JPH0410979A - 光記録媒体と光記録媒体の製造方法 - Google Patents
光記録媒体と光記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPH0410979A JPH0410979A JP2113380A JP11338090A JPH0410979A JP H0410979 A JPH0410979 A JP H0410979A JP 2113380 A JP2113380 A JP 2113380A JP 11338090 A JP11338090 A JP 11338090A JP H0410979 A JPH0410979 A JP H0410979A
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- Japan
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- optical recording
- gete
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- recording
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はレーザービーム等により、情報を高密基 大容
量で記録再生及び消去できる光記録媒体に関するもので
ある。
量で記録再生及び消去できる光記録媒体に関するもので
ある。
従来の技術
大容量で高密度なメモリとして光記録媒体が注目されて
おり、現在 情報の消去・再記録が可能である書換え型
と呼ばれるものの開発が進められていも この書換え型
の光記録媒体のひとつとして、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｂ台金薄
膜を記録層として用（＼ レーザ光の照射により記録層
を加熱し 溶融し 急冷することにより非晶質化して情
報を記録し またこれを加熱し徐冷することにより結晶
化して情報を消去するものがある。第３図は従来の書換
え型光記録媒体を示した断面図であも 第３図において
、中心穴を有する円盤上の透明樹脂材料からなる基板１
１に誘電体からなる第１の保護層１２、記録層１３、誘
電体からなる第２の保護層１４、金属薄膜からなる反射
層１５を形成し その上に接着剤１６を介して保護板１
７を設けたものであム ここで、記録層１３にＴｅ−Ｇ
ｅ−Ｓｂ合金薄膜を用いれ（瓜 この結晶化速度が速い
た碌 単一のレーザの強度を変調して照射するだけで非
晶質化及び結晶化ができも 従って、この書換え型光記
録媒体（よ 一般にオーバライドと呼ばれる単一のレー
ザ光による情報の書換えが可能である。
おり、現在 情報の消去・再記録が可能である書換え型
と呼ばれるものの開発が進められていも この書換え型
の光記録媒体のひとつとして、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｂ台金薄
膜を記録層として用（＼ レーザ光の照射により記録層
を加熱し 溶融し 急冷することにより非晶質化して情
報を記録し またこれを加熱し徐冷することにより結晶
化して情報を消去するものがある。第３図は従来の書換
え型光記録媒体を示した断面図であも 第３図において
、中心穴を有する円盤上の透明樹脂材料からなる基板１
１に誘電体からなる第１の保護層１２、記録層１３、誘
電体からなる第２の保護層１４、金属薄膜からなる反射
層１５を形成し その上に接着剤１６を介して保護板１
７を設けたものであム ここで、記録層１３にＴｅ−Ｇ
ｅ−Ｓｂ合金薄膜を用いれ（瓜 この結晶化速度が速い
た碌 単一のレーザの強度を変調して照射するだけで非
晶質化及び結晶化ができも 従って、この書換え型光記
録媒体（よ 一般にオーバライドと呼ばれる単一のレー
ザ光による情報の書換えが可能である。
発明が解決しようとする課題
記録薄膜を加熱昇温し 溶融急冷非晶質化および加熱昇
温徐冷結晶化の手段を用いる情報記録および消去可能な
