JPH0340418A - 洗浄装置 - Google Patents
洗浄装置Info
- Publication number
- JPH0340418A JPH0340418A JP1176257A JP17625789A JPH0340418A JP H0340418 A JPH0340418 A JP H0340418A JP 1176257 A JP1176257 A JP 1176257A JP 17625789 A JP17625789 A JP 17625789A JP H0340418 A JPH0340418 A JP H0340418A
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- JP
- Japan
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- wafer
- resist
- baking
- hot plate
- contamination
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- Pending
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- Cleaning In General (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
見旦△且攻
（産業上の利用分野）
本発明は、レジスト処理工程におけるベーキングの際に
行なう洗浄装置に関するものである。
行なう洗浄装置に関するものである。
（従来の技術）
レジスト処理における主な工程には、レジスト塗布と現
像工程を挙げることができる。このうちレジスト塗布工
程には、スピンコーティング方式が多く採用されいる。
像工程を挙げることができる。このうちレジスト塗布工
程には、スピンコーティング方式が多く採用されいる。
この方式は、ウェハをスピンチャック上に吸着固定し、
ウェハを高速回転させながらレジストを滴下してスピン
コーティングしてウェハの表面に均一にレジストを塗布
するようにしたものである。この場合、レジストはウェ
ハの外周縁より表面張力によってウェハの裏面に伝わり
、ウェハ裏面にまでレジストが付着するので、従来は、
レジスト塗布後、ウェハを回転させながら塗布装置内に
設けたノズルより洗浄液を噴射してウェハの裏面を洗浄
する方式を採用している。その後、搬送路を経てホット
プレート式のべ一力でいわゆるプリベーキングが行われ
、レジスト中の溶媒を揮発させる工程が行なわれるのが
通常である。
ウェハを高速回転させながらレジストを滴下してスピン
コーティングしてウェハの表面に均一にレジストを塗布
するようにしたものである。この場合、レジストはウェ
ハの外周縁より表面張力によってウェハの裏面に伝わり
、ウェハ裏面にまでレジストが付着するので、従来は、
レジスト塗布後、ウェハを回転させながら塗布装置内に
設けたノズルより洗浄液を噴射してウェハの裏面を洗浄
する方式を採用している。その後、搬送路を経てホット
プレート式のべ一力でいわゆるプリベーキングが行われ
、レジスト中の溶媒を揮発させる工程が行なわれるのが
通常である。
（発明が解決しようとするｉり
然し乍ら、上記の従来例によると、レジスト塗布後にウ
ェハを回転させながら洗浄液を噴射してウェハの裏面洗
浄をしているが、この場合、確実に裏面洗浄が行なわれ
ないことがあり、ベーキング時においてレジストがホッ
トプレート上に焼き付いたり、また、塗布工程時のチャ
ッキングによるウェハ裏面の有機汚染物や搬送路におけ
るウェハ裏面の有機汚染物がベーキング時においてホッ
トプレート上に焼き付いて剥がれ、次のウェハに付着し
たり、また塵埃の発生要因となるおそれもあった。
ェハを回転させながら洗浄液を噴射してウェハの裏面洗
浄をしているが、この場合、確実に裏面洗浄が行なわれ
ないことがあり、ベーキング時においてレジストがホッ
トプレート上に焼き付いたり、また、塗布工程時のチャ
ッキングによるウェハ裏面の有機汚染物や搬送路におけ
るウェハ裏面の有機汚染物がベーキング時においてホッ
トプレート上に焼き付いて剥がれ、次のウェハに付着し
たり、また塵埃の発生要因となるおそれもあった。
本発明は、上記の従来の課題に鑑み、ベーキングと同時
にウェハの裏面にクリーニングガスを噴射して有機汚染
の除去を行なうことによって拡散汚染の防止を図ること
を目的としたものである。
にウェハの裏面にクリーニングガスを噴射して有機汚染
の除去を行なうことによって拡散汚染の防止を図ること
を目的としたものである。
衾映立盪處
（課題を解決するための手段）
上記の目的を達成するため、本発明は、ベーキング用の
ホットプレート上にウェハを離間させて配置させ、この
ホットプレートに設けた流路を介してウェハの裏面にク
リーニングガスを噴射するように構成した。
ホットプレート上にウェハを離間させて配置させ、この
ホットプレートに設けた流路を介してウェハの裏面にク
リーニングガスを噴射するように構成した。
また、クリーニングガスとして、アッシングガスを用い
るのが好ましい。
るのが好ましい。
（作 用）
本発明は、上述のように構成したから、レジスト塗布装
置より適宜の搬送手段を介してウェハを次工程のベーキ
ング工程に移送し、ベーカ内のホットプレート表面に形
