JPH0352221A - レジスト処理方法 - Google Patents
レジスト処理方法Info
- Publication number
- JPH0352221A JPH0352221A JP18850589A JP18850589A JPH0352221A JP H0352221 A JPH0352221 A JP H0352221A JP 18850589 A JP18850589 A JP 18850589A JP 18850589 A JP18850589 A JP 18850589A JP H0352221 A JPH0352221 A JP H0352221A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- resist
- gas
- ozone
- peripheral part
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
見艶卑且煎
（産業上の利用分野〉
本発明は，レジスト処理方法に関するものである．
（従来の技術）
レジスト処理における主な工程には、レジスト塗布と現
像工程を挙げることができる。このうちレジスト塗布工
程には、スピンコーティング方式が多く採用されており
，この方式は，ウェハをコ一ターカップ内に設けたスピ
ンチャック上に吸着固定し、ウェハを高速回転させなが
らレジストを滴下してスピンコーティングすることによ
りウェハの表面に均一にレジストを塗布するようにした
ものである． この工稈の後に，ベーキング，露光，現像、エッチング
，不純物注入、レジスト剥離等の工稈が繰り返されてウ
ェハが完成する．この工程において、ウェハをキャリア
に搬出入したり、次工程にロード・アンロードする際に
、例えば、機械的接触等によりウェハの外周部に塗布し
たレジスト膜が、剥離して微小なレジスト粉が発生し、
このレジスト粉がウェハのＩＣチップ面に付着し、ＩＣ
チップの収率の低下の原因となる． 従来のレジスト周辺部のレジスト処理方法は、露光処理
（特開昭５８−１５９５３５号公報、特開昭５９−１５
８５２０号公報）或いは溶剤処理（特開昭５８−９１６
３７号公報、特開昭５８−１９１４３４号公報）が知ら
れている．（発明が解決しようとする課題） 然し乍ら，上記の従来例によると，前者の場合は，レジ
スト塗布直後に露光して現像液に可溶な状態にした後に
、ベーク工程、露光工程並びに現像工程を経るため，そ
の工程間において，可溶な状態のレジスト周辺部のレジ
ストが剥がれて塵が発生する等の問題がある． また、後者の場合は、レジスト剥離用溶剤の管理を十分
に行なわないと、ウェハ表面のレジスト膜も溶解してし
まう欠点があった， 本発明は、上記の従来の課題に鑑み、ウェハ周辺部のレ
ジストを露光処理や溶剤処理に依らずに反応ガスの噴射
によりレジストを除去する方法を提供することを目的と
したものである。
像工程を挙げることができる。このうちレジスト塗布工
程には、スピンコーティング方式が多く採用されており
，この方式は，ウェハをコ一ターカップ内に設けたスピ
ンチャック上に吸着固定し、ウェハを高速回転させなが
らレジストを滴下してスピンコーティングすることによ
りウェハの表面に均一にレジストを塗布するようにした
ものである． この工稈の後に，ベーキング，露光，現像、エッチング
，不純物注入、レジスト剥離等の工稈が繰り返されてウ
ェハが完成する．この工程において、ウェハをキャリア
に搬出入したり、次工程にロード・アンロードする際に
、例えば、機械的接触等によりウェハの外周部に塗布し
たレジスト膜が、剥離して微小なレジスト粉が発生し、
このレジスト粉がウェハのＩＣチップ面に付着し、ＩＣ
チップの収率の低下の原因となる． 従来のレジスト周辺部のレジスト処理方法は、露光処理
（特開昭５８−１５９５３５号公報、特開昭５９−１５
８５２０号公報）或いは溶剤処理（特開昭５８−９１６
３７号公報、特開昭５８−１９１４３４号公報）が知ら
れている．（発明が解決しようとする課題） 然し乍ら，上記の従来例によると，前者の場合は，レジ
スト塗布直後に露光して現像液に可溶な状態にした後に
、ベーク工程、露光工程並びに現像工程を経るため，そ
の工程間において，可溶な状態のレジスト周辺部のレジ
ストが剥がれて塵が発生する等の問題がある． また、後者の場合は、レジスト剥離用溶剤の管理を十分
に行なわないと、ウェハ表面のレジスト膜も溶解してし
まう欠点があった， 本発明は、上記の従来の課題に鑑み、ウェハ周辺部のレ
ジストを露光処理や溶剤処理に依らずに反応ガスの噴射
によりレジストを除去する方法を提供することを目的と
したものである。
見艷立豊處
（ｌｉｔ題を解決するための手段）
上記の目的を達或するため，本発明は，半導体ウェハを
回転させながらウェハの周辺部分のレジストを反応ガス
の噴射により除去するようにしたことを特徴とするレジ
スト処理方法である．反応ガスとしてドライアッシング
ガスを用いるのが好ましい． （作 用） 本発明は，上述のように構成したので、半導体ウェハを
回転させながら例えばスピンチャックに吸着固定して回
転させながらウェハの周辺部分の噴射部、例えば上方位
置に設置したガス噴射ノズルから、例えばアッシンガス