光記録媒体において（戴 記録・消去の多数回の繰り返
しに対応して信号品質が変動する場合があ４ この変動
要因として（よ レーザ光による４００℃以上の急速な
加熱・冷却の繰り返しによって記録層自信が熱的損傷を
受けたり、ディスク基板あるいは保護層の熱的な損傷が
考えられも さら！ミ 記録層について（よ その構成
組成によって（よ 層中の組成・成分の局所的な変（Ｉ
Ｌいわゆる偏析が発生する場合もある。以上のような変
化を生じた場合、記録・再生・消去の繰り返しにおいて
ノイズの増大等の劣化が生じる。これらの対策として（
よ 例えば記録層の材料として、ＧｅＴｅ、 Ｓｂ２Ｔ
ｅａ 、 Ｓｂの混合体を用いれｉ４ Ｓｂの量を適
当にすることによって記録・消去の多数回の繰り返しに
よる信号品質の変動を阻止してい通、これＩ友Ｓｂが結
晶化、非晶質化の過程において、ＧｅＴｅ成分とＳｂ２
Ｔｅａ成分の相分離に対する阻止効果を有しているから
である。このような構想によって、記録・消去を１０’
回以上の繰り返しにおいても安定な信号を得てい九 し
かし さらに１０６回オーダーの繰り返しにおいて（友
記録・消去の繰り返しに伴う加熱・冷却の繰り返しに
よって保護層の熱膨張・収縮に対応して保護層に挟まれ
た記録層材料が脈動し ディスク回転方向の案内溝に沿
って移動する場合があム このようなことが発生すると
記録層の厚さむらが発生し 信号品質が劣化するという
課題があっム 消去特性についてはＴｅを含む非晶質膜：よ その融点
は代表的なもので４００℃〜９００℃と広い温度範囲に
あり、これらの記録薄膜にレーザ光を照射し昇温徐冷す
ることにより結晶化が行えも この温度は一般的に融点
より低い結晶化温度領域にあムまたこの結晶化した膜に
高いパワーレベルのレーザ光をあて、その融点以上に加
熱するとその部分は溶融し急冷し 再び非晶質化してマ
ークが形成できも 記録マークとして非晶質化を選ぶと
、このマークは記録薄膜が溶融し急冷されて形成される
ものであるか収 冷却速度が速いほど非晶質状態の均一
なものが得られ信号振幅が向上する。冷却速度が遅い場
合はマークの中心と周辺で非晶質化の程度に差が発生す
も 次に結晶化消去に際してζ友 レーザ光の照射によ
り既に記録が行われている非晶質マーク部を、結晶化温
度以上に昇温し徐冷して、結晶化させてこのマークを消
去すもこの時、マークが均一に結晶化するときは消去特
性が向上すも しかし 記録マークの状態が不均一な場
合（未 記録マーク部の反射率や吸収率にむらが発生し
やすく、消去した時に 結晶化の状態が不均一となり、
記録マークの消し残りが発生し消去特性が劣化するとい
う課題があっ九 本発明の目的ζ友 サイクル特性が安
定であり、記録消去特性の良好な光ディスクを提供する
ことである。
温徐冷結晶化の手段を用いる情報記録および消去可能な
光記録媒体において（戴 記録・消去の多数回の繰り返
しに対応して信号品質が変動する場合があ４ この変動
要因として（よ レーザ光による４００℃以上の急速な
加熱・冷却の繰り返しによって記録層自信が熱的損傷を
受けたり、ディスク基板あるいは保護層の熱的な損傷が
考えられも さら！ミ 記録層について（よ その構成
組成によって（よ 層中の組成・成分の局所的な変（Ｉ
Ｌいわゆる偏析が発生する場合もある。以上のような変
化を生じた場合、記録・再生・消去の繰り返しにおいて
ノイズの増大等の劣化が生じる。これらの対策として（
よ 例えば記録層の材料として、ＧｅＴｅ、 Ｓｂ２Ｔ
ｅａ 、 Ｓｂの混合体を用いれｉ４ Ｓｂの量を適
当にすることによって記録・消去の多数回の繰り返しに
よる信号品質の変動を阻止してい通、これＩ友Ｓｂが結
晶化、非晶質化の過程において、ＧｅＴｅ成分とＳｂ２
Ｔｅａ成分の相分離に対する阻止効果を有しているから
である。このような構想によって、記録・消去を１０’
回以上の繰り返しにおいても安定な信号を得てい九 し
かし さらに１０６回オーダーの繰り返しにおいて（友
記録・消去の繰り返しに伴う加熱・冷却の繰り返しに
よって保護層の熱膨張・収縮に対応して保護層に挟まれ
