JPH0349938B2 - - Google Patents
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Description
本発明は、新規な有機導電性材料の製造方法に
関するものである。さらに詳しく言えば、本発明
は、共役系高分子化合物に、無機塩類、有機塩類
を添加して成形し、その成形体に電圧を印加する
ことにより、高導電化させることを特徴とする有
機導電性材料の簡単な製造方法を提供するもので
ある。 近年、エレクトロニクス産業の著しい技術進歩
に伴い、各種目的に適合したエレクトロニクス部
品用材料の開発が急務となつてきた。その中の１
つとして、たわみ性、加工性、耐薬品性の優れて
いる点で、有機材料を主体とする導電材料が、配
線材料、電極材料、センサー、光電変換素子、メ
モリー素子、分子デバイスとして注目されてい
る。 従来、有機導電性材料としては、例えば、ポリ
アセチレン、ポリ（ｐ−フエニレン）、ポリフエ
ニレンスルフイド、ポリピロールなどにドーピン
グ成分を添加させたものが知られており、これら
は、10-1〜10-3Scm-1程度の電気伝導度を示すが、
無機導電材料に比べればかなり低く、安定性にも
劣るため実用上まで十分なものとは言えない。 本発明者らは、実用化可能な有機導電性材料に
ついて鋭意研究を重ね、先に、ジアセチレン高分
子化合物を主体とし、これにドーピング成分を加
える方法として、ジアセチレン化合物結晶をドー
パント雰囲気で重合させる又はジアセチレン化合
物をドーピング成分の存在下で結晶化させついで
該結晶を重合させるというドーピング固相重合法
で、10-4S／cm程度の導電率を有する高分子結晶
が得られること、銅ブタジイニル高分子化合物に
ヨウ素などの電子受容性化合物をドーピングする
ことにより10S／cmの金属伝導体が得られること
等を見いだしたが、さらに容易に共役系高分子化
合物を高導電化させる方法として、共役系高分子
化合物に無機塩類、有機塩類を添加して成形し、
その成形体の両端に電極をつけて電圧を印加する
ことにより高導電化させるという、簡単な有機導
電性材料の製造方法を見いだし、本発明をなすに
至つた。 すなわち、本発明は、ポリアセチレン、ポリフ
エニレン、ポリナフチレン、ポリチエニレン、ポ
リピロール、ポリカルバゾール、ポリキノン、ポ
リフエニレンビニレン、ポリシアノアセチレン、
ポリブタジイン、ポリジアセチレン、ポリ（アセ
チレン−ジアセチレン）、ポリイン、ポリメタル
イン、ポリフエニレンビスベンゾチアゾール、ポ
リオキサジアゾール、ポリアゾメチン及びそれら
の誘導体の中から選ばれた共役系高分子化合物中
に、一般式 MrXs …（） 〔式中のＭはAg，Cu，Co，Fe，Mn，Cr，Li，
Na，Ｋ，Mg，Ca，Ｎ（CH3）4，Ｎ（C2H5）4，Ｎ
（C3H7）4，Ｎ（C4H9）4又はＮ（C6H6）4、ＸはCl，
Br，Ｉ，ClO4，BF4，PF6，AsF6，NO3，SbF6，
SO3，SO4，SO3C6H6又はCO3、ｒとｓはそれぞ
れ１〜３の整数である〕で表わされる化合物の中
から選ばれる少なくとも１種のドーピング成分を
0.1〜200重量％の割合で添加し、次いでこれを成
形したのち、成形体の両端に各電極を設け、その
間に電圧を印加し高導電化させることを特徴とす
る有機導電性材料の製造方法を提供するものであ
る。 本発明に用いる共役系高分子化合物とは、ポリ
アセチレン、ポリフエニレン、ポリナフチレン、
ポリチエニレン、ポリピロール、ポリカルバゾー
ル、ポリキノリン、ポリフエニレンビニレン、ポ
リシアノアセチレン、ポリブタジイン、ポリジア
セチレン、ポリ（アセチレン−ジアセチレン）、
ポリイン、ポリメタルイン、ポリフエニレンビス
ベンゾチアゾール、ポリオキサジアゾール、ポリ
アゾメチン、及びそれらの誘導体の中から選ばれ
るものであり、基本的には主鎖共役型の高分子化
合物の総称であつて、その各種誘導体が包含され
る。それらの代表的なものとしては、例えば、
trans−ポリアセチレン、ポリフエニルアセチレ
ン、ポリ−ｐ−フエニレン、ポリ−２，５−チエ
ニレン、ポリ−２，６−ナフチレン、ポリ−２，
５−キノン、ポリ−ビス（１，３−ペンタジイニ
