JPH0349988A - 光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体Info
- Publication number
- JPH0349988A JPH0349988A JP1185677A JP18567789A JPH0349988A JP H0349988 A JPH0349988 A JP H0349988A JP 1185677 A JP1185677 A JP 1185677A JP 18567789 A JP18567789 A JP 18567789A JP H0349988 A JPH0349988 A JP H0349988A
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- JP
- Japan
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- recording medium
- recording
- optical information
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- Pending
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光情報記録媒体に関し、詳しくは、光による記
Ｓ層の相変化を利用して情報の記録、再生及び書換えを
行なうための相変化型光情報記録媒体に関する。
Ｓ層の相変化を利用して情報の記録、再生及び書換えを
行なうための相変化型光情報記録媒体に関する。
電磁波特にレーザービームの照射により情報の記録・再
生および消去可能な光メモリー媒体の一つとして、結晶
−非晶質相聞或いは結晶−結晶相聞の転移を利用する。
生および消去可能な光メモリー媒体の一つとして、結晶
−非晶質相聞或いは結晶−結晶相聞の転移を利用する。
いわゆる相変化型記録媒体が良く知られている。特に光
磁気メモリーでは困難な単一ビームによるオーバーライ
ドが可能であり、ドライブ側の光学系もより単純である
ことなどから最近その研究開発が活発になっている。そ
の代表的な材料例としては、ＵＳＰ ３，５３０，４４
１に開示されているようなＧｅ−Ｔｅ、 Ｇｅ−Ｔｅ−
５ｂ、 Ｇｅ−Ｔｅ−５，Ｇｅ−５ｅ−５，Ｇｅ−３ｅ
−３ｂ、 Ｇｅ−Ａｓ−５ｓ、Ｉｎ−Ｔｅ、 ５ｅ−Ｔ
ｅ、 ５ｅ−Ａｓ等所謂カルコゲン系合金材料が挙げら
れる。また、安定性、高速結晶化等の向上を目的にＧｅ
−Ｔｅ系にＡｕ（特開昭６１−２１９６９２号公報）、
Ｓｎ及びＡｕ（特開昭６１−２７０１９０号公報）、Ｐ
ｄ（特開昭６２−１９４９０号公報）等を添加した材料
の提案や、記録／消去の繰返し性能向上を目的にＧｅ−
Ｔｅ−５ｅ−３ｂの組成比を特定した材料（特開昭６２
−７３４３８号公報）の提案等もなされている。
磁気メモリーでは困難な単一ビームによるオーバーライ
ドが可能であり、ドライブ側の光学系もより単純である
ことなどから最近その研究開発が活発になっている。そ
の代表的な材料例としては、ＵＳＰ ３，５３０，４４
１に開示されているようなＧｅ−Ｔｅ、 Ｇｅ−Ｔｅ−
５ｂ、 Ｇｅ−Ｔｅ−５，Ｇｅ−５ｅ−５，Ｇｅ−３ｅ
−３ｂ、 Ｇｅ−Ａｓ−５ｓ、Ｉｎ−Ｔｅ、 ５ｅ−Ｔ
ｅ、 ５ｅ−Ａｓ等所謂カルコゲン系合金材料が挙げら
れる。また、安定性、高速結晶化等の向上を目的にＧｅ
−Ｔｅ系にＡｕ（特開昭６１−２１９６９２号公報）、
Ｓｎ及びＡｕ（特開昭６１−２７０１９０号公報）、Ｐ
ｄ（特開昭６２−１９４９０号公報）等を添加した材料
の提案や、記録／消去の繰返し性能向上を目的にＧｅ−
Ｔｅ−５ｅ−３ｂの組成比を特定した材料（特開昭６２
−７３４３８号公報）の提案等もなされている。
