JPH0352008Y2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0352008Y2
JPH0352008Y2 JP16701186U JP16701186U JPH0352008Y2 JP H0352008 Y2 JPH0352008 Y2 JP H0352008Y2 JP 16701186 U JP16701186 U JP 16701186U JP 16701186 U JP16701186 U JP 16701186U JP H0352008 Y2 JPH0352008 Y2 JP H0352008Y2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
frame
metal
dielectric substrate
line
metal frame
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP16701186U
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS6372906U (en
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP16701186U priority Critical patent/JPH0352008Y2/ja
Publication of JPS6372906U publication Critical patent/JPS6372906U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JPH0352008Y2 publication Critical patent/JPH0352008Y2/ja
Expired legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Waveguides (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この考案は、増幅器、ミクサ、発振器等のマイ
クロ波装置を収容するパツケージの改良に関す
る。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] This invention relates to an improvement of a package that houses microwave devices such as amplifiers, mixers, and oscillators.

[従来の技術] 第4図は、例えば特公昭60−43022号公報等に
示された従来のマイクロ波装置用パツケージを示
す分解斜視図で、図において、1は金属製キヤリ
ア板、2は、この金属製キヤリア板1の上に戴置
された、マイクロ波装置を包囲する第1の誘電体
フレーム、3は、この第1の誘電体フレーム2の
上にスペーサとして積層された第2の誘電体フレ
ーム、4は保護板である金属製蓋板で、これらキ
ヤリア板1、誘電体フレーム2,3及び蓋板4
で、マイクロ波装置を収容する箱体を構成してい
る。5は入出力用金属膜、6はバイアス用金属膜
で、これらは、上記第1の誘電体フレーム2の表
面に配置されており、ワイヤボンデイング等によ
り上記マイクロ波装置の入出力端子及びバイアス
端子に接続される。
[Prior Art] Fig. 4 is an exploded perspective view showing a conventional package for a microwave device disclosed in, for example, Japanese Patent Publication No. 60-43022. In the figure, 1 is a metal carrier plate, 2 is a A first dielectric frame 3 surrounding the microwave device is placed on this metal carrier plate 1, and a second dielectric frame 3 is laminated as a spacer on this first dielectric frame 2. The body frame 4 is a metal cover plate which is a protection plate, and these carrier plate 1, dielectric frames 2 and 3 and cover plate 4 are
This constitutes a box that houses the microwave device. 5 is a metal film for input/output, and 6 is a metal film for bias. These are arranged on the surface of the first dielectric frame 2, and are connected to the input/output terminals and bias terminals of the microwave device by wire bonding or the like. connected to.

そこで、入出力用金属膜5からのマイクロ波入
力は、第1の誘電体フレーム2上に構成されたマ
イクロストリツプ線路及び第1の誘電体フレーム
2と第2誘電体フレーム3で構成されるトリプレ
ート線路を経て、マイクロ波装置の入力端子に伝
播する。
Therefore, the microwave input from the input/output metal film 5 is transmitted through the microstrip line formed on the first dielectric frame 2 and the first dielectric frame 2 and the second dielectric frame 3. The signal propagates to the input terminal of the microwave device via the triplate line.

また、マイクロ波装置の出力は、上記とは逆の
経路で入出力用金属膜5からパツケージ外に取り
出される。マイクロ波装置へのバイアスの印加
も、前記バイアス用金属膜6を通じて上記と同様
に行なわれる。
Further, the output of the microwave device is taken out of the package from the input/output metal film 5 through a path opposite to that described above. Application of bias to the microwave device is also performed in the same manner as described above through the bias metal film 6.

[考案が解決しようとする問題点] 上記構成のマイクロ波装置用パツケージでは、
入出力用金属膜の線路幅がマイクロストリツプ線
路及びトリプレート線路を構成する部分で均一で
あるため、マイクロストリツプ線路とトリプレー
ト線路の特性インピーダンスが異なり、マイクロ
ストリツプ線路とトリプレート線路の変換部分で
反射特性が劣化し、入力がマイクロ波装置に有効
に伝播しなくなるという問題点があつた。
[Problems to be solved by the invention] In the microwave device package with the above configuration,
Since the line width of the input/output metal film is uniform in the parts that constitute the microstrip line and the triplate line, the characteristic impedance of the microstrip line and the triplate line is different, and the microstrip line and the triplate line are different. There was a problem in that the reflection characteristics deteriorated in the conversion section of the plate line, and the input could no longer be effectively propagated to the microwave device.

