JPH0352011A - 関連した制御回路を持つ電力装置を含む集積回路の電源を横切った負の過電圧に対する保護回路 - Google Patents
関連した制御回路を持つ電力装置を含む集積回路の電源を横切った負の過電圧に対する保護回路Info
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- JPH0352011A JPH0352011A JP2183848A JP18384890A JPH0352011A JP H0352011 A JPH0352011 A JP H0352011A JP 2183848 A JP2183848 A JP 2183848A JP 18384890 A JP18384890 A JP 18384890A JP H0352011 A JPH0352011 A JP H0352011A
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- Japan
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- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 5
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
- H02H9/00—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection
- H02H9/04—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage
- H02H9/045—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage adapted to a particular application and not provided for elsewhere
- H02H9/047—Free-wheeling circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
- H02H9/00—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection
- H02H9/04—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage
Landscapes
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、関連した制御回路を持つ電力装置を含む集積
回路の電源を横切った負の過電圧に対する保護回路に関
する． 各種の型式の負荷を駆動するための電力装置は関連した
制御回路と一緒に使用されることは公知である．もしも
それが、電動車の応用において使用される電力装置の場
合のように、誘導負荷であるとすると、その電力装置の
カットオフは、通常ではツエナダイオードのような適当
な制限装置によって吸収されるその電力装置自体を横切
った正の過電圧を決定する．しかしながら、電力装置を
横切ったかかる正の過電圧は、電線、例えば電動車両の
バッテリを横切った負の過電圧と組合わされる．かかる
場合、もしもその電力装置と関連した制御回路が集積回
路の形態において構威されているとすると、電力装置の
コレクタと電源との間に形威される寄生トランジスタは
焼失することになる。
回路の電源を横切った負の過電圧に対する保護回路に関
する． 各種の型式の負荷を駆動するための電力装置は関連した
制御回路と一緒に使用されることは公知である．もしも
それが、電動車の応用において使用される電力装置の場
合のように、誘導負荷であるとすると、その電力装置の
カットオフは、通常ではツエナダイオードのような適当
な制限装置によって吸収されるその電力装置自体を横切
った正の過電圧を決定する．しかしながら、電力装置を
横切ったかかる正の過電圧は、電線、例えば電動車両の
バッテリを横切った負の過電圧と組合わされる．かかる
場合、もしもその電力装置と関連した制御回路が集積回
路の形態において構威されているとすると、電力装置の
コレクタと電源との間に形威される寄生トランジスタは
焼失することになる。
本発明の目的は、かかる負の過電圧による障害に対する
適当な保護を集積回路に与えることにある． 本発明によると、かかる目的は、電源を横切った負の過
電圧を感知して、電力装置を横切って印加される電圧の
リミッタを使用可能にするためのスイッチを備えている