しかしながら、そのいずれもが相変化型書換え可能光メ
モリー媒体として要求される諸特性のすべてを満足し得
るものとはいえないのが実情である。特に記録感度、消
去感度の向上、オーバーライド時の消し残りによる消去
比低下の防止、並びに記録部、未記録部の長寿命化が解
決すべき最重要課題となっている。
モリー媒体として要求される諸特性のすべてを満足し得
るものとはいえないのが実情である。特に記録感度、消
去感度の向上、オーバーライド時の消し残りによる消去
比低下の防止、並びに記録部、未記録部の長寿命化が解
決すべき最重要課題となっている。
本発明は従来技術における以上の問題を全て解消し、高
速消去、消去率、記録の安定性、記録感度の向上等の材
料特性を全て満足する新規な相転移性化合物を用いたオ
ーバーライド可能な相変化型光情報記録媒体の提供を目
的とするものである。
速消去、消去率、記録の安定性、記録感度の向上等の材
料特性を全て満足する新規な相転移性化合物を用いたオ
ーバーライド可能な相変化型光情報記録媒体の提供を目
的とするものである。
本発明の相変化型光情報記録媒体は基本的には基板−ヒ
に一般式 （但しＸは周期律表第１ａ族元索から選ばれた１種、Ｙ
は同じく第Ｖｂ族元素から選ばれた１種、２は同じく第
ＶＩｂ族元素から選ばれた１種を表わす。
に一般式 （但しＸは周期律表第１ａ族元索から選ばれた１種、Ｙ
は同じく第Ｖｂ族元素から選ばれた１種、２は同じく第
ＶＩｂ族元素から選ばれた１種を表わす。
）で示される三元化合物よりなる記録層を設けたことを
特徴としている。
特徴としている。
ちなみに、本発明者らは前記目的を達成するために多く
の研究・検討を行なった結果、前記一般式で表わされた
三元化合物は、■融点約５００〜７００℃の範囲にあり
、また、バンドギャップが約０．５〜２、ＯｅＶの範囲
にあるため、現在多く使用されている（Ｇａ、 ＡＱ）
Ａｓ系半尋体レーザーに対して効率的に吸収１発熱効果
が期待でき、更に、結晶化における構造は立方晶等対称
性が高いため感度の向上及び高速消去が期待され、そし
て、特に融点が６００℃前後で、また、バンドギャップ
は半導体レーザー光を吸収する必要上１ 、７ｅＶ以下
（但し可視域のＬＤが実現した場合はこの限りではない
）の化合物が好適であること、及び■箭記一般式の化合
物の場合、成膜条件によっては従来の非晶質−結晶質間
の相転移と同時に、結晶質−結晶質間の相転移も可能で
あること、を確めた。本発明はこれに基づいてなされた
ものである。
の研究・検討を行なった結果、前記一般式で表わされた
三元化合物は、■融点約５００〜７００℃の範囲にあり
、また、バンドギャップが約０．５〜２、ＯｅＶの範囲
にあるため、現在多く使用されている（Ｇａ、 ＡＱ）
Ａｓ系半尋体レーザーに対して効率的に吸収１発熱効果
が期待でき、更に、結晶化における構造は立方晶等対称
性が高いため感度の向上及び高速消去が期待され、そし
て、特に融点が６００℃前後で、また、バンドギャップ
は半導体レーザー光を吸収する必要上１ 、７ｅＶ以下
（但し可視域のＬＤが実現した場合はこの限りではない
）の化合物が好適であること、及び■箭記一般式の化合
物の場合、成膜条件によっては従来の非晶質−結晶質間
の相転移と同時に、結晶質−結晶質間の相転移も可能で
あること、を確めた。本発明はこれに基づいてなされた
ものである。
以下に本発明をさらに詳細に説明する。
本発明で用いられる新規な相転移性三元化合物の具体例
としては、Ｎａ５ｂＳｅ２． Ｎａ５ｂＳｅ、、Ｎａ５
ｂＳａ、 。
としては、Ｎａ５ｂＳｅ２． Ｎａ５ｂＳｅ、、Ｎａ５
ｂＳａ、 。
Ｎａ５ｂＴｅ、、Ｌｉ５ｂＳｅ、、Ｌｉ５ｂＳ、、Ｌｉ
５ｂＴｅ、ＫＳｂＳａ、、ＫＳｂＳ２、ＫＳｂＴｅ、、