この考案は、かかる問題点を解消するためにな
されたもので、従来のマイクロストリツプ線路
と、トリプレート線路の変換部分に相当する部分
の反射特性が良好で、入力をマイクロ波装置に有
効に供給できるマイクロ波装置用パツケージを得
ることを目的とする。
This idea was made to solve this problem, and the reflection characteristics of the conventional microstrip line and the part corresponding to the conversion part of the triplate line are good, and the input can be effectively transferred to microwave equipment. The purpose is to obtain a package for microwave equipment that can be supplied to

[問題点を解決するための手段] この考案に係るマイクロ波装置用パツケージ
は、金属製キヤリア板と、額縁状の第1の金属フ
レーム及びこの第1の金属フレームに対向し、こ
れより外形寸法が小さく内形寸法が大きい額縁状
の第2の金属フレームと、この第2の金属フレー
ムを覆う蓋体とを下から順次積み重ね、上記第1
の金属フレームの所定の個所の上面に枠辺の内外
に連なる上方開口の凹部を設け、この凹部に、上
面に線路構成用金属膜を設けた下層誘電体基板
と、この下層誘電体基板の一部で上記第2の金属
フレームに対向する部分を覆う上層誘電体基板と
からなる2層誘電体基板を配置し、上記線路構成
用金属膜の上記上層誘電体基板で覆われる部分の
線路幅をこれで覆われない部分の線路幅より狭く
し、さらに線路幅が変化する部分にテーパを設け
る構造とした。
[Means for Solving the Problems] A package for a microwave device according to the present invention includes a metal carrier plate, a frame-shaped first metal frame, and facing the first metal frame. A frame-shaped second metal frame with a small size and a large internal size and a lid body covering this second metal frame are stacked one after another from below, and the first metal frame is stacked one after another from below.
A recess with an upward opening is provided at a predetermined location on the upper surface of the metal frame, and a lower dielectric substrate having a metal film for forming a line on its upper surface and a portion of this lower dielectric substrate are formed in this recess. A two-layer dielectric substrate consisting of an upper dielectric substrate covering a portion facing the second metal frame is arranged at a portion thereof, and the line width of the portion of the line-constituting metal film covered with the upper dielectric substrate is determined. This makes the line width narrower than the uncovered portion, and a taper is provided at the portion where the line width changes.

[作用] この発明のマイクロ波装置用パツケージでは、
線路構成用金属膜、下層誘電体基板、上層誘電体
基板及びこれを囲む第1の金属フレーム、第2の
金属フレームにより方形同軸線路が、線路構成用
金属膜、下層誘電体基板、第1の金属フレームに
よりマイクロストリツプ線路が構成され、方形同
軸線路部分の線路幅をマイクロストリツプ線路部
分の線路幅に対して狭くしているので、方形同軸
線路とマイクロストリツプ線路の特性インピーダ
ンスの差が小さくなり、方形同軸線路、マイクロ
ストリツプ線路変換部分での反射特性が良好とな
り、入力は有効にマイクロ波装置へ伝播する。
[Function] In the microwave device package of the present invention,
A rectangular coaxial line is formed by a metal film for line construction, a lower dielectric substrate, an upper dielectric substrate, a first metal frame surrounding this, and a second metal frame. The microstrip line is made up of a metal frame, and the line width of the rectangular coaxial line part is narrower than the line width of the microstrip line part, so the characteristic impedance of the rectangular coaxial line and the microstrip line is The difference between the lines becomes smaller, the reflection characteristics at the rectangular coaxial line and the microstrip line conversion section become better, and the input is effectively propagated to the microwave device.

[実施例] 以下、この考案の一実施例を図について説明す
る。第1図はこの考案の一実施例を示す分解斜視
図、第2図は第1図の−断面図、第3図は2
層誘電体基板の分解斜視図である。
[Example] Hereinafter, an example of this invention will be described with reference to the drawings. Figure 1 is an exploded perspective view showing an embodiment of this invention, Figure 2 is a cross-sectional view of Figure 1, and Figure 3 is a cross-sectional view of Figure 1.
FIG. 2 is an exploded perspective view of a layered dielectric substrate.

