JPH0351971Y2 - - Google Patents
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- JPH0351971Y2 JPH0351971Y2 JP1988062572U JP6257288U JPH0351971Y2 JP H0351971 Y2 JPH0351971 Y2 JP H0351971Y2 JP 1988062572 U JP1988062572 U JP 1988062572U JP 6257288 U JP6257288 U JP 6257288U JP H0351971 Y2 JPH0351971 Y2 JP H0351971Y2
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- JP
- Japan
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- electrode
- plate electrode
- flat plate
- substrate
- reaction chamber
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Description
【考案の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本考案は、真空中でグロー放電によるガスを分
解し、基板表面に薄膜を堆積するプラズマCVD
（chemical vapor deposition）装置に関する。
解し、基板表面に薄膜を堆積するプラズマCVD
（chemical vapor deposition）装置に関する。
（従来の技術と考案が解決しようとする問題点）
プラズマCVD装置は、非晶質シリコン（以下
ａ−Siと略記する）膜及び窒化シリコン膜の作成
に用いられる。特に、プラズマCVD装置により
作成されたａ−Siは、スパツタリング法やイオン
プレーテイング法等の他の成膜法により作成した
ａ−Siに較べて太陽電池材料としての特性が優れ
ており、また製造コストが安いという特徴を備え
ている。ａ−Si作成用のプラズマCVD装置にお
いて平行平板型プラズマCVD装置を使用するこ
とは、ａ−Siを大面積に均一に成膜でき、またガ
スの種類の異なつた複数の反応室を連結し、基板
あるいは基板ホルダを反応室間で移動させること
により、真空中で連続して多層膜を容易に作成す
ることができる利点を備えている。しかしなが
ら、後で詳述するように、従来の構造の平行平板
型プラズマCVD装置では、更にａ−Siの製造コ
ストを安くしたり、ａ−Siを多量に生産すること
に限界があつた。
ａ−Siと略記する）膜及び窒化シリコン膜の作成
に用いられる。特に、プラズマCVD装置により
作成されたａ−Siは、スパツタリング法やイオン
プレーテイング法等の他の成膜法により作成した
ａ−Siに較べて太陽電池材料としての特性が優れ
ており、また製造コストが安いという特徴を備え
ている。ａ−Si作成用のプラズマCVD装置にお
いて平行平板型プラズマCVD装置を使用するこ
とは、ａ−Siを大面積に均一に成膜でき、またガ
スの種類の異なつた複数の反応室を連結し、基板
あるいは基板ホルダを反応室間で移動させること
により、真空中で連続して多層膜を容易に作成す
ることができる利点を備えている。しかしなが
ら、後で詳述するように、従来の構造の平行平板
型プラズマCVD装置では、更にａ−Siの製造コ
ストを安くしたり、ａ−Siを多量に生産すること
に限界があつた。
又、量産性を向上した方式に、２組のすだれ電
極を用いた方式が特開昭56−43724号公報及び実
開昭54−103165号公報に記載されている。しかし
ながら、この方式では、後で詳しく説明するよう
に、半導体ウエハのような比較的小さい基板に単
一膜を堆積する場合には有効であるが、太陽電池
用のａ−Si等に要求されるような大面積基板に多
層膜を堆積する場合には適用できない。
極を用いた方式が特開昭56−43724号公報及び実
開昭54−103165号公報に記載されている。しかし
ながら、この方式では、後で詳しく説明するよう
に、半導体ウエハのような比較的小さい基板に単
一膜を堆積する場合には有効であるが、太陽電池
用のａ−Si等に要求されるような大面積基板に多
層膜を堆積する場合には適用できない。
第３図は従来の平行平板プラズマCVD装置の
構成を示した正面断面図である。ガス導入口１及
び真空排気口２を備え、真空にすることができる
反応室３の中に、平板電極４及び５が15mm〜100