ル）水銀、ポリ−１，６−ジカルバゾイル−２，
４−ヘキサジイン、などを挙げることができる。
これらの共役系高分子化合物は通常単独成分で用
いられるが、必要に応じて２種以上を併用するこ
ともできる。もちろん、これらの共役系高分子化
合物や芳香族ポリアミド、芳香族ポリイミド等を
焼成して得られる焼成高分子化合物も用いうるこ
とは、容易に類推できる。 また、本発明方法においてドーピング成分とし
て用いられる化合物は、前記一般式（）で表わ
されるものであり、このようなものには、例え
ば、AgClO4，AgNO3，CuCl2，LiClO4，
Na2SO4，MgCO3、などの無機塩類、Ｎ
（C2H5）4ClO4，Ｎ（C4H9）AsF6，LiSO3−Ph、な
どの有機塩類がある。これらのドーピング成分
は、単独で用いてもよいし、また２種以上混合し
て用いてもよい。 これらのドーピング成分を、共役系高分子化合
物に添加する方法としては、単純に混合する、両
者をドーピング成分が可溶な溶媒中に混合し、そ
の溶媒を溜去する、等の方法があげられるが、ど
のような方法であつてもさしつかえない。 また、ドーピング成分の含有量は、必要な電気
伝導性によつて、共役系高分子化合物の重量当り
0.1〜200重量％の割合の間で選択される。 共役系高分子化合物にドーピング成分を添加し
た試料の成形は、通常の錠剤成形器でペレツト状
にする。数千気圧〜数万気圧の高圧下で成形する
等の成形方法が考えられるが、どのような方法で
もさしつかえない。 その成形物の両端に電極をもうける方法として
は、金ペースト、銀ペースト、カーボンペースト
などの導電性ペーストを塗布する、金、銀、アル
ミニウムなどの金属を蒸着する、金板、白金板、
銀板などではさみつける等の方法がある。 このような両端に電極をつけた成形物に電圧を
印加する方法としては、電池、安定化電源などが
挙げられ、直流、交流いずれでもさしつかえな
い。電圧は、数ミリボルトから数十ボルトの間
で、適宜選択される。しだいに試料の導電性が増
加してくると、小さな電圧を印加しただけで流れ
る電流値が大きくなるので、印加する電圧は小さ
くなる。 このようにして得た本発明の製造方法による有
機導電性材料は、10-4〜103S／cm程度の導電率を
有し、空気中などの一般的な環境で安定なばかり
でなく、既に成形された導電性高分子化合物であ
るという特徴を有している。すなわち、本発明の
製造方法によれば、成形後に電圧を印加するだけ
で高導電化させるため、通常のドーピング法によ
り高導電化させた場合には、試料が不安定なため
に成形時の取り扱いに窮するような高分子化合
物、例えばポリアセチレンやポリフエニレン等か
らも、容易に高導電性成形物が得られる。また、
従来のドーピング法では、固体ドーピング成分
は、湿式処理によりドーピングさせるが、本製造
方法では、溶媒や乾燥処理が不要なため有利であ
り、各種電子部品、電極、センサー、光電変換素
子、メモリー素子などの材料として好適である。 次に、実施例により本発明をさらに詳細に説明
する。 実施例 １ アセチレンガスをAlEt3／Ti（OBut）4のチーグ
ラーナツタ系触媒中に導入して、常法により合
成、精製したポリアセチレンゲル260mg（10m
mol）に過塩素酸銀（AgClO4）207mg（1m mol）
をアセトン20ml中で混合し、溶媒を溜去すること
によつてAgClO4がドーピング成分として含有さ
れたポリアセチレンゲルを作成する。この試料
100mgを、テフロン製カプセルにつめ、パイロフ
エライト中に組み込んでリンク式加圧装置内で約
10万気圧の高圧力を30分間かけることにより、直
径0.3cm、厚み0.4cm程度の円形ペレツト状に成形
した。このペレツトの両面全体に銀ペーストをぬ
つて、白金線をリード線として、第１図に示した
ように、電流計と安定化電源を接続して電圧を印
加する。はじめは、除々に電圧を上げていくと、
数Ｖで数μA程度流れるので抵抗は106Ωぐらいと
測定されるが、ある電圧下では急激な抵抗減少が
おこり、同一の電流を流すために必要な電圧が降
下する。さらに電圧印加を続けると、10ｍＶで１
ｍＡ流れるようになり、抵抗は10Ω、導電率にす
ると1.8x10-3S／cmとなつた。電圧印加により、
