JPH04243108A - チップコンデンサ - Google Patents
チップコンデンサInfo
- Publication number
- JPH04243108A JPH04243108A JP3003695A JP369591A JPH04243108A JP H04243108 A JPH04243108 A JP H04243108A JP 3003695 A JP3003695 A JP 3003695A JP 369591 A JP369591 A JP 369591A JP H04243108 A JPH04243108 A JP H04243108A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- base layer
- electrode
- layer
- capacitor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、腐食性イオンによる特
性劣化をなくしたチップコンデンサに関する。
性劣化をなくしたチップコンデンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】以下に従来のチップコンデンサについて
説明する。
説明する。
【０００３】図２に示すように、２枚の電極の間に誘電
体をはさみ込んだ層を単層または、複数積層したコンデ
ンサ素体５を形成し、コンデンサ素体５の電極引出し端
面に溶射，溶接，ろう付または焼結等によって電極引出
しのためのベース電極６を形成し、ベース電極６の上に
、めっき下地層７として、Ｃｕ層，Ｎｉ層を電気または
無電解めっき等によって形成し、さらにめっき下地層７
の上に電気めっき，無電解めっきまたは、はんだ溶融め
っき等のめっき法ではんだめっき層８を形成している。
体をはさみ込んだ層を単層または、複数積層したコンデ
ンサ素体５を形成し、コンデンサ素体５の電極引出し端
面に溶射，溶接，ろう付または焼結等によって電極引出
しのためのベース電極６を形成し、ベース電極６の上に
、めっき下地層７として、Ｃｕ層，Ｎｉ層を電気または
無電解めっき等によって形成し、さらにめっき下地層７
の上に電気めっき，無電解めっきまたは、はんだ溶融め
っき等のめっき法ではんだめっき層８を形成している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の構成では、コンデンサ素体をめっき処理をする液の
中に浸漬して、はんだめっきの下地層を形成するのでコ
ンデンサ素体内に、腐食性イオン（たとえば、ハロゲン
系イオンや酸系イオン等）が残留し、電極が腐食されて
静電容量の低下やｔａｎδ特性の劣化を生じるという問
題点を有していた。
来の構成では、コンデンサ素体をめっき処理をする液の
中に浸漬して、はんだめっきの下地層を形成するのでコ
ンデンサ素体内に、腐食性イオン（たとえば、ハロゲン
系イオンや酸系イオン等）が残留し、電極が腐食されて
静電容量の低下やｔａｎδ特性の劣化を生じるという問
題点を有していた。
【０００５】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、はんだめっきの下地層を形成する時に残留する腐食
性イオンによる静電容量の低下やｔａｎδ特性の劣化を
なくし、信頼性の高いチップコンデンサを提供すること
を目的とする。
で、はんだめっきの下地層を形成する時に残留する腐食
性イオンによる静電容量の低下やｔａｎδ特性の劣化を
なくし、信頼性の高いチップコンデンサを提供すること
を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明のチップコンデンサは、ベース電極の上に蒸着
金属により形成したはんだめっきの下地層と、その下地
層の上に溶融はんだめっきにより形成したはんだ層を備
えた構成を有している。
に本発明のチップコンデンサは、ベース電極の上に蒸着
金属により形成したはんだめっきの下地層と、その下地
層の上に溶融はんだめっきにより形成したはんだ層を備
えた構成を有している。
【０００７】
【作用】この構成によってコンデンサ素体はめっき液に
浸漬されないので、腐食性のイオンを含まないこととな
る。
浸漬されないので、腐食性のイオンを含まないこととな
る。
【０００８】
【実施例】以下本発明の一実施例について図面に基づい
て説明する。
て説明する。
【０００９】図１に示すように、ポリエチレンテレフタ
レートの厚さ２μｍのフィルム上にアルミニウムを蒸着
した片面金属化フィルムを積層したコンデンサ素体１の
電極引出し端面に、黄銅を金属溶射してベース電極２を
形成する。そして、そのベース電極２上にＣｕを蒸着し
て厚さ３μｍ〜４μｍのめっきの下地層３を形成し、下
地層３の上には溶融はんだめっき法により厚さ５μｍ〜
１０μｍのはんだ層４を形成する。
レートの厚さ２μｍのフィルム上にアルミニウムを蒸着
した片面金属化フィルムを積層したコンデンサ素体１の
電極引出し端面に、黄銅を金属溶射してベース電極２を
形成する。そして、そのベース電極２上にＣｕを蒸着し
て厚さ３μｍ〜４μｍのめっきの下地層３を形成し、下
地層３の上には溶融はんだめっき法により厚さ５μｍ〜
１０μｍのはんだ層４を形成する。
【００１０】本発明の一実施例の金属化チップフィルム
コンデンサを６０℃，９５％湿度でＤＣ電圧２５Ｖを１
０００時間印加した耐湿負荷試験と、同時にめっきの下
地層の形成のみを電気ニッケルめっきに変えた比較例に
ついても同じ耐湿負荷試験をした。
コンデンサを６０℃，９５％湿度でＤＣ電圧２５Ｖを１
０００時間印加した耐湿負荷試験と、同時にめっきの下
地層の形成のみを電気ニッケルめっきに変えた比較例に
ついても同じ耐湿負荷試験をした。
【００１１】その結果は、本発明の実施例の金属化チッ