成した突起部上にウェハを載置させた状態でベーキング
を行なうと同時に、クリーニングガス、例えばアッシン
グガスをホットプレートに設けた流路に供給してホット
プレート表面の噴出口よりクリーニングガスを噴射する
と、ベーキング時の加熱に伴ってウェハ裏面の有機汚染
を確実に除去でき、拡散汚染を防止することができる。
置より適宜の搬送手段を介してウェハを次工程のベーキ
ング工程に移送し、ベーカ内のホットプレート表面に形
成した突起部上にウェハを載置させた状態でベーキング
を行なうと同時に、クリーニングガス、例えばアッシン
グガスをホットプレートに設けた流路に供給してホット
プレート表面の噴出口よりクリーニングガスを噴射する
と、ベーキング時の加熱に伴ってウェハ裏面の有機汚染
を確実に除去でき、拡散汚染を防止することができる。
（実施例）
以下に、本発明をベーキング時の洗浄装置に適用した一
例を図面に従って説明する。
例を図面に従って説明する。
ベーカ内に設けたホットプレート１は、レジスト塗布工
程においてスピンコーティングされたつ二ハ２をベーキ
ングしてレジスト中の溶媒を揮発させるためのもので、
本例においては、ホットプレート１内に温度制御装置に
３に接続した熱源４を内蔵して８０〜１６０℃程度に加
熱するようにしている。
程においてスピンコーティングされたつ二ハ２をベーキ
ングしてレジスト中の溶媒を揮発させるためのもので、
本例においては、ホットプレート１内に温度制御装置に
３に接続した熱源４を内蔵して８０〜１６０℃程度に加
熱するようにしている。
また、このホットプレート１の上面には、ウェハ２を載
置するための突起部５を適宜数設け、この突起部５の上
部にウェハ２を載置させ、ウェハ２の裏面とホットプレ
ート上とを、例えば２〜３ｍ程度離間させて、ウェハ２
の裏面を全面接触させないプロキシミテイベークを行な
うように構成している。
置するための突起部５を適宜数設け、この突起部５の上
部にウェハ２を載置させ、ウェハ２の裏面とホットプレ
ート上とを、例えば２〜３ｍ程度離間させて、ウェハ２
の裏面を全面接触させないプロキシミテイベークを行な
うように構成している。
更に、ホットプレート１内にクリーニングガスを供給す
る流路６を形成し、この流路６をホットプレート１の上
面に開口させた噴出口７を適宜数形成してウェハ２の裏
面にクリーニングガスを噴射するようにしている。しか
も、流路６の供給口６ａより、クリーニングガスを供給
し、本例においては。、オゾンを含有するアラシンガス
を用いている。本例のアラシンガスは、酸素供給源８及
びオゾン発生器９から供給されるオゾンを含有する酸素
ガスをガスＡ量調節器１０によって、流量が、例えば０
．１〜ｌ Ｑ ／ｍｉｎ程度になるように調節し、濃度
を１００〜２００ｇ ／ｍ程度にして、供給管上１より
供給している。
る流路６を形成し、この流路６をホットプレート１の上
面に開口させた噴出口７を適宜数形成してウェハ２の裏
面にクリーニングガスを噴射するようにしている。しか
も、流路６の供給口６ａより、クリーニングガスを供給
し、本例においては。、オゾンを含有するアラシンガス
を用いている。本例のアラシンガスは、酸素供給源８及
びオゾン発生器９から供給されるオゾンを含有する酸素
ガスをガスＡ量調節器１０によって、流量が、例えば０
．１〜ｌ Ｑ ／ｍｉｎ程度になるように調節し、濃度
を１００〜２００ｇ ／ｍ程度にして、供給管上１より
供給している。
一方、ホットプレート１の上面に排気口１２を形成し、
この排気口１２より排気流路１３を介して洗浄した不用
物や排気物を排気装置１４により排気管１４を経て排気
するように構成している。
この排気口１２より排気流路１３を介して洗浄した不用
物や排気物を排気装置１４により排気管１４を経て排気
するように構成している。
次に、上記実施例の作用を説明する。
レジスト塗布装置においてレジストを塗布したウェハ２
を適宜の搬送手段を介して次工程のベーキング工程に移
送し、ベーカ内のホットプレート１の表面に形成した突
起部５の上部にウェハ２を載置させ、この状態において
ホットプレート１の熱源４によりウェハ２をベーキング
してレジスト中の溶媒を揮発させるいわゆるプリベーキ
ングがなされる。これと同時に、酸素供給源８及びオゾ
ン発生器９から供給されるオゾンを含有する酸素ガスを
ガス流量調節器１０によって調節し、噴出口７より噴射
すると、オゾンはベーキングの熱により加熱されて分解
し、酸素原子ラジカルが多量に発生する。そして、この
ラジカルがウェハ２の裏面に付着しているレジスト等の
有機汚染物と反応してアッシングが行なわれ汚染物は、
灰化して排気装置１５を介して排気されので、ベーキン
グ時の加熱に伴ってウェハ２の裏面の有機汚染を確実に
除去でき、拡散汚染を防止することができる。
を適宜の搬送手段を介して次工程のベーキング工程に移
送し、ベーカ内のホットプレート１の表面に形成した突
起部５の上部にウェハ２を載置させ、この状態において
ホットプレート１の熱源４によりウェハ２をベーキング
してレジスト中の溶媒を揮発させるいわゆるプリベーキ
ングがなされる。これと同時に、酸素供給源８及びオゾ
ン発生器９から供給されるオゾンを含有する酸素ガスを
ガス流量調節器１０によって調節し、噴出口７より噴射
すると、オゾンはベーキングの熱により加熱されて分解
し、酸素原子ラジカルが多量に発生する。そして、この
ラジカルがウェハ２の裏面に付着しているレジスト等の