導電性が向上したので、電圧規制では高い電圧を
印加することができない。そこで、電流規制で電
圧印加を続けたところ、100ｍＡで0.08ｍＶとな
り、導電率は225S／cmであつた。この導電性は、
空気中に１箇月以上放置しても変化しなかつた。 実施例 ２ 常法に従つてポリ−ｐ−フエニレンを合成、精
製し、これに、ドーピング成分として銅ヘキサフ
ルオロフオスフエート［Cu（PF6）2］を30重量％
加え、めのう乳鉢で十分粉砕しながら混合する。
この試料50mgを実施例１と同様にテフロンチユー
ブにつめ、両端に電極として白金板をつけて金箔
でリードをとり、パイロフエライト中に組み込ん
で電圧1Vを印加しながら8.3万気圧の圧力を12時
間かけることにより、成形体とした。試料は、厚
さ0.3cm、直径0.3cmの円形ペレツト状に成形さ
れ、二端子法で導電率を測定したところ80S／cm
であつた。 実施例 ３ 常法に従つて、ポリ−２，５−チエニレンを合
成、精製し、この化合物410mg（5m mol）にリ
チウムヘキサフルオロアルセナイト（LiAsF6）
196mg（1m mol）を加え、さらにTHF30mlを加
えた。このけん濁液をエバポーレーシヨンして、
ポリマーとドーピング成分の混合物とし、この混
合物200mgを錠剤成形器により直径1.3cm、厚み
0.04cmの円形ペレツト状に成形した。金ペースト
で両面に面積0.5cm2の電極取付けを行ない、一定
電流を流す方法で電圧を印加した。その電流と導
電率の関係を第２図に示す。この図は、抵抗が比
較的高い領域では、0.5Vの印加で、導電率のジ
ヤンプが見られ、抵抗が小さくなつて大電流が流
れるようになると、0.03Vの印加で同様の変化が
見られることを示している。この試料の最終的な
導電率は、8S／cmとなつた。 実施例 ４ 常法に従つてブタジインから、合成、精製した
ポリイン100mgに塩化鉄（FeCl3）を25mg加え、
めのう乳鉢で充分粉砕混合後、錠剤成形器により
直径1.3cm、厚み0.02cmの円形ペレツト状に成形
した。以下の操作は、実施例３と同様に行ない、
得られた材料の導電率は、3x10-2S／cmであつ
た。 実施例 ５ 常法に従つて合成、精製したビス（２，５−ジ
トリフルオロメチルフエニル）ブタジインを真空
封管して、γ線を5MR照射することにより重合
させた。このポリジアセチレンに、ドーピング成
分としてAgClO4を10重量％加え、十分よく混合
した粉末ポリジアセチレン結晶とした。以下の操
作は、実施例１と同様に行ない、得られた材料の
導電率は、0.7S／cmであつた。 実施例 ６ 実施例５において、ドーピング成分をテトラブ
チルアンモニウムヘキサフルオロホスフエート
（（C4H9）4N PF6）として同様な操作を行なつた。
得られた材料の導電率は、1x10-4S／cmであつ
た。 実施例 ７ 常法に従つて、合成、精製したポリオキサジア
ゾールを共役系高分子化合物として、また、硝酸
銀をドーピング成分として用い、以下の操作は、
実施例１と同様に行なつた。得られた材料の導電
率は、2x10-4S／cmであつた。 実施例 ８ 常法に従つて合成、精製したビス（１，３−ペ
ンタジイニル）水銀を真空封管して、γ線を
10MR照射することにより重合させた。このポリ
ジアセチレンに、ドーピング成分としてAgClO4
を10重量％加え、十分よく混合した粉末ポリジア
セチレン結晶とした。以下の操作は、実施例２と
同様に行ない、得られた材料の導電率は0.5S／cm
であつた。 実施例 ９ 実施例１と同様にして合成したポリアセチレン
ゲルに、過塩素酸銀（AgClO4）を、異なつた割
合で混合し、成形したのち、実施例１と同様にし
て電圧を印加し、導電率を向上させた。 このようにして得られた最高導電率を第１表に
示す。
関するものである。さらに詳しく言えば、本発明
は、共役系高分子化合物に、無機塩類、有機塩類
を添加して成形し、その成形体に電圧を印加する
ことにより、高導電化させることを特徴とする有
機導電性材料の簡単な製造方法を提供するもので
ある。 近年、エレクトロニクス産業の著しい技術進歩
に伴い、各種目的に適合したエレクトロニクス部
品用材料の開発が急務となつてきた。その中の１
つとして、たわみ性、加工性、耐薬品性の優れて
