JPH0350746A - ダイボンディング装置 - Google Patents
ダイボンディング装置Info
- Publication number
- JPH0350746A JPH0350746A JP1185551A JP18555189A JPH0350746A JP H0350746 A JPH0350746 A JP H0350746A JP 1185551 A JP1185551 A JP 1185551A JP 18555189 A JP18555189 A JP 18555189A JP H0350746 A JPH0350746 A JP H0350746A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- heat sink
- bonding material
- solder
- planer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/011—Apparatus therefor
- H10W72/0113—Apparatus for manufacturing die-attach connectors
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はダイボンディング装置に関し、特にパワーＩＣ
等のチップから発生した熱を放散させるために、このチ
ップと回路基板の間に介装されるヒートシンクにチップ
をボンディングするダイボンディング装置に関するもの
である。
等のチップから発生した熱を放散させるために、このチ
ップと回路基板の間に介装されるヒートシンクにチップ
をボンディングするダイボンディング装置に関するもの
である。
従来の技術
従来のダイボンディング装置は、第４図に示すように、
ヒートシンク２３を、ヒータ２２にて加熱されたトンネ
ル炉２１内に挿入して搬送しながら加熱し、このトンネ
ル炉２１の所定位置に形成した開口部２４の上方にデイ
スペンサ２６を配置し、このデイスペンサ２６からヒー
トシンク２３上に所定量の溶融半田２５を滴下して塗布
し、その後このデイスペンサ２６の後方位置でトンネル
炉２１の土壁に形成した開口部２７から、チップ２８を
吸着したコレット２９にてヒートシンク２３上にチップ
２８を装着している。
ヒートシンク２３を、ヒータ２２にて加熱されたトンネ
ル炉２１内に挿入して搬送しながら加熱し、このトンネ
ル炉２１の所定位置に形成した開口部２４の上方にデイ
スペンサ２６を配置し、このデイスペンサ２６からヒー
トシンク２３上に所定量の溶融半田２５を滴下して塗布
し、その後このデイスペンサ２６の後方位置でトンネル
炉２１の土壁に形成した開口部２７から、チップ２８を
吸着したコレット２９にてヒートシンク２３上にチップ
２８を装着している。
また、上記のように滴下した溶融半田２５上にチップ２
８を装着すると、チップ２８の接合面と半田層との間に
空隙を生じ易く、作動時の発熱によって空隙内の空気が
膨張し、チップ２８にクラックが発生する等の問題があ
る。このような問題を解消するために、チップ２８の装
着時にコレット２９を水平方向に微小量往復移動させる
、所謂スクラブを行い、チップ２８の接合面と溶融半田
２５との濡れを良くし、空隙が生じないようにしている
。
８を装着すると、チップ２８の接合面と半田層との間に
空隙を生じ易く、作動時の発熱によって空隙内の空気が
膨張し、チップ２８にクラックが発生する等の問題があ
る。このような問題を解消するために、チップ２８の装
着時にコレット２９を水平方向に微小量往復移動させる
、所謂スクラブを行い、チップ２８の接合面と溶融半田
２５との濡れを良くし、空隙が生じないようにしている
。
発明が解決しようとする課題
しかし、なから、デイスペンサ２６により溶融半田２５
を滴下しているため、その溶融半田２５の滴下量を常に
正確にコントロールするのは困難で、環境条件の変化、
溶融半田の組成や温度の変化による粘度の変化、加圧用
気体圧の変化等によって滴下半田量にばらつきを生じ、
その結果上記のようにスクラブを行ったときに、溶融半
田の一部がチップ２日上に盛り上がり、第５図に示すよ
うに、チップ２８の上面が溶融半田２５で汚染されたり
、第６図に示すように、コレット２９が溶融半田２５で
汚染されたり、穴詰まりを生じたりするという問題があ
った。
を滴下しているため、その溶融半田２５の滴下量を常に