第1図、第2図において、1は金属製キヤリア
板、4は金属製蓋板、7はマイクロ波装置を包囲
する額縁状の第1の金属フレーム、8はこの第1
の金属フレーム7より外形寸法が小さく内形寸法
が大きい額縁状の第2の金属フレーム、9,10
は、金属製キヤリア板1の上に置かれた額縁状の
第1の金属フレーム7の各辺中央箇所の表面に、
上方に開口して設けられた凹部、11は入出力用
下層誘電体基板、12は入出力用上層誘電体基板
で、これらは重ねられて、入出力用の2層誘電体
基板13を構成し、凹部9にそれぞれ配置されて
いる。14はバイアス用下層誘電体基板、15は
バイアス用上層誘電体基板で、これらは重ねられ
て、バイアス用の2層誘電体基板16を構成し、
凹部10にそれぞれ配置されている。このように
各凹部9,10に2層誘電体基板13,16が配
設された第1の金属フレーム7の上に額縁状の第
2の金属フレーム8が、そして、その上に蓋板4
が取り付けられている。
1 and 2, 1 is a metal carrier plate, 4 is a metal lid plate, 7 is a frame-shaped first metal frame surrounding the microwave device, and 8 is this first metal frame.
a frame-shaped second metal frame 9, 10 having a smaller outer dimension and larger inner dimension than the metal frame 7;
are placed on the surface of the frame-shaped first metal frame 7 placed on the metal carrier plate 1 at the center of each side,
11 is a lower dielectric substrate for input/output; 12 is an upper dielectric substrate for input/output; these are stacked to form a two-layer dielectric substrate 13 for input/output. , are arranged in the recess 9, respectively. 14 is a lower layer dielectric substrate for bias, 15 is an upper layer dielectric substrate for bias, and these are stacked to form a two-layer dielectric substrate 16 for bias,
They are arranged in the recesses 10, respectively. A frame-shaped second metal frame 8 is placed on the first metal frame 7 in which the two-layer dielectric substrates 13 and 16 are disposed in each of the recesses 9 and 10, and a lid plate 4 is placed on top of the first metal frame 7.
is installed.

第3図は2層誘電体基板13の分解斜視図で、
図において、17は上層誘電体基板12の上表面
に第2の金属フレーム8に対向するごとく設けら
れたフレーム取り付け用金属膜、18a,18b
は下層誘電体基板11の上表面に設けられたマイ
クロストリツプ線路構成用金属膜、19は方形同
軸線路構成用金属膜、20は下層誘電体基板11
の下面に設けられた裏面金属膜、21a,21b
はテーパである。
FIG. 3 is an exploded perspective view of the two-layer dielectric substrate 13.
In the figure, reference numeral 17 denotes frame attachment metal films 18a and 18b provided on the upper surface of the upper dielectric substrate 12 so as to face the second metal frame 8.
19 is a metal film for configuring a rectangular coaxial line provided on the upper surface of the lower dielectric substrate 11, 19 is a metal film for configuring a rectangular coaxial line, and 20 is a lower dielectric substrate 11.
Back metal films 21a and 21b provided on the lower surface of
is a taper.

マイクロストリツプ線路構成用金属膜18a,
18bと裏面金属膜20により下層誘電体基板1
1上にマイクロストリツプ線路が構成される。
又、方形同軸線路構成用金属膜19,下層誘電体
基板11、上層誘電体基板12、第1の金属フレ
ーム7、第2の金属フレーム8により方形同軸線
路が構成される。
Microstrip line configuration metal film 18a,
18b and the back metal film 20, the lower dielectric substrate 1
A microstrip line is constructed on 1.
Further, a rectangular coaxial line is constituted by the metal film 19 for forming the rectangular coaxial line, the lower dielectric substrate 11, the upper dielectric substrate 12, the first metal frame 7, and the second metal frame 8.

方形同軸線路構成用金属膜19の線路幅はマイ
クロストリツプ線路構成用金属膜18a,18b
の線路幅より狭くし、方形同軸線路とマイクロス
トリツプ線路の特性インピーダンスはそれぞれ
50Ωとするものとする。
The line width of the metal film 19 for forming a rectangular coaxial line is the same as that of the metal films 18a and 18b for forming a microstrip line.
The characteristic impedance of the rectangular coaxial line and the microstrip line are respectively
It shall be 50Ω.

又、上層誘電体基板12はその端面がテーパ部
分21a,21bに対向するように下層誘電体基
板11に重ねられる。
Further, the upper dielectric substrate 12 is stacked on the lower dielectric substrate 11 so that its end face faces the tapered portions 21a and 21b.

