JPS63164232A - 温度センサ集積回路の製造方法 - Google Patents
温度センサ集積回路の製造方法Info
- Publication number
- JPS63164232A JPS63164232A JP61313489A JP31348986A JPS63164232A JP S63164232 A JPS63164232 A JP S63164232A JP 61313489 A JP61313489 A JP 61313489A JP 31348986 A JP31348986 A JP 31348986A JP S63164232 A JPS63164232 A JP S63164232A
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- JP
- Japan
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- wafer
- temperature sensor
- integrated circuit
- chips
- sensor integrated
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
- G01K7/01—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using semiconducting elements having PN junctions
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は温度センリ″集積回路（以下、集１ｉ［１路を
ＩＣとする）の製造方法の改善に関するものである。
ＩＣとする）の製造方法の改善に関するものである。
［従来の技術］
バイポーラＩＣの製造方法としては、
つ１ハブ［１セス→ＩＧの特性測定とトリミング→ダイ
シング→パッケージ→Ｒ終検査 の工程順で製造をするものがあった。
シング→パッケージ→Ｒ終検査 の工程順で製造をするものがあった。
〔発明が解決しようとする問題点］
しかし、この製造方法ではトリミングを行った後にダイ
シングを行うため、ＷＡ度センサ［Ｃの製造に適用する
と次のような問題点が生じる。
シングを行うため、ＷＡ度センサ［Ｃの製造に適用する
と次のような問題点が生じる。
■ダイシングで生じた機械的ストレスによりトリミング
工程と最終検査での測定値が貸なり、トリミング工程で
良品と判定されたｒＣがＭｋ終検査では不良品になって
いることがあり、歩留りが低下する。
工程と最終検査での測定値が貸なり、トリミング工程で
良品と判定されたｒＣがＭｋ終検査では不良品になって
いることがあり、歩留りが低下する。
■温度センサＩＣは自己発熱するが、チップ単位に切離
される前にトリミングが行なわれるため、トリミングさ
れるＩＧは周囲のＩＣの熱の影響を受け、適正なトリミ
ングが行なわれない。
される前にトリミングが行なわれるため、トリミングさ
れるＩＧは周囲のＩＣの熱の影響を受け、適正なトリミ
ングが行なわれない。
このような欠点を解決した方法として、特公昭６１−１
８８５９＠公報記載の製造方法があった。
８８５９＠公報記載の製造方法があった。
この方法は、導電性のフィルムに半導体ウェハを接着し
、このウェハをペレットに分割し、導電性フィルムを引
伸ばして各ベレット間に間隔を設け、その後、ペレット
内の電極および１ｆｆｉ性フイルムと測定器とを１気的
に接続して半導体素子の電気的特性を測定するものであ
る。
、このウェハをペレットに分割し、導電性フィルムを引
伸ばして各ベレット間に間隔を設け、その後、ペレット
内の電極および１ｆｆｉ性フイルムと測定器とを１気的
に接続して半導体素子の電気的特性を測定するものであ
る。
しかし、この方法では半導体素子は導電性フィルムを介
して測定器の端子に接続されているため、面積の広い導
電性フィルムを介して半導体素子にノイズが入りやすく
、電気的特性の測定信号に誤差が生じやすいという問題
点がある。このため、この方法は高精度のトリミングを
必要とされる温度センサＩＣの製造には適さない。
して測定器の端子に接続されているため、面積の広い導
電性フィルムを介して半導体素子にノイズが入りやすく