ことを特徴とする保護回路でもって達成される． この構成において、電力装置を横切った正の過電圧は、
その正の過電圧が電源を横切った負の過電圧と組合わさ
れるときに、適当に制限されるので、既に述べたように
、その集積回路に形成されている寄生トランジスタは保
護されることになる． 本発明の特長は、添付図面において限定的ではない例と
して示されている実施例についての以下の詳細な記載か
ら一層明瞭になろう．第１図において、負荷Ｌは、電力
装置Ｐによって駆動され、この電力装置Ｐは、電圧ｖ６
を供給されるダーリントン構成のそれぞれ２つのトラン
ジスタＴＩ及びＴ２を含み、そしてトランジスタＴ３に
より駆動される．そしてそのベースが入力信号Ｉｎを受
信する駆動増幅器Ａｌにより構成された制御回路の出力
に接続されている．トランジスタＴ３のコレクタは、回
路ノードＤに接続され、更に増幅器ＡＩの電源に接続さ
れ、そして抵抗Ｒｄによって電源ｖｂに通じている．一
方、トランジスタＴ３のエミッタはトランジスタＴ１の
べ一スに接続されている．抵抗Ｒ４は、トランジスタＴ
２のベースをトランジスタＴ２のエミッタに接続し、且
つアースに接続している。電力装置はトランジスタＴ１
のコレクタとベースとの間で、トランジスタＴ４を含む
電圧リミッタが連動されていて、トランジスタＴ４は、
回路ノードＣＬに接続され、更にトランジスタＴＩのベ
ースに接続したコレクタと、トランジスタ７１のベース
に接続された工旦ツタと、そして一方では、直列接続さ
れた抵抗器Ｒ２及びＲｌを通りトランジスタＴ１のコレ
クタに接続され、他方において、抵抗器Ｒ２とＲｌの中
間ノードは、クランプツエナダイオードｚ１を通りトラ
ンジスタＴ４を作動し妨げるのに適したバイポーラトラ
ンジスタＴ６のコレクタに接続されている．前記トラン
ジスタ↑６のエミッタは接地され、そのベースは抵抗器
Ｒ３を通して回路ノードＤに接続されている． 第１図の回路を集積回路の形態において実施すると、そ
こには、周知のように、トランジスタＴ４のコレクタに
接続されたコレクタと、接地されたベースと、回路ノー
ドＤに接続された工旦ツタとを持つ寄生トランジスタＴ
ｘが形威される． トランジスタＴ４は、第２図に示されているように、負
荷を横切った電圧を減少する目的で、２つのダーリント
ン構成のトランジスタＴ９及びＴＩＯでもって置き換え
ることができる．第１図及び第２図の回路は、第３図に
例示されているように、ダーリントン構戒の電力装置内
に直接集積したクランブツエナダイオードＺ２の導入に
よって変更可能である．この場合、ツエナダイオードＺ
ｌは存在していない．また、トランジスタＴ４及びＴ６
は、ＮＰＮダーリントン構成で置き換えても良い． 主としてトランジスタＴ４及びＴ６によって構成されて
いる本発明による保護回路は、第３図の回路から出発し
て得られた第４図の更に他の例において見られるように
、いずれのクランプ回路に対して適用可能である．第４
図において、ダーリントン構成の電力回路からツエナダ
イオ一ドｚ２を除き、そしてトランジスタＴ１のベース
と、直列抵抗器Ｒｌｌ． Ｒ１２間の中間ノードとの間
にツエナダイオードｚ７を導入している．第５図はＭＯ
Ｓ技術による実施例を示している．特に、増幅器Ａ１に
よって駆動されるゲートと、接地されているソースと、
ノードＣＬにおいて負荷Ｌに接続されたドレインとを持
つＭＯＳ ｝ランジスタＴｌｌを有する電力装直が示さ
れている．直列接続されている２つのツエナダイオード
ｚ３及びｚ４はトランジスタＴｌｌと並列に設けられて
いて、特に、ｚ３はトランジスタＴｌｌのドレインを対
応するゲートに接続し、ｚ４は、一方では、トランジス
タＴｌｌのゲートに接続され、他端を接地されている．
電力装置つまりトランジスタＴｌｌのゲートには、電圧
リミッタの１部を形威しそして前記電力装置Ｔｌｌと共
通にしたドレインを持つＭｏＳトランジスタＴ１４のソ
ースが接続されている．トランジスタＴ１４のソースと
ゲートとの間にはツエナダイオード２１５が設けられ、
更に、そのゲートとドレインとは抵抗器Ｒ５を通して互
いに接続されている。トランジスタＴ１４のゲートは、
スイッチング機能を有するＭＯＳ型トランジスタＴ６の
ドレインに接続されている．トランジスタＴ６のソース
は接地され、そのゲートは直列接続されている抵抗器Ｒ
３及びＲｄを通り電源ｖｂに接続されている．トランジ
スタ↑６のゲートには、その他端が接地されているツエ
ナダイオードｚ６が接続されている．寄生トランジスタ
Ｔｘは、トランジスタ↑ｌ４のドレインに接続された５
レクタと、抵抗器ＲｄとＲ３との中間ノードに接続され