マイクロ波入力は、マイクロストリツプ線路構
成用金属膜18a,方形同軸線路構成用金属膜1
9、マイクロストリツプ線路構成用金属膜18b
を伝播し、マイクロ波装置へ供給される。
The microwave input is conducted through the metal film 18a for microstrip line configuration and the metal film 1 for rectangular coaxial line configuration.
9. Metal film 18b for microstrip line configuration
is propagated and supplied to the microwave device.

この際、マイクロストリツプ線路、方形同軸線
路の特性インピーダンスは、それぞれ50Ωとして
いるので、マイクロストリツプ線路、方形同軸線
路変換部分の反射特性は良好であり、マイクロ波
入力は有効にマイクロ波装置へ伝播する。
At this time, the characteristic impedance of the microstrip line and rectangular coaxial line are each 50Ω, so the reflection characteristics of the microstrip line and rectangular coaxial line conversion part are good, and the microwave input is effectively Propagate to the device.

又、上層誘電体基板12は、端面がテーパ21
a,21bに対向するように、下層誘電体基板1
1に重ねるので、上層誘電体基板12の取り付け
位置のズレによる特性バラツキは比較的小さい。
Further, the upper dielectric substrate 12 has a tapered end surface 21.
a, 21b, the lower dielectric substrate 1
1, variations in characteristics due to misalignment of the mounting position of the upper dielectric substrate 12 are relatively small.

なお、上記実施例では、2層誘電体基板を4個
設ける場合について説明したが、この個数はこれ
に限らず何個であつてもよい。
In the above embodiment, the case where four two-layer dielectric substrates are provided has been described, but the number is not limited to this and may be any number.

[考案の効果] 以上のように、この考案のマイクロ波装置用パ
ツケージは、入出力用金属膜で方形同軸線路を構
成する部分の線路幅をマイクロストリツプ線路を
構成する部分の線路幅に対して狭くしているの
で、マイクロストリツプ線路と方形同軸線路の特
性インピーダンスの差が小さくなり、マイクロス
トリツプ線路、方形同軸線路変換部分の反射特性
が良好となり入力を有効にマイクロ波装置へ供給
できる効果がある。又、方形同軸線路以外を金属
で覆つているので、マイクロ波装置からパツケー
ジ外へのマイクロ波の放射を遮断できる効果があ
る。
[Effects of the invention] As described above, in the package for microwave equipment of this invention, the line width of the part forming the rectangular coaxial line with the input/output metal film is equal to the line width of the part forming the microstrip line. Since it is narrower than the other hand, the difference in characteristic impedance between the microstrip line and the rectangular coaxial line is small, and the reflection characteristics of the microstrip line and rectangular coaxial line conversion part are good, making the input effective for microwave equipment. It has the effect of supplying Furthermore, since the parts other than the rectangular coaxial line are covered with metal, there is an effect of blocking microwave radiation from the microwave device to the outside of the package.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図はこの考案の一実施例を示す分解斜視
図、第2図は第1図の−断面図、第3図は2
層誘電体基板を示す分解斜視図、第4図は従来の
マイクロ波装置用パツケージを示す分解斜視図で
ある。 図において、1は金属製キヤリア板、4は金属
製蓋板、7は第1の金属フレーム、8は第2の金
属フレーム、9,10は凹部、11,14は下層
誘電体基板、12,15は上層誘電体基板、1
3,16は2層誘電体基板、17はフレーム取り
付け用金属膜、18a,18bはマイクロストリ
ツプ線路構成用金属膜、19は方形同軸線路構成
用金属膜、20は裏面金属膜、21a,21bは
テーパである。なお、図中同一符号は同一或は相
当部分を示す。
Figure 1 is an exploded perspective view showing one embodiment of this invention, Figure 2 is a cross-sectional view of Figure 1, and Figure 3 is a cross-sectional view of Figure 1.
FIG. 4 is an exploded perspective view showing a layered dielectric substrate, and FIG. 4 is an exploded perspective view showing a conventional package for a microwave device. In the figure, 1 is a metal carrier plate, 4 is a metal lid plate, 7 is a first metal frame, 8 is a second metal frame, 9 and 10 are recesses, 11 and 14 are lower dielectric substrates, 12, 15 is an upper dielectric substrate, 1
3 and 16 are two-layer dielectric substrates, 17 is a metal film for frame attachment, 18a and 18b are metal films for configuring a microstrip line, 19 is a metal film for configuring a rectangular coaxial line, 20 is a back metal film, 21a, 21b is a taper. Note that the same reference numerals in the figures indicate the same or corresponding parts.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 金属製キヤリア板と、この金属製キヤリア板上
に戴置される額縁状のフレーム体と、このフレー
ム体を覆う金属製蓋板とで構成され、これらキヤ
リア板、フレーム体及び蓋板により形成される箱
体内にマイクロ波装置を収容するマイクロ波装置
用パツケージにおいて、上記キヤリア板と、上記
フレーム体としての、額縁状の第1の金属フレー
ム及びこの第1の金属フレームに対向し、これよ
り外形寸法が小さく内形寸法が大きい額縁状の第
2の金属フレームと、この第2の金属フレームを
覆う上記蓋板とを下から順次積み重ね、上記第1
の金属フレームの所定の個所の上面に枠辺の内外
に連なる上方開口の凹部を設け、この凹部に、上
面に線路構成用金属膜を設けた下層誘電体基板
と、この下層誘電体基板の一部で上記第2の金属
フレームに対向する部分を覆う上層誘電体基板と
からなる2層誘電体基板を配置し、上記線路構成
用金属膜の上記上層誘電体基板で覆われる部分の
線路幅をこれで覆われない部分の線路幅より狭く
し、さらに線路幅が変化する部分にテーパを設け
たことを特徴とするマイクロ波装置用パツケー
ジ。
It is composed of a metal carrier plate, a frame-like frame body placed on the metal carrier plate, and a metal lid plate that covers this frame body, and is formed by these carrier plate, frame body, and lid plate. In a package for a microwave device that houses a microwave device in a box body, the carrier plate, a frame-shaped first metal frame serving as the frame body, and a first metal frame opposite to the first metal frame, A frame-shaped second metal frame with small dimensions and a large internal dimension and the lid plate that covers this second metal frame are stacked one after another from the bottom, and the first
A recess with an upward opening is provided at a predetermined location on the upper surface of the metal frame, and a lower dielectric substrate having a metal film for forming a line on its upper surface and a portion of this lower dielectric substrate are formed in this recess. A two-layer dielectric substrate consisting of an upper dielectric substrate covering a portion facing the second metal frame is arranged at a portion thereof, and the line width of the portion of the line-constituting metal film covered with the upper dielectric substrate is determined. A package for a microwave device characterized in that the line width is narrower than the line width of the part not covered by this, and a taper is provided at the part where the line width changes.
JP16701186U 1986-10-30 1986-10-30 Expired JPH0352008Y2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16701186U JPH0352008Y2 (en) 1986-10-30 1986-10-30

