JPH0352407A - ハイブリツド増幅器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電子的アセンブリに関し、更に具体的には、無
線周波数で動作するハイブリッド増幅器に関する。

〔従来の技術〕

回路ボード上に部品及び相互接続を実装することによっ
て、電子回路アセンブリを製作することは、電子技術に
おいては従来公知である。例えば、アルミナまたはべり
リアのようなセラミックスが、その寸法的安定性及び優
れた熱的特性のために、回路ボードとして多く使用され
る。

技術的に既知の手段によって作られた金属薄膜導体が、
回路ボード上において用いられ、様々な部品に対して相
互接続及びポンデイングパッドを提供する。例えば、抵
抗のようなある部品も、またセラミックスボード（基板
）上に薄膜の形態で供給される。例えば、ＩＣ、トラン
ジスタ、ダイオード、キャパシタ及び変圧器のような他
の部品は、個別部品として提供されるのが多く、ボード
上のメタライズされたコンタクト領域に対して実装され
、及び／または、接続されている。このようなものを供
給する方法は、技術的によく知られている。

１００−１０００ＭＨｚは、または、それ以上の無線周
波数（Ｒ　Ｆ　）領域にて動作せねばならない、電子回
路及びアセンブリに関連する特殊な問題は、この様な装
置ユニットの性能は、その回路ボード上の部品及び相互
接続の配置に関連する、寄生的なＲ（抵抗）、Ｃ（キャ
パシタ）及びＬ（インダクタ）に特別敏感なことである
。寄生的な要因は、ゲイン（利得）、帯域幅、安定度及
び雑音に悪い影響を及ぼす。これらの寄生効果のために
、この様な回路の性能は、理想より劣る。従って、寄生
的な要因による悪い影響が低減化され改善された性能が
得られるＲＦ回路及びアセンブリ、具体的にはＲＦハイ
ブリッド増幅器を提供する必要性が存続している。

〔発明が解決しようとする課題〕

本発明の目的の１つは、改善された性能を有するＲＦ回
路及びアセンブリを提供することである。更に他の目的
の１つは、寄生的なＲ，Ｃ及び／またはＬの悪い影響が
低減化された改善されたＲＦ回路及びアセンブリを提供
することである。さらにまた他の目的の１つは、改善さ
れた性能を有するＲＦハイブリッド増幅器を提供するこ
とである。本発明のさらに別の目的の１つは、同じかま
たは少ないボード空間（スペース）で改善されたＲＦ増
幅器を提供することである。

〔課題を解決するための手段〕

これらの及び他の目的及び利点は、第１の実施例におい
て達成されている。即ち１つの電子的アセンブリであっ
て、各々入力端子、基準端子及び出力端子を有し、第１
の増幅器手段の出力が第２の増幅器手段の入力に結合さ
れる、信号増幅用の第１及び第２手段と、及び、第１及
び第２の増幅器手段をそれぞれ受容する第１及び第２の
金属領域と、第１の金属領域の３つの側面の周囲に沿っ
て少なくとも部分的に伸びる部分を有する第３の金属領
域と及び第２の金属領域の３つの側面の周囲に沿って少
なくとも部分的には伸びる部分を有する第４の金属領域
とを有する部品を支持し結合するボード手段とを含む、
ハイブリッド増幅器により達成される。

デュアル増幅器が望ましい場合には、信号増幅用の第３
及び第４の手段がさらに供給され、各々は入力端子、基
準端子及び出力端子を有し、第３の増幅器手段の出力は
第４の増幅器手段の入力に結合され、また、第３及び第
４の増幅器手段をそれぞれ受容する第５及び第６の金属
領域と、第５の金属領域の３つの側面に沿って少なくと
も部分的に伸びる部分を有する第７の金属領域と、第６
の金属領域の３つの側面に沿って少なくとも部分的に伸
びている部分を有する第８の金属領域とを含む。

第１及び第５の金属領域、第２及び第６の金属領域、第
３及び第７の金属領域、及び第４及び第８の金属領域は
、共通ライン（ｃｏｍｍｏｎ　ｌｉｎｅ）の両側におい
て鏡面対称関係に配置されるのが望ましい。第１の抵抗
手段は、共通ラインを横切り第３及び第４の金属領域の
間に伸びるボード上に供給され、また、アセンブリは、
共通ライン上に位置する第９の金属領域に向い、第４及
び第８の金属領域からそれぞれ伸びるボード上の第２及
び第３の抵抗領域を含むのが、さらに望ましい。

ダブルボンデイングは、第１１第２、第５及び第６の金
属領域上に実装された部品を、第１、第２、第５及び第
６の金属領域と反対側に沿って伸びる、第３、第４、第
７及び第８の金属領域の対向する部分に対してそれぞれ
接続するために好都合に使用されている。