いる点で、有機材料を主体とする導電材料が、配
線材料、電極材料、センサー、光電変換素子、メ
モリー素子、分子デバイスとして注目されてい
る。 従来、有機導電性材料としては、例えば、ポリ
アセチレン、ポリ（ｐ−フエニレン）、ポリフエ
ニレンスルフイド、ポリピロールなどにドーピン
グ成分を添加させたものが知られており、これら
は、10-1〜10-3Scm-1程度の電気伝導度を示すが、
無機導電材料に比べればかなり低く、安定性にも
劣るため実用上まで十分なものとは言えない。 本発明者らは、実用化可能な有機導電性材料に
ついて鋭意研究を重ね、先に、ジアセチレン高分
子化合物を主体とし、これにドーピング成分を加
える方法として、ジアセチレン化合物結晶をドー
パント雰囲気で重合させる又はジアセチレン化合
物をドーピング成分の存在下で結晶化させついで
該結晶を重合させるというドーピング固相重合法
で、10-4S／cm程度の導電率を有する高分子結晶
が得られること、銅ブタジイニル高分子化合物に
ヨウ素などの電子受容性化合物をドーピングする
ことにより10S／cmの金属伝導体が得られること
等を見いだしたが、さらに容易に共役系高分子化
合物を高導電化させる方法として、共役系高分子
化合物に無機塩類、有機塩類を添加して成形し、
その成形体の両端に電極をつけて電圧を印加する
ことにより高導電化させるという、簡単な有機導
電性材料の製造方法を見いだし、本発明をなすに
至つた。 すなわち、本発明は、ポリアセチレン、ポリフ
エニレン、ポリナフチレン、ポリチエニレン、ポ
リピロール、ポリカルバゾール、ポリキノン、ポ
リフエニレンビニレン、ポリシアノアセチレン、
ポリブタジイン、ポリジアセチレン、ポリ（アセ
チレン−ジアセチレン）、ポリイン、ポリメタル
イン、ポリフエニレンビスベンゾチアゾール、ポ
リオキサジアゾール、ポリアゾメチン及びそれら
の誘導体の中から選ばれた共役系高分子化合物中
に、一般式 MrXs …（） 〔式中のＭはAg，Cu，Co，Fe，Mn，Cr，Li，
Na，Ｋ，Mg，Ca，Ｎ（CH3）4，Ｎ（C2H5）4，Ｎ
（C3H7）4，Ｎ（C4H9）4又はＮ（C6H6）4、ＸはCl，
Br，Ｉ，ClO4，BF4，PF6，AsF6，NO3，SbF6，
SO3，SO4，SO3C6H6又はCO3、ｒとｓはそれぞ
れ１〜３の整数である〕で表わされる化合物の中
から選ばれる少なくとも１種のドーピング成分を
0.1〜200重量％の割合で添加し、次いでこれを成
形したのち、成形体の両端に各電極を設け、その
間に電圧を印加し高導電化させることを特徴とす
る有機導電性材料の製造方法を提供するものであ
る。 本発明に用いる共役系高分子化合物とは、ポリ
アセチレン、ポリフエニレン、ポリナフチレン、
ポリチエニレン、ポリピロール、ポリカルバゾー
ル、ポリキノリン、ポリフエニレンビニレン、ポ
リシアノアセチレン、ポリブタジイン、ポリジア
セチレン、ポリ（アセチレン−ジアセチレン）、
ポリイン、ポリメタルイン、ポリフエニレンビス
ベンゾチアゾール、ポリオキサジアゾール、ポリ
アゾメチン、及びそれらの誘導体の中から選ばれ
るものであり、基本的には主鎖共役型の高分子化
合物の総称であつて、その各種誘導体が包含され
る。それらの代表的なものとしては、例えば、
trans−ポリアセチレン、ポリフエニルアセチレ
ン、ポリ−ｐ−フエニレン、ポリ−２，５−チエ
ニレン、ポリ−２，６−ナフチレン、ポリ−２，
５−キノン、ポリ−ビス（１，３−ペンタジイニ
ル）水銀、ポリ−１，６−ジカルバゾイル−２，
４−ヘキサジイン、などを挙げることができる。
これらの共役系高分子化合物は通常単独成分で用
いられるが、必要に応じて２種以上を併用するこ
ともできる。もちろん、これらの共役系高分子化
合物や芳香族ポリアミド、芳香族ポリイミド等を
焼成して得られる焼成高分子化合物も用いうるこ
とは、容易に類推できる。 また、本発明方法においてドーピング成分とし
て用いられる化合物は、前記一般式（）で表わ
されるものであり、このようなものには、例え
ば、AgClO4，AgNO3，CuCl2，LiClO4，
Na2SO4，MgCO3、などの無機塩類、Ｎ
（C2H5）4ClO4，Ｎ（C4H9）AsF6，LiSO3−Ph、な