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16701186U JPH0352008Y2 (en) 1986-10-30 1986-10-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6372906U JPS6372906U (en) 1988-05-16
JPH0352008Y2 true JPH0352008Y2 (en) 1991-11-11

Family

ID=31098537

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP16701186U Expired JPH0352008Y2 (en) 1986-10-30 1986-10-30

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0352008Y2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009030734A (en) * 2007-07-27 2009-02-12 Hoya Corp Mounting member

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009030734A (en) * 2007-07-27 2009-02-12 Hoya Corp Mounting member

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6372906U (en) 1988-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4259684A (en) Packages for microwave integrated circuits
US4513266A (en) Microwave ground shield structure
EP0157505B1 (en) High-frequency semiconductor device
JPH08139504A (en) Waveguide and plane line converter
WO2022267163A1 (en) Filter radio frequency module packaging structure and method for manufacturing same
JPH02280502A (en) Vhf integrated circuit package
JPH0352008Y2 (en)
EP0001890B1 (en) Improvements in or relating to microwave integrated circuit packages
JPH0619201Y2 (en) Package for microwave equipment
JPH08162810A (en) Strip line waveguide conversion circuit
JPH0982826A (en) Package for encapsulating semiconductor element and mounting structure of circuit device using the same
JPS61142803A (en) Integrated circuit
JPH0821642B2 (en) Package for high frequency devices
JPH087681Y2 (en) Microwave semiconductor package
JPH0720919Y2 (en) Package for microwave integrated circuit
JP3600729B2 (en) High frequency circuit package
JP2534447Y2 (en) Microwave semiconductor package
JP2566295Y2 (en) Printed circuit board wiring structure
JPH01129502A (en) Packing structure for microwave integrated circuit
JPS63200545A (en) High frequency hybrid integrated circuit
JPH06216613A (en) Microwave coupling line
JPS6339977Y2 (en)
JPS6372907U (en)
JPH01165203A (en) Passive circuit device for microwave integrated circuit
JPS6336605A (en) High frequency amplifier module