有機汚染物と反応してアッシングが行なわれ汚染物は、
灰化して排気装置１５を介して排気されので、ベーキン
グ時の加熱に伴ってウェハ２の裏面の有機汚染を確実に
除去でき、拡散汚染を防止することができる。
なお、上記の例は、レジスト塗布装置後のベーキングに
ついて説明したが、本発明は、これに限定されることな
く、現像後に行なわれるボストベーキングのホットプレ
ートにも適用されるものであり、また、クリーニングガ
スは、アッシングガス以外のガスも実施に応じて任意に
選択できるものである。
ついて説明したが、本発明は、これに限定されることな
く、現像後に行なわれるボストベーキングのホットプレ
ートにも適用されるものであり、また、クリーニングガ
スは、アッシングガス以外のガスも実施に応じて任意に
選択できるものである。
発明の効果
以上のことから明らかなように、本発明によると、次の
ような有用な効果がある。
ような有用な効果がある。
ベーキングと同時にウェハ裏面にクリーニングガスを噴
射してウェハの裏面に付着している有機汚染を確実に除
去することによって拡散汚染の防止を図ることができ、
もって、歩留まりの向上に寄与することができる等の効
果がある。
射してウェハの裏面に付着している有機汚染を確実に除
去することによって拡散汚染の防止を図ることができ、
もって、歩留まりの向上に寄与することができる等の効
果がある。
４、
１・・・・ホットプレート
４・・・・熱源
５・・・・流路
２ｎ■ウエハ
５・・・・突起部
７・・・噴出口
Claims (2)
- （１）ベーキング用のホットプレート上にウエハを離間
させて配置させ、このホットプレートに設けた流路を介
してウエハの裏面にクリーニングガスを噴射するように
構成したことを特徴とする洗浄装置。 - （２）クリーニングガスとして、アッシングガスを用い
た請求項１記載の洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1176257A JPH0340418A (ja) | 1989-07-07 | 1989-07-07 | 洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1176257A JPH0340418A (ja) | 1989-07-07 | 1989-07-07 | 洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0340418A true JPH0340418A (ja) | 1991-02-21 |
Family
ID=16010406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1176257A Pending JPH0340418A (ja) | 1989-07-07 | 1989-07-07 | 洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0340418A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19924058A1 (de) * | 1999-05-26 | 2000-11-30 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren und Vorrichtung zur Beseitigung von Kontaminationen durch Ozonbehandlung |
| JP2010003748A (ja) * | 2008-06-18 | 2010-01-07 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 支持板剥離装置 |
| WO2020008831A1 (ja) * | 2018-07-02 | 2020-01-09 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板熱処理装置及び基板熱処理方法 |
-
1989
- 1989-07-07 JP JP1176257A patent/JPH0340418A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19924058A1 (de) * | 1999-05-26 | 2000-11-30 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren und Vorrichtung zur Beseitigung von Kontaminationen durch Ozonbehandlung |
| JP2010003748A (ja) * | 2008-06-18 | 2010-01-07 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 支持板剥離装置 |
| WO2020008831A1 (ja) * | 2018-07-02 | 2020-01-09 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板熱処理装置及び基板熱処理方法 |
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