
テトラエトキシシラン２０ｇおよび０．ＩＮ塩酸３５ｍ
ｆｉを加えて、１２０℃で加熱し、２時間撹拌しながら
エタノールを留去した。
残渣にシクロヘキサン１００ｍρおよびエタノール６０
＋ａｌｌを加えた後、強撹拌しながら蒸留水５００１に
滴下し、次いでアンモニア水ＩＱＯｍＱを加えた。
＋ａｌｌを加えた後、強撹拌しながら蒸留水５００１に
滴下し、次いでアンモニア水ＩＱＯｍＱを加えた。
８時間経過後、生成した固形物を濾過、水洗し、１００
℃で８時間乾燥して白色粉末状のフッ素含有ポリフェニ
ルシロキサン１４ｇを得た。
℃で８時間乾燥して白色粉末状のフッ素含有ポリフェニ
ルシロキサン１４ｇを得た。
得られた粉末１３ｇをクロロホルム５０ｄに加えた後、
クロロホルムとＣＱＳＯ，Ｈの５：１（容量比）混合液
１１００ａを滴下してスルホン化を行った。濾別、水洗
後、１００℃で乾燥し、目的とするフッ素含有スルホン
化ポリフェニルシロキサン触媒１１ｇを得た。元素分析
の結果、このフッ素含有スルホン化ポリフェニルシロキ
サンの組成は、Ｆ ： ２．６ｗｔ％、Ｓ ： ３．５
ｗｔ％、Ｃ： １２．０ｗｔ％、Ｓｉ ： ３３．０ｗ
ｔ％であった・ 上記のようにして得られたフッ素含有スルホン化ポリフ
ェニルシロキサン触媒０．２ｇ、メシチレン（１，３，
５−トリメチルベンゼン） ２０ｍＱおよびカプリル酸
０．５［を５０ｍＡのフラスコに入れ、１１１０℃で５
時間反応を行い、メシチレンのアシル化反応を行った。
クロロホルムとＣＱＳＯ，Ｈの５：１（容量比）混合液
１１００ａを滴下してスルホン化を行った。濾別、水洗
後、１００℃で乾燥し、目的とするフッ素含有スルホン
化ポリフェニルシロキサン触媒１１ｇを得た。元素分析
の結果、このフッ素含有スルホン化ポリフェニルシロキ
サンの組成は、Ｆ ： ２．６ｗｔ％、Ｓ ： ３．５
ｗｔ％、Ｃ： １２．０ｗｔ％、Ｓｉ ： ３３．０ｗ
ｔ％であった・ 上記のようにして得られたフッ素含有スルホン化ポリフ
ェニルシロキサン触媒０．２ｇ、メシチレン（１，３，
５−トリメチルベンゼン） ２０ｍＱおよびカプリル酸
０．５［を５０ｍＡのフラスコに入れ、１１１０℃で５
時間反応を行い、メシチレンのアシル化反応を行った。
結果を表２に示す。
比較例４，５
実施例３において、触媒をナフィオン−１１（デュポン
社製、商標）（比較例４）またはシリカ・アルミナ（比
較例５）に変更した以外は同一条件でメシチレンのアシ
ル化反応を行った。結果を表２に示す。
社製、商標）（比較例４）またはシリカ・アルミナ（比
較例５）に変更した以外は同一条件でメシチレンのアシ
ル化反応を行った。結果を表２に示す。
実施例４
市販のスルホン酸型イオン交換樹脂（ローム・アンド・
ハース社製アンバーリスト１５、商標）５ｇを四塩化炭
素５０ｇに加えた後、室温でフッ化キセノン２．５ｇを
加えて３時間反応を行うことにより、フッ素含有アンバ
ーリスト１５を得た。
ハース社製アンバーリスト１５、商標）５ｇを四塩化炭
素５０ｇに加えた後、室温でフッ化キセノン２．５ｇを
加えて３時間反応を行うことにより、フッ素含有アンバ
ーリスト１５を得た。
このフッ素含有アンバーリスト１５を触媒として用い、
実施例３と同様の反応を行った。結果を表２に示す。
実施例３と同様の反応を行った。結果を表２に示す。
比較例６
実施例４において、触媒をフッ素化前のアンノく−リス
ト１５に変更した以外は同一条件で反応を行った。結果
を表２に示す。
ト１５に変更した以外は同一条件で反応を行った。結果