正確にコントロールするのは困難で、環境条件の変化、
溶融半田の組成や温度の変化による粘度の変化、加圧用
気体圧の変化等によって滴下半田量にばらつきを生じ、
その結果上記のようにスクラブを行ったときに、溶融半
田の一部がチップ２日上に盛り上がり、第５図に示すよ
うに、チップ２８の上面が溶融半田２５で汚染されたり
、第６図に示すように、コレット２９が溶融半田２５で
汚染されたり、穴詰まりを生じたりするという問題があ
った。
本発明は上記従来の問題点に鑑み、ヒートシンク上に平
坦に接合材を塗布でき、チップ上の接合材による汚染や
コレットに対する接合材の影響を無くすことができるダ
イボンディング装置を提供することを目的とする。
坦に接合材を塗布でき、チップ上の接合材による汚染や
コレットに対する接合材の影響を無くすことができるダ
イボンディング装置を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
本発明のダイボンディング装置は、ヒートシンクの搬送
経路に沿って、ヒートシンク上に接合材を塗布する手段
と接合材を塗布されたヒートシンク上にチップを装着す
る手段とを配設したダイボンディング装置において、接
合材の塗布手段とチップの装着手段との間に、搬送され
るヒートシンク上面との間に所定間隙を設けてプレーナ
を配設したことを特徴とする。
経路に沿って、ヒートシンク上に接合材を塗布する手段
と接合材を塗布されたヒートシンク上にチップを装着す
る手段とを配設したダイボンディング装置において、接
合材の塗布手段とチップの装着手段との間に、搬送され
るヒートシンク上面との間に所定間隙を設けてプレーナ
を配設したことを特徴とする。
作 用
本発明によると、ヒートシンク上に塗布された接合材は
、搬送経路に沿ってチップの装着位置に搬送される前に
、プレーナとヒートシンク上面との間の所定間隔に対応
する−様な厚さに規制されてその上面が平坦にされ、こ
の接合材の上にチップを装着することによってチップの
接合面との濡れ性が大きく、空隙が生じ難い状態で装着
され、又スクラブを行ってもチップ上への半田汚染やコ
レットに対する接合材の影響を無くすことができる。
、搬送経路に沿ってチップの装着位置に搬送される前に
、プレーナとヒートシンク上面との間の所定間隔に対応
する−様な厚さに規制されてその上面が平坦にされ、こ
の接合材の上にチップを装着することによってチップの
接合面との濡れ性が大きく、空隙が生じ難い状態で装着
され、又スクラブを行ってもチップ上への半田汚染やコ
レットに対する接合材の影響を無くすことができる。
実施例
以下、本発明のダイボンディング装置の一実施例を第１
図〜第３図に基づいて説明する。
図〜第３図に基づいて説明する。
第１図及び第２図において、１はトンネル炉でその底壁
には適当ピッチでヒータ２が内蔵され、底壁上に載置さ
れたヒートシンク３を所定温度に加熱するように構成さ
れている。ヒートシンク３は、例えば銅ブロック等から
成り、その表面にニッケルメッキを施し、さらに好まし
くは半田メツキが施されている。このヒートシンク３を
トンネル炉ｌの底壁に接触した状態で逐次一方向に間歇
的に搬送するため、図示しない適宜搬送手段が設けられ
ている。又、トンネル炉１内を不活性雰囲気ないし還元
性雰囲気にするため、第２図に示すようにＮｚガスとＨ
２ガスの混合ガスの供給通路４が設けられている。
には適当ピッチでヒータ２が内蔵され、底壁上に載置さ
れたヒートシンク３を所定温度に加熱するように構成さ
れている。ヒートシンク３は、例えば銅ブロック等から
成り、その表面にニッケルメッキを施し、さらに好まし
くは半田メツキが施されている。このヒートシンク３を
トンネル炉ｌの底壁に接触した状態で逐次一方向に間歇
的に搬送するため、図示しない適宜搬送手段が設けられ
ている。又、トンネル炉１内を不活性雰囲気ないし還元
性雰囲気にするため、第２図に示すようにＮｚガスとＨ
２ガスの混合ガスの供給通路４が設けられている。
トンネル炉１の上壁１ａの所定位置に形成した開口部６
の上方には、接合材としての溶融半田５を滴下するデイ
スペンサ７が配置されている。このデイスペンサ７は、
内部に溶融半田５を収容するとともに、その上部空間に
Ｎｚガス等の加圧気体８を供給することによって所定量
の溶融半田５を下方に位置するヒートシンク３の上面に
滴下するように構成されている。又、溶融半田５の収容
