JPH0351881Y2 - - Google Patents
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- JPH0351881Y2 JPH0351881Y2 JP2089085U JP2089085U JPH0351881Y2 JP H0351881 Y2 JPH0351881 Y2 JP H0351881Y2 JP 2089085 U JP2089085 U JP 2089085U JP 2089085 U JP2089085 U JP 2089085U JP H0351881 Y2 JPH0351881 Y2 JP H0351881Y2
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- anode
- ray
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- rays
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- 238000005211 surface analysis Methods 0.000 description 4
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 4
- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 description 3
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000001420 photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
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Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この考案は、光電子分光(ESCA又はXPS)装
置のようなX線励起による表面分析装置、X線顕
微鏡、又はX線リソグラフイなどに使用されるX
線銃に関するものである。
置のようなX線励起による表面分析装置、X線顕
微鏡、又はX線リソグラフイなどに使用されるX
線銃に関するものである。
(従来の技術)
X線励起による従来の表面分析装置は、試料に
照射するX線ビームを微小に絞る構造にはなつて
いない。そのため、試料は直径数mm程度の領域に
わたつて励起されており、表面分析はその広い励
起領域の平均的な情報を得ていることになる。
照射するX線ビームを微小に絞る構造にはなつて
いない。そのため、試料は直径数mm程度の領域に
わたつて励起されており、表面分析はその広い励
起領域の平均的な情報を得ていることになる。
試料の微小領域の表面分析を行なうためには、
試料に照射されるX線ビームを絞る必要がある。
X線に対してレンズ作用をもつ素子としては、ゾ
ーンプレート(フレネルゾーンプレート)が知ら
れている。
試料に照射されるX線ビームを絞る必要がある。
X線に対してレンズ作用をもつ素子としては、ゾ
ーンプレート(フレネルゾーンプレート)が知ら
れている。
(考案が解決しようとする問題点)
このゾーンプレートを用いて従来のX線銃のX
線ビームを絞るとすると、例えば以下の如きもの
が考えられる。
線ビームを絞るとすると、例えば以下の如きもの
が考えられる。
第1のX線銃は、第3図に示されるように、ア
ノード2に電子銃4から細く絞つた電子銃6を照
射し、その照射点で発生する特性X線8の像を光
源(以下一次光源という)としてゾーンプレート
10で集光し、その縮小像を試料12に照射する
ものである。
ノード2に電子銃4から細く絞つた電子銃6を照
射し、その照射点で発生する特性X線8の像を光
源(以下一次光源という)としてゾーンプレート
10で集光し、その縮小像を試料12に照射する
ものである。
しかし、このX線銃では大がかりになり、ま
た、X線像を小さくするためにアノード2上の一
次光源を小さくすればする程、アノード2の受け
る損傷が大きくなる問題がある。
た、X線像を小さくするためにアノード2上の一
次光源を小さくすればする程、アノード2の受け
る損傷が大きくなる問題がある。
ゾーンプレートを用いる第2のX線銃として考
えられるものは、第4図に示されるものである。
アノード2の側壁に沿つて円筒状のウエーネルト
14が設けられ、そのウエーネルト14の外側に
はフイラメント16がリング状に設けられ、更に
フイラメント16の外側にはフイラメント16か
ら発生した熱電子17をアノード2の端面に導く
ための電界を形成するようにリペラ18が設けら
れている。ウエーネルト14、フイラメント16
及びリペラ18の形状や位置は、フイラメント1
6からの熱電子17がアノード2の端面の一点に
集中するように設定されている。そして、アノー
ド2上の特性X線8の像を一次光源として第3図