た記録層材料が脈動し ディスク回転方向の案内溝に沿
って移動する場合があム このようなことが発生すると
記録層の厚さむらが発生し 信号品質が劣化するという
課題があっム 消去特性についてはＴｅを含む非晶質膜：よ その融点
は代表的なもので４００℃〜９００℃と広い温度範囲に
あり、これらの記録薄膜にレーザ光を照射し昇温徐冷す
ることにより結晶化が行えも この温度は一般的に融点
より低い結晶化温度領域にあムまたこの結晶化した膜に
高いパワーレベルのレーザ光をあて、その融点以上に加
熱するとその部分は溶融し急冷し 再び非晶質化してマ
ークが形成できも 記録マークとして非晶質化を選ぶと
、このマークは記録薄膜が溶融し急冷されて形成される
ものであるか収 冷却速度が速いほど非晶質状態の均一
なものが得られ信号振幅が向上する。冷却速度が遅い場
合はマークの中心と周辺で非晶質化の程度に差が発生す
も 次に結晶化消去に際してζ友 レーザ光の照射によ
り既に記録が行われている非晶質マーク部を、結晶化温
度以上に昇温し徐冷して、結晶化させてこのマークを消
去すもこの時、マークが均一に結晶化するときは消去特
性が向上すも しかし 記録マークの状態が不均一な場
合（未 記録マーク部の反射率や吸収率にむらが発生し
やすく、消去した時に 結晶化の状態が不均一となり、
記録マークの消し残りが発生し消去特性が劣化するとい
う課題があっ九 本発明の目的ζ友 サイクル特性が安
定であり、記録消去特性の良好な光ディスクを提供する
ことである。
課題を解決するための手段
本発明（よ レーザ光等の照射により、状態の変化がな
さｆ５ ＧｅＴｅとＳｂ２Ｔｅ３とＳｂの混合体に窒
素を含ませた材料からなる記録層を基板上に形成したも
のである。
さｆ５ ＧｅＴｅとＳｂ２Ｔｅ３とＳｂの混合体に窒
素を含ませた材料からなる記録層を基板上に形成したも
のである。
作用
本発明は上記した構成 すなわちＧｅＴｅ−３ｂ２Ｔｅ
３−Ｓｂの混合体！二 窒素を含ませた材料を基板上に
形成することで、記録・再生・消去の繰り返しに伴う加
熱・冷却の繰り返しにより記録層材料が脈動し案内溝に
沿って移動する現象を抑制することができ、これによっ
て記録・消去の繰り返し特性を向上することができるも
のであａ また基板上に第１の保護層と、ＧｅＴｅとＳｂ２Ｔｅ３
とＳｂの混合体に窒素を含ませた材料からなる記録層と
、第２の誘電体層と、反射層とを備え 第２の誘電体層
を第１の保護層より薄＜Ｌ３０ｎｍ以下にしているので
、金属からなる反射層と記録層を近づけることになり、
記録層が急冷され 記録マークが均一な非晶質状態とな
ａ その結果 記録・消去が向上すも 実施例 以下、本発明の一実施例の光記録媒体を図面に基づいて
説明すも 第１図は本発明の一実施例を示す断面図であ
も 第１図において、中心孔を有する円盤上の透明な基
板１上にあらかじめ耐熱性の優れたＺｎＳ−８ｉＯ２か
らなる第１の保護層２を形成すも 組成比は５ｉｄｅ含
有量が約２０モル％であり、膜厚は約１５０ｎｍであも
３は記録層でＧｅＴｅ、 Ｓｂ２Ｔｅ３． Ｓｂに窒
素を混合した薄膜であり、膜厚は約２０ｎｍであム ４
は第２の保護層で第１の保護層２と同じ材料からなって
おり、膜厚は約２０ｎｍであ４５はＡ１合金からなる反
射層で膜厚は約１゜Ｏｎｍであム ６は保護板で接着剤
７によって基板１に貼り合わせている。記録層３を構成
する材料のうちのＧｅＴｅ、 Ｓｂ２Ｔｅ３． Ｓｂの
組成として（よ 第２図のＧｅＴｅ、 Ｓｂ２Ｔｃ３．
Ｓｂからなる三角ダイアダラムにおいて、 ｂ ＝
Ｓｂ／ Ｓｂ２Ｔｅ３＝ ０ 及びｂ＝ １．０の両
ラインの内側に選Ｊ％ ｂが０よりも少ない組成領域
すなわち余剰のＴｅを含む組成領域で（友 本実施例の
組成である余剰のＳｂを含む組成のものに比べ局所的な
偏析に対する阻止効果が低かっ九 またｂ＝ １．０
を越える組成領域で（よ 記録・消去の繰り返しにお
いて非晶質化劣化が生じやす（−ゆえに ０≦ｂ≦１．
０ の組成領域が繰り返し特性が良好であり好まししも ｇ ＝ ＧｅＴｅ／ Ｓｂ２Ｔｅｓについて１ヨｇが０
．５以下になると、結晶化転移温度が低下し 耐熱安定
