JPH0350708A - チップコンデンサ - Google Patents
チップコンデンサInfo
- Publication number
- JPH0350708A JPH0350708A JP1185502A JP18550289A JPH0350708A JP H0350708 A JPH0350708 A JP H0350708A JP 1185502 A JP1185502 A JP 1185502A JP 18550289 A JP18550289 A JP 18550289A JP H0350708 A JPH0350708 A JP H0350708A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base layer
- plating
- base
- capacitor
- solder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、チップコンデンサに関する。
従来の技術
従来のチップコンデンサは、第２図に示すように２枚の
電極の間に誘電体をはさみ込んだ層を単層または、複数
積層した素子を形成し、前記素子の電極引出し部に溶射
もしくは溶接、ろう付、焼結等によって電極引出しのた
めのペース電極８を形成し、前記ペース電極８の上に、
メッキ下地層としてＣｕ層、Ｎ１層を電気メッキもしく
は無電解メッキ等によって形成し、さらに前記メッキ下
地層の上に電気メッキもしくは無電解メッキもしくはは
んだ溶融メッキ等のメッキ工法ではんだメッキを行なっ
て形成している。
電極の間に誘電体をはさみ込んだ層を単層または、複数
積層した素子を形成し、前記素子の電極引出し部に溶射
もしくは溶接、ろう付、焼結等によって電極引出しのた
めのペース電極８を形成し、前記ペース電極８の上に、
メッキ下地層としてＣｕ層、Ｎ１層を電気メッキもしく
は無電解メッキ等によって形成し、さらに前記メッキ下
地層の上に電気メッキもしくは無電解メッキもしくはは
んだ溶融メッキ等のメッキ工法ではんだメッキを行なっ
て形成している。
以下第２図を参照しながら、上述したような従来ノチッ
プコンデンサについて説明を行なう。
プコンデンサについて説明を行なう。
第２図は従来のチップコンデンサを示す断面図である。
第２図において、７は電極間に誘電体をはさみ込んだコ
ンデンサ素体で、電極引出し端面に溶射もしくはろう付
、もしくは焼結等によってベース電極８が形成されてい
る。９は、はんだメッキをほどこすための下地層で、１
０ははんだメッキ層である。
ンデンサ素体で、電極引出し端面に溶射もしくはろう付
、もしくは焼結等によってベース電極８が形成されてい
る。９は、はんだメッキをほどこすための下地層で、１
０ははんだメッキ層である。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、従来のはんだメッキの下地層の形成方法
では、コンデンサ素子を、メッキ処理をする液の中に浸
漬する為、コンデンサ素体内に、腐食性のイオン、たと
えばノ）ロゲン系イオン、酸系イオン等が残留し、その
ために電極が腐食されて静電容量の低下やｔａｎδ特性
の劣化を生じるという課題があった。
では、コンデンサ素子を、メッキ処理をする液の中に浸
漬する為、コンデンサ素体内に、腐食性のイオン、たと
えばノ）ロゲン系イオン、酸系イオン等が残留し、その
ために電極が腐食されて静電容量の低下やｔａｎδ特性
の劣化を生じるという課題があった。
本発明は上記課題に鑑み、チップコンデンサの電極引出
しのためのベース電極上に、はんだメッキの下地層を形
成する際に、残留する腐食性イオンによる静電容量の低
下、ｔａｎδ特性の劣化という課題をなくし、信頼性の
高いチップコンデンサを得る事を目的とするものである
。
しのためのベース電極上に、はんだメッキの下地層を形
成する際に、残留する腐食性イオンによる静電容量の低
下、ｔａｎδ特性の劣化という課題をなくし、信頼性の
高いチップコンデンサを得る事を目的とするものである
。
課題を解決するための手段
本発明は前記目的を達成する為に、ベース電極上に導電
性ペーストを用いて形成されるはんだメッキ下地層を有
し、前記下地層上に溶融はんだメッキ層を有する構成に
なっている。
性ペーストを用いて形成されるはんだメッキ下地層を有
し、前記下地層上に溶融はんだメッキ層を有する構成に
なっている。
作用
この構成によシ、引出し電極上に導電性ペーストを塗工