と同様にゾーンプレート10で集光し、その縮小
像を試料12に照射する。
えられるものは、第4図に示されるものである。
アノード2の側壁に沿つて円筒状のウエーネルト
14が設けられ、そのウエーネルト14の外側に
はフイラメント16がリング状に設けられ、更に
フイラメント16の外側にはフイラメント16か
ら発生した熱電子17をアノード2の端面に導く
ための電界を形成するようにリペラ18が設けら
れている。ウエーネルト14、フイラメント16
及びリペラ18の形状や位置は、フイラメント1
6からの熱電子17がアノード2の端面の一点に
集中するように設定されている。そして、アノー
ド2上の特性X線8の像を一次光源として第3図
と同様にゾーンプレート10で集光し、その縮小
像を試料12に照射する。
このX線銃では、アノード2上に均一な点光源
を作ることが難しく、そのため試料12上に縮小
像を形成させることも難かしいという問題があ
る。
を作ることが難しく、そのため試料12上に縮小
像を形成させることも難かしいという問題があ
る。
ゾーンプレートを用いた他のX線銃として考え
られるものは、線源としてシンクロトロン放射を
用いるものである。シンクロトロン放射では平行
X線ビームが得られるので、ゾーンプレートで縮
小像を得ることは容易であるが、シンクロトロン
放射装置はあまりにも大がかりになるため、実用
性に欠ける問題がある。
られるものは、線源としてシンクロトロン放射を
用いるものである。シンクロトロン放射では平行
X線ビームが得られるので、ゾーンプレートで縮
小像を得ることは容易であるが、シンクロトロン
放射装置はあまりにも大がかりになるため、実用
性に欠ける問題がある。
微小に絞られたX線ビームを放射することので
きるX線銃は、表面分析装置において微小領域の
分析を行なう場合だけでなく、X線顕微鏡におい
て高分解能を得る場合や、X線リソグラフイにお
いて微細パターンを形成する場合などにおいても
必要とされるものである。
きるX線銃は、表面分析装置において微小領域の
分析を行なう場合だけでなく、X線顕微鏡におい
て高分解能を得る場合や、X線リソグラフイにお
いて微細パターンを形成する場合などにおいても
必要とされるものである。
この考案は、大がかりな装置を使用せずに、微
小な径のX線ビームを放射することのできるX線
銃を提供することを目的とするものである。
小な径のX線ビームを放射することのできるX線
銃を提供することを目的とするものである。
(問題点を解決するための手段)
この考案のX線銃は、実施例を示す第1図を参
照して示すと、アノード2と、アノード2に近接
して設けられアノード2に照射される熱電子22
を放出するフイラメント20と、フイラメント2
0から放出された熱電子22をアノード2に導く
如く電界を形成する手段(ウエーネルト14、リ
ペラ26)と、アノード2の電子照射面28に対
向し近接して設けられアノード2から発生する特
性X線を取り出すためけの小孔30を有する板状
部材32と、板状部材32の小孔30を通過した
特性X線34を結像させるようにその特性X線3
4の軸上に配置されたゾーンプレート10と、を
備えて構成されている。
照して示すと、アノード2と、アノード2に近接
して設けられアノード2に照射される熱電子22
を放出するフイラメント20と、フイラメント2
0から放出された熱電子22をアノード2に導く
如く電界を形成する手段(ウエーネルト14、リ
ペラ26)と、アノード2の電子照射面28に対
向し近接して設けられアノード2から発生する特
性X線を取り出すためけの小孔30を有する板状
部材32と、板状部材32の小孔30を通過した
特性X線34を結像させるようにその特性X線3
4の軸上に配置されたゾーンプレート10と、を
備えて構成されている。
(作用)
フイラメント20から発生した熱電子22は、
アノード2、ウエーネルト14及びリペラ26に
より形成される電界によりアノード2の端面28
に導かれ、その端面28に衝突して特性X線が発
生する。このアノード2の端面(電子照射面)2
8上での一次光源としての特性X線34の像は、
従来の第4図に示されたX線銃などと同様に例え
ば直径数mm程度でもよい。そして、この特性X線
34は板状部材32の小孔30を通過することに
より、その小孔30の像が特性X線34の二次光
源となる。ゾーンプレート10は特性X線34の
小孔30の像を二次光源とし、この二次光源像を
試料12上に結像する。
アノード2、ウエーネルト14及びリペラ26に
より形成される電界によりアノード2の端面28
に導かれ、その端面28に衝突して特性X線が発
生する。このアノード2の端面(電子照射面)2
8上での一次光源としての特性X線34の像は、
従来の第4図に示されたX線銃などと同様に例え
ば直径数mm程度でもよい。そして、この特性X線
34は板状部材32の小孔30を通過することに
より、その小孔30の像が特性X線34の二次光
源となる。ゾーンプレート10は特性X線34の
