JPH0350125A - シリカガラスの製造法 - Google Patents
シリカガラスの製造法Info
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- JPH0350125A JPH0350125A JP18579089A JP18579089A JPH0350125A JP H0350125 A JPH0350125 A JP H0350125A JP 18579089 A JP18579089 A JP 18579089A JP 18579089 A JP18579089 A JP 18579089A JP H0350125 A JPH0350125 A JP H0350125A
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 50
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 claims abstract description 7
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 6
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 26
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 26
- -1 silicon alkoxide Chemical class 0.000 claims description 26
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 18
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 14
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 13
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 239000011148 porous material Substances 0.000 abstract description 8
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 abstract description 7
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 7
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 5
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- 238000004017 vitrification Methods 0.000 description 3
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001879 gelation Methods 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 2
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- UQMOLLPKNHFRAC-UHFFFAOYSA-N tetrabutyl silicate Chemical compound CCCCO[Si](OCCCC)(OCCCC)OCCCC UQMOLLPKNHFRAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N choline Chemical compound C[N+](C)(C)CCO OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001231 choline Drugs 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000003349 gelling agent Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 239000002574 poison Substances 0.000 description 1
- 231100000614 poison Toxicity 0.000 description 1
- 238000012643 polycondensation polymerization Methods 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- ZQZCOBSUOFHDEE-UHFFFAOYSA-N tetrapropyl silicate Chemical compound CCCO[Si](OCCC)(OCCC)OCCC ZQZCOBSUOFHDEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は光学用、半導体工業用、電子工業用、理工学用
等に使用されるシリカガラスを製造する方法に関する。