を表２に示す。
実施例５
市販のポリスチレン１０ｇをクロロホルム５０ｍ１２に
加えた後、クロロホルム・Ｃｌ２ＳＯ，Ｈ混合液を滴下
してスルホン化を行った。濾別、洗浄後、スルホン化ポ
リスチレン５ｇを四塩化炭素５０ｇに加えた後、室温で
フッ化キセノン２．５ｇを加えて３時間反応を行い、フ
ッ素化スルホン化ポリスチレンを得た。
加えた後、クロロホルム・Ｃｌ２ＳＯ，Ｈ混合液を滴下
してスルホン化を行った。濾別、洗浄後、スルホン化ポ
リスチレン５ｇを四塩化炭素５０ｇに加えた後、室温で
フッ化キセノン２．５ｇを加えて３時間反応を行い、フ
ッ素化スルホン化ポリスチレンを得た。
このフッ素化スルホン化ポリスチレンを触媒として用い
、実施例３と同様の反応を行った。結果に表２に示す。
、実施例３と同様の反応を行った。結果に表２に示す。
比較例７
実施例５において、触媒をスルホン化ポリスチレンに変
更した以外は同一条件で反応を行った。
更した以外は同一条件で反応を行った。
結果を表２に示す。
表２
＄Ｉ Ｆ−５ＰＳ ；実施例３で得たフッ素含有スルホ
ン化ポリフェニルシロキサン Ａ２ Ｆ−Ａ１５ ；フッ素含有アンバーリスト１５＊
３ ＦＳ−ＰＳ ；フッ素化スルホン化ポリスチレン＊
４Ａ１５；アンバーリスト１５ Ａ５５−ＰＳ ；スルホン化ポリスチレン実施例６ 実施例３で得られたフッ素含有スルホン化ポリフェニル
シロキサン触媒０．２ｇ、 ｍ−キシレン２０ｍＡおよ
び無水安息香酸１５．６ｇを反応容器に入れ、ｍ−キシ
レン還流下に２時間反応させ、ｍ−キシレンのアシル化
反応を行った。結果を表３に示す。
ン化ポリフェニルシロキサン Ａ２ Ｆ−Ａ１５ ；フッ素含有アンバーリスト１５＊
３ ＦＳ−ＰＳ ；フッ素化スルホン化ポリスチレン＊
４Ａ１５；アンバーリスト１５ Ａ５５−ＰＳ ；スルホン化ポリスチレン実施例６ 実施例３で得られたフッ素含有スルホン化ポリフェニル
シロキサン触媒０．２ｇ、 ｍ−キシレン２０ｍＡおよ
び無水安息香酸１５．６ｇを反応容器に入れ、ｍ−キシ
レン還流下に２時間反応させ、ｍ−キシレンのアシル化
反応を行った。結果を表３に示す。
実施例７．８
実施例６において、ｍ−キシレンをトルエン（実施例７
）またはアニソール（実施例８）に変更した以外は同一
条件でアシル化反応を行った。結果を表３に示す。
）またはアニソール（実施例８）に変更した以外は同一
条件でアシル化反応を行った。結果を表３に示す。
実施例９〜１１
実施例６において、無水安息香酸を安息香酸（実施例９
）、プロピオン酸〈実施例１０）または酢酸（実施例１
１）に変更した以外は同一条件でｍ−キシレンのアシル
化反応を行った。結果を表３に示す。
）、プロピオン酸〈実施例１０）または酢酸（実施例１
１）に変更した以外は同一条件でｍ−キシレンのアシル
化反応を行った。結果を表３に示す。
比較例８〜ｌＯ
実施例６において、フッ素含有スルホン化ポリフェニル
シロキサン触媒をフッ素を含有していないスルホン化ポ
リフェニルシロキサン（比較例８）、ρ−トルエンスル
ホン酸（比較例９）またはシリカ・アルミナ（比較例１
０）に変更した以外は同一条件でｍ−キシレンのアシル
化反応を行った。結果を表３に示す。
シロキサン触媒をフッ素を含有していないスルホン化ポ
リフェニルシロキサン（比較例８）、ρ−トルエンスル
ホン酸（比較例９）またはシリカ・アルミナ（比較例１
０）に変更した以外は同一条件でｍ−キシレンのアシル
化反応を行った。結果を表３に示す。
表３
＄Ｉ Ｆ−５ＰＳ ；実施例３で得たフッ素含有スルホ