小孔30の像を二次光源とし、この二次光源像を
試料12上に結像する。
いま、ゾーンプレート10と試料12との距離
をa、ゾーンプレート10と小孔30との距離を
b、発生した特性X線に対するゾーンプレート1
0の焦点距離をfとしたとき、 1/a+1/b=1/f (1) を満足するように、板状部材32、ゾーンプレー
ト10及び試料12を配置すると、小孔30の像
が試料12上でa/bの縮小率で結像する。
をa、ゾーンプレート10と小孔30との距離を
b、発生した特性X線に対するゾーンプレート1
0の焦点距離をfとしたとき、 1/a+1/b=1/f (1) を満足するように、板状部材32、ゾーンプレー
ト10及び試料12を配置すると、小孔30の像
が試料12上でa/bの縮小率で結像する。
(実施例)
第1図はこの考案の一実施例を表わす。
2はアノードで、アノード2の側方には円筒状
のウエーネルト14を介してフイラメント20が
設けられている。通常行なわれているように、フ
イラメント20は光学的にはウエーネルト14に
遮られてアノード2から見えない位置に配置され
ている。26はリペラで、アノード2、ウエーネ
ルト14及びフイラメント20を囲むように設け
られている。各部の電位は、例えばフイラメント
20が数V、アノード2が数KV、ウエーネルト
14とリペラ26がグランド電位に設定される。
この電位差により、フイラメント20から発生し
た熱電子22がアノード2の端面28に衝突して
特性X線34が発生する。
のウエーネルト14を介してフイラメント20が
設けられている。通常行なわれているように、フ
イラメント20は光学的にはウエーネルト14に
遮られてアノード2から見えない位置に配置され
ている。26はリペラで、アノード2、ウエーネ
ルト14及びフイラメント20を囲むように設け
られている。各部の電位は、例えばフイラメント
20が数V、アノード2が数KV、ウエーネルト
14とリペラ26がグランド電位に設定される。
この電位差により、フイラメント20から発生し
た熱電子22がアノード2の端面28に衝突して
特性X線34が発生する。
リペラ26がアノード2の端面(電子照射面)
28と対向する部分には孔が設けられており、リ
ペラ26のその孔のある部分には特性X線34を
取り出すための小孔30を有する板状部材32が
取りつけられている。板状部材32の材質として
は耐熱性の高いモリブデン、タンタル又はタング
ステンなどが好ましい。板状部材32とアノード
2の端面28との距離cは小さく設定される。
28と対向する部分には孔が設けられており、リ
ペラ26のその孔のある部分には特性X線34を
取り出すための小孔30を有する板状部材32が
取りつけられている。板状部材32の材質として
は耐熱性の高いモリブデン、タンタル又はタング
ステンなどが好ましい。板状部材32とアノード
2の端面28との距離cは小さく設定される。
板状部材32の小孔30を通過した特性X線3
4の軸上には、小孔30から距離bの位置にゾー
ンプレート10が設けられている。ゾーンプレー
ト10の焦点距離fは特性X線34の波長によつ
て決まる。
4の軸上には、小孔30から距離bの位置にゾー
ンプレート10が設けられている。ゾーンプレー
ト10の焦点距離fは特性X線34の波長によつ
て決まる。
試料12はゾーンプレート10から距離aの位
置に配置される。これらの距離a,b及びゾーン
プレート10の焦点距離fの間には、前述の(1)式
の関係が成立するように板状部材32、ゾーンプ
レート10及び試料12が配置される。
置に配置される。これらの距離a,b及びゾーン
プレート10の焦点距離fの間には、前述の(1)式
の関係が成立するように板状部材32、ゾーンプ
レート10及び試料12が配置される。
一例として、アノード2にジルコニウムを使用
した。このとき、特性X線34の波長は82Åであ
る。板状部材32の小孔30の直径を200μmと
し、各部材の距離a,b,cをそれぞれ65mm、
322mm、6mmに設定した。ゾーンプレート10の
有効径は2mmであり、波長82Åの特性X線34に
対するゾーンプレート10の焦点距離fは54mmで
あつた。このような条件において、試料12上に
直径40μmの軟X線ビームが得られた。
した。このとき、特性X線34の波長は82Åであ
る。板状部材32の小孔30の直径を200μmと
し、各部材の距離a,b,cをそれぞれ65mm、
322mm、6mmに設定した。ゾーンプレート10の
有効径は2mmであり、波長82Åの特性X線34に
対するゾーンプレート10の焦点距離fは54mmで
あつた。このような条件において、試料12上に
直径40μmの軟X線ビームが得られた。
特性X線34の強度を強くしようとするとアノ
ード2が高温になるので、アノード2に冷却手段
を設けておくことが望ましい。また、アノードを
第2図に示されるような回転可能なアノード40
とするとともに、電子照射位置42を回転中心か
ら外しておくことにより、アノード40の回転に