を噴射する。
回転させながらウェハの周辺部分のレジストを反応ガス
の噴射により除去するようにしたことを特徴とするレジ
スト処理方法である．反応ガスとしてドライアッシング
ガスを用いるのが好ましい． （作 用） 本発明は，上述のように構成したので、半導体ウェハを
回転させながら例えばスピンチャックに吸着固定して回
転させながらウェハの周辺部分の噴射部、例えば上方位
置に設置したガス噴射ノズルから、例えばアッシンガス
を噴射する。
この場合、アッシングガスは、オゾンを含有する酸素ガ
ス、或はオゾンと反応しないようなＮ，、Ａｒ．Ｎｅ等
のような不活性ガスにオゾンを含有させたガスを噴射す
ると共に、ノズルの噴射口に設けたヒータ或ウェハ周辺
部を照射するようにした赤外線照射光源によりアッシン
ガスを加熱すると，オゾンは分解されて酸素原子ラジカ
ルが多量に発生し、この酸素原子ラジカルが、周辺部の
レジスト膜と反応し，アッシング処理が行なわれて、確
実にウェハ周辺部のレジストを除去し、レジスト粉の発
生源を取り除くことができる。
ス、或はオゾンと反応しないようなＮ，、Ａｒ．Ｎｅ等
のような不活性ガスにオゾンを含有させたガスを噴射す
ると共に、ノズルの噴射口に設けたヒータ或ウェハ周辺
部を照射するようにした赤外線照射光源によりアッシン
ガスを加熱すると，オゾンは分解されて酸素原子ラジカ
ルが多量に発生し、この酸素原子ラジカルが、周辺部の
レジスト膜と反応し，アッシング処理が行なわれて、確
実にウェハ周辺部のレジストを除去し、レジスト粉の発
生源を取り除くことができる。
（実施例）
以下に，本発明をアッシングガスを用いたレジスト処理
方法に適用した実施例を図面を参照して説明する． コーターカップ１の内部にスピンチャック２を設け，こ
のスピンチャック２の上面に半導体ウェハ３を吸着固定
して図示しない駆動機構により，ウェハ３を高速回転可
能に設けている．また、このコーターカップ１の上方中
央位置には，レジストを滴下するノズル４を設ける． 第１図及び第２図において，ウェハ３の周辺部分の上方
位置にガス噴射ノズル５を設ける．このノズル５よりア
ッシンガスを噴射する．本例において，アッシングガス
は，オゾンを含有する酸素ガスを噴射する．図示しない
酸素供給源及びオゾン発生器から供給されるオゾンを含
有する酸素ガスを図示しないガス流量調節器によって流
量が，０，１〜Ｉ Ｑ ／ｗｉｎ程度になるように調節
し、オゾン濃度は，１００−２００ｇ／ ｒｄとなるよ
うに調節されている．ノズル５の開口部近傍位置にヒー
タ６を設けて、例えば８０−３００℃程度に加熱するよ
うにしている． 第３図及び第４図は、他例を示したもので、加熱手段と
して，赤外線照射光源７を設けて上記の例と同様にウェ
ハ３の周辺部分を加熱するようにしている． なお，ウェハ３のオリエンテーションフラットがある場
合は，ウェハ３の形状を検出してノズル５を回転してい
るウェハ３の形状に制御してウェハ３の周辺部分に確実
にアッシンガスを噴射できるようにしている． 次に、上記実施例の作用を説明する。
方法に適用した実施例を図面を参照して説明する． コーターカップ１の内部にスピンチャック２を設け，こ
のスピンチャック２の上面に半導体ウェハ３を吸着固定
して図示しない駆動機構により，ウェハ３を高速回転可
能に設けている．また、このコーターカップ１の上方中
央位置には，レジストを滴下するノズル４を設ける． 第１図及び第２図において，ウェハ３の周辺部分の上方
位置にガス噴射ノズル５を設ける．このノズル５よりア
ッシンガスを噴射する．本例において，アッシングガス
は，オゾンを含有する酸素ガスを噴射する．図示しない
酸素供給源及びオゾン発生器から供給されるオゾンを含
有する酸素ガスを図示しないガス流量調節器によって流
量が，０，１〜Ｉ Ｑ ／ｗｉｎ程度になるように調節
し、オゾン濃度は，１００−２００ｇ／ ｒｄとなるよ
うに調節されている．ノズル５の開口部近傍位置にヒー
タ６を設けて、例えば８０−３００℃程度に加熱するよ
うにしている． 第３図及び第４図は、他例を示したもので、加熱手段と
して，赤外線照射光源７を設けて上記の例と同様にウェ
ハ３の周辺部分を加熱するようにしている． なお，ウェハ３のオリエンテーションフラットがある場
合は，ウェハ３の形状を検出してノズル５を回転してい
るウェハ３の形状に制御してウェハ３の周辺部分に確実
にアッシンガスを噴射できるようにしている． 次に、上記実施例の作用を説明する。
半導体ウェハ３をスピンチャック２に吸着固定して回転
させながらウェハ３の周辺部分の上方位置に設置したガ
ス噴射ノズル５から、オゾンを含有する酸素ガス，或は
オゾンと反応しないようなＮｚ，Ａｒ．Ｎｅ等のような
不活性ガスにオゾンを含有させたガスを噴射する． この場合、アッシングガスは、ノズル５の噴射口５ａに
設けたヒータ６或ウェハ３の周辺部のレジスト膜８を照
射するようにした赤外線照射光源７によりアツシンガス
を加熱すると、オゾンは分解されて酸素原子ラジカルが
多量に発生し、この酸素原子ラジカルが、周辺部のレジ
スト膜８と反応し、アッシング処理が行なわれて、確実
にウェハ周辺部のレジスト膜８を除去し、この周辺部分
のレジスト粉の発生源を取り除くことができる。