等に使用されるシリカガラスを製造する方法に関する。
[従来の技術]
シリカガラスは耐熱性、耐蝕性及び光学的性質に優れて
いることから、半導体製造に欠かせない重要な材料であ
り、さらには光ファイバやIC製造用フォトマスク基板
、TPT基板などに使用され、その用途はますます拡大
されている。
いることから、半導体製造に欠かせない重要な材料であ
り、さらには光ファイバやIC製造用フォトマスク基板
、TPT基板などに使用され、その用途はますます拡大
されている。
従来のシリカガラスの製造法には、天然石英を電気炉又
は酸水素炎により溶解する方法、あるいは四塩化ケイ素
を酸水素炎又はプラズマ炎中で高温酸化し溶解する方法
があるが、いずれの方法も製造工程に2000℃あるい
はそれ以上の高温を必要とするため、大量のエネルギー
を消費し、又製造時にそのような高温に耐える材料が必
要であり、又高純度のものが得にくいなど経済的、品質
的にいくつかの問題点をもっている。
は酸水素炎により溶解する方法、あるいは四塩化ケイ素
を酸水素炎又はプラズマ炎中で高温酸化し溶解する方法
があるが、いずれの方法も製造工程に2000℃あるい
はそれ以上の高温を必要とするため、大量のエネルギー
を消費し、又製造時にそのような高温に耐える材料が必
要であり、又高純度のものが得にくいなど経済的、品質
的にいくつかの問題点をもっている。
これに対し、近年ゾル−ゲル法と呼ばれるシリカガラス
を低温で合成する方法が注目されている。
を低温で合成する方法が注目されている。
その概要を簡単に述べる。
シリコンアルコキシドの加水分解、重合によって、ある
いは四塩化ケイ素の気相加水分解によって作製したSi
O2微粒子を分散させた水、有機溶剤、あるいは水−有
機溶剤混合溶液のシリカゾルを静置、昇温、ゲル化剤の
添加等によってゲル化させる。その後、ゲルを蒸発、乾
燥することによりシリカ乾燥ゲルとする。この乾燥ゲル
を適当な雰囲気中で焼結することによりシリカガラスを
得る。
いは四塩化ケイ素の気相加水分解によって作製したSi
O2微粒子を分散させた水、有機溶剤、あるいは水−有
機溶剤混合溶液のシリカゾルを静置、昇温、ゲル化剤の
添加等によってゲル化させる。その後、ゲルを蒸発、乾
燥することによりシリカ乾燥ゲルとする。この乾燥ゲル
を適当な雰囲気中で焼結することによりシリカガラスを
得る。
上記のゾル−ゲル法によるシリカガラスの製造法には次
の問題がある。すなわち、SiO2微粒子を水、有機溶
剤等に均一に分散させることは非常に困難であり、シリ
カゾル中にSiO2微粒子の大きな凝集体が残りやすい
。このような凝集体はゲルを焼結して作製したガラスの
中の欠陥(空孔)の原因となり、品質の低下を生じさせ
る。このためSiO2微粒子の分散を良くするために、
シリカゾルに超音波を照射する方法、凝集体により生ず
るガラス中の欠陥(空孔)を消すために焼結ガラスを更
に加圧下で焼結する方法が提案されているが、いずれも
工程数の増加、不純物混入の機会の増加を引き起こす。
の問題がある。すなわち、SiO2微粒子を水、有機溶
剤等に均一に分散させることは非常に困難であり、シリ
カゾル中にSiO2微粒子の大きな凝集体が残りやすい
。このような凝集体はゲルを焼結して作製したガラスの
中の欠陥(空孔)の原因となり、品質の低下を生じさせ
る。このためSiO2微粒子の分散を良くするために、
シリカゾルに超音波を照射する方法、凝集体により生ず
るガラス中の欠陥(空孔)を消すために焼結ガラスを更
に加圧下で焼結する方法が提案されているが、いずれも
工程数の増加、不純物混入の機会の増加を引き起こす。
液相へのSiO2微粒子の分散工程をなくすため、シリ
コンアルコキシドを塩基触媒の存在下で加水分解して5
ty2微粒子を含むゾルを作製し、これを直接、ゲル化
させる方法が提案されている。
コンアルコキシドを塩基触媒の存在下で加水分解して5
ty2微粒子を含むゾルを作製し、これを直接、ゲル化
させる方法が提案されている。
[発明が解決しようとする課題]
しかし、この方法では、乾燥過程でゲルにクラックや割
れが発生しやすい。このようなゲルの破壊を防ぐために
は、ゾル中に含まれるSiO2微粒子径を大きくする必
要があり、このためアルコキシドの加水分解の際に用い
る水は、アルコキシドに対して大過剰でかつ濃厚な塩基
を含む必要がある。したがってゾルをゲル化する前に、
大過剰の水を除去する濃縮工程が必要となり、工程数の
増加を引き起こした。又ゾルをゲル化に適当なpHにす
るため、酸を加える必要があるが、これによってゾル中
に多量に生成する塩は乾燥過程でゲル中に析出し、ガラ
ス化した際に空孔の発生を引き起こすという問題が生じ
た。
れが発生しやすい。このようなゲルの破壊を防ぐために
は、ゾル中に含まれるSiO2微粒子径を大きくする必
要があり、このためアルコキシドの加水分解の際に用い
る水は、アルコキシドに対して大過剰でかつ濃厚な塩基
を含む必要がある。したがってゾルをゲル化する前に、
大過剰の水を除去する濃縮工程が必要となり、工程数の
増加を引き起こした。又ゾルをゲル化に適当なpHにす
るため、酸を加える必要があるが、これによってゾル中
に多量に生成する塩は乾燥過程でゲル中に析出し、ガラ
ス化した際に空孔の発生を引き起こすという問題が生じ