従つて電子照射位置42が移動していくようにし
てもよい。
ード2が高温になるので、アノード2に冷却手段
を設けておくことが望ましい。また、アノードを
第2図に示されるような回転可能なアノード40
とするとともに、電子照射位置42を回転中心か
ら外しておくことにより、アノード40の回転に
従つて電子照射位置42が移動していくようにし
てもよい。
また、フイラメントとして第4図に示されてい
るようなリング状のフイラメント16を使用する
と、発生する特性X線34の強度の面で効果的で
ある。
るようなリング状のフイラメント16を使用する
と、発生する特性X線34の強度の面で効果的で
ある。
(考案の効果)
この考案のX線銃は、アノードの電子照射面に
対向して小孔を配置し、その小孔による特性X線
像を二次光源とし、ゾーンプレートを用いてその
二次光源を試料上に結像させるように構成されて
いるので、シンクロトロン放射のような大がかり
な装置を使用しなくても試料の微小領域をX線照
射することができる。これにより、微小領域の
ESCA分析やX線顕微鏡観察、X線リソグラフイ
などが可能になる。
対向して小孔を配置し、その小孔による特性X線
像を二次光源とし、ゾーンプレートを用いてその
二次光源を試料上に結像させるように構成されて
いるので、シンクロトロン放射のような大がかり
な装置を使用しなくても試料の微小領域をX線照
射することができる。これにより、微小領域の
ESCA分析やX線顕微鏡観察、X線リソグラフイ
などが可能になる。
第1図はこの考案の一実施例を示す概略断面
図、第2図は他の実施例におけるアノード端面を
示す平面図、第3図は従来のX線銃にゾーンプレ
ートを組み合せた状態を示す側面図、第4図は従
来の他のX線銃にゾーンプレートを組み合せた状
態を示す概略断面図である。 2……アノード、10……ゾーンプレート、1
4……ウエーネルト、20……フイラメント、2
6……リペラ、30……小孔、32……板状部
材。
図、第2図は他の実施例におけるアノード端面を
示す平面図、第3図は従来のX線銃にゾーンプレ
ートを組み合せた状態を示す側面図、第4図は従
来の他のX線銃にゾーンプレートを組み合せた状
態を示す概略断面図である。 2……アノード、10……ゾーンプレート、1
4……ウエーネルト、20……フイラメント、2
6……リペラ、30……小孔、32……板状部
材。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 アノードと、 このアノードに近接して設けられ、このアノー
ドに照射される熱電子を放出するフイラメント
と、 このフイラメイトから放出された熱電子を前記
アノードに導く如く電界を形成する手段と、 前記アノードの電子照射面に対向し近接して設
けられ、アノードから発生する特性X線を取り出
すための小孔を有する板状部材と、 この板状部材の小孔を通過した特性X線を結像
させるようにその特性X線の軸上に配置されたゾ
ーンプレートと、を備えたX線銃。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2089085U JPH0351881Y2 (ja) | 1985-02-15 | 1985-02-15 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2089085U JPH0351881Y2 (ja) | 1985-02-15 | 1985-02-15 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61136462U JPS61136462U (ja) | 1986-08-25 |
| JPH0351881Y2 true JPH0351881Y2 (ja) | 1991-11-08 |
Family
ID=30511790
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2089085U Expired JPH0351881Y2 (ja) | 1985-02-15 | 1985-02-15 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0351881Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017220360A (ja) * | 2016-06-07 | 2017-12-14 | Jx金属株式会社 | 非導電性試料のグロー放電質量分析法 |
-
1985
- 1985-02-15 JP JP2089085U patent/JPH0351881Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61136462U (ja) | 1986-08-25 |
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