部の外周にはヒータ９が設けられている。
の上方には、接合材としての溶融半田５を滴下するデイ
スペンサ７が配置されている。このデイスペンサ７は、
内部に溶融半田５を収容するとともに、その上部空間に
Ｎｚガス等の加圧気体８を供給することによって所定量
の溶融半田５を下方に位置するヒートシンク３の上面に
滴下するように構成されている。又、溶融半田５の収容
部の外周にはヒータ９が設けられている。
デイスペンサ５からヒートシンク３の搬送方向後方の位
置において、トンネル炉１の上壁１ａ内面には、第３図
に詳細に示すように、ステンレス鋼や超硬材等の溶融半
田５に対して濡れ性の悪い板材から成るプレーナ１０が
、位置調整可能にポル）１１にて固定されている。この
プレーナｌＯは搬送方向に向かって傾斜して配設される
とともにその下端縁までの距離Ｈが、ヒートシンク３の
上面との間に０．２１ｍｍ程度の間隙δが形成されるよ
うに設定されている。
置において、トンネル炉１の上壁１ａ内面には、第３図
に詳細に示すように、ステンレス鋼や超硬材等の溶融半
田５に対して濡れ性の悪い板材から成るプレーナ１０が
、位置調整可能にポル）１１にて固定されている。この
プレーナｌＯは搬送方向に向かって傾斜して配設される
とともにその下端縁までの距離Ｈが、ヒートシンク３の
上面との間に０．２１ｍｍ程度の間隙δが形成されるよ
うに設定されている。
又、このプレーナ１０からヒートシンク３の搬送方向後
方の位置において、トンネル炉ｌの上壁１ａに形成され
た開口部１２から、チップ１３を吸着したコレット１４
にてヒートシンク３上にチップ１３を装着するように構
成されている。
方の位置において、トンネル炉ｌの上壁１ａに形成され
た開口部１２から、チップ１３を吸着したコレット１４
にてヒートシンク３上にチップ１３を装着するように構
成されている。
以上の構成において、トンネル炉ｌ内に挿入したヒート
シンク３は、トンネル炉１の底壁に沿って搬送される間
にヒータ２にて所定温度に加熱された後、開口部６の下
方位置で停止し、ここでデイスペンサ７にてその上面に
所定量の溶融半田５が滴下、塗布される。このときの塗
布状態は、単に滴下されるだけであるため、平坦ではな
い、このヒートシンク３が、次にプレーナ１０の下を通
過する際に、塗布された溶融半田５が均一な所定の厚さ
に平坦化される。
シンク３は、トンネル炉１の底壁に沿って搬送される間
にヒータ２にて所定温度に加熱された後、開口部６の下
方位置で停止し、ここでデイスペンサ７にてその上面に
所定量の溶融半田５が滴下、塗布される。このときの塗
布状態は、単に滴下されるだけであるため、平坦ではな
い、このヒートシンク３が、次にプレーナ１０の下を通
過する際に、塗布された溶融半田５が均一な所定の厚さ
に平坦化される。
その後、ヒートシンク３は開口部１２の下方位置で停止
し、ここでコレット１４にて吸着、保持されたチップ１
３がヒートシンク３上に装着される。この時、溶融半田
５が平坦化されているので、チップ１３の接合面と溶融
半田５の間に空隙が生じ難い。又、その際にコレット１
４をスクラブさせて、チップ１３の接合面と溶融半田５
との間の空隙を完全に無くすようにするのが好ましい。
し、ここでコレット１４にて吸着、保持されたチップ１
３がヒートシンク３上に装着される。この時、溶融半田
５が平坦化されているので、チップ１３の接合面と溶融
半田５の間に空隙が生じ難い。又、その際にコレット１
４をスクラブさせて、チップ１３の接合面と溶融半田５
との間の空隙を完全に無くすようにするのが好ましい。
このように、過剰な溶融半田５を掻き取り、平坦に形成
した溶融半田５上にチップ１３を装着することにより、
空隙の無い状態でチップ１３を装着でき、かつチップ１
３上が半田で汚染されたり、コレット１４が半田で汚染
されたり、穴詰まりを生じたりすることもない。
した溶融半田５上にチップ１３を装着することにより、
空隙の無い状態でチップ１３を装着でき、かつチップ１
３上が半田で汚染されたり、コレット１４が半田で汚染
されたり、穴詰まりを生じたりすることもない。
尚、上記実施例では接合材として半田を用いた例を示し
たが、その他の接合材を用いる場合も本発明は適用可能
である。又、プレーナ１０として固定設置した板材から
なるものを例示したが、ローラやベルトを用いることも
できる。
たが、その他の接合材を用いる場合も本発明は適用可能
である。又、プレーナ１０として固定設置した板材から
なるものを例示したが、ローラやベルトを用いることも
できる。
発明の効果
本発明によれば、ヒートシンク上に塗布された接合材は
、チップの装着位置に搬送される前にプレーナとヒート
シンク上面との間の所定間隔に対応する−様な厚さに規
制されてその上面が平坦にされ、この接合材の上にチッ
プが装着されるため、チップの接合面との濡れ性が大き
く、空隙が生じ難い状態で装着され、又スクラブを行っ
てもチップ上への半田汚染やコレットに対する接合材の
影響を無くすことができる等、大なる効果を発揮する。
、チップの装着位置に搬送される前にプレーナとヒート
シンク上面との間の所定間隔に対応する−様な厚さに規
制されてその上面が平坦にされ、この接合材の上にチッ
プが装着されるため、チップの接合面との濡れ性が大き
く、空隙が生じ難い状態で装着され、又スクラブを行っ
てもチップ上への半田汚染やコレットに対する接合材の
影響を無くすことができる等、大なる効果を発揮する。
第１図〜第３図は本発明のダイボンディング装置の一実
施例を示し、第１図は縦断正面図、第２図は縦断側面図
、第３図はプレーナの詳細図、第４図は従来例のダイボ
ンディング装置の縦断正面図、第５図及び第６図は同チ
ップ装着時の問題点を示す断面図である。 ３・・・・・・ヒートシンク、５・・・・・・溶融半田
、７・・・・・・デイスペンサ、１０・・・・・・プレ
ーナ、１３・・・・・・チップ、１４・・・・・・コレ
ット。
施例を示し、第１図は縦断正面図、第２図は縦断側面図
、第３図はプレーナの詳細図、第４図は従来例のダイボ
ンディング装置の縦断正面図、第５図及び第６図は同チ
ップ装着時の問題点を示す断面図である。 ３・・・・・・ヒートシンク、５・・・・・・溶融半田
、７・・・・・・デイスペンサ、１０・・・・・・プレ
ーナ、１３・・・・・・チップ、１４・・・・・・コレ
ット。
Claims (1)
- ヒートシンクの搬送経路に沿って、ヒートシンク上に接
合材を塗布する手段と接合材を塗布されたヒートシンク
上にチップを装着する手段とを配設したダイボンディン
グ装置において、接合材の塗布手段とチップの装着手段
との間に、搬送されるヒートシンク上面との間に所定間
隙を設けてプレーナを配設したことを特徴とするダイボ
ンディング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1185551A JPH0350746A (ja) | 1989-07-18 | 1989-07-18 | ダイボンディング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1185551A JPH0350746A (ja) | 1989-07-18 | 1989-07-18 | ダイボンディング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0350746A true JPH0350746A (ja) | 1991-03-05 |
Family
ID=16172791
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1185551A Pending JPH0350746A (ja) | 1989-07-18 | 1989-07-18 | ダイボンディング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0350746A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57188833A (en) * | 1981-05-18 | 1982-11-19 | Hitachi Ltd | Connecting method for material to be connected |
-
1989
- 1989-07-18 JP JP1185551A patent/JPH0350746A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57188833A (en) * | 1981-05-18 | 1982-11-19 | Hitachi Ltd | Connecting method for material to be connected |
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