性が小さくなる。 ｇ＝２．３を越える組成領域では熱
的安定性が良好であるが感度が低下すａ ゆえ（、−０
，５≦ｇ≦２．３が良好であり好ましく〜第１及び第２
の保護服 記録層 反射層の形成方法として（よ 一般
的には真空蒸着あるいはスパッター法が使用できる。本
実施例では記録層の形成方法としてアルゴンと窒素の混
合ガスによるスパッタ法を用いていも この啄 窒素の
分圧が特性あるいは膜質を決定する上で重要である力丈
記録薄膜のスパッタ時の窒素分圧は１０４〜１．ＯＸ
１０”’Ｔｏｒｒの範囲が適当であム この理由は窒
素分圧を１０− ’ Ｔｏｒｒよりｔ小さくすると、
ＧｅＴｅ、 Ｓｂ２Ｔｅ３． Ｓｂに含まれる窒素が
少なくなり、記録層３の材料が脈動して、案内溝に添っ
て移動する現象を阻止する効果が小さくなる。逆に窒素
分圧を１０− ’ Ｔｏｒｒよりもを大きくすると、記
録層の屈折率啄 光学的な特性の変（Ｌ あるいは結
晶化速嵐 非晶質化劣化暮 記録消去にかかわる基本的
な特性が変化してしまう。ゆえ番−窒素分圧は１ｏ−６
〜１．ＯＸ １０−’Ｔｏｒｒの範囲が適当であム 第１、 第２の保護層２，４のＺｎＳ−８ｉＯ２混合膜
は５ｉｎ２の比率を２０モル％にしているがこれに限定
するものではなＬｙ Ｌかじながら５ｉｎｅの比率を
５モル％以下にすると、 ＺｎＳに５ｉｄｅを混合した
時に得られる効果 すなわち結晶粒径を小さくするとい
う効果が小さくなり、 ４０モル％を越えるとと、５ｉ
（ｈ膜の性質が大きくなるものであるが収５ｉｄｅの比
率は５〜４０モル％の範囲にするのが適当である。
３−Ｓｂの混合体！二 窒素を含ませた材料を基板上に
形成することで、記録・再生・消去の繰り返しに伴う加
熱・冷却の繰り返しにより記録層材料が脈動し案内溝に
沿って移動する現象を抑制することができ、これによっ
て記録・消去の繰り返し特性を向上することができるも
のであａ また基板上に第１の保護層と、ＧｅＴｅとＳｂ２Ｔｅ３
とＳｂの混合体に窒素を含ませた材料からなる記録層と
、第２の誘電体層と、反射層とを備え 第２の誘電体層
を第１の保護層より薄＜Ｌ３０ｎｍ以下にしているので
、金属からなる反射層と記録層を近づけることになり、
記録層が急冷され 記録マークが均一な非晶質状態とな
ａ その結果 記録・消去が向上すも 実施例 以下、本発明の一実施例の光記録媒体を図面に基づいて
説明すも 第１図は本発明の一実施例を示す断面図であ
も 第１図において、中心孔を有する円盤上の透明な基
板１上にあらかじめ耐熱性の優れたＺｎＳ−８ｉＯ２か
らなる第１の保護層２を形成すも 組成比は５ｉｄｅ含
有量が約２０モル％であり、膜厚は約１５０ｎｍであも
３は記録層でＧｅＴｅ、 Ｓｂ２Ｔｅ３． Ｓｂに窒
素を混合した薄膜であり、膜厚は約２０ｎｍであム ４
は第２の保護層で第１の保護層２と同じ材料からなって
おり、膜厚は約２０ｎｍであ４５はＡ１合金からなる反
射層で膜厚は約１゜Ｏｎｍであム ６は保護板で接着剤
７によって基板１に貼り合わせている。記録層３を構成
する材料のうちのＧｅＴｅ、 Ｓｂ２Ｔｅ３． Ｓｂの
組成として（よ 第２図のＧｅＴｅ、 Ｓｂ２Ｔｃ３．
Ｓｂからなる三角ダイアダラムにおいて、 ｂ ＝
Ｓｂ／ Ｓｂ２Ｔｅ３＝ ０ 及びｂ＝ １．０の両
ラインの内側に選Ｊ％ ｂが０よりも少ない組成領域
すなわち余剰のＴｅを含む組成領域で（友 本実施例の
組成である余剰のＳｂを含む組成のものに比べ局所的な
偏析に対する阻止効果が低かっ九 またｂ＝ １．０
を越える組成領域で（よ 記録・消去の繰り返しにお
いて非晶質化劣化が生じやす（−ゆえに ０≦ｂ≦１．
０ の組成領域が繰り返し特性が良好であり好まししも ｇ ＝ ＧｅＴｅ／ Ｓｂ２Ｔｅｓについて１ヨｇが０
．５以下になると、結晶化転移温度が低下し 耐熱安定
性が小さくなる。 ｇ＝２．３を越える組成領域では熱
的安定性が良好であるが感度が低下すａ ゆえ（、−０
，５≦ｇ≦２．３が良好であり好ましく〜第１及び第２
の保護服 記録層 反射層の形成方法として（よ 一般
的には真空蒸着あるいはスパッター法が使用できる。本