た工ξツタと、接地されたベースとを持っている． さて第１図を参照すると、その保護回路は以下のように
動作する．電線電圧ｖｂが正の場合、ドランジスタＴ６
はそのベースを能動化する抵抗Ｒ３を通して飽和された
状態に保たれる。かくして、トランジスタＴ６のコレク
タは電圧Ｖａｓｔにあり、これが非常に低い電圧にある
ので、Ｔ４は非導通状態に置かれる．結果的に、入力Ｉ
ｎ上における制御回路によって制御される電力装置のカ
ットオフに一致して、ノードＣＬには、ツエナダイオー
ドＺＬ抵抗器Ｒｌ． Ｒ２及びダーリントン・トランジ
スタＴＩ， Ｔ２によってセットした正の過電圧が確立
される．かかる状Ｊｌｌ（ダーリントンがオフ）におい
て、もしも負の過電圧ｖｂがあると、それが抵抗器Ｒ３
を通しての供電がないために、トランジスタ丁６をカッ
トオフする．トランジスタＴ４は、そのベースが直列抵
抗器Ｒ１及びＲ２によってノードＣＬに接続されている
ので、導通状態に入る．そこで、Ｔ４のエミッタが出力
ダーリントンＴ１及びＴ２をオンに切り換えて、それ自
体のコレクタ電圧つまりノードＣＬを横切った電圧を制
限する．この様に、そのエミッタが電源電圧ｖｂに接続
されていて、負の過電圧を受け、そのコレクタがノード
ＣＬに接続されている寄生トランジスタＴＸを通った電
流、結果的には電力の消散が制限される．従ってトラン
ジスタＴｘは必要である． ノードＣＬでの負荷を横切った電圧についての一層の低
下は、第２図に例示されているように、トランジスタＴ
４をダーリントン構或における２つのトランジスタＴ９
及びＴＩＯでもって置き換えることによって達成される
． 仮りにトランジスタＴ４が欠けているときでのその機能
はクランブツエナダイオードＺｌによって実行される． 第３図に例示されているように、ツェナダイオードｚ２
をダーリントン構ｔｃＴＩ及びＴ２内にじかに集積して
も達威される． 電圧制御回路を第４図に例示しているように変更しても
良い．かかる変形では、抵抗器Ｒｌ２が接地され、そし
て抵抗器Ｒ５がトランジスタＴ４のコレクタとベースと
の間に導入されている．前に記述された動作は、第５図
に例示されているように、ＨＯＳ技術でもって構威され
た場合においても適用可能である．特に、実線に正の電
圧がある場合、ノードＣＬにおける負荷を横切った電圧
はツエナダイオードＺ３によってのみ決定される．負の
電圧がバッテリを横切ってある場合、トランジスタＴ６
及びＴｌｌは非導通状態にある．ノードＣＬにおける負
荷を横切った電圧は急激に上昇して、抵抗器Ｒ５を通し
てトランジスタＴ１４をトリガーし、それにより、トラ
ンジスタＴｌｌのゲートを能動化し導通させて、それ自
体のドレイン電圧を制限する．この欅にして、ノードＣ
Ｌにおける負荷を横切った電圧が制限される．
適当な保護を集積回路に与えることにある． 本発明によると、かかる目的は、電源を横切った負の過
電圧を感知して、電力装置を横切って印加される電圧の
リミッタを使用可能にするためのスイッチを備えている
ことを特徴とする保護回路でもって達成される． この構成において、電力装置を横切った正の過電圧は、
その正の過電圧が電源を横切った負の過電圧と組合わさ
れるときに、適当に制限されるので、既に述べたように
、その集積回路に形成されている寄生トランジスタは保
護されることになる． 本発明の特長は、添付図面において限定的ではない例と
して示されている実施例についての以下の詳細な記載か
ら一層明瞭になろう．第１図において、負荷Ｌは、電力
装置Ｐによって駆動され、この電力装置Ｐは、電圧ｖ６
を供給されるダーリントン構成のそれぞれ２つのトラン
ジスタＴＩ及びＴ２を含み、そしてトランジスタＴ３に
より駆動される．そしてそのベースが入力信号Ｉｎを受
信する駆動増幅器Ａｌにより構成された制御回路の出力
に接続されている．トランジスタＴ３のコレクタは、回
路ノードＤに接続され、更に増幅器ＡＩの電源に接続さ
れ、そして抵抗Ｒｄによって電源ｖｂに通じている．一
方、トランジスタＴ３のエミッタはトランジスタＴ１の
べ一スに接続されている．抵抗Ｒ４は、トランジスタＴ
２のベースをトランジスタＴ２のエミッタに接続し、且
つアースに接続している。電力装置はトランジスタＴ１
のコレクタとベースとの間で、トランジスタＴ４を含む
電圧リミッタが連動されていて、トランジスタＴ４は、
回路ノードＣＬに接続され、更にトランジスタＴＩのベ
ースに接続したコレクタと、トランジスタ７１のベース
に接続された工旦ツタと、そして一方では、直列接続さ
れた抵抗器Ｒ２及びＲｌを通りトランジスタＴ１のコレ
クタに接続され、他方において、抵抗器Ｒ２とＲｌの中