させながらウェハ３の周辺部分の上方位置に設置したガ
ス噴射ノズル５から、オゾンを含有する酸素ガス，或は
オゾンと反応しないようなＮｚ，Ａｒ．Ｎｅ等のような
不活性ガスにオゾンを含有させたガスを噴射する． この場合、アッシングガスは、ノズル５の噴射口５ａに
設けたヒータ６或ウェハ３の周辺部のレジスト膜８を照
射するようにした赤外線照射光源７によりアツシンガス
を加熱すると、オゾンは分解されて酸素原子ラジカルが
多量に発生し、この酸素原子ラジカルが、周辺部のレジ
スト膜８と反応し、アッシング処理が行なわれて、確実
にウェハ周辺部のレジスト膜８を除去し、この周辺部分
のレジスト粉の発生源を取り除くことができる。
見里汝豊栄
以上のことから明らかなように，本発明によると、次の
ような有用な効果がある． ウェハ周辺部のレジストを露光処理や溶剤処理に依らず
に反応ガスの噴射により除去し、後工程で機械的摩擦等
で発生するウェハからのレジストパーティクルの発生源
を確実に除去することが可能となり、歩留まりの向上を
図ることができる。
ような有用な効果がある． ウェハ周辺部のレジストを露光処理や溶剤処理に依らず
に反応ガスの噴射により除去し、後工程で機械的摩擦等
で発生するウェハからのレジストパーティクルの発生源
を確実に除去することが可能となり、歩留まりの向上を
図ることができる。
第１図は、本発明におけるレジスト処理方法の一例を示
した説明図、第２図は第１図の部分拡大図、第３図は本
発明におけるレジスト処理方法の他例を示した説明図、
第４図は第３図の部分拡大図である。 １・・・・コーターカップ ２・・・・スピンチャック
３・・・・ウェハ ５・・・・ガス噴射ノズル
６・・・・ヒータ ７・・・・赤外線照射光源
８・・・・周辺部のレジスト膜
した説明図、第２図は第１図の部分拡大図、第３図は本
発明におけるレジスト処理方法の他例を示した説明図、
第４図は第３図の部分拡大図である。 １・・・・コーターカップ ２・・・・スピンチャック
３・・・・ウェハ ５・・・・ガス噴射ノズル
６・・・・ヒータ ７・・・・赤外線照射光源
８・・・・周辺部のレジスト膜
Claims (2)
- （１）半導体ウェハを回転させながらウェハの周辺部分
のレジストを反応ガスの噴射により除去するようにした
ことを特徴とするレジスト処理方法。 - （２）反応ガスとしてドライアッシングガスを用いた請
求項１記載のレジスト処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18850589A JPH0352221A (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | レジスト処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18850589A JPH0352221A (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | レジスト処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0352221A true JPH0352221A (ja) | 1991-03-06 |
Family
ID=16224901
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18850589A Pending JPH0352221A (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | レジスト処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0352221A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013197115A (ja) * | 2012-03-15 | 2013-09-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| US10032654B2 (en) | 2012-02-29 | 2018-07-24 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate treatment apparatus |
-
1989
- 1989-07-20 JP JP18850589A patent/JPH0352221A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10032654B2 (en) | 2012-02-29 | 2018-07-24 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate treatment apparatus |
| JP2013197115A (ja) * | 2012-03-15 | 2013-09-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
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