、電気的特性の測定信号に誤差が生じやすいという問題
点がある。このため、この方法は高精度のトリミングを
必要とされる温度センサＩＣの製造には適さない。
本発明は上述した点に鑑みてなされたものであり、自己
発熱の影響と外部ノイズの影響を受番ノにくい温度セン
唾す【Ｃの製造方法を実現することを目的とする。
発熱の影響と外部ノイズの影響を受番ノにくい温度セン
唾す【Ｃの製造方法を実現することを目的とする。
［問題点を解決するための手段］
本発明は、
トランジスタを有づる温度センサ集積回路であって、ウ
ェハ状態では各集積回路のトランジスタのベースはサブ
ストレートに共通に接続されている温度センサ東積回路
において、 前記温度センサ集積回路が形成されたウェハを固定剤ま
たは陽極接合でダミーウェハに接合し、温度センサ東積
回路のウェハをチップに分割して前記サブストレートを
チップ毎に分断した後にトリミングを行うことを特徴と
する温度センサ集積回路の製造方法である。
ェハ状態では各集積回路のトランジスタのベースはサブ
ストレートに共通に接続されている温度センサ東積回路
において、 前記温度センサ集積回路が形成されたウェハを固定剤ま
たは陽極接合でダミーウェハに接合し、温度センサ東積
回路のウェハをチップに分割して前記サブストレートを
チップ毎に分断した後にトリミングを行うことを特徴と
する温度センサ集積回路の製造方法である。
［実施例］
以下、図面を用いて本発明を説明する。
第１図は本発明にかかる温度センサＩＣの製造方法の一
実施例の工程図である。
実施例の工程図である。
ウェハプロセスを経た製品ウェハ１は、裏面に二酸化シ
リコン（ＳｊＯ２）ｆｆＱ２を介してダミーウェハ３に
［！接合される。ここで、製品ウェハ１は、トランジス
タを用いたＵＵセセン■Ｃが複数個形成されたものであ
る。このトランジスタの構成例を第２図に示す。図で、
Ｅはエミッタ、Ｃはコレクタ、Ｂはベースであり、コレ
クタとベースが接続されこれらはサブストレートＳに接
続されている。これによって、各温度センナ［Ｃのトラ
ンジスタのベースは共通にサブストレートＳに接続され
る。また、ダミーウェハ３はパターンが形成されていな
いウェハである。
リコン（ＳｊＯ２）ｆｆＱ２を介してダミーウェハ３に
［！接合される。ここで、製品ウェハ１は、トランジス
タを用いたＵＵセセン■Ｃが複数個形成されたものであ
る。このトランジスタの構成例を第２図に示す。図で、
Ｅはエミッタ、Ｃはコレクタ、Ｂはベースであり、コレ
クタとベースが接続されこれらはサブストレートＳに接
続されている。これによって、各温度センナ［Ｃのトラ
ンジスタのベースは共通にサブストレートＳに接続され
る。また、ダミーウェハ３はパターンが形成されていな
いウェハである。
このような接合を行った後、ダミーウェハ３に溝ができ
るまでハーフグイシングを行って製品ウェハ１をヂッグ
に分割する。これによってサブストレートＳはチップ毎
に分割される。このとき各チップはダミーウェハ３によ
ってウェハ単位に保持されている。
るまでハーフグイシングを行って製品ウェハ１をヂッグ
に分割する。これによってサブストレートＳはチップ毎
に分割される。このとき各チップはダミーウェハ３によ
ってウェハ単位に保持されている。
この状態で各チップの電気的特性を測定しトリミングを
行う。
行う。
その後、ウェハブレイクをしてチップ毎に分け、パッケ
ージをした後！ｉ柊検査を行ってチップの良否を判別す
る。
ージをした後！ｉ柊検査を行ってチップの良否を判別す
る。
トリミングに用いる６１の一例を第３図に示す。
図で、４はダイシングされたウェハが載せられたステー
ジ、５はプローブＰが当てられたチップの電気Ｊｉ（抵
抗値、電圧等）を測定する測定部、６はつ１ハのトリミ
ングする箇所を定めるプローブカード、７はレーデ８の
出射光を反射してトリミグ箇所に当てるミラー、９は測
定部５とレーザ８の駆動を制御するとともに、ステージ
４とミラー７の位置をｔ、ＩＪ御するＣＰ（Ｊである。
ジ、５はプローブＰが当てられたチップの電気Ｊｉ（抵
抗値、電圧等）を測定する測定部、６はつ１ハのトリミ
ングする箇所を定めるプローブカード、７はレーデ８の
出射光を反射してトリミグ箇所に当てるミラー、９は測
定部５とレーザ８の駆動を制御するとともに、ステージ