ン化ポリフェニルシロキサン 本２５ＰＳ ；スルホン化ポリフェニルシロキサン＊３
ρ−ＴＳＡ ； Ｐ−トルエンスルホン酸実施例１２ 実施例３において、Ｐ−フルオロフェニルマグネシウム
プロミドを３，５−ビス（トリフルオロメチル）に変更
した以外は同一条件で触媒を調製した。
ン化ポリフェニルシロキサン 本２５ＰＳ ；スルホン化ポリフェニルシロキサン＊３
ρ−ＴＳＡ ； Ｐ−トルエンスルホン酸実施例１２ 実施例３において、Ｐ−フルオロフェニルマグネシウム
プロミドを３，５−ビス（トリフルオロメチル）に変更
した以外は同一条件で触媒を調製した。
得られたフッ素含有スルホン化ポリフェニルシロキサン
の組成は、Ｆ ： ｌＯ，２ｗｔ％、Ｓ：３．ｌすｔ％
、Ｃ： １３．２ｗｔ％、 Ｓｉ ： ３４．６ｗｔ％
であった。
の組成は、Ｆ ： ｌＯ，２ｗｔ％、Ｓ：３．ｌすｔ％
、Ｃ： １３．２ｗｔ％、 Ｓｉ ： ３４．６ｗｔ％
であった。
次に、実施例３において、触媒を上記フッ素含有スルホ
ン化ポリフェニルシロキサン触媒に変更した以外は同一
条件でメシチレンのアシル化反応を行った６その結果、
カプリル酸の転化率は３８％であった。
ン化ポリフェニルシロキサン触媒に変更した以外は同一
条件でメシチレンのアシル化反応を行った６その結果、
カプリル酸の転化率は３８％であった。
実施例１３
１Ｍのリン酸水溶液に０．５Ｍのオキシ塩化ジルコニウ
ム溶液を加え、０℃付近で１夜反応させた。濾別後、５
重量％リン酸水溶液でリスラリ−し、４０℃で１時間処
理した。水洗後、１００℃で１５時間乾燥し、これを１
６Ｍのリン酸水溶液に加え、約１６５℃で１０時間加熱
し、結晶性リン酸ジルコニウムを得た。
ム溶液を加え、０℃付近で１夜反応させた。濾別後、５
重量％リン酸水溶液でリスラリ−し、４０℃で１時間処
理した。水洗後、１００℃で１５時間乾燥し、これを１
６Ｍのリン酸水溶液に加え、約１６５℃で１０時間加熱
し、結晶性リン酸ジルコニウムを得た。
上記リン酸ジルコニウム５ｇとクロロメチルフルオロベ
ンゼンスルホン酸２０ｇとを塩基の存在下で反応させ、
リン酸ジルコニウムにフッ素含有ベンゼンスルホン酸基
を導入した触媒を得た。
ンゼンスルホン酸２０ｇとを塩基の存在下で反応させ、
リン酸ジルコニウムにフッ素含有ベンゼンスルホン酸基
を導入した触媒を得た。
上記触媒０．２Ｅ、メシチレン２０ｍＱおよびカプリル
ｊ唆０．５ｇを５０ｏ＋Ｑのフラスコに入れ、１８０℃
で５時間反応を行い、メシチレンのアシル化反応を行っ
た。
ｊ唆０．５ｇを５０ｏ＋Ｑのフラスコに入れ、１８０℃
で５時間反応を行い、メシチレンのアシル化反応を行っ
た。
その結果、カプリル酸の転化率は３５％であった。
比較例１１
実施例１３において、触媒としてリン酸ジルコニウムを
用いた以外は同一条件でメシチレンのアシル化反応を行
った。その結果、カプリル酸の転化率は０％であった。
用いた以外は同一条件でメシチレンのアシル化反応を行
った。その結果、カプリル酸の転化率は０％であった。
実施例１４
１阿塩化アルミニウム水溶液にアルミニウム２００ｇを
徐々に加えた後、５０℃で約６時間反応させた。
徐々に加えた後、５０℃で約６時間反応させた。
未反応のアルミニウムを濾別し、アルミニウムクロロヒ
ドロキシド錯体を含む水溶液を得た。この水溶液中のア
ルミニウム量は１０，０％ｉｔ％であった。
ドロキシド錯体を含む水溶液を得た。この水溶液中のア
ルミニウム量は１０，０％ｉｔ％であった。
トピーエ業（株）製の合成雲母であるナトリウムテトラ