間ノードは、クランプツエナダイオードｚ１を通りトラ
ンジスタＴ４を作動し妨げるのに適したバイポーラトラ
ンジスタＴ６のコレクタに接続されている．前記トラン
ジスタ↑６のエミッタは接地され、そのベースは抵抗器
Ｒ３を通して回路ノードＤに接続されている． 第１図の回路を集積回路の形態において実施すると、そ
こには、周知のように、トランジスタＴ４のコレクタに
接続されたコレクタと、接地されたベースと、回路ノー
ドＤに接続された工旦ツタとを持つ寄生トランジスタＴ
ｘが形威される． トランジスタＴ４は、第２図に示されているように、負
荷を横切った電圧を減少する目的で、２つのダーリント
ン構成のトランジスタＴ９及びＴＩＯでもって置き換え
ることができる．第１図及び第２図の回路は、第３図に
例示されているように、ダーリントン構戒の電力装置内
に直接集積したクランブツエナダイオードＺ２の導入に
よって変更可能である．この場合、ツエナダイオードＺ
ｌは存在していない．また、トランジスタＴ４及びＴ６
は、ＮＰＮダーリントン構成で置き換えても良い． 主としてトランジスタＴ４及びＴ６によって構成されて
いる本発明による保護回路は、第３図の回路から出発し
て得られた第４図の更に他の例において見られるように
、いずれのクランプ回路に対して適用可能である．第４
図において、ダーリントン構成の電力回路からツエナダ
イオ一ドｚ２を除き、そしてトランジスタＴ１のベース
と、直列抵抗器Ｒｌｌ． Ｒ１２間の中間ノードとの間
にツエナダイオードｚ７を導入している．第５図はＭＯ
Ｓ技術による実施例を示している．特に、増幅器Ａ１に
よって駆動されるゲートと、接地されているソースと、
ノードＣＬにおいて負荷Ｌに接続されたドレインとを持
つＭＯＳ ｝ランジスタＴｌｌを有する電力装直が示さ
れている．直列接続されている２つのツエナダイオード
ｚ３及びｚ４はトランジスタＴｌｌと並列に設けられて
いて、特に、ｚ３はトランジスタＴｌｌのドレインを対
応するゲートに接続し、ｚ４は、一方では、トランジス
タＴｌｌのゲートに接続され、他端を接地されている．
電力装置つまりトランジスタＴｌｌのゲートには、電圧
リミッタの１部を形威しそして前記電力装置Ｔｌｌと共
通にしたドレインを持つＭｏＳトランジスタＴ１４のソ
ースが接続されている．トランジスタＴ１４のソースと
ゲートとの間にはツエナダイオード２１５が設けられ、
更に、そのゲートとドレインとは抵抗器Ｒ５を通して互
いに接続されている。トランジスタＴ１４のゲートは、
スイッチング機能を有するＭＯＳ型トランジスタＴ６の
ドレインに接続されている．トランジスタＴ６のソース
は接地され、そのゲートは直列接続されている抵抗器Ｒ
３及びＲｄを通り電源ｖｂに接続されている．トランジ
スタ↑６のゲートには、その他端が接地されているツエ
ナダイオードｚ６が接続されている．寄生トランジスタ
Ｔｘは、トランジスタ↑ｌ４のドレインに接続された５
レクタと、抵抗器ＲｄとＲ３との中間ノードに接続され
た工ξツタと、接地されたベースとを持っている． さて第１図を参照すると、その保護回路は以下のように
動作する．電線電圧ｖｂが正の場合、ドランジスタＴ６
はそのベースを能動化する抵抗Ｒ３を通して飽和された
状態に保たれる。かくして、トランジスタＴ６のコレク
タは電圧Ｖａｓｔにあり、これが非常に低い電圧にある
ので、Ｔ４は非導通状態に置かれる．結果的に、入力Ｉ
ｎ上における制御回路によって制御される電力装置のカ
ットオフに一致して、ノードＣＬには、ツエナダイオー
ドＺＬ抵抗器Ｒｌ． Ｒ２及びダーリントン・トランジ
スタＴＩ， Ｔ２によってセットした正の過電圧が確立
される．かかる状Ｊｌｌ（ダーリントンがオフ）におい
て、もしも負の過電圧ｖｂがあると、それが抵抗器Ｒ３
を通しての供電がないために、トランジスタ丁６をカッ
トオフする．トランジスタＴ４は、そのベースが直列抵
抗器Ｒ１及びＲ２によってノードＣＬに接続されている
ので、導通状態に入る．そこで、Ｔ４のエミッタが出力
ダーリントンＴ１及びＴ２をオンに切り換えて、それ自
体のコレクタ電圧つまりノードＣＬを横切った電圧を制
限する．この様に、そのエミッタが電源電圧ｖｂに接続
されていて、負の過電圧を受け、そのコレクタがノード
ＣＬに接続されている寄生トランジスタＴＸを通った電
流、結果的には電力の消散が制限される．従ってトラン
ジスタＴｘは必要である． ノードＣＬでの負荷を横切った電圧についての一層の低
下は、第２図に例示されているように、トランジスタＴ
４をダーリントン構或における２つのトランジスタＴ９
及びＴＩＯでもって置き換えることによって達成される
． 仮りにトランジスタＴ４が欠けているときでのその機能