４とミラー７の位置をｔ、ＩＪ御するＣＰ（Ｊである。
このような装置で、抵抗値をトリミングする場合は、測
定部５からの測定信号をもとにＣＰＵ９がレーｆ８の出
射光でチップのパターンをカットし、目標とする抵抗値
に追い込／Ｖでいく。
定部５からの測定信号をもとにＣＰＵ９がレーｆ８の出
射光でチップのパターンをカットし、目標とする抵抗値
に追い込／Ｖでいく。
ウェハプロセスにおける回路の概略的構成は第４図のよ
うになる。
うになる。
図に示すように、各温度センサＩＣに設＃Ｊられたトラ
ンジスタＴｒはベースが共通に寸ブス士レートＳに接続
されている。ａ−ａ’ はプローブＰを当てる端子であ
る。
ンジスタＴｒはベースが共通に寸ブス士レートＳに接続
されている。ａ−ａ’ はプローブＰを当てる端子であ
る。
ダイシングを行った後の回路構成は、第５図に示すよう
にサブストレートＳはチップ毎に分断されたものとなる
。
にサブストレートＳはチップ毎に分断されたものとなる
。
第４図に示ず状態では、サブストレートＳはウェハ仝面
にわたって広がっているため、ノイズを拾いやすい。も
し、この状態で測定を行うとｂの経路でノイズ信月が入
って測定ｌＡ差が生じ、適正なトリミングが行なわれな
りイ鵞る。
にわたって広がっているため、ノイズを拾いやすい。も
し、この状態で測定を行うとｂの経路でノイズ信月が入
って測定ｌＡ差が生じ、適正なトリミングが行なわれな
りイ鵞る。
ところが、本発明にかかる方法では、第５図に示す状態
でトリミングが行われる。第５図の状態ではり°ブスト
レートＳがチップ毎に分断されているため、第４図のｂ
の経路で外部ノイズが入るようなことはない。
でトリミングが行われる。第５図の状態ではり°ブスト
レートＳがチップ毎に分断されているため、第４図のｂ
の経路で外部ノイズが入るようなことはない。
第６図は本発明にかかる温度センサ■Ｃの￥ＪＴ１方法
の伯の実施例の工程図である。
の伯の実施例の工程図である。
この方法では、ウェハプロセスの後、製品ウェハ１の賓
面がレジストＩｍ９によりダミーウェハ３に接合される
。その後、ダイシングにより製品ウェハ１がチップ毎に
分割される。このとき、各チップはレジスト層９により
保持されている。この状態で電気的特性を測定しトリミ
ングを行った後、レジストを除去し、パッケージを行い
、最終検査をする。トリミングも第３図と同様の装置が
用いられる。
面がレジストＩｍ９によりダミーウェハ３に接合される
。その後、ダイシングにより製品ウェハ１がチップ毎に
分割される。このとき、各チップはレジスト層９により
保持されている。この状態で電気的特性を測定しトリミ
ングを行った後、レジストを除去し、パッケージを行い
、最終検査をする。トリミングも第３図と同様の装置が
用いられる。
この方法でもサブストレートＳが分断された状態で電気
的特性が測定されるため、ノイズの影響が低減される。
的特性が測定されるため、ノイズの影響が低減される。
なお、製品つＬハ１のダミーウェハ３への固定剤どして
はレジスＥ・に限らず一般の接着剤、低融点ガラス等で
あってもよい。
はレジスＥ・に限らず一般の接着剤、低融点ガラス等で
あってもよい。
［効果］
本発明によれば、トランジスタのベースが接続されたり
°シストレートが分断された状態でチップの電気的特性
が測定されるため、測定信月に外部ノイズが入りにくく
なり、適切なトリミングを行うことがでさる。
°シストレートが分断された状態でチップの電気的特性
が測定されるため、測定信月に外部ノイズが入りにくく
なり、適切なトリミングを行うことがでさる。
また、電気的特性の測定時には温度センサＩＣはチップ
毎に分けられているため、トリミングされるチップは周
囲のｆｆ１ｆｆセンサＩＣの自己発熱の影響を受けにく
くなり、これによっても適切なトリミングが行うことが
できる。
毎に分けられているため、トリミングされるチップは周
囲のｆｆ１ｆｆセンサＩＣの自己発熱の影響を受けにく
くなり、これによっても適切なトリミングが行うことが
できる。
第１図は本発明にかかる温度センサＩＣの製造方法の一
実施例の工程図、第２図は瀉麿センサＩＣに用いるトラ
ンジスタの構成例を示した図、第３図は本発明にかかる
方法でトリミングに用いる装置の一例示した図、第４図
および第５因は温度センサＩＣに用いるトランジスタの