アセンブリはまた、第１の増幅器手段の第１の端子と接
地との間に結合された第１の抵抗手段と、及び、第１の
増幅器手段の第２の端子と接地との間に結合された第２
の抵抗手段と、第３の増幅手段の第１の端子と接地との
間に結合された第３の抵抗手段と、及び、第３の増幅手
段の第２の端子と接地との間に結合された第４の抵抗手
段とを含み、第１、第２、第３及び第４の抵抗（手段）
の接地接続は、第１及び第３の抵抗（手段）、第２及び
第４の抵抗（手段）に関し対称に配置された１つの位置
で接地レベルに結合された導体（ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）
を含むことが望ましい。

好ましい実施例には、その上に導体及び薄膜抵抗を有す
る回路基板、及び、回路基板上の第１及び第２の増幅器
手段を含むＲＦ増幅器が与えられており、各増幅器は少
なくとも２個の直接的に結合された増幅エレメント（素
子）及び抵抗及びキャパシタを含み、ここで該増幅器手
段は回路基板に沿って伸びる第１の方向の両側に鏡面対
称の形式に配置され、各増幅器手段の少なくとも２個の
薄膜抵抗は共通導体で終端する終端部を持ち、各共通導
体は第１の方向に交差している。直角方向に交差し、抵
抗で終端される、各増幅器手段の共通導体は、一直線に
整合化配置され、ギャップ（ｇａｐ）で分離されること
が望ましい。一直線に整合化配置され、直角方向に交差
した方向に向けられた抵抗で終端された共通導体は、共
通の位置で増幅器の接地導体に結合されることが更にま
た望ましい。好ましい実施例においてはさらに、各増幅
器手段には、長手方向が第１の方向に直角に向けられた
更に別の薄膜抵抗が供給されており、その更に別の薄膜
抵抗の長平方向は一直線に整合化配置されている。

以上に要約された発明の動作及び範囲は、添付図面及び
以下の説明を考慮することによりよく理解されるであろ
う。

〔概　　要〕

電気回路の対称部分が、回路基板に沿って伸びるライン
に対し鏡面対称の形式で配置されるように、回路基板上
に薄膜抵抗、メタライゼーション（金属被覆化層）及び
他の部品を配置構或し、このラインに対して対称抵抗（
ｓｙｍｍｅｔｒｉｃａｌ　ｒｅｓｉｓｔｏｒｓ）を平行
または垂直のいづれかに配置構成し、その鏡面ラインに
対して一直線に整合化されまた垂直に配置され、空間的
に隔てられているが、単一の場所で共通接地に結合され
た抵抗を終端する共通接地金属領域を利用することによ
って、改善された性能のＲＦハイブリッド増幅器が得ら
れている。

〔図面の詳細な説明〕

第１図は、先行技術に基づ＜ＲＦデュアルカスコード増
幅器の回路１０の図面である。回路ｌＯは極めて簡略化
されており、この回路のいかなる物理的な実現において
も存在する、寄生的なＲ、Ｃ及び／またはＬは図示され
ていないということを当業技術者達は理解できるであろ
う。これらの寄生的なインピーダンスは、実際の回路的
動作性能上、特に高周波において甚大な影響を与えるも
のである。

回路１０は、実質的に同等な２個のプッシュプル回路部
分１２、１４を含み、第１図において点線により表示さ
れている。各プッシュプル回路部分ｌ２、ｌ４は、同様
の形式で相互接続された実質的に同様の部品を含み、抵
抗Ｒｌ，　Ｒ２，　Ｒ３Ｒ４，Ｒ５，Ｒｌ’，Ｒ２’，
Ｒ３’，Ｒ４’，Ｒ５’、キャパシタＣＩ，Ｃ２，ＣＩ
’，Ｃ２’及び増幅器手段Ｑｌ，Ｑ２．Ｑｌ’．Ｑ２’
よりなる。回路部分ｌ２、１４は、ＲＦ入力変圧器Ｔｌ
によってプッシュプル形式で電源を供給され、また、増
幅された信号はＲＦ出力変圧器Ｔ２を通り導き出されて
いる。抵抗Ｒ６及びキャパシタＣ３は仮想接地（ｖｉｒ
ｔｕａｌ　ｇｒｏｕｎｄ）の影響を経て、ＤＣエミツタ
インピーダンスに無関係に、Ｑ１、Ｑｌ′のＡＣエミツ
タインピーダンスを独立に制御する手段を供給する。