し乾燥させると、ペースト内の樹脂が引出し電極上に密
着した状態で硬化する為、接着が強硬であり、またペー
スト内に含まれる金属粒子。
し乾燥させると、ペースト内の樹脂が引出し電極上に密
着した状態で硬化する為、接着が強硬であり、またペー
スト内に含まれる金属粒子。
たとえばＣｕ 、Ｎｉにより、充分な導電性が得られ、
下地層として充分である。この硬化した導電性ペースト
上にはんだ溶融メッキを行う事によって電極を形成する
。前記のごとく電極を形成されたチップコンデンサは、
まったくメッキ液に浸漬されていない為、腐食性のイオ
ンを含んでおらず、静電容量の低下、ｔａｎδ特性の劣
化という課題がなくなり、飛躍的に信頼性が向上する。
下地層として充分である。この硬化した導電性ペースト
上にはんだ溶融メッキを行う事によって電極を形成する
。前記のごとく電極を形成されたチップコンデンサは、
まったくメッキ液に浸漬されていない為、腐食性のイオ
ンを含んでおらず、静電容量の低下、ｔａｎδ特性の劣
化という課題がなくなり、飛躍的に信頼性が向上する。
実施例
以下、本発明の一実施例を図面にもとづいて説明する。
本発明の一例として第１図だ金属化フィルムコンデンサ
の例ヲ示ス。
の例ヲ示ス。
第１図において、１は２μｍの厚みのポリ−エチレンテ
レフタレートフィルム上にアルミニウムを蒸着してなる
片面金属化フィルムを積層してなるフィルムコンデンサ
素体で、２は前記コンデンサ素体１の電極引出し端面上
て黄銅を金属溶射してなるベース電極である。３は前記
ベース１樺２上に銅を含有する導電性べ′−ストを塗工
、乾燥することにより形成された厚さ２０μｍの下地層
である。前記下地層の上には溶融はんだメッキ法により
形成された、厚さ６μｍのはんだメッキ層４がある。
レフタレートフィルム上にアルミニウムを蒸着してなる
片面金属化フィルムを積層してなるフィルムコンデンサ
素体で、２は前記コンデンサ素体１の電極引出し端面上
て黄銅を金属溶射してなるベース電極である。３は前記
ベース１樺２上に銅を含有する導電性べ′−ストを塗工
、乾燥することにより形成された厚さ２０μｍの下地層
である。前記下地層の上には溶融はんだメッキ法により
形成された、厚さ６μｍのはんだメッキ層４がある。
前記のようにして得た金属化フィルムコンデンサを耐湿
負荷試験に供した。比較例として、下地層３を無電解ニ
ッケルメッキにより形成した金属化フィルムコンデンサ
も同じ試験に供した。
負荷試験に供した。比較例として、下地層３を無電解ニ
ッケルメッキにより形成した金属化フィルムコンデンサ
も同じ試験に供した。
その結果、１０００時間後１本実施例のコンデンサは静
電容量の低下が平均−０，５チであったが、比較例では
、平均−１２％で、かつばらつきが大きかった。またｔ
ａｎδ特性は、本実施例では平均０．４８％（ａｔｌＫ
Ｈｚ）で安定しティたが、比較例では、１．０％〜数士
係（同）で非常にばらついていた。
電容量の低下が平均−０，５チであったが、比較例では
、平均−１２％で、かつばらつきが大きかった。またｔ
ａｎδ特性は、本実施例では平均０．４８％（ａｔｌＫ
Ｈｚ）で安定しティたが、比較例では、１．０％〜数士
係（同）で非常にばらついていた。
耐湿負荷試験後（室温６０℃、湿度９６係。
ＤＣ電圧２５ｏｖ、１０００時間）、試験に供したコン
デンサを分解してみた。その結果、第３゜４図に示すよ
うに本発明のコンデンサのアルミニウム電極には腐食が
ほとんどみられなかったが、比較例ではアルミニウムが
腐食消失していた。
デンサを分解してみた。その結果、第３゜４図に示すよ
うに本発明のコンデンサのアルミニウム電極には腐食が
ほとんどみられなかったが、比較例ではアルミニウムが
腐食消失していた。
本実施例では、腐食性イオンがない為、ムＥ蒸着が腐食
されず、本実施例の信頼性の高さが確認された。
されず、本実施例の信頼性の高さが確認された。
また電極としてのはんだ濡れ性も充分で、はんだメッキ
部を２３ｏ℃の溶融はんだの中に浸漬した際、はんだメ
ッキ部の表面積の９０以上がはんだ付された。
部を２３ｏ℃の溶融はんだの中に浸漬した際、はんだメ
ッキ部の表面積の９０以上がはんだ付された。
なお、本発明は、本実施例に示したフイルムチッフ゛コ
ンデンサに限るものではなく、セラミックチップコンデ
ンサ、タンタルチップコンデンサ適用できることはいう
までもない。
ンデンサに限るものではなく、セラミックチップコンデ
ンサ、タンタルチップコンデンサ適用できることはいう
までもない。
発明の効果