どの有機塩類がある。これらのドーピング成分
は、単独で用いてもよいし、また２種以上混合し
て用いてもよい。 これらのドーピング成分を、共役系高分子化合
物に添加する方法としては、単純に混合する、両
者をドーピング成分が可溶な溶媒中に混合し、そ
の溶媒を溜去する、等の方法があげられるが、ど
のような方法であつてもさしつかえない。 また、ドーピング成分の含有量は、必要な電気
伝導性によつて、共役系高分子化合物の重量当り
0.1〜200重量％の割合の間で選択される。 共役系高分子化合物にドーピング成分を添加し
た試料の成形は、通常の錠剤成形器でペレツト状
にする。数千気圧〜数万気圧の高圧下で成形する
等の成形方法が考えられるが、どのような方法で
もさしつかえない。 その成形物の両端に電極をもうける方法として
は、金ペースト、銀ペースト、カーボンペースト
などの導電性ペーストを塗布する、金、銀、アル
ミニウムなどの金属を蒸着する、金板、白金板、
銀板などではさみつける等の方法がある。 このような両端に電極をつけた成形物に電圧を
印加する方法としては、電池、安定化電源などが
挙げられ、直流、交流いずれでもさしつかえな
い。電圧は、数ミリボルトから数十ボルトの間
で、適宜選択される。しだいに試料の導電性が増
加してくると、小さな電圧を印加しただけで流れ
る電流値が大きくなるので、印加する電圧は小さ
くなる。 このようにして得た本発明の製造方法による有
機導電性材料は、10-4〜103S／cm程度の導電率を
有し、空気中などの一般的な環境で安定なばかり
でなく、既に成形された導電性高分子化合物であ
るという特徴を有している。すなわち、本発明の
製造方法によれば、成形後に電圧を印加するだけ
で高導電化させるため、通常のドーピング法によ
り高導電化させた場合には、試料が不安定なため
に成形時の取り扱いに窮するような高分子化合
物、例えばポリアセチレンやポリフエニレン等か
らも、容易に高導電性成形物が得られる。また、
従来のドーピング法では、固体ドーピング成分
は、湿式処理によりドーピングさせるが、本製造
方法では、溶媒や乾燥処理が不要なため有利であ
り、各種電子部品、電極、センサー、光電変換素
子、メモリー素子などの材料として好適である。 次に、実施例により本発明をさらに詳細に説明
する。 実施例 １ アセチレンガスをAlEt3／Ti（OBut）4のチーグ
ラーナツタ系触媒中に導入して、常法により合
成、精製したポリアセチレンゲル260mg（10m
mol）に過塩素酸銀（AgClO4）207mg（1m mol）
をアセトン20ml中で混合し、溶媒を溜去すること
によつてAgClO4がドーピング成分として含有さ
れたポリアセチレンゲルを作成する。この試料
100mgを、テフロン製カプセルにつめ、パイロフ
エライト中に組み込んでリンク式加圧装置内で約
10万気圧の高圧力を30分間かけることにより、直
径0.3cm、厚み0.4cm程度の円形ペレツト状に成形
した。このペレツトの両面全体に銀ペーストをぬ
つて、白金線をリード線として、第１図に示した
ように、電流計と安定化電源を接続して電圧を印
加する。はじめは、除々に電圧を上げていくと、
数Ｖで数μA程度流れるので抵抗は106Ωぐらいと
測定されるが、ある電圧下では急激な抵抗減少が
おこり、同一の電流を流すために必要な電圧が降
下する。さらに電圧印加を続けると、10ｍＶで１
ｍＡ流れるようになり、抵抗は10Ω、導電率にす
ると1.8x10-3S／cmとなつた。電圧印加により、
導電性が向上したので、電圧規制では高い電圧を
印加することができない。そこで、電流規制で電
圧印加を続けたところ、100ｍＡで0.08ｍＶとな
り、導電率は225S／cmであつた。この導電性は、
空気中に１箇月以上放置しても変化しなかつた。 実施例 ２ 常法に従つてポリ−ｐ−フエニレンを合成、精
製し、これに、ドーピング成分として銅ヘキサフ
ルオロフオスフエート［Cu（PF6）2］を30重量％
加え、めのう乳鉢で十分粉砕しながら混合する。
この試料50mgを実施例１と同様にテフロンチユー
ブにつめ、両端に電極として白金板をつけて金箔
でリードをとり、パイロフエライト中に組み込ん
で電圧1Vを印加しながら8.3万気圧の圧力を12時