mmの間隔をおいて平行に置される。
構成を示した正面断面図である。ガス導入口１及
び真空排気口２を備え、真空にすることができる
反応室３の中に、平板電極４及び５が15mm〜100
mmの間隔をおいて平行に置される。
平板電極５を接地し、平板電極４に直流又は交
流電圧を印加することにより、電極間ギヤツプ６
でグロー放電が起こる。印加電圧としては、一般
的に高周波、例えば13.56MHzを用いることが多
い。平板電極４には、電極の裏側でグロー放電が
起こることを防ぐ為に、放電防止シールド７が取
り付けられている。高周波を用いた場合、平板電
極４が、電子とイオンの易動度の違いにより、直
流的に負にバイアスされる。それ故、平板電極４
と５に到達するイオンのエネルギーは互いに異な
り、基板が平板電極４又は５に置かれる場合とで
は、生成する膜質や成膜速度が異なる。平板電極
５には高周波電圧が印加されず、従つて加熱機構
が取り付け易く、また連続装置にするときの移動
機構が簡単となるため、基板８は電極５の上に置
かれる。以下平板電極５を基板ホルダと呼ぶこと
にする。ａ−Siの成膜は、基板温度が150℃〜400
℃の間のときに行われるので、基板ホルダ５には
加熱ヒータ９が取り付けられる。なお、１０は高
周波電源を示している。
流電圧を印加することにより、電極間ギヤツプ６
でグロー放電が起こる。印加電圧としては、一般
的に高周波、例えば13.56MHzを用いることが多
い。平板電極４には、電極の裏側でグロー放電が
起こることを防ぐ為に、放電防止シールド７が取
り付けられている。高周波を用いた場合、平板電
極４が、電子とイオンの易動度の違いにより、直
流的に負にバイアスされる。それ故、平板電極４
と５に到達するイオンのエネルギーは互いに異な
り、基板が平板電極４又は５に置かれる場合とで
は、生成する膜質や成膜速度が異なる。平板電極
５には高周波電圧が印加されず、従つて加熱機構
が取り付け易く、また連続装置にするときの移動
機構が簡単となるため、基板８は電極５の上に置
かれる。以下平板電極５を基板ホルダと呼ぶこと
にする。ａ−Siの成膜は、基板温度が150℃〜400
℃の間のときに行われるので、基板ホルダ５には
加熱ヒータ９が取り付けられる。なお、１０は高
周波電源を示している。
第３図において、平板電極４が上に、基板ホル
ダ５が下に配置されているが、この配置は上下が
逆でも良い。逆にした場合、基板を基板ホルダに
取り付けるための治具を必要とするが、成膜面が
下に向くためゴミが付着しにくいという長所があ
る。
ダ５が下に配置されているが、この配置は上下が
逆でも良い。逆にした場合、基板を基板ホルダに
取り付けるための治具を必要とするが、成膜面が
下に向くためゴミが付着しにくいという長所があ
る。
このような第３図の平行平板型プラズCVD装
置では、その処理能力を増大させるのに平板電極
４及び基板ホルダ５の面積を大きくする必要があ
る。しかしながら、平板電極及び基板ホルダの面
積を大きくすると、熱ひずみにより組立精度を維
持することが困難になる。また、連続装置におい
て、基板ホルダの面積が大きくなり重量が重くな
ることは、基板ホルダを真空装置内で移動させる
ときや装置外での取扱いに困難な問題が生ずる。
また、第３図の構造のまま平板電極および基板ホ
ルダを大面積にすることは、反応室の高さは殆ど
変わらないが、反応室の横方向の大きさが大きく
なることになる。このような装置では、耐圧容器
としての特性を維持するため、反応室のコストが
高くなり、よつて装置コストに対する処理能力が
あまり改善できない。したがつて第１図の構造の
プラズマCVD装置では、装置の低コスト化と量
産性の点で限界がある。
置では、その処理能力を増大させるのに平板電極
４及び基板ホルダ５の面積を大きくする必要があ
る。しかしながら、平板電極及び基板ホルダの面
積を大きくすると、熱ひずみにより組立精度を維
持することが困難になる。また、連続装置におい
て、基板ホルダの面積が大きくなり重量が重くな
ることは、基板ホルダを真空装置内で移動させる
ときや装置外での取扱いに困難な問題が生ずる。
また、第３図の構造のまま平板電極および基板ホ
ルダを大面積にすることは、反応室の高さは殆ど
変わらないが、反応室の横方向の大きさが大きく
なることになる。このような装置では、耐圧容器
としての特性を維持するため、反応室のコストが
高くなり、よつて装置コストに対する処理能力が
あまり改善できない。したがつて第１図の構造の
プラズマCVD装置では、装置の低コスト化と量
産性の点で限界がある。
一方、複数組のすだれ状電極を用いて量産性を
向上した方式が、特開昭56−43724号公報又は実