ＤＣ電力（Ｖｃｃ）は、抵抗Ｒ７、Ｒ８及びＴ２を介し
て回路ＩＯに供給される。キャパシタＣ５はＲＦバイパ
スキャパシタである。抵抗Ｒ９及びキャパシタＣ４はオ
プション（追加の選択手段）である。オプションの出力
シャントキャパシタＣ６は、回路１０の高周波利得及び
出力インピーダンスの制御を援助する。バイポーラトラ
ンジスタはその優れた高周波性能のため、増幅手段Ｑｌ
，Ｑ２、Ｑｌ′、Ｑ２′として典型的に使用できるが、
他の型式のＲＦ増幅用部品、ＩＣまたはサブアセンブリ
（ｓｕｂ−ａｓｓｅｍｂｌｉｅｓ）もまた使用できる。

オプションのキャパシタ（図示されず）がまた、Ｑ１、
Ｑｌ’のベースより接地に対し供給され、人力インピー
ダンスの整合の援助をする。

説明の便宜のために、本発明はＱｉ　Ｑ２、Ｑｌ′、Ｑ
２′としてバイポーラトランジスタが使用される状況で
説明されるが、当業技術者はこの記載に基づき、他の型
式のＲＦ増幅用部品、ＩＣまたはサブアセンブリも使用
できることを理解できるであろう。ＲＦ（無線周波）−
ＭＯＳＦＥＴＳは、適当なる代替増幅用部品の一例であ
る。

入力増幅器Ｑｌ，Ｑｌ’は、ベース入力、共通エミツタ
構威で作動している。トランジスタＱＩＱｌ’のコレク
タ出力は、Ｑ２、Ｑ２’のエミツタ入力にそれぞれ直接
的に接続され、これらは共通ベース構成で作動される。

Ｑ２、Ｑ２’のコレクタ出力は、ＲＦ出力変圧器Ｔ２の
一次巻線の各端部に接続されている。直列帰還用素子部
品Ｒ２、Ｒ２’　、Ｒ６及びＣ３、また、シャント帰還
用素子部品ＣＩ−Ｃ２、Ｒ５及びＣＩ’−Ｃ２’、Ｒ５
′は、増幅器の安定性及びひずみの低減化、また、ゲイ
ン及び入出力インピーダンスの制御において重要な働き
をする。回路ｌＯの他の抵抗及びキャパシタの機能は、
技術的に既知である。

平衡（ｂａｌａｎｃｅｄ）カスコード増幅回路１０は、
概念的には単純であるが、非常な高周波数における、特
にＲＦ周波数（１　００−１　０００ＭＨｚまたはそれ
以上）における動作が予期される場合には、その物理的
な実現方法はまったく複雑である。なぜならば、いかな
る物理的実現方法においても、寄生的なＲ，Ｃ，及び／
またはＬの導入は避けられず、これらは回路ＩＯによっ
て表わされる理想的な特性よりも性能を劣下する傾向が
あるからである。物理的な回路の最終的な性能を決定す
るのは、これらの寄生的なインピーダンスをいかに制御
するかに依存している。これらの寄生的な成分は、回路
基板上の部品及び相互接続のレイアウトによって主に決
定される。

第２図乃至第５図は、回路１０がその上に製造の種々の
段階において作成される先行技術としての回路基板２０
の簡略化された平面図を示し、第６図乃至第９図は本発
明に基づく回路ｌＯを作成する類似の回路ボード４０を
示す。回路ボード２０及び４Ｑは、面積で約１３ｘ２５
（ｍｍ”）の寸法である。

第２図乃至第９図においては、金属ボンデイング及び相
互接続領域は、うすい灰色またはうすい点刻の領域とし
て図示され、薄膜抵抗は濃い灰色またはより濃い点刻領
域゛として図示されている。

第１図と第２図乃至第９図との間の比較を容易にするた
めに、同じ表示、例えば、Ｒ１〜Ｒ９、ＣＩ−Ｃ６及び
Ｑ１〜Ｑ２（′符号つき及び′符号なし）が、第１図の
回路ＩＯと同様に第２図乃至第９図上においても使用さ
れている。第２図乃至第９図上の文字“Ｇ”は、様々な
接地（即ち、共通リターン）領域を示す。更に、文字“
Ｂ”、“Ｃ”及び“Ｅ”は、それぞれベース、コレクタ
及びエミツタの有用な意味を有するものであり、増幅ト
ランジスタのこれら部分への接続を示す。そこで、ボー
ド２０または４０の各領域は、回路ＩＯの対応部品また
は接続に関連づけられている。

ここで第２図乃至第５図を参照する。乗２図は、回路基
板２０の簡略化された平面図であり、基板上には金属領
域及び薄膜抵抗が供給されている０パターニングされた
メタライゼーション（金属被覆化層）及び薄膜抵抗を