JPH0349376Y2 - - Google Patents

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JPH0349376Y2
JPH0349376Y2 JP16448785U JP16448785U JPH0349376Y2 JP H0349376 Y2 JPH0349376 Y2 JP H0349376Y2 JP 16448785 U JP16448785 U JP 16448785U JP 16448785 U JP16448785 U JP 16448785U JP H0349376 Y2 JPH0349376 Y2 JP H0349376Y2
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gas
insulating
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sealed container
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Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この考案は例えば圧力制御式ガス絶縁静止誘導
器、特にその圧力調整に関する。
〔従来の技術〕
第3図は従来の例えば圧力制御式ガス絶縁変圧
器を一部破断して示す概略図であり、図において
1は変圧器の密封容器、2は密封容器1内に装着
されている鉄心とコイルとからなる変圧器本体、
3は密封容器1内に封入された非凝縮性の絶縁ガ
ス、4は密封容器1内の圧力が所定値以上になつ
たことを検出する高圧力検出器、5は密封容器1
内の圧力が所定値以下になつたことを検出する低
圧力検出器、6は絶縁ガス3を貯蔵しておく貯
槽、7は高圧力検出器4により制御され密封容器
1内から絶縁ガス3を貯槽6内に送り込む圧縮
機、8は高圧力検出器により制御され密封容器1
から貯槽6への絶縁ガスの流通を開閉する弁、9
は低圧力検出器5により制御され貯槽6から密封
容器1への絶縁ガスの流通を開閉する弁である。
密封容器1および貯槽6内には適当な総量の絶縁
ガスが封入されている。
従来の圧力制御式ガス絶縁変圧器は上記のよう
に構成され、変圧器の運転を開始して本体損失に
よるガス温度の上昇で密封容器1の内部の圧力が
所定値以上に上昇すると高圧力検出器(4)がこれを
検出して弁8を開けると共に圧縮機7を作動させ
て絶縁ガス3を貯槽6内に送り込む。かくして高
圧を回避し、これにより圧力制御式でないガス絶
縁変圧器の密封容器の肉厚よりも圧力制御式ガス
絶縁変圧器の密封容器の肉厚は薄くなされてい
る。また変圧器を停止したりして本体損失がなく
なることによるガス温度の降下で密封容器1の内
部の圧力が所定値以下に降下すると低圧力検出器
5がこれを検出して弁9を開き、貯槽6内の絶縁
ガスを密封容器1内へ噴出させる。かくしてガス
圧力が低くなることによる変圧器本体2に対する
絶縁能力の低下を防止している。このように、密
封容器1内の圧力は所定の上限値と下限値との範
囲内に調整され、かつ絶縁ガス3は密封容器1と
貯槽6とを循環するので変圧器本体2を冷却する
役目をもしている。
更に第4図に絶縁ガスに加えて使用温度範囲お
よび圧力範囲内において液化したり気化したりす
る絶縁性物質を含む従来の圧力制御式ガス絶縁変
圧器を一部破断して概略的に示す。図において1
〜9は前記の第3図に関して説明したものと同様
のものであり、3Aは液化したり気化したりする
絶縁性物質であつて液体の状態にあるものを示
し、10は貯槽6における絶縁性物質3Aのレベ
ルを検出する液面検出器である。
この従来の圧力制御式ガス絶縁変圧器は上記の
ように構成されており、変圧器の運転を開始して
本体損失によるガス温度の上昇で密封容器1内の
圧力が上昇して所定値を超えると高圧力検出器4
が弁8を開けると同時に圧縮機7を駆動させ、絶
縁ガス3と絶縁性物質3Aの気化したガスとの混
合物を貯槽6内に送り込み、密封容器1内の圧力
が所定値以上に上昇しないようにしている。貯槽