Ｃｓ５ｂＳｅ、、Ｃｓ５ｂＳ、、ＣｚＳｂＴｅ、、Ｎａ
Ｂ１Ｓｅ２． ＫＢｉＳｅ、、Ｃ５ＢｉＳｅ、等が挙げ
られる。
５ｂＴｅ、ＫＳｂＳａ、、ＫＳｂＳ２、ＫＳｂＴｅ、、
Ｃｓ５ｂＳｅ、、Ｃｓ５ｂＳ、、ＣｚＳｂＴｅ、、Ｎａ
Ｂ１Ｓｅ２． ＫＢｉＳｅ、、Ｃ５ＢｉＳｅ、等が挙げ
られる。
基板としてはガラス、ポリメチルメタクリレート、ポリ
カーボネート等が使用される。
カーボネート等が使用される。
本発明の光情報記録媒体を作るには、基板上に、前記三
元化合物を真空蒸着法あるいはスパッタ法によって記録
層として形成せしめればよい、記録層の厚さは３００〜
１５００人、好ましくは５００−１０００人である。
元化合物を真空蒸着法あるいはスパッタ法によって記録
層として形成せしめればよい、記録層の厚さは３００〜
１５００人、好ましくは５００−１０００人である。
なお、記録層を非晶質状態にするか或いは結晶質状態に
するかは蒸着又はスパッタ時の基板温度によって決定さ
れ、常温の場合は非晶質状態となり、また、１００℃以
上の場合（又は前記温度でのアニール後）は結晶状態と
なる。
するかは蒸着又はスパッタ時の基板温度によって決定さ
れ、常温の場合は非晶質状態となり、また、１００℃以
上の場合（又は前記温度でのアニール後）は結晶状態と
なる。
本発明では記録層上に更に保護層を設けることができる
。保護層の材料としては熱的に安定な窒化シリコン、窒
化アルミニウム等の窒化物；二酸化シリコン、二酸化チ
タン等の酸化物などが使用される。なお、保護層の厚さ
は通常３００〜１５００人、好ましくは約１０００人で
ある。この保護層の形成法は、記録層の場合と同様、真
空蒸着法若しくはスパッタ法が採用しうる。
。保護層の材料としては熱的に安定な窒化シリコン、窒
化アルミニウム等の窒化物；二酸化シリコン、二酸化チ
タン等の酸化物などが使用される。なお、保護層の厚さ
は通常３００〜１５００人、好ましくは約１０００人で
ある。この保護層の形成法は、記録層の場合と同様、真
空蒸着法若しくはスパッタ法が採用しうる。
次に実施例を示す。
実施例ｌ
Ｎａ５ｂＳｅ、をターゲットとし、スパッタ法により直
径１３０＋ａｍ、厚さ１．２ｍｍのガラス基板を一定速
度で回転させながら約１０００入庫の記録層を形成した
。
径１３０＋ａｍ、厚さ１．２ｍｍのガラス基板を一定速
度で回転させながら約１０００入庫の記録層を形成した
。
続いて、この記録層上に約１０００人の窒化シリコン膜
（保護層）を形成して光情報記録媒体を作成した。
（保護層）を形成して光情報記録媒体を作成した。
この時、テストピースとしてスライドガラス上に同様な
記録層を設けた。そして、この記録層をＸ線回折で測定
したところ非晶質であることが確認された。
記録層を設けた。そして、この記録層をＸ線回折で測定
したところ非晶質であることが確認された。
この光記録媒体を３００℃のＡｒガス雰囲気中に３０分
間保持してアニールした。この時の記録層はＸ線回折及
び定量分析の結果から結晶質であり、Ｎａ５ｂＳｅ、か
らなることが確認された。また、７８０ｎａ＋の波長に
対する分光反射率を測定したところ、初期の非晶質状態
に比べて２１％変化していることが確認された。
間保持してアニールした。この時の記録層はＸ線回折及
び定量分析の結果から結晶質であり、Ｎａ５ｂＳｅ、か
らなることが確認された。また、７８０ｎａ＋の波長に
対する分光反射率を測定したところ、初期の非晶質状態
に比べて２１％変化していることが確認された。
次に、この熱処理後の光記録媒体を１８０Ｏｒｐｍの速
度で回転させながらビーム径を１４程度に絞った半導体
レーザー光（発振波長λ＝７８０ｎｍ）を照射すること
により、記録、再生及び消去を行なった。
度で回転させながらビーム径を１４程度に絞った半導体