開昭54−103165号公報に述べられている。この方
式での加熱方法は、外部加熱にならざるを得な
い。しかしながら外部加熱では実用的な時間内に
均一な温度分布に達することができず、大面積へ
の成膜は不可能である。更にこのような加熱法上
の制約から、反応室は従来の平行平板型プラズマ
CVD装置で用いられているような金属容器を用
いることが出来ないため、石英ガラスの様な赤外
線透明材料で構成する必要がある。また、電極は
長い反応室の中で細長い構造をとつているので、
複数の反応室にわたる連続化が不可能である。こ
のことはクロスコンタミネーシヨンを発生させ、
実用的な多層膜の形成を不可能にする。また、上
記加熱方法上の制約から、例えば一辺が200mmの
正方形等のような大面積基板への堆積は非常に困
難となる。つまり、このような方式によるプラズ
マCVD装置では、半導体ウエハの様に比較的小
さい基板に単一膜を堆積する場合に適している
が、ａ−Si太陽電池のような大面積基板に多層膜
を堆積する場合には適用できない。
向上した方式が、特開昭56−43724号公報又は実
開昭54−103165号公報に述べられている。この方
式での加熱方法は、外部加熱にならざるを得な
い。しかしながら外部加熱では実用的な時間内に
均一な温度分布に達することができず、大面積へ
の成膜は不可能である。更にこのような加熱法上
の制約から、反応室は従来の平行平板型プラズマ
CVD装置で用いられているような金属容器を用
いることが出来ないため、石英ガラスの様な赤外
線透明材料で構成する必要がある。また、電極は
長い反応室の中で細長い構造をとつているので、
複数の反応室にわたる連続化が不可能である。こ
のことはクロスコンタミネーシヨンを発生させ、
実用的な多層膜の形成を不可能にする。また、上
記加熱方法上の制約から、例えば一辺が200mmの
正方形等のような大面積基板への堆積は非常に困
難となる。つまり、このような方式によるプラズ
マCVD装置では、半導体ウエハの様に比較的小
さい基板に単一膜を堆積する場合に適している
が、ａ−Si太陽電池のような大面積基板に多層膜
を堆積する場合には適用できない。
（考案の目的）
本考案の目的は、従来の平行平板型プラズマ
CVD装置を改良し、従来のものより更にａ−Si
等を安価に製造でき、かつ量産性に優れたプラズ
マCVD装置を提供することにある。
CVD装置を改良し、従来のものより更にａ−Si
等を安価に製造でき、かつ量産性に優れたプラズ
マCVD装置を提供することにある。
プラズマ処理装置の提供を目的とする。
（問題点を解決するための手段）
上記問題を解決するために、本考案は、少なく
とも１つの金属製の反応室を有し、該反応室内に
互いに対向する複数の電極を備え、該複数の電極
の内、接地される側の電極上に載置した基板表面
に薄膜を生成するプラズマCVD装置において、
前記複数の電極が、第１の平板電極と、該第１の
平板電極の両側に対向して配置される第２の平板
電極とから成り、前記第１又は第２の平板電極の
どちらか一方に、直流又は交流電流が印加され、
他方が接地される関係にするとともに、前記接地
される側の第１又は第２の平板電極のいづれかが
複数の前記反応室間又は前記反応室と前記反応室
外の間を移動可能な構成にしている。
とも１つの金属製の反応室を有し、該反応室内に
互いに対向する複数の電極を備え、該複数の電極
の内、接地される側の電極上に載置した基板表面
に薄膜を生成するプラズマCVD装置において、
前記複数の電極が、第１の平板電極と、該第１の
平板電極の両側に対向して配置される第２の平板
電極とから成り、前記第１又は第２の平板電極の
どちらか一方に、直流又は交流電流が印加され、
他方が接地される関係にするとともに、前記接地
される側の第１又は第２の平板電極のいづれかが
複数の前記反応室間又は前記反応室と前記反応室
外の間を移動可能な構成にしている。
さらに、基板表面上へのごみの付着の問題を考
慮するならば前記第１又は第２の平板電極の電極
面が鉛直な構成にすることが好ましい。
慮するならば前記第１又は第２の平板電極の電極
面が鉛直な構成にすることが好ましい。
（作用）
複数の電極が、第１の平板電極と、該第１の平
板電極の両側に対向して配置される第２の平板電
極とから成り、前記第１又は第２の平板電極のど
ちらか一方に、直流又は交流電流が印加され、他
方が接地され、この接地される側の平板電極に基
板が設置されるため、一定の膜質を有し、一定の
膜厚を有する均一な薄膜を生成できるとともに、
前記接地される側の第１又は第２の平板電極のい
づれかが複数の前記反応室間又は前記反応室と前
記反応室外の間を移動可能な構成にしているた