間かけることにより、成形体とした。試料は、厚
さ0.3cm、直径0.3cmの円形ペレツト状に成形さ
れ、二端子法で導電率を測定したところ80S／cm
であつた。 実施例 ３ 常法に従つて、ポリ−２，５−チエニレンを合
成、精製し、この化合物410mg（5m mol）にリ
チウムヘキサフルオロアルセナイト（LiAsF6）
196mg（1m mol）を加え、さらにTHF30mlを加
えた。このけん濁液をエバポーレーシヨンして、
ポリマーとドーピング成分の混合物とし、この混
合物200mgを錠剤成形器により直径1.3cm、厚み
0.04cmの円形ペレツト状に成形した。金ペースト
で両面に面積0.5cm2の電極取付けを行ない、一定
電流を流す方法で電圧を印加した。その電流と導
電率の関係を第２図に示す。この図は、抵抗が比
較的高い領域では、0.5Vの印加で、導電率のジ
ヤンプが見られ、抵抗が小さくなつて大電流が流
れるようになると、0.03Vの印加で同様の変化が
見られることを示している。この試料の最終的な
導電率は、8S／cmとなつた。 実施例 ４ 常法に従つてブタジインから、合成、精製した
ポリイン100mgに塩化鉄（FeCl3）を25mg加え、
めのう乳鉢で充分粉砕混合後、錠剤成形器により
直径1.3cm、厚み0.02cmの円形ペレツト状に成形
した。以下の操作は、実施例３と同様に行ない、
得られた材料の導電率は、3x10-2S／cmであつ
た。 実施例 ５ 常法に従つて合成、精製したビス（２，５−ジ
トリフルオロメチルフエニル）ブタジインを真空
封管して、γ線を5MR照射することにより重合
させた。このポリジアセチレンに、ドーピング成
分としてAgClO4を10重量％加え、十分よく混合
した粉末ポリジアセチレン結晶とした。以下の操
作は、実施例１と同様に行ない、得られた材料の
導電率は、0.7S／cmであつた。 実施例 ６ 実施例５において、ドーピング成分をテトラブ
チルアンモニウムヘキサフルオロホスフエート
（（C4H9）4N PF6）として同様な操作を行なつた。
得られた材料の導電率は、1x10-4S／cmであつ
た。 実施例 ７ 常法に従つて、合成、精製したポリオキサジア
ゾールを共役系高分子化合物として、また、硝酸
銀をドーピング成分として用い、以下の操作は、
実施例１と同様に行なつた。得られた材料の導電
率は、2x10-4S／cmであつた。 実施例 ８ 常法に従つて合成、精製したビス（１，３−ペ
ンタジイニル）水銀を真空封管して、γ線を
10MR照射することにより重合させた。このポリ
ジアセチレンに、ドーピング成分としてAgClO4
を10重量％加え、十分よく混合した粉末ポリジア
セチレン結晶とした。以下の操作は、実施例２と
同様に行ない、得られた材料の導電率は0.5S／cm
であつた。 実施例 ９ 実施例１と同様にして合成したポリアセチレン
ゲルに、過塩素酸銀（AgClO4）を、異なつた割
合で混合し、成形したのち、実施例１と同様にし
て電圧を印加し、導電率を向上させた。 このようにして得られた最高導電率を第１表に
示す。
【表】
実施例 10
実施例１と同様にして合成したポリアセチレ
ン、ゲルに各種のドーパントを100重量％の割合
で混合し、成形したのち、実施例１と同様にして
電圧を印加し、導電率を向上させた。 このようにして得られた最高導電率を第２表に
示す。
ン、ゲルに各種のドーパントを100重量％の割合
で混合し、成形したのち、実施例１と同様にして
電圧を印加し、導電率を向上させた。 このようにして得られた最高導電率を第２表に
示す。
【表】
この表において有機塩を用いたものの導電率が
低いのは、これが無機塩に比べて比重が小さく同
じ重量比で混合した場合その体積分率が大きくな
り体積導電率としては低い値になるためであり、
少ない重量比で添加した場合、例えばポリアセチ
レンゲルに（C2H5）4NAsF6を５重量％の割合で
混合した場合には導電率は180S／cmとなる。
低いのは、これが無機塩に比べて比重が小さく同
じ重量比で混合した場合その体積分率が大きくな
り体積導電率としては低い値になるためであり、
少ない重量比で添加した場合、例えばポリアセチ
レンゲルに（C2H5）4NAsF6を５重量％の割合で
混合した場合には導電率は180S／cmとなる。