レーザー光（発振波長λ＝７８０ｎｍ）を照射すること
により、記録、再生及び消去を行なった。
なお、最小記録出力は１３＋ｍＶ、再生出力は２＋＋＋
Ｗ、最小消去出力は８Ｉ１ｗである。この出力／消去条
件で記録後、さらに２ＭＨｚでオーバーライド実験を行
った。
Ｗ、最小消去出力は８Ｉ１ｗである。この出力／消去条
件で記録後、さらに２ＭＨｚでオーバーライド実験を行
った。
その結果、初期記録のＣ／Ｎ比は５２ｄＢでオーバーラ
イド後も５１ｄＢと殆ど変らなかった。しかし、消去残
りが若干認められたが、その値（消去率）は３２ｄＢで
あり、充分使用可能な段階であることが確認された。ま
た、１０４回の記録、消去のくり返し実験を行なったが
信号レベルの低下はほとんど認められず、くり返し特性
を良好であることが確認された。
イド後も５１ｄＢと殆ど変らなかった。しかし、消去残
りが若干認められたが、その値（消去率）は３２ｄＢで
あり、充分使用可能な段階であることが確認された。ま
た、１０４回の記録、消去のくり返し実験を行なったが
信号レベルの低下はほとんど認められず、くり返し特性
を良好であることが確認された。
更に、記録感度は記録層がＧｅＴｅよりなる光情報記録
媒体（比較品Ａ）に比べて約８％、また記録層がＳｂ、
Ｔｅ、よりなる光情報記録媒体（比較品Ｂ）に比べて
約６％それぞれ高かった。消去速度は比較品Ａに比べて
約８％、また比較品Ｂに比べて約８それぞれ速かった。
媒体（比較品Ａ）に比べて約８％、また記録層がＳｂ、
Ｔｅ、よりなる光情報記録媒体（比較品Ｂ）に比べて
約６％それぞれ高かった。消去速度は比較品Ａに比べて
約８％、また比較品Ｂに比べて約８それぞれ速かった。
実施例２
ＮａＳｂＳｅ、の代りにＣｓ５ｂＳｅ２を用いた以外は
実施例１と同じ方法で光情報記録媒体を作成した。この
ものの記録層は非晶質であることがＸ線回折で確認され
た。
実施例１と同じ方法で光情報記録媒体を作成した。この
ものの記録層は非晶質であることがＸ線回折で確認され
た。
この光記録媒体を、実施例１ど同様に、３００℃のＡｒ
ガス雰囲気中に３０分間保持してアニールした。
ガス雰囲気中に３０分間保持してアニールした。
この時の記録層はＸ線回折及び定量分析の結果から結晶
質であり、Ｃｓ５ｂＳｅ、からなることが確認された。
質であり、Ｃｓ５ｂＳｅ、からなることが確認された。
また、７８０ｎｍの波長に対する分光反射率を測定した
ところ、初期の非晶質状態に比べて２９％変化している
ことが確認された。
ところ、初期の非晶質状態に比べて２９％変化している
ことが確認された。
次に、この熱処理後の記録媒体を１８００ｒｐ＋ｍの速
度で回転させながらビーム径を１４程度に絞った半導体
レーザー光（発振波長λ＝７８ｏｎ＠）を照射すること
により、記録、再生及び消去を行なった。なお、最小記
録出力は１３ｍｗ、再生出力は２ＩＩｖ、最小消去出力
は１０■Ｖである。この出力／消去条件で記録後、さら
に２ＭＨｚでオーバーライド実験を行った。
度で回転させながらビーム径を１４程度に絞った半導体
レーザー光（発振波長λ＝７８ｏｎ＠）を照射すること
により、記録、再生及び消去を行なった。なお、最小記
録出力は１３ｍｗ、再生出力は２ＩＩｖ、最小消去出力
は１０■Ｖである。この出力／消去条件で記録後、さら
に２ＭＨｚでオーバーライド実験を行った。
その結果、初期記録のＣ／Ｎ比は５１ｄＢでオーバーラ
イド後も５１ｄＢと殆ど変らなかった。しかし、消去残
りが若干認められたが、その値（消去率）は３０ｄＢで
あり、充分使用可能な段階であることが確認された。ま
た１０４回の記録、消去のくり返し実験を行なったが信
号レベルの低下はほとんど認められず、くり返し特性も
良好であることが確認された。
イド後も５１ｄＢと殆ど変らなかった。しかし、消去残