本発明は、チップコンデンサの引出し’ｔＪｌ’ｒＭの
はんだメッキ下地層を導電性ペーストで形成し、前記下
地層の上にはんだ溶融メッキを施すことにより、メッキ
処理溶液中に浸漬する事なく電極を形成することができ
る為、コンデンサ素子内部に腐食性イオンが浸入する事
がなく、静電容量の低下。
はんだメッキ下地層を導電性ペーストで形成し、前記下
地層の上にはんだ溶融メッキを施すことにより、メッキ
処理溶液中に浸漬する事なく電極を形成することができ
る為、コンデンサ素子内部に腐食性イオンが浸入する事
がなく、静電容量の低下。
ｔａｎδ特性の劣化という課題がなくなり、飛躍的に信
頼性が向上する。
頼性が向上する。
第１図は本発明の一実施例のフィルムコンデンサの断面
図、第２図は従来のフィルムコンデンサを示す断面図、
第３図は同実施例のフィルムコンデンサを耐湿負荷試験
した後の素子部を分解して得られた１枚の片面金属化フ
ィルムの斜視図、第４図は従来のフィルムコンデンサを
耐湿負荷試験した後の素子部を分解して得られた１枚の
片面金属化フィルムの斜視図である。 ９・・・・・・フィルム、１０・・・・・・マージン部
、１１・・・・・・蒸着電極、１２・・・・・・フィル
ム、１３・・・・・・蒸着金属、１４・・・・・・腐食
部。
図、第２図は従来のフィルムコンデンサを示す断面図、
第３図は同実施例のフィルムコンデンサを耐湿負荷試験
した後の素子部を分解して得られた１枚の片面金属化フ
ィルムの斜視図、第４図は従来のフィルムコンデンサを
耐湿負荷試験した後の素子部を分解して得られた１枚の
片面金属化フィルムの斜視図である。 ９・・・・・・フィルム、１０・・・・・・マージン部
、１１・・・・・・蒸着電極、１２・・・・・・フィル
ム、１３・・・・・・蒸着金属、１４・・・・・・腐食
部。
Claims (1)
- コンデンサ素体より電極を引出すためのベース電極と
、前記ベース電極上に導電性ペーストを塗工、硬化させ
ることにより形成されるはんだメッキの下地層と、前記
下地層上に溶融はんだメッキにより形成されるはんだ層
を有することを特徴とするチップコンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1185502A JPH0350708A (ja) | 1989-07-18 | 1989-07-18 | チップコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1185502A JPH0350708A (ja) | 1989-07-18 | 1989-07-18 | チップコンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0350708A true JPH0350708A (ja) | 1991-03-05 |
Family
ID=16171899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1185502A Pending JPH0350708A (ja) | 1989-07-18 | 1989-07-18 | チップコンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0350708A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04302412A (ja) * | 1991-03-29 | 1992-10-26 | Hitachi Aic Inc | フィルムコンデンサ |
| JPH04329616A (ja) * | 1991-04-30 | 1992-11-18 | Marcon Electron Co Ltd | 積層形電子部品 |
-
1989
- 1989-07-18 JP JP1185502A patent/JPH0350708A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04302412A (ja) * | 1991-03-29 | 1992-10-26 | Hitachi Aic Inc | フィルムコンデンサ |
| JPH04329616A (ja) * | 1991-04-30 | 1992-11-18 | Marcon Electron Co Ltd | 積層形電子部品 |
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