接続状態を示した図、第６図は本発明にかかる方法の他
の実施例を示した図である。 １・・・製品ウェハ、２・・・二酸化シリコン層、３ダ
ミーウエハ、５・・・測定部、８・・・レーザ、９・・
・ＣＰＵ５Ｓ・・・サブストレート、Ｔｒ・・・トラン
ジスタ。 第１図 第２図 第３図 第り図
実施例の工程図、第２図は瀉麿センサＩＣに用いるトラ
ンジスタの構成例を示した図、第３図は本発明にかかる
方法でトリミングに用いる装置の一例示した図、第４図
および第５因は温度センサＩＣに用いるトランジスタの
接続状態を示した図、第６図は本発明にかかる方法の他
の実施例を示した図である。 １・・・製品ウェハ、２・・・二酸化シリコン層、３ダ
ミーウエハ、５・・・測定部、８・・・レーザ、９・・
・ＣＰＵ５Ｓ・・・サブストレート、Ｔｒ・・・トラン
ジスタ。 第１図 第２図 第３図 第り図
Claims (1)
- トランジスタを有する温度センサ集積回路であって、ウ
ェハ状態では各集積回路のトランジスタのベースはサブ
ストレートに共通に接続されている温度センサ集積回路
において、前記温度センサ集積回路が形成されたウェハ
を固定剤または陽極接合でダミーウェハに接合し、温度
センサ集積回路のウェハをチップに分割して前記サブス
トレートをチップ毎に分断した後にトリミングを行うこ
とを特徴とする温度センサ集積回路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61313489A JPS63164232A (ja) | 1986-12-25 | 1986-12-25 | 温度センサ集積回路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61313489A JPS63164232A (ja) | 1986-12-25 | 1986-12-25 | 温度センサ集積回路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63164232A true JPS63164232A (ja) | 1988-07-07 |
Family
ID=18041928
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61313489A Pending JPS63164232A (ja) | 1986-12-25 | 1986-12-25 | 温度センサ集積回路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63164232A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5431806A (en) * | 1990-09-17 | 1995-07-11 | Fujitsu Limited | Oxygen electrode and temperature sensor |
| US5837113A (en) * | 1990-12-06 | 1998-11-17 | Fujitsu Limited | Small glass electrode |
| JP2006258546A (ja) * | 2005-03-16 | 2006-09-28 | Denso Corp | 半導体センサの製造方法 |
-
1986
- 1986-12-25 JP JP61313489A patent/JPS63164232A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5431806A (en) * | 1990-09-17 | 1995-07-11 | Fujitsu Limited | Oxygen electrode and temperature sensor |
| US5837113A (en) * | 1990-12-06 | 1998-11-17 | Fujitsu Limited | Small glass electrode |
| JP2006258546A (ja) * | 2005-03-16 | 2006-09-28 | Denso Corp | 半導体センサの製造方法 |
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