りが若干認められたが、その値（消去率）は３０ｄＢで
あり、充分使用可能な段階であることが確認された。ま
た１０４回の記録、消去のくり返し実験を行なったが信
号レベルの低下はほとんど認められず、くり返し特性も
良好であることが確認された。
更に、記録感度は記録層がＧｅＴｅよりなる光情報記録
媒体（比較品Ａ）に比べて約９％、また記録層がＳｂｚ
Ｔｆ３ｓよりなる光情報記録媒体（比較品Ｂ）に比べ
て約６％それぞれ高かった。消去速度は比較品Ａに比べ
て約８％、また、比較品Ｂに比べて約６％それぞれ速か
った。
媒体（比較品Ａ）に比べて約９％、また記録層がＳｂｚ
Ｔｆ３ｓよりなる光情報記録媒体（比較品Ｂ）に比べ
て約６％それぞれ高かった。消去速度は比較品Ａに比べ
て約８％、また、比較品Ｂに比べて約６％それぞれ速か
った。
本発明で用いられる前記一般式で表わされる三元化合物
は融点が約５００〜７００℃の範囲にあり、かつ、結晶
化時の構造が立方晶等対称性の高い状態にあるため、非
晶質−納品質問又は結晶質−結晶質量の相転移を利用し
た光メモリー用材料として使用したとき、メモリーの安
定性及び高速結晶化即ち高速消去が期待できる。また、
この化合物はバンドギャップが約０．５〜２．ＯｅＶの
間にあるため、半導体レーザーを効率よく吸収して熱変
換することができるので、高速消去及び高感度化が期待
できる。
は融点が約５００〜７００℃の範囲にあり、かつ、結晶
化時の構造が立方晶等対称性の高い状態にあるため、非
晶質−納品質問又は結晶質−結晶質量の相転移を利用し
た光メモリー用材料として使用したとき、メモリーの安
定性及び高速結晶化即ち高速消去が期待できる。また、
この化合物はバンドギャップが約０．５〜２．ＯｅＶの
間にあるため、半導体レーザーを効率よく吸収して熱変
換することができるので、高速消去及び高感度化が期待
できる。
Claims (1)
- （１）基板上に電磁波等の照射により可逆的な相変化が
もたらされる記録層を形成した光情報記録媒体において
、前記記録層は一般式 ＸＹＺ＿２ （但し、Ｘは周期律表 I ａ族元素から選ばれた１種、
Ｙは周期律表Ｖｂ族元素から選ばれた１種、Ｚは周期律
表VIｂ族元素から選ばれた１種を表わす。）で示される
三元化合物よりなることを特徴とする光情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1185677A JPH0349988A (ja) | 1989-07-18 | 1989-07-18 | 光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1185677A JPH0349988A (ja) | 1989-07-18 | 1989-07-18 | 光情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0349988A true JPH0349988A (ja) | 1991-03-04 |
Family
ID=16174937
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1185677A Pending JPH0349988A (ja) | 1989-07-18 | 1989-07-18 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0349988A (ja) |
-
1989
- 1989-07-18 JP JP1185677A patent/JPH0349988A/ja active Pending
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