た。
これらの問題を解決するため発明者らは、先にゲル化前
にSiO2微粒子の分散工程及びゾルの濃縮工程を必要
としないシリカガラスの製造法、すなわち、ポリエチレ
ングリコール及び/又はその誘導体の存在下にシリコン
アルコキシドを塩基性触媒を用いて加水分解してSiO
2微粒子を含むシリカゾルを得、このシリカゾルに酸と
ともに水を加え、次いでシリコンアルコキシドを添加し
、ゲル化し、乾燥、焼結することを特徴とするシリカガ
ラスの製造法を提案した。しかしながら、この方法によ
っても多数回のバッチの中には、時には乾燥工程でゲル
にクラックや割れが生じ、乾燥ゲルの歩留まりが低下す
る場合がみられた。本発明は乾燥工程におけるゲルのク
ラックや割れを防ぎ、空孔等の欠陥の少ない大型のシリ
カガラスの製造方法を提供することを目的とする。
にSiO2微粒子の分散工程及びゾルの濃縮工程を必要
としないシリカガラスの製造法、すなわち、ポリエチレ
ングリコール及び/又はその誘導体の存在下にシリコン
アルコキシドを塩基性触媒を用いて加水分解してSiO
2微粒子を含むシリカゾルを得、このシリカゾルに酸と
ともに水を加え、次いでシリコンアルコキシドを添加し
、ゲル化し、乾燥、焼結することを特徴とするシリカガ
ラスの製造法を提案した。しかしながら、この方法によ
っても多数回のバッチの中には、時には乾燥工程でゲル
にクラックや割れが生じ、乾燥ゲルの歩留まりが低下す
る場合がみられた。本発明は乾燥工程におけるゲルのク
ラックや割れを防ぎ、空孔等の欠陥の少ない大型のシリ
カガラスの製造方法を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段]
前記目的を達成するために本発明者らは、乾燥工程でゲ
ルにクラックや割れが生じる原因及びその防止方法を種
々検討したところ、ゲルの割れはゲルの収縮工程で起こ
ること、またこのようなゲルの割れは、SiO2微粒子
を含むシリカゾルに加えるシリコンアルコキシドの毒を
増やすと比較的抑えられるものの、ゲルは緻密化し、乾
燥工程の終期にゲルの割れが発生すること、更にはシリ
コンアルコキシドの量を増やしたときに起こるゲルの緻
密化はアルキル基(R)の異なる2種類以上のシリコン
アルコキシド(S i (OR) 4 )の混合物を用
いることにより抑えられることを見出し、本発明を完成
した。
ルにクラックや割れが生じる原因及びその防止方法を種
々検討したところ、ゲルの割れはゲルの収縮工程で起こ
ること、またこのようなゲルの割れは、SiO2微粒子
を含むシリカゾルに加えるシリコンアルコキシドの毒を
増やすと比較的抑えられるものの、ゲルは緻密化し、乾
燥工程の終期にゲルの割れが発生すること、更にはシリ
コンアルコキシドの量を増やしたときに起こるゲルの緻
密化はアルキル基(R)の異なる2種類以上のシリコン
アルコキシド(S i (OR) 4 )の混合物を用
いることにより抑えられることを見出し、本発明を完成
した。
すなわち、本発明は、ポリエチレングリコール及び/又
はその誘導体の存在下にシリコンアルコキシドを塩基性
触媒を用いて加水分解してSiO2微粒子を含むシリカ
ゾルを得、このシリカゾルに酸とともに水を加え、次い
でシリコンアルコキシドを添加し、ゲル化し、乾燥、焼
結するシリカガラスの製造法において、添加するシリコ
ンアルコキシド(S i (OR) 4)がアルキル
基(R) (7)異なる2種類以上のシリコンアルコキ
シドの混合物であることを特徴とするシリカガラスの製
造法を提供するものである。
はその誘導体の存在下にシリコンアルコキシドを塩基性
触媒を用いて加水分解してSiO2微粒子を含むシリカ
ゾルを得、このシリカゾルに酸とともに水を加え、次い
でシリコンアルコキシドを添加し、ゲル化し、乾燥、焼
結するシリカガラスの製造法において、添加するシリコ
ンアルコキシド(S i (OR) 4)がアルキル
基(R) (7)異なる2種類以上のシリコンアルコキ
シドの混合物であることを特徴とするシリカガラスの製
造法を提供するものである。
SiO2微粒子を含むシリカゾルに加える酸としては、
塩酸、硝酸、ぎ酸、酢酸、プロピオン酸等が使用できる
。加える酸の量は、5i02微粒子を含むシリカゾルの
pHが3〜5となるようにする。
塩酸、硝酸、ぎ酸、酢酸、プロピオン酸等が使用できる
。加える酸の量は、5i02微粒子を含むシリカゾルの
pHが3〜5となるようにする。
酸とともに加える水の量は、次いで加えるシリコンアル
コキシドの加水分解に必要な理論量の0.1〜4倍とす
ると良好な結果が得られる。
コキシドの加水分解に必要な理論量の0.1〜4倍とす
ると良好な結果が得られる。
酸とともに水を加えたのち、添加するシリコンアルコキ
シドの混合物としては、テトラメトキシシラン、テトラ
エトキシシラン、テトラプロポキシシラン、テトラブト
キシシラン、又はこれらが部分的に縮重合したもの等か
ら選ばれる2種類以上のシリコンアルコキシドの混合物
を用いることができる。2種類以上のシリコンアルコキ
シドの混合物の適当な組合せ及び組成については、Si
O2微粒子を含むシリカゾルの組成、特にアルコール(
シリコンアルコキシドの加水分解生成物及び溶媒に由来
)の組成により変動するので、特に限定するものではな
い。