シリシックマイカ （ＮａＭｇｚ 、ｓ （ｓｘ４ｏｘ
ａ）Ｆ２）の１０ｗｔ％コロイド状水溶液１００ｇを、
ＩＱの水に加えて良く撹拌した後、撹拌上上記のアルミ
ニウムクロロヒドロキシド錯体を含む水溶液３００ｇを
徐々に加えてイオン交換を行った。濾別、水洗後、１２
０℃で１夜乾燥し、架橋型合成雲母を得た。
シリシックマイカ （ＮａＭｇｚ 、ｓ （ｓｘ４ｏｘ
ａ）Ｆ２）の１０ｗｔ％コロイド状水溶液１００ｇを、
ＩＱの水に加えて良く撹拌した後、撹拌上上記のアルミ
ニウムクロロヒドロキシド錯体を含む水溶液３００ｇを
徐々に加えてイオン交換を行った。濾別、水洗後、１２
０℃で１夜乾燥し、架橋型合成雲母を得た。
上記架橋型合成雲母５ｇとクロロメチルフルオロベンゼ
ンスルホン酸２０ｇとを塩基の存在下で反応させ、架橋
型合成雲母にフッ素含有ベンゼンスルホン酸基を導入し
た触媒を得た。
ンスルホン酸２０ｇとを塩基の存在下で反応させ、架橋
型合成雲母にフッ素含有ベンゼンスルホン酸基を導入し
た触媒を得た。
上記触媒０．２ｇ、メシチレン２０−およびカプリルｒ
ａ０．５ｇを５０ｍＱノフラスコニ入し、１８０℃で５
時間反応を行い、メシチレンのアシル化反応を行った。
ａ０．５ｇを５０ｍＱノフラスコニ入し、１８０℃で５
時間反応を行い、メシチレンのアシル化反応を行った。
その結果、カプリル酸の転化率は４１％であった。
比較例１２
実施例１４において、触媒として架橋型合成雲母を用い
た以外は同一条件でメシチレンのアシル化反応を行った
。その結果、カプリル酸の転化率は０％であった。
た以外は同一条件でメシチレンのアシル化反応を行った
。その結果、カプリル酸の転化率は０％であった。
実施例１５
実施例１４において、ナトリウムテトラシリシックマイ
カのｌＱｗｔ％水溶液１００ｇを粉末状モンモリロナイ
トＩＱｇに変更した以外は同一方法で触媒を調製し、メ
シチレンのアシル化反応を行った。その結果、カプリル
酸の転化率は３３％であった。
カのｌＱｗｔ％水溶液１００ｇを粉末状モンモリロナイ
トＩＱｇに変更した以外は同一方法で触媒を調製し、メ
シチレンのアシル化反応を行った。その結果、カプリル
酸の転化率は３３％であった。
比較例１３
実施例１５において、触媒として架橋型モンモリロナイ
トを用いた以外は同一条件でメシチレンのアシル化反応
を行った。その結果、カプリル酸の転化率は１％であっ
た。
トを用いた以外は同一条件でメシチレンのアシル化反応
を行った。その結果、カプリル酸の転化率は１％であっ
た。
Claims (8)
- （１）下記一般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔 I 〕 （式中、Ｒは水素原子、アルキル基、アルコキシ基また
はハロゲン原子、ｍは１〜３の整数、ＰおよびＱは両方
とも水素原子であるか、どちらか一方がフェニル基であ
って他方が水素原子であるか、または両方が結合して置
換もしくは非置換のナフタレン環またはテトラリン環を
形成するのに必要な炭化水素基を示す。） で表わされる芳香族化合物とカルボン酸類とを反応させ
てアシル基置換芳香族化合物を製造する方法において、
触媒として、下記一般式〔II〕▲数式、化学式、表等が
あります▼・・・〔II〕 （式中、Ｘ＾１はフッ素原子またはエーテル酸素原子を
含んでいてもよい炭素数１〜１４のフッ素含有アルキル
基、Ａｒ＾１はアリール基、ｎは１〜５の整数、ｍは１
〜３の整数を示す。ｎが２以上の場合、Ｘ＾１は同一で