め、基板ホルダの移動方向に面積を大きくするこ
となく処理能力を２倍にすることができる。
板電極の両側に対向して配置される第２の平板電
極とから成り、前記第１又は第２の平板電極のど
ちらか一方に、直流又は交流電流が印加され、他
方が接地され、この接地される側の平板電極に基
板が設置されるため、一定の膜質を有し、一定の
膜厚を有する均一な薄膜を生成できるとともに、
前記接地される側の第１又は第２の平板電極のい
づれかが複数の前記反応室間又は前記反応室と前
記反応室外の間を移動可能な構成にしているた
め、基板ホルダの移動方向に面積を大きくするこ
となく処理能力を２倍にすることができる。
（実施例）
以下、本考案の実施例を図を用いて説明する。
第１図は、本考案による一実施例の構成を示し
た正面断面図である。平板電極４には、従来と同
様一般に高周波電圧が印加される。基板ホルダ５
及び５′は、平板電極４の両側に配置されている。
また、基板ホルダ５及び５′には、それぞれ加熱
ヒータ９及び９′が取り付けられている。グロー
放電は、電極間ギヤツプ６及び６′で起る。平板
電極４の両側のグロー放電を利用するので、平板
電極４には放電防止シールドを取り付ける必要は
ない。このような第１図の電極構造では、平板電
極４の両側に設置された基板ホルダ５及び５′上
に設置された基板８及び８′には、同等の性質の
膜が同等の速度で成膜される。このように、平板
電極４の大きさ及び反応室３の横方向の大きさを
変えないで、処理能力を２倍にすることができ
る。
た正面断面図である。平板電極４には、従来と同
様一般に高周波電圧が印加される。基板ホルダ５
及び５′は、平板電極４の両側に配置されている。
また、基板ホルダ５及び５′には、それぞれ加熱
ヒータ９及び９′が取り付けられている。グロー
放電は、電極間ギヤツプ６及び６′で起る。平板
電極４の両側のグロー放電を利用するので、平板
電極４には放電防止シールドを取り付ける必要は
ない。このような第１図の電極構造では、平板電
極４の両側に設置された基板ホルダ５及び５′上
に設置された基板８及び８′には、同等の性質の
膜が同等の速度で成膜される。このように、平板
電極４の大きさ及び反応室３の横方向の大きさを
変えないで、処理能力を２倍にすることができ
る。
第２図は本発明による他の一実施例の構成を示
した正面断面図である。この例では、平板電極４
及び４′が基板ホルダ５の両側に配置されている。
この基板ホルダ５の構造は、加熱ヒータ９を内蔵
した一体構造でも良いし、加熱構造を挾んだサン
ドイツチ構造でも良い。また平板電極４及び４′
にはそれぞれ放電防止シールド７及び７′が取り
付けられている。したがつて、第２図の電極構造
でも、第１図の場合と同様に、電極間ギヤツプ６
及び６′のプラズマの状態は同等であり、また基
板８及び８′は電気的に同一条件の下に置かれる
ので、両側の基板ホルダ５に到達するイオンのエ
ネルギー及び密度が同等になる。よつて基板ホル
ダ５の両側に設置された基板８及び８′には同等
の性質の膜が同等の速度で成膜される。このよう
に第２図のものは、第１図のものと同様に、基板
ホルダ５の大きさ及び反応室３の横方向の大きさ
を変えないで、処理能力を２倍にすることができ
る。
した正面断面図である。この例では、平板電極４
及び４′が基板ホルダ５の両側に配置されている。
この基板ホルダ５の構造は、加熱ヒータ９を内蔵
した一体構造でも良いし、加熱構造を挾んだサン
ドイツチ構造でも良い。また平板電極４及び４′
にはそれぞれ放電防止シールド７及び７′が取り
付けられている。したがつて、第２図の電極構造
でも、第１図の場合と同様に、電極間ギヤツプ６
及び６′のプラズマの状態は同等であり、また基
板８及び８′は電気的に同一条件の下に置かれる
ので、両側の基板ホルダ５に到達するイオンのエ
ネルギー及び密度が同等になる。よつて基板ホル
ダ５の両側に設置された基板８及び８′には同等
の性質の膜が同等の速度で成膜される。このよう
に第２図のものは、第１図のものと同様に、基板
ホルダ５の大きさ及び反応室３の横方向の大きさ
を変えないで、処理能力を２倍にすることができ
る。
また、第１図及び第２図の実施例では、平板電
極及び基板ホルダが水平に設置されているが、こ
れら平板電極及び基板ホルダが垂直に設置されて
いても良い。その場合、基板ホルダのそれぞれの
面に取り付けられた基板のすべての成膜面が垂直
になるので、基板表面にごみが付着しにくいとい
う利点がある。
極及び基板ホルダが水平に設置されているが、こ
れら平板電極及び基板ホルダが垂直に設置されて
いても良い。その場合、基板ホルダのそれぞれの
面に取り付けられた基板のすべての成膜面が垂直