シドの混合物としては、テトラメトキシシラン、テトラ
エトキシシラン、テトラプロポキシシラン、テトラブト
キシシラン、又はこれらが部分的に縮重合したもの等か
ら選ばれる2種類以上のシリコンアルコキシドの混合物
を用いることができる。2種類以上のシリコンアルコキ
シドの混合物の適当な組合せ及び組成については、Si
O2微粒子を含むシリカゾルの組成、特にアルコール(
シリコンアルコキシドの加水分解生成物及び溶媒に由来
)の組成により変動するので、特に限定するものではな
い。
シリカガラスは、上記のようにして調製したシリカゾル
をシャーレ等の容器に移し、室温〜70℃に保持してゲ
ル化し、次いで室温以上の温度で乾燥して乾燥ゲルとし
、更に公知の方法、たとえば空気中で1000〜140
0℃に昇温しで焼結することにより得られる。
をシャーレ等の容器に移し、室温〜70℃に保持してゲ
ル化し、次いで室温以上の温度で乾燥して乾燥ゲルとし
、更に公知の方法、たとえば空気中で1000〜140
0℃に昇温しで焼結することにより得られる。
[作用]
ポリエチレングリコール及び/又はその誘導体の存在下
、塩基性触媒を用いてシリコンアルコキシドを加水分解
して作製したSiO2微粒子を含むシリカゾルに酸とと
もに水を加え、次いでアルカリ基(R)の異なる2種類
以上のシリコンアルコキシド(S i (OR) 4
)の混合物を加え、ゲル化すると、多量のシリコンア
ルコキシドを添加してもゲルの緻密化が起こらず、その
結果、乾燥ゲルの歩留まりが著しく向上する。この理由
の詳細は不明であるが、SiO2微粒子を含むシリカゾ
ルに酸とともに水を加えたのち、大きなRを含むシリコ
ンアルコキシド(例えばシリコンブトキシド)を多量添
加するとS i 02微粒子の凝集が起こり、したがっ
て、例えばR(R1>R2)の異なる2種類のシリコン
アルコキシドをシリカゾルに加えると、R1を含む大き
い方のシリコンアルコキシドそれ自身があるいは加水分
解生成物のアルコールがシリカゾル中のSiO2微粒子
及びその2次粒子の成長を促進し、その結果としてゲル
の緻密化を抑制するものと推測される。なお、本発明は
、上記の推察に拘束されるものではない。
、塩基性触媒を用いてシリコンアルコキシドを加水分解
して作製したSiO2微粒子を含むシリカゾルに酸とと
もに水を加え、次いでアルカリ基(R)の異なる2種類
以上のシリコンアルコキシド(S i (OR) 4
)の混合物を加え、ゲル化すると、多量のシリコンア
ルコキシドを添加してもゲルの緻密化が起こらず、その
結果、乾燥ゲルの歩留まりが著しく向上する。この理由
の詳細は不明であるが、SiO2微粒子を含むシリカゾ
ルに酸とともに水を加えたのち、大きなRを含むシリコ
ンアルコキシド(例えばシリコンブトキシド)を多量添
加するとS i 02微粒子の凝集が起こり、したがっ
て、例えばR(R1>R2)の異なる2種類のシリコン
アルコキシドをシリカゾルに加えると、R1を含む大き
い方のシリコンアルコキシドそれ自身があるいは加水分
解生成物のアルコールがシリカゾル中のSiO2微粒子
及びその2次粒子の成長を促進し、その結果としてゲル
の緻密化を抑制するものと推測される。なお、本発明は
、上記の推察に拘束されるものではない。
[実施例]
(実施例1)
2−プロピルアルコール284gとO0OIMコリン水
溶液160gを混合し、これにポリエチレングリコール
(分子量20000)16.8gを添加し溶解させた。
溶液160gを混合し、これにポリエチレングリコール
(分子量20000)16.8gを添加し溶解させた。
得られた溶液をのテトラメトキシシラン(Si (oC
H3)4)340gにゆっくりと加え、更に充分混合し
シリカゾルを得た。
H3)4)340gにゆっくりと加え、更に充分混合し
シリカゾルを得た。
これを室温で一晩静置して熟成させた。次いで激しく撹
拌しながらシリカゾルに1M塩酸水溶液0.8mlとと
もに水48.3gを加え、次いでテトラメトキシシラン
153g及びテトラエトキシシラン23.3gの混合物
を添加した。これをテフロンでコーティングした直径3
00mmのステンレス製シャーレに入れ、アルミ箔で蓋
をし30℃でゲル化させた。蓋に孔を開け、60’Cの
恒温槽中で2週間乾燥し、その後、120℃まで昇温し
てその温度で1日乾燥し、乾燥ゲルを得た。
拌しながらシリカゾルに1M塩酸水溶液0.8mlとと
もに水48.3gを加え、次いでテトラメトキシシラン
153g及びテトラエトキシシラン23.3gの混合物
を添加した。これをテフロンでコーティングした直径3
00mmのステンレス製シャーレに入れ、アルミ箔で蓋
をし30℃でゲル化させた。蓋に孔を開け、60’Cの
恒温槽中で2週間乾燥し、その後、120℃まで昇温し
てその温度で1日乾燥し、乾燥ゲルを得た。
得られた乾燥ゲルには、クラックや割れはみられなかっ
た。得られた乾燥ゲルを空気中1300℃まで加熱して
焼結し、シリカガラスを得た。得られたシリカガラスに
は空孔等の欠陥はなかった。
た。得られた乾燥ゲルを空気中1300℃まで加熱して
焼結し、シリカガラスを得た。得られたシリカガラスに
は空孔等の欠陥はなかった。
(実施例2)
実施例1と同様にして作製したシリカゾルに激しく撹拌
しながら1M塩酸水溶液0.8mlとともに水48.3
gを加え、次いでテトラメトキシシラン136gとテト