実施例では記録層の形成方法としてアルゴンと窒素の混
合ガスによるスパッタ法を用いていも この啄 窒素の
分圧が特性あるいは膜質を決定する上で重要である力丈
記録薄膜のスパッタ時の窒素分圧は１０４〜１．ＯＸ
１０”’Ｔｏｒｒの範囲が適当であム この理由は窒
素分圧を１０− ’ Ｔｏｒｒよりｔ小さくすると、
ＧｅＴｅ、 Ｓｂ２Ｔｅ３． Ｓｂに含まれる窒素が
少なくなり、記録層３の材料が脈動して、案内溝に添っ
て移動する現象を阻止する効果が小さくなる。逆に窒素
分圧を１０− ’ Ｔｏｒｒよりもを大きくすると、記
録層の屈折率啄 光学的な特性の変（Ｌ あるいは結
晶化速嵐 非晶質化劣化暮 記録消去にかかわる基本的
な特性が変化してしまう。ゆえ番−窒素分圧は１ｏ−６
〜１．ＯＸ １０−’Ｔｏｒｒの範囲が適当であム 第１、 第２の保護層２，４のＺｎＳ−８ｉＯ２混合膜
は５ｉｎ２の比率を２０モル％にしているがこれに限定
するものではなＬｙ Ｌかじながら５ｉｎｅの比率を
５モル％以下にすると、 ＺｎＳに５ｉｄｅを混合した
時に得られる効果 すなわち結晶粒径を小さくするとい
う効果が小さくなり、 ４０モル％を越えるとと、５ｉ
（ｈ膜の性質が大きくなるものであるが収５ｉｄｅの比
率は５〜４０モル％の範囲にするのが適当である。
さら番へ 第２の保護層４の膜厚を約３０ｎｍと薄くし
ているバ これよって熱拡散層となる反射層５と記録層
３が近くなり、記録・消去時の記録層３の熱が急速に反
射層５に伝達されることになって、記録層３を急冷し
記録マークが均一な非晶質状態となム その結果 記録
・消去が向上すａ本実施例のディスク構成玄 外径１３
０ｆｆｌａ１８００ ｒｐｍ回転 線速度８ ｍ／ｓｅ
ｃでｆｌ＝３．４３ＭＨｚの信号 ｆ２＝１．２５ＭＨ
ｚの信号のオーバーライド特性を測定し九 この結果
記録信号のＣ／Ｎ比としてｉ；ｔ、、５５ｄＢ以上が得
られ オーバライド消去率３０ｄＢ以上が得られた オ
ーバライドのサイクル特性について（よ 特にピットエ
ラーレイトの特性を測定した結ｉ１０’、サイクル以上
劣化が見られなかっ九 発明の効果 以上のように本発明によればＧｅＴｅ、 Ｓｂ２Ｔｅ３
． Ｓｂに窒素を混合した記録層を基板上に形成するこ
とによって、記録・消去の繰り返しに伴（＼ 記録層材
料が案内溝に沿って移動する現象を抑制し これによっ
て記録・消去の繰り返し特性を向上することができも
また 記録層と反射層の間の保護層を薄くした急冷構成
にすることによって、均一な非晶質化が可能となり、記
録・消去特性が良好で、かつ１０６回以上の書換えが可
能な光記録媒体を提供することができも
ているバ これよって熱拡散層となる反射層５と記録層
３が近くなり、記録・消去時の記録層３の熱が急速に反
射層５に伝達されることになって、記録層３を急冷し
記録マークが均一な非晶質状態となム その結果 記録
・消去が向上すａ本実施例のディスク構成玄 外径１３
０ｆｆｌａ１８００ ｒｐｍ回転 線速度８ ｍ／ｓｅ
ｃでｆｌ＝３．４３ＭＨｚの信号 ｆ２＝１．２５ＭＨ
ｚの信号のオーバーライド特性を測定し九 この結果
記録信号のＣ／Ｎ比としてｉ；ｔ、、５５ｄＢ以上が得
られ オーバライド消去率３０ｄＢ以上が得られた オ
ーバライドのサイクル特性について（よ 特にピットエ
ラーレイトの特性を測定した結ｉ１０’、サイクル以上
劣化が見られなかっ九 発明の効果 以上のように本発明によればＧｅＴｅ、 Ｓｂ２Ｔｅ３
． Ｓｂに窒素を混合した記録層を基板上に形成するこ
とによって、記録・消去の繰り返しに伴（＼ 記録層材
料が案内溝に沿って移動する現象を抑制し これによっ
て記録・消去の繰り返し特性を向上することができも
また 記録層と反射層の間の保護層を薄くした急冷構成
にすることによって、均一な非晶質化が可能となり、記
録・消去特性が良好で、かつ１０６回以上の書換えが可
能な光記録媒体を提供することができも
第１図は本発明の実施例における光記録媒体の断面医
第２図は本発明の実施例における光記録媒体の記録層の
うちＧｅＴｅ、 Ｓｂ２Ｔｅ３． Ｓｂの組成を示した