になるので、基板表面にごみが付着しにくいとい
う利点がある。
なお、本考案によるプラズマCVD装置は、ａ
−Si膜作成のみに適用されるのではなく、平行平
板型プラズマCVD装置で行つているすべての成
膜作成に適用できるのは言うまでもない。
−Si膜作成のみに適用されるのではなく、平行平
板型プラズマCVD装置で行つているすべての成
膜作成に適用できるのは言うまでもない。
（考案の効果）
請求項１によれば、従来の装置より薄膜作成の
処理能力を増大させるとともに、装置の製造コス
トを安価にし、かつ設置面積を小さくすることが
できる。
処理能力を増大させるとともに、装置の製造コス
トを安価にし、かつ設置面積を小さくすることが
できる。
さらに、基板が載置される平板電極は、接地さ
れ、即ち、高周波電圧や直流電圧が印加されなの
で、その基板が載置される平板電極に加熱機構が
取り付け易く、また、ガスの種類の異なつた複数
の反応室を連結し、真空中で連続して多層膜を作
成する連続装置の場合に、基板が載置される平板
電極を移動するための移動機構が簡単となる。
れ、即ち、高周波電圧や直流電圧が印加されなの
で、その基板が載置される平板電極に加熱機構が
取り付け易く、また、ガスの種類の異なつた複数
の反応室を連結し、真空中で連続して多層膜を作
成する連続装置の場合に、基板が載置される平板
電極を移動するための移動機構が簡単となる。
請求項２によれば、上記効果に加えて、基板表
面にごみが付着しにくいという利点がある。
面にごみが付着しにくいという利点がある。
第１図は本考案による一実施例の構成を示した
正面断面図、第２図は本考案による他の一実施例
の構成を示した正面断面図、第３図は従来の平行
平板型プラズマCVD装置の構成を示した正面断
面図である。 １……ガス導入口、２……真空排気口、３……
反応室、４，４′……平板電極、５，５……基板
ホルダ、６，６′……電極間ギヤツプ、７，７′…
…放電防止シールド、８，８……基板、９，９′
……加熱ヒータ、１０……高周波電源。
正面断面図、第２図は本考案による他の一実施例
の構成を示した正面断面図、第３図は従来の平行
平板型プラズマCVD装置の構成を示した正面断
面図である。 １……ガス導入口、２……真空排気口、３……
反応室、４，４′……平板電極、５，５……基板
ホルダ、６，６′……電極間ギヤツプ、７，７′…
…放電防止シールド、８，８……基板、９，９′
……加熱ヒータ、１０……高周波電源。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 少なくとも１つの金属製の反応室を有し、該
反応室内に互いに対向する複数の電極を備え、
該複数の電極の内、接地される側の電極上に載
置した基板表面に薄膜を生成するプラズマ
CVD装置において、前記複数の電極が、第１
の平板電極と、該第１の平板電極の両側に対向
して配置される第２の平板電極とから成り、前
記第１又は第２の平板電極のどちらか一方に、
直流又は交流電流が印加され、他方が接地され
る関係にするとともに、前記接地される側の第
１又は第２の平板電極のいづれかが複数の前記
反応室間又は前記反応室と前記反応室外の間を
移動可能であることを特徴とするプラズマ
CVD装置。 (2) 前記第１又は第２の平板電極の電極面が鉛直
である請求項１記載のプラズマCVD装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988062572U JPH0351971Y2 (ja) | 1988-05-12 | 1988-05-12 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988062572U JPH0351971Y2 (ja) | 1988-05-12 | 1988-05-12 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01125530U JPH01125530U (ja) | 1989-08-28 |
| JPH0351971Y2 true JPH0351971Y2 (ja) | 1991-11-08 |
Family
ID=31288175