はクランブツエナダイオードＺｌによって実行される． 第３図に例示されているように、ツェナダイオードｚ２
をダーリントン構ｔｃＴＩ及びＴ２内にじかに集積して
も達威される． 電圧制御回路を第４図に例示しているように変更しても
良い．かかる変形では、抵抗器Ｒｌ２が接地され、そし
て抵抗器Ｒ５がトランジスタＴ４のコレクタとベースと
の間に導入されている．前に記述された動作は、第５図
に例示されているように、ＨＯＳ技術でもって構威され
た場合においても適用可能である．特に、実線に正の電
圧がある場合、ノードＣＬにおける負荷を横切った電圧
はツエナダイオードＺ３によってのみ決定される．負の
電圧がバッテリを横切ってある場合、トランジスタＴ６
及びＴｌｌは非導通状態にある．ノードＣＬにおける負
荷を横切った電圧は急激に上昇して、抵抗器Ｒ５を通し
てトランジスタＴ１４をトリガーし、それにより、トラ
ンジスタＴｌｌのゲートを能動化し導通させて、それ自
体のドレイン電圧を制限する．この欅にして、ノードＣ
Ｌにおける負荷を横切った電圧が制限される．
第２図は、第１図と同じ回路であって、特に、リミッタ
がダーリントン構或によって構戒されている例を示す回
路図である。 第３図は、第１図の回路の変更例回路図である． 第４図は、第３図と同じ回路であって、特に、電圧制御
回路を変更した例を示す回路図である。 第５図は、第１図の回路をＭＯＳ技術により構成した例
を示す回路図である． Ａ１・・・制御回路 Ｌ・・・負荷 Ｔ１〜Ｔ４． Ｔ６． Ｔ９〜Ｔｌｌ． Ｔ１４・・・
トランジスタＺｌ， Ｚ２・・・ツエナダイオード
がダーリントン構或によって構戒されている例を示す回
路図である。 第３図は、第１図の回路の変更例回路図である． 第４図は、第３図と同じ回路であって、特に、電圧制御
回路を変更した例を示す回路図である。 第５図は、第１図の回路をＭＯＳ技術により構成した例
を示す回路図である． Ａ１・・・制御回路 Ｌ・・・負荷 Ｔ１〜Ｔ４． Ｔ６． Ｔ９〜Ｔｌｌ． Ｔ１４・・・
トランジスタＺｌ， Ｚ２・・・ツエナダイオード
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、関連した制御回路（Ａ１）を持つ電力装置（Ｔ１、
Ｔ２；Ｔ１１）を含む集積回路の電源を横切った負の過
電圧に対する保護回路において、電源を横切った負の電
圧に感知して、電力装置（Ｔ１、Ｔ２；Ｔ１１）を横切
って印加される電圧のリミッタ（Ｔ４、Ｚ１；Ｔ１４）
を使用可能にするのに適したスイッチ（Ｔ６）を備えて
いることを特徴とする保護回路。 ２、前記スイッチ（Ｔ６）が、そのベースを電源に接続
されているトランジスタによって達成されることを特徴
とする請求項１記載の保護回路。 ３、前記電力装置（Ｔ１、Ｔ２；Ｔ１１）を横切って印
加される電圧のリミッタ（Ｔ４、Ｚ１；Ｔ１４）が前記
スイッチ（Ｔ６）により制御されるトランジスタ（Ｔ４
；Ｔ１４）を持ち、前記トランジスタ（Ｔ４；Ｔ１４）
が前記電力装置（Ｔ１、Ｔ２；Ｔ１１）の導通を制御す
るのに使用されることを特徴とする請求項１記載の保護
回路。 ４、前記電圧リミッタ・トランジスタ（Ｔ４）がダーリ
ントン構成（Ｔ９、Ｔ１０）において達成されることを
特徴とする請求項１記載の保護回路。 ５、前記電圧リミッタ（Ｔ４、Ｚ１）が、負荷（Ｌ）と
、前記電力装置（Ｔ１、Ｔ２；Ｔ１１）の制御端子の１
つとの間に介在されたツェナダイオード（Ｚ１）により
構成されていることを特徴とする請求項１記載の保護回
路。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| IT8921150A IT1230326B (it) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | Circuito di protezione contro le sovratensioni negative sull'alimentazione per circuito integrato comprendente un dispositivo di potenza con relativo circuito di controllo. |
| IT21150A/89 | 1989-07-11 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0352011A true JPH0352011A (ja) | 1991-03-06 |
Family
ID=11177486