三角ダイアグラム 第３図は従来の光記録媒体の断面図
であム ト・・基板 ２・・・第１の保護服 ３・・・記録層
４・・・第２の保護＃ ５・・・反射層 ６・・・保護
板、 ７・・・接着能 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１芯筒 １ 図 第３図 １フイ尿ｆｆ↑舌え ｉ＊
第２図は本発明の実施例における光記録媒体の記録層の
うちＧｅＴｅ、 Ｓｂ２Ｔｅ３． Ｓｂの組成を示した
三角ダイアグラム 第３図は従来の光記録媒体の断面図
であム ト・・基板 ２・・・第１の保護服 ３・・・記録層
４・・・第２の保護＃ ５・・・反射層 ６・・・保護
板、 ７・・・接着能 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１芯筒 １ 図 第３図 １フイ尿ｆｆ↑舌え ｉ＊
Claims (9)
- （１）レーザ光等の照射により、状態の変化がなされ、
ＧｅＴｅとＳｂ＿２Ｔｅ＿３とＳｂの混合体に窒素を含
ませた材料からなる記録層を基板上に形成した光記録媒
体。 - （２）ＧｅＴｅとＳｂ＿２Ｔｅ＿３とＳｂの混合体に、
窒素を含ませてなる記録層を、アルゴンと窒素の混合ガ
スを用いたスパッタ法で形成することを特徴とする光記
録媒体の製造方法。 - （３）記録層を形成する時の窒素分圧を１０＾−＾５〜
１０＾−＾４Ｔｏｒｒの範囲にすることを特徴とする請
求項２記載の光記録媒体の製造方法。 - （４）記録層の組成がＧｅＴｅ／Ｓｂ＿２Ｔｅ＿３のモ
ル比をｇとして、０．５≦ｇ≦２．３である請求項１記
載の光記録媒体。 - （５）記録層の組成がＳｂ／Ｓｂ＿２Ｔｅ＿３のモル比
をｂとして、０≦ｂ≦１．０である請求項１記載の光記
録媒体。 - （６）記録層の組成がＧｅＴｅ／Ｓｂ＿２Ｔｅ＿３のモ
ル比をｇとして、０．５≦ｇ≦２．３の範囲でかつ、Ｓ
ｂ／Ｓｂ＿２Ｔｅ＿３のモル比をｂとして、０．１≦ｂ
≦１．０である請求項１記載の光記録媒体。 - （７）基板上に第１の保護層と、ＧｅＴｅとＳｂ＿２Ｔ
ｅ＿３とＳｂの混合体に窒素を含ませた材料からなる記
録層と、第２の保護層と、反射層とを順次形成した光記
録媒体。 - （８）基板上に第１の誘電体層と、ＧｅＴｅとＳｂ＿２
Ｔｅ＿３とＳｂの混合体に窒素を含ませた材料からなる
記録層と、第２の保護層と、反射層とを備え、第２の保
護層を第１の保護層より薄くし、第２の保護層の膜厚を
３０ｎｍ以下にした請求項７記載の光記録媒体。 - （９）第１及び、第２の保護層を、ＺｎＳとＳｉＯ＿２
の混合体とし、ＳｉＯ＿２比が５〜４０モル％とした請
求項７記載の光記録媒体。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2113380A JP2553736B2 (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 光記録媒体と光記録媒体の製造方法 |
| US07/559,166 US5194363A (en) | 1990-04-27 | 1990-07-30 | Optical recording medium and production process for the medium |
| US07/573,246 US5230973A (en) | 1990-04-27 | 1990-08-24 | Method of recording and erasing information in an erasible optical recording medium |
| KR1019910006821A KR950006840B1 (ko) | 1990-04-27 | 1991-04-27 | 광기록매체와 광기록매체의 제법 |