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1988062572U Expired JPH0351971Y2 (ja) | 1988-05-12 | 1988-05-12 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0351971Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4445111B2 (ja) * | 2000-09-12 | 2010-04-07 | 株式会社神戸製鋼所 | プラズマ表面処理装置 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5265184A (en) * | 1975-11-26 | 1977-05-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Eqipment for simultaneous sputtering at both surface |
| US4116806A (en) * | 1977-12-08 | 1978-09-26 | Battelle Development Corporation | Two-sided planar magnetron sputtering apparatus |
| JPS6034633B2 (ja) * | 1978-06-26 | 1985-08-09 | 株式会社日立製作所 | プラズマ気相反応装置 |
| JPS5527626A (en) * | 1978-08-17 | 1980-02-27 | Murata Manufacturing Co | Electronic part magazine container |
| JPS5559727A (en) * | 1978-10-27 | 1980-05-06 | Hitachi Ltd | Plasma deposition device |
| US4194962A (en) * | 1978-12-20 | 1980-03-25 | Advanced Coating Technology, Inc. | Cathode for sputtering |
| FR2463975A1 (fr) * | 1979-08-22 | 1981-02-27 | Onera (Off Nat Aerospatiale) | Procede et appareil pour la gravure chimique par voie seche des circuits integres |
| JPS5927212B2 (ja) * | 1979-09-25 | 1984-07-04 | 三菱電機株式会社 | プラズマ反応装置 |
| JPS5681923A (en) * | 1979-12-06 | 1981-07-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Manufacture of thin film |
| DD153497A3 (de) * | 1980-02-08 | 1982-01-13 | Georg Rudakoff | Verfahren und vorrichtung zum plasmaaetzen oder zur plasma cvd |
| JPS56114387A (en) * | 1980-02-13 | 1981-09-08 | Sanyo Electric Co Ltd | Manufacture of photovoltaic force element |
| US4400409A (en) * | 1980-05-19 | 1983-08-23 | Energy Conversion Devices, Inc. | Method of making p-doped silicon films |
| JPS5767020A (en) * | 1980-10-15 | 1982-04-23 | Agency Of Ind Science & Technol | Thin silicon film and its manufacture |
| JPS5778546A (en) * | 1980-11-05 | 1982-05-17 | Stanley Electric Co Ltd | Production of photoconductive silicon layer |
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-
1988
- 1988-05-12 JP JP1988062572U patent/JPH0351971Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01125530U (ja) | 1989-08-28 |
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