ラエトキシシラン46.5gの混合物を添加した。これ
を実施例1と同様にしてゲル化、乾燥、焼結ガラス化し
た。乾燥ゲルには、クラックや割れはみられず、又得ら
れたシリカガラスにも、空孔等の欠陥はながった。
しながら1M塩酸水溶液0.8mlとともに水48.3
gを加え、次いでテトラメトキシシラン136gとテト
ラエトキシシラン46.5gの混合物を添加した。これ
を実施例1と同様にしてゲル化、乾燥、焼結ガラス化し
た。乾燥ゲルには、クラックや割れはみられず、又得ら
れたシリカガラスにも、空孔等の欠陥はながった。
(実施例3)
実施例1と同様にして作製したシリカゾルに檄しく撹拌
しながら1M塩酸水溶液0.8mlとともに水48.3
gを加え次いでテトラメトキシシラン102gとテトラ
エトキシシラン93.1gの混合物を添加した。これを
実施例1と同様にしてゲル化、乾燥、焼結ガラス化した
。乾燥ゲルには、クラックや割れはなく、又得られたシ
リカガラスにも、空孔等の欠陥はなかった。
しながら1M塩酸水溶液0.8mlとともに水48.3
gを加え次いでテトラメトキシシラン102gとテトラ
エトキシシラン93.1gの混合物を添加した。これを
実施例1と同様にしてゲル化、乾燥、焼結ガラス化した
。乾燥ゲルには、クラックや割れはなく、又得られたシ
リカガラスにも、空孔等の欠陥はなかった。
[発明の効果]
本発明によれば、クラックや割れがなく、又空孔等の欠
陥の少ない大形のシリカガラスをゲル−ゾル法により容
易に製造可能となる。その大きさは基本的には制約がな
く、形状も板状、棒状、管状等のいずれでも製造できる
。
陥の少ない大形のシリカガラスをゲル−ゾル法により容
易に製造可能となる。その大きさは基本的には制約がな
く、形状も板状、棒状、管状等のいずれでも製造できる
。
又、本発明によればシリカガラスは、従来よりも安価に
製造できるため、従来から使用されてきたIC製造用フ
ォトマスク基材等の分野はもちろん、液晶表示基材等に
も応用が拡大できる。
製造できるため、従来から使用されてきたIC製造用フ
ォトマスク基材等の分野はもちろん、液晶表示基材等に
も応用が拡大できる。
Claims (1)
- 1、ポリエチレングリコール及び/又はその誘導体の存
在下にシリコンアルコキシドを塩基性触媒を用いて加水
分解してSiO_2微粒子を含むシリカゾルを得、この
シリカゾルに酸とともに水を加え、次いでシリコンアル
コキシドを添加し、ゲル化し、乾燥、焼結するシリカガ
ラスの製造法において、添加するシリコンアルコキシド
(Si(OR)_4)がアルキル基(R)の異なる2種
類以上のシリコンアルコキシドの混合物であることを特
徴とするシリカガラスの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18579089A JP2621491B2 (ja) | 1989-07-18 | 1989-07-18 | シリカガラスの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18579089A JP2621491B2 (ja) | 1989-07-18 | 1989-07-18 | シリカガラスの製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0350125A true JPH0350125A (ja) | 1991-03-04 |
| JP2621491B2 JP2621491B2 (ja) | 1997-06-18 |
Family
ID=16176943
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18579089A Expired - Lifetime JP2621491B2 (ja) | 1989-07-18 | 1989-07-18 | シリカガラスの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2621491B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE112011104798T5 (de) | 2011-01-31 | 2013-12-19 | Suzuki Motor Corporation | Antriebssteuervorrichtung für Hybridfahrzeug |
-
1989
- 1989-07-18 JP JP18579089A patent/JP2621491B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE112011104798T5 (de) | 2011-01-31 | 2013-12-19 | Suzuki Motor Corporation | Antriebssteuervorrichtung für Hybridfahrzeug |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2621491B2 (ja) | 1997-06-18 |
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