も異なっていてもよい。） で表わされるフッ素含有芳香族スルホン酸触媒を使用す
ることを特徴とするアシル基置換芳香族化合物の製造方
法。 - （２）下記一般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔 I 〕 （式中、Ｒは水素原子、アルキル基、アルコキシ基また
はハロゲン原子、ｍは１〜３の整数、ＰおよびＱは両方
とも水素原子であるか、どちらか一方がフェニル基であ
って他方が水素原子であるか、または両方が結合して置
換もしくは非置換のナフタレン環またはテトラリン環を
形成するのに必要な炭化水素基を示す。） で表わされる芳香族化合物とカルボン酸類とを反応させ
てアシル基置換芳香族化合物を製造する方法において、
触媒として、下記一般式〔III〕▲数式、化学式、表等
があります▼・・・〔III〕 （式中、Ｘ＾２はフッ素原子またはエーテル酸素原子を
含んでいてもよい炭素数１〜１４のフッ素含有アルキル
基、Ａｒ＾２はアリール基、ｎは１〜５の整数、ｍは１
〜３の整数を示す。ｎが２以上の場合、Ｘ＾２は同一で
も異なっていてもよい。） で表わされる置換アリール基がマトリックスに結合した
フッ素含有芳香族スルホン酸触媒を使用することを特徴
とするアシル基置換芳香族化合物の製造方法。 - （３）マトリックスがポリシロキサンであることを特徴
とする請求項（２）記載の製造方法。 - （４）マトリックスがジルコニウム化合物であることを
特徴とする請求項（２）記載の製造方法。 - （５）マトリックスが粘土であることを特徴とする請求
項（２）記載の製造方法。 - （６）マトリックスが架橋型雲母または架橋型モンモリ
ロナイトであることを特徴とする請求項（５）記載の製
造方法。 - （７）マトリックスがイオン交換樹脂であることを特徴
とする請求項（２）記載の製造方法。 - （８）マトリックスがポリスチレンであることを特徴と
する請求項（２）記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1182270A JPH0348636A (ja) | 1989-07-14 | 1989-07-14 | アシル基置換芳香族化合物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1182270A JPH0348636A (ja) | 1989-07-14 | 1989-07-14 | アシル基置換芳香族化合物の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0348636A true JPH0348636A (ja) | 1991-03-01 |
Family
ID=16115326
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1182270A Pending JPH0348636A (ja) | 1989-07-14 | 1989-07-14 | アシル基置換芳香族化合物の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0348636A (ja) |
-
1989
- 1989-07-14 JP JP1182270A patent/JPH0348636A/ja active Pending
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