第１図は、本発明の有機導電性材料の製造方法
における、試料に電圧を印加する方法の一例を示
す概略図であつて、図中符合１は電極、２は共役
系高分子化合物にドーピング成分を添加した試
料、３は安定化電源、４は電流計である。第２図
は、本発明の有機導電性材料の製造方法におけ
る、電圧印加の方法を定電流で行なつた際の、電
流に対する導電率の変化を示すグラフであり、図
中の数字は導電率が急激に増加した時の電位を示
している。
における、試料に電圧を印加する方法の一例を示
す概略図であつて、図中符合１は電極、２は共役
系高分子化合物にドーピング成分を添加した試
料、３は安定化電源、４は電流計である。第２図
は、本発明の有機導電性材料の製造方法におけ
る、電圧印加の方法を定電流で行なつた際の、電
流に対する導電率の変化を示すグラフであり、図
中の数字は導電率が急激に増加した時の電位を示
している。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ポリアセチレン、ポリフエニレン、ポリナフ
チレン、ポリチエニレン、ポリピロール、ポリカ
ルバゾール、ポリキノン、ポリフエニレンビニレ
ン、ポリシアノアセチレン、ポリブタジイン、ポ
リジアセチレン、ポリ（アセチレン−ジアセチレ
ン）、ポリイン、ポリメタルイン、ポリフエニレ
ンビスベンゾチアゾール、ポリオキサジアゾー
ル、ポリアゾメチン及びそれらの誘導体の中から
選ばれた共役系高分子化合物中に、一般式 MrXs 〔式中のＭはAg，Cu，Co，Fe，Mn，Cr，Li，
Na，Ｋ，Mg，Ca，Ｎ（CH3）4，Ｎ（C2H5）4，Ｎ
（C3H7）4，Ｎ（C4H9）4又はＮ（C6H6）4、ＸはCl，
Br，Ｉ，ClO4，BF4，PF6，AsF6，NO3，SbF6，
SO3，SO4，SO3C6H6又はCO3、ｒとｓはそれぞ
れ１〜３の整数である〕 で表わされる化合物の中から選ばれる少なくとも
１種のドーピング成分を0.1〜200重量％の割合で
添加し、次いでこれを成形したのち、成形体の両
端に各電極を設け、その間に電圧を印加し高導電
化させることを特徴とする有機導電性材料の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8721284A JPS60229952A (ja) | 1984-04-27 | 1984-04-27 | 有機導電性材料の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8721284A JPS60229952A (ja) | 1984-04-27 | 1984-04-27 | 有機導電性材料の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60229952A JPS60229952A (ja) | 1985-11-15 |
| JPH0349938B2 true JPH0349938B2 (ja) | 1991-07-31 |
Family
ID=13908622
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8721284A Granted JPS60229952A (ja) | 1984-04-27 | 1984-04-27 | 有機導電性材料の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60229952A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7049362B2 (en) | 1998-12-28 | 2006-05-23 | Osaka Gas Co.,Ltd. | Resin molded product |
-
1984
- 1984-04-27 JP JP8721284A patent/JPS60229952A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60229952A (ja) | 1985-11-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |