JPH0350975B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0350975B2 JPH0350975B2 JP59027684A JP2768484A JPH0350975B2 JP H0350975 B2 JPH0350975 B2 JP H0350975B2 JP 59027684 A JP59027684 A JP 59027684A JP 2768484 A JP2768484 A JP 2768484A JP H0350975 B2 JPH0350975 B2 JP H0350975B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- chip
- infrared rays
- paste
- conductive paste
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N25/00—Investigating or analyzing materials by the use of thermal means
- G01N25/72—Investigating presence of flaws
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials Using Thermal Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の利用分野）
本発明はダイボンド接着状態の検出方法に関す
る。
る。
（発明の背景）
IC、LSIなどのチツプを基板にダイボンドする
時、基板上に予め銀ペーストなどの接着剤を塗布
しておかなければならない。自動機においては、
量産無人方式であるので、所定の位置にペースト
が塗布されない場合がある。
時、基板上に予め銀ペーストなどの接着剤を塗布
しておかなければならない。自動機においては、
量産無人方式であるので、所定の位置にペースト
が塗布されない場合がある。
従来、ペースト塗布の有無の検出は、ペースト
供給のシリンジ側と基板間に高電圧を加え、その
導通の有無により検出する方法がとられている。
しかし、ハイブリツドICのように、基板が絶縁
体よりなるセラミツクの場合は、導通試験を行う
ことができない。
供給のシリンジ側と基板間に高電圧を加え、その
導通の有無により検出する方法がとられている。
しかし、ハイブリツドICのように、基板が絶縁
体よりなるセラミツクの場合は、導通試験を行う
ことができない。
従来、前記のように検出不可能なハイブリツド
ICのダイボンド接着状態の検出は、チツプを破
壊除去してペーストの痕跡を調べる破壊試験によ
る方法しかなく、自動機に組込み全数検査するこ
とはできない。即ち、抜き取りにより、チツプ溶
解、剥しによつて検査しなければならなく、作業
性及び信頼性に乏しいという欠点があつた。
ICのダイボンド接着状態の検出は、チツプを破
壊除去してペーストの痕跡を調べる破壊試験によ
る方法しかなく、自動機に組込み全数検査するこ
とはできない。即ち、抜き取りにより、チツプ溶
解、剥しによつて検査しなければならなく、作業
性及び信頼性に乏しいという欠点があつた。
（発明の目的）
本発明の目的は、チツプ及び基板がどのような
ものであつてもダイボンドの接着状態を無接触非
破壊で瞬時に検出できるダイボンド接着状態の検
出方法を提供することにある。
ものであつてもダイボンドの接着状態を無接触非
破壊で瞬時に検出できるダイボンド接着状態の検
出方法を提供することにある。
（発明の実施例）
以下、本発明の一実施例を第１図により説明す
る。ダイボンドにより、基板１に予め銀などの導
電性ペースト或は金箔２などを置き、その上にチ
ツプ３を置き、導電ペーストなど２の熱硬化など
でチツプ３が接着される。
る。ダイボンドにより、基板１に予め銀などの導
電性ペースト或は金箔２などを置き、その上にチ
ツプ３を置き、導電ペーストなど２の熱硬化など
でチツプ３が接着される。
このように半導体部品の基板１の下方に赤外線
放射器１０を配設し、この赤外線放射器１０に対
向してチツプ３の上方に集光レンズ１１による光
学系と、この焦点像を検出する検出器１２を配設
する。
放射器１０を配設し、この赤外線放射器１０に対
向してチツプ３の上方に集光レンズ１１による光
学系と、この焦点像を検出する検出器１２を配設
する。
そこで、赤外線放射器１０によつて赤外線を放
射し、この赤外線を基板１、導電ペーストなど
２、チツプ３を透過させる。赤外線の透過率は被
透過物の材質によつて異なるので、基板１のみの
部分２０、基板１とチツプ３の部分２１、基板１
と導電ペーストなど２とチツプ３の部分２２で透
過率が異なる。例えば基板１がセラミツクで、チ
ツプ３がシリコンである場合、波長が１〜8μmの
赤外線では両方１，３とも殆んど素通しとなる。
しかし、導電ペーストなど２は銀、金などの金属
であるので、赤外線を吸収、反射して透過率は小
さい。
射し、この赤外線を基板１、導電ペーストなど
２、チツプ３を透過させる。赤外線の透過率は被
透過物の材質によつて異なるので、基板１のみの
部分２０、基板１とチツプ３の部分２１、基板１
と導電ペーストなど２とチツプ３の部分２２で透
過率が異なる。例えば基板１がセラミツクで、チ
ツプ３がシリコンである場合、波長が１〜8μmの
赤外線では両方１，３とも殆んど素通しとなる。
しかし、導電ペーストなど２は銀、金などの金属
であるので、赤外線を吸収、反射して透過率は小
さい。
この半導体部品を透過した赤外線は集光レンズ
１１により集光され、その焦点像を検出器１２に
よつて検出される。この検出器１２の電気信号１
２ａはデータ処理され、デイスプレイに画像とし
て表示及びリミツト信号として出力される。
１１により集光され、その焦点像を検出器１２に
よつて検出される。この検出器１２の電気信号１
２ａはデータ処理され、デイスプレイに画像とし
て表示及びリミツト信号として出力される。
前記の如く、２２の部分は２０，２１の部分よ
り赤外線の透過量は小さいので、検出器１２で捕
捉した映像は第２図のように表われる。これによ
り、導電ペーストなど２が存在するか、あるいは
存在して適当な面積形状をもつか、その良否を瞬
間に検出することができる。また無接触非破壊で
瞬時に検出できるので、ダイボンデイングのライ
ン上に組込み全数検査することもできる。
り赤外線の透過量は小さいので、検出器１２で捕
捉した映像は第２図のように表われる。これによ
り、導電ペーストなど２が存在するか、あるいは
存在して適当な面積形状をもつか、その良否を瞬
間に検出することができる。また無接触非破壊で
瞬時に検出できるので、ダイボンデイングのライ
ン上に組込み全数検査することもできる。
なお、上記実施例においては、赤外線放射器１
０を下方に配置し、集光レンズ１１、検出器１２
を上方に配置したが、逆に配置してもよい。
０を下方に配置し、集光レンズ１１、検出器１２
を上方に配置したが、逆に配置してもよい。
（発明の効果）
以上の説明から明らかな如く、本発明によれ
ば、ダイボンダの接着状態を無接触非破壊方式で
瞬時に検出できると共に、ダイボンデイングのラ
イン上で容易に検出することもできる。
ば、ダイボンダの接着状態を無接触非破壊方式で
瞬時に検出できると共に、ダイボンデイングのラ
イン上で容易に検出することもできる。
第１図は本発明の一実施例を示す原理説明図、
第２図は第１図の方法で得られた映像を原理的に
示した図である。 １……基板、２……導電ペースト、３……チツ
プ、１０……赤外線放射器、１２……検出器。
第２図は第１図の方法で得られた映像を原理的に
示した図である。 １……基板、２……導電ペースト、３……チツ
プ、１０……赤外線放射器、１２……検出器。
Claims (1)
- １ 基板に導電性ペーストなどを介してチツプが
ボンドされた半導体部品の一方側より赤外線を放
射し、半導体部品を透過した赤外線の量的な差を
半導体部品の他方側に配設した検出器で検出し、
前記導電性ペーストなどの分布状態の良否を検出
することを特徴とするダイボンド接着状態の検出
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59027684A JPS60171441A (ja) | 1984-02-16 | 1984-02-16 | ダイボンド接着状態の検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59027684A JPS60171441A (ja) | 1984-02-16 | 1984-02-16 | ダイボンド接着状態の検出方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60171441A JPS60171441A (ja) | 1985-09-04 |
| JPH0350975B2 true JPH0350975B2 (ja) | 1991-08-05 |
Family
ID=12227790
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59027684A Granted JPS60171441A (ja) | 1984-02-16 | 1984-02-16 | ダイボンド接着状態の検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60171441A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0210256A (ja) * | 1988-06-29 | 1990-01-16 | Ishikawajima Kensa Keisoku Kk | セラミックス基板の探傷方法 |
| US5228776A (en) * | 1992-05-06 | 1993-07-20 | Therma-Wave, Inc. | Apparatus for evaluating thermal and electrical characteristics in a sample |
| DE102015122733A1 (de) * | 2015-12-23 | 2017-06-29 | Bundesdruckerei Gmbh | Inspektionsvorrichtung und Verfahren zum Verifizieren einer Klebstoffverbindung |
| WO2022264773A1 (ja) * | 2021-06-16 | 2022-12-22 | 株式会社デンソー | 接着状態の検査方法及び光計測装置 |
-
1984
- 1984-02-16 JP JP59027684A patent/JPS60171441A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60171441A (ja) | 1985-09-04 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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