プフィルムコンデンサは、静電容量の低下が平均で０．
５％であったが、比較例は平均で１５％であり、かつ、
ばらつきが大きかった。
プフィルムコンデンサは、静電容量の低下が平均で０．
５％であったが、比較例は平均で１５％であり、かつ、
ばらつきが大きかった。
【００１２】またｔａｎδ（１ＫＨｚ）特性の劣化は、
実施例は平均０．４８％で安定していたが、比較例では
、１．０％〜数１０％で非常にばらついていた。
実施例は平均０．４８％で安定していたが、比較例では
、１．０％〜数１０％で非常にばらついていた。
【００１３】また、図３および図４に示すように、本発
明の実施例および比較例を分解して得た各１枚の片面金
属化フィルムの表面状態は、実施例ではアルミニウム電
極１１には腐食がほとんどみられなかったが、比較例で
はアルミニウムが腐食消失した部分１２が生じているこ
とが分かった。１０はマージン部である。
明の実施例および比較例を分解して得た各１枚の片面金
属化フィルムの表面状態は、実施例ではアルミニウム電
極１１には腐食がほとんどみられなかったが、比較例で
はアルミニウムが腐食消失した部分１２が生じているこ
とが分かった。１０はマージン部である。
【００１４】以上のように本実施例によれば、ベース電
極上に蒸着金属により形成したはんだめっきの下地層と
、下地層の上に溶融はんだめっきにより形成したはんだ
層を設けることにより、めっき溶液中に浸漬せずに電極
を形成するので、コンデンサ素体の内部に腐食性イオン
が浸入することがなく、静電容量の低下やｔａｎδ特性
の劣化をなくし、飛躍的に信頼性を高めることができる
。
極上に蒸着金属により形成したはんだめっきの下地層と
、下地層の上に溶融はんだめっきにより形成したはんだ
層を設けることにより、めっき溶液中に浸漬せずに電極
を形成するので、コンデンサ素体の内部に腐食性イオン
が浸入することがなく、静電容量の低下やｔａｎδ特性
の劣化をなくし、飛躍的に信頼性を高めることができる
。
【００１５】また、一実施例の金属化チップフィルムコ
ンデンサのはんだめっき部を２３０℃の溶融はんだの中
に３秒浸漬した際にはんだめっき部の表面積の９５％以
上がはんだ付けされて、電極としてのはんだ濡れ性も十
分であることを確認した。
ンデンサのはんだめっき部を２３０℃の溶融はんだの中
に３秒浸漬した際にはんだめっき部の表面積の９５％以
上がはんだ付けされて、電極としてのはんだ濡れ性も十
分であることを確認した。
【００１６】なお、本発明は、上記一実施例に示した金
属化チップフィルムコンデンサに限るものではなく、セ
ラミックチップコンデンサやタンタルチップコンデンサ
にも適用できることはいうまでもない。
属化チップフィルムコンデンサに限るものではなく、セ
ラミックチップコンデンサやタンタルチップコンデンサ
にも適用できることはいうまでもない。
【００１７】
【発明の効果】以上のように本発明は、コンデンサ素体
の電極引出しのベース電極上に蒸着金属により形成した
はんだめっき下地層と、下地層の上に溶融はんだめっき
により形成したはんだ層を備えた構成により、静電容量
の低下やｔａｎδ特性の劣化をなくし信頼性の高い優れ
たチップコンデンサを実現できるものである。
の電極引出しのベース電極上に蒸着金属により形成した
はんだめっき下地層と、下地層の上に溶融はんだめっき
により形成したはんだ層を備えた構成により、静電容量
の低下やｔａｎδ特性の劣化をなくし信頼性の高い優れ
たチップコンデンサを実現できるものである。
【図１】本発明の一実施例のチップコンデンサの構成を
示す正面断面図
示す正面断面図
【図２】従来のチップコンデンサの構成を示す正面断面
図
図
【図３】本発明の一実施例のチップコンデンサの耐湿負
荷試験後の蒸着金属の状態を示す斜面略図
荷試験後の蒸着金属の状態を示す斜面略図
【図４】従来
のチップコンデンサの耐湿負荷試験後の蒸着金属の状態
を示す斜面略図
のチップコンデンサの耐湿負荷試験後の蒸着金属の状態
を示す斜面略図
１ コンデンサ素体
２ ベース電極
３ 下地層
４ はんだ層
Claims (1)
- 【請求項１】コンデンサ素体の電極引出しのベース電極
の上に蒸着金属により形成したはんだめっきの下地層と
、前記下地層の上に溶融はんだめっきにより形成したは
んだ層を備えたチップコンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3003695A JPH04243108A (ja) | 1991-01-17 | 1991-01-17 | チップコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3003695A JPH04243108A (ja) | 1991-01-17 | 1991-01-17 | チップコンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04243108A true JPH04243108A (ja) | 1992-08-31 |
Family
ID=11564521
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3003695A Pending JPH04243108A (ja) | 1991-01-17 | 1991-01-17 | チップコンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04243108A (ja) |
-
1991
- 1991-01-17 JP JP3003695A patent/JPH04243108A/ja active Pending
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