6内に送り込まれた混合物のうち、絶縁性物質3
Aのガスは圧縮機7による圧縮のために液化され
て貯槽6の下部に溜る。液面検出器10は密封容
器1内での液状の絶縁性物質3Aのレベルが所定
値以下にならないように貯槽6内の絶縁性物質3
Aのレベルを監視しており、貯槽6内の液状の絶
縁性物質3Aのレベルが所定値を超えると弁9を
開き、貯槽6内の高いガス圧により絶縁性物質3
Aを密封容器1内に送り込む。弁9は低圧力検出
器5によつても開くようになされていて、密封容
器1内の圧力が所定値よりも低くなると、弁9を
開き液状の絶縁性物質3Aを貯槽6より密封容器
1へ、更には貯槽6内の絶縁ガス3をも、送出さ
せる。密封容器1内に入つた絶縁性物質3Aは貯
槽6の圧力よりも低いので気化し、絶縁ガス3と
共に変圧器本体2を絶縁する。なお前記気化に伴
い気化熱をうばうので、前記絶縁性物質は変圧器
本体2を第3図のものより強く冷却する能力を有
している。
〔考案が解決しようとする問題点〕
上記のいずれの従来例に示す如く、従来の圧力
制御式ガス絶縁静止誘導器では、密封容器内の圧
力変動を吸収するため絶縁ガスあるいはこれに加
えた絶縁性物質との混合物の如き媒体を貯蔵した
り放出したりするための貯槽が地上に設けられて
いるので、貯槽6は周囲の大気の温度に影響さ
れ、特に夏の暑い熱気により貯槽6内の圧力は上
昇し、これに耐えるため貯槽6の肉厚を厚くし、
更にそのガス圧に抗し得るように圧縮機7をより
強力なものにしなければならない。
この考案は、かかる問題点を解決するためにな
されたもので、貯槽の内部の圧力が大気温度に影
響されず、比較的低い圧力に維持されるようにす
ることを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
この考案に係る圧力制御式ガス絶縁静止誘導器
は、その貯槽を地下に埋設したものである。
〔作用〕
この考案においては、貯槽は地下に埋設されて
いるので、日射、大気温度の影響を受けず、貯槽
の内部圧力は比較的低い範囲に維持される。
〔実施例〕
第1図はこの考案の一実施例を示す概略図であ
り、1〜9は第3図に示す従来装置と全く同一の
ものである。11は貯槽6を埋設した地下の空間
部である。なお絶縁ガス3は六弗化硫黄(SF6
である。
上記のように構成された圧力制御式ガス絶縁変
圧器では、変圧器本体2の鉄損等により密封容器
1内の温度が上昇して内部圧力が上昇し、所定値
以上になると高圧力検出器4が弁8を開け圧縮機
7を作動させて絶縁ガス3を貯槽6へ送り込む。
貯槽6は地下に埋設されているので、日射等外界
の影響をあまり受けず貯槽6の内部圧力は必要以
上に上昇されることがなく、第3図に示す従来の
貯槽の肉厚よりも薄くしうる。また貯槽6内の圧
力は必要以上に高圧にならないので圧縮機も従来
のものより小形にしうる。変圧器への負荷が小さ
くなつて変圧器本体2の発熱が小さくなり、密封
容器1内の圧力が減少すると、低圧力検出器5が
弁9を開け、貯槽6より絶縁ガスを密封容器1内
へ送り込み、圧力低下による絶縁能力の低下を防
止する。貯槽6内の圧力は必要以上に高圧になら
ないので、弁9等の部材もすべて小形、軽量にし
得て補機損を少なくしうる。
第2図はこの考案の他の実施例を示す概略図で
あり、1〜10は第4図に示す従来例と全く同一
のものであり、11は貯槽6を埋設する地下の空
間部を示す。なお、絶縁ガス3は六弗化硫黄
(SF6)であり、絶縁性物質3Aはフルオロカー
ボン(C8F16O)である。
上記のように構成された圧力制御式ガス絶縁変
圧器では、作動態様は第4図に関して説明したと
同様であるが、貯槽6内での液状の絶縁性物質3
Aは絶縁ガスを良く溶解させている。その溶解度
特性は第5図に示す如く、低温では絶縁ガス3の
溶解度が大きく、高温では溶解度は低いのであ
る。従つて貯槽6が地下に埋設されているので貯
槽6の温度はあまり上昇せず低い故、貯槽6の内
部の圧力は高圧にならず貯槽6の肉厚は第4図の
示した貯槽の肉厚よりも薄くしうる。圧縮機7も
第4図に示した圧縮機よりも小形になしうる。更
に弁9等の部材もすべて小形、軽量にし得て補機