| US08/904,983 USRE36383E (en) | 1990-04-27 | 1997-08-01 | Optical recording medium and production process for the medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2113380A JP2553736B2 (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 光記録媒体と光記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0410979A true JPH0410979A (ja) | 1992-01-16 |
| JP2553736B2 JP2553736B2 (ja) | 1996-11-13 |
Family
ID=14610830
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2113380A Expired - Lifetime JP2553736B2 (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 光記録媒体と光記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2553736B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5587216A (en) * | 1992-10-16 | 1996-12-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical recording medium |
| US5948496A (en) * | 1996-09-06 | 1999-09-07 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium |
| US6607869B1 (en) | 1997-08-22 | 2003-08-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and method of manufacturing the same |
| US6858277B1 (en) | 1999-03-15 | 2005-02-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Information recording medium and method for manufacturing the same |
| US7288224B2 (en) | 1995-03-31 | 2007-10-30 | Ricoh Company, Ltd. | Method of producing a sputtering target |
| US7758382B2 (en) | 2007-08-31 | 2010-07-20 | Fujitsu Limited | Connector with isolating end face and side connections and information processing apparatus including connector |
-
1990
- 1990-04-27 JP JP2113380A patent/JP2553736B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| US7758382B2 (en) | 2007-08-31 | 2010-07-20 | Fujitsu Limited | Connector with isolating end face and side connections and information processing apparatus including connector |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2553736B2 (ja) | 1996-11-13 |
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