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2183848A Pending JPH0352011A (ja) | 1989-07-11 | 1990-07-11 | 関連した制御回路を持つ電力装置を含む集積回路の電源を横切った負の過電圧に対する保護回路 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0408124B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0352011A (ja) |
| KR (1) | KR100195527B1 (ja) |
| DE (1) | DE69012898T2 (ja) |
| IT (1) | IT1230326B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020094270A (ko) * | 2001-06-08 | 2002-12-18 | 조윤구 | 생크부 몰딩 드릴 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2707397B1 (fr) * | 1993-07-05 | 1995-08-11 | Itt Composants Instr | Dispositif électronique de protection, notamment pour la protection d'un ohmmètre. |
| DE4439967B4 (de) * | 1994-11-09 | 2004-02-19 | Continental Teves Ag & Co. Ohg | Schaltungsanordnung zum Schutz vor energiereichen Überspannungen |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3276091D1 (en) * | 1981-12-24 | 1987-05-21 | Nippon Denso Co | Semiconductor device including overvoltage protection diode |
| US4471237A (en) * | 1982-08-13 | 1984-09-11 | Rca Corporation | Output protection circuit for preventing a reverse current |
| US4499673A (en) * | 1983-03-07 | 1985-02-19 | Ford Motor Company | Reverse voltage clamp circuit |
| US4808839A (en) * | 1988-04-04 | 1989-02-28 | Motorola, Inc. | Power field effect transistor driver circuit for protection from overvoltages |
-
1989
- 1989-07-11 IT IT8921150A patent/IT1230326B/it active
-
1990
- 1990-07-05 EP EP90201804A patent/EP0408124B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-07-05 DE DE69012898T patent/DE69012898T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-07-10 KR KR1019900010375A patent/KR100195527B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1990-07-11 JP JP2183848A patent/JPH0352011A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020094270A (ko) * | 2001-06-08 | 2002-12-18 | 조윤구 | 생크부 몰딩 드릴 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100195527B1 (ko) | 1999-06-15 |
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