損を少なくしうるのである。絶縁ガスの絶縁性物
質への溶解度が温度によつて大きく変ることを考
慮すると、貯槽6を地下へ埋設したことの意義が
明瞭に理解されよう。なぜならば、貯槽6を地上
に設けておれば イ 冬期では気温が低く、絶縁ガスは絶縁性物質
の液に大量に溶解してしまうので、変圧器本体
の絶縁のために必要な量以上の絶縁ガスを封入
しておかなければならない。一方 ロ 夏期で気温が高くなれば、絶縁ガスは絶縁性
物質の液から出て貯槽6はいうに及ばす密封容
器1の内部圧力が必要以上に上昇するのであ
る。このため ハ 密封容器1内の混合ガスを貯槽6へ送り込む
が、それ故貯槽6は大形、高耐圧性のものに、
圧縮機7を大形にしなければならないのであ
る。
〔考案の効果〕
この考案は以上説明したとおり、貯槽を地下に
埋設するという簡単な構成により、年間を通じて
温度変化が少なく、かつ低い温度に押えることが
出来るので、貯槽は高耐圧力の設計をしなくとも
よく、また、圧縮機、弁等も小形に設計でき、補
機損を小さくしうる効果がある。更に貯槽が地下
に埋設されることにより、その他上部において余
裕の空地を提供できる効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの考案の一実施例を示す概略図、第
2図はこの考案の他の実施例を示す概略図、第3
図は従来の圧力制御式ガス絶縁変圧器を示す概略
図、第4図は従来の他の型式の圧力制御ガス絶縁
変圧器を示す概略図、第5図は溶解度特性を示す
グラフである。 図において、1は密封容器、2は静止誘導器本
体、3および3Aは媒体、6は貯槽、11は地下
の空間部である。なお、各図中同一符号は同一ま
たは相当部分を示す。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 静止誘導器本体、これを収納する密封容器、
    この密封容器内に封入され静止誘導器本体をガ
    ス絶縁するための媒体、および密封容器内の圧
    力変動を吸収するため前記媒体を貯蔵したり放
    出したりするための貯槽を具備し、この貯槽を
    地下に埋設したことを特徴とする圧力制御式ガ
    ス絶縁静止誘導器。 (2) 前記媒体は使用温度範囲ならびに圧力範囲に
    おいて非凝縮性である絶縁ガスのみからなる実
    用新案登録請求の範囲第1項記載の圧力制御式
    ガス絶縁静止誘導器。 (3) 前記絶縁ガスは六弗化硫黄(SF6)である実
    用新案登録請求の範囲第2項記載の圧力制御式
    ガス絶縁静止誘導器。 (4) 前記媒体は使用温度範囲ならびに圧力範囲に
    おいて非凝縮性である絶縁ガスと液化したり気
    化したりする絶縁性物質との混合物からなる実
    用新案登録請求の範囲第1項記載の圧力制御式
    ガス絶縁静止誘導器。 (5) 液化した絶縁性物質は絶縁ガスを溶解させる
    能力を有する実用新案登録請求の範囲第4項記
    載の圧力制御式ガス絶縁静止誘導器。 (6) 前記絶縁ガスは六弗化硫黄(SF6)であり、
    前記絶縁性物質はフルオロカーボン(C8F16O)
    である実用新案登録請求の範囲第5項記載の圧
    力制御式ガス絶縁静止誘導器。
JP16448785U 1985-10-25 1985-10-25 Expired JPH0349376Y2 (ja)

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JP16448785U JPH0349376Y2 (ja) 1985-10-25 1985-10-25

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Publication Number Publication Date
JPS6273512U JPS6273512U (ja) 1987-05-11
JPH0349376Y2 true JPH0349376Y2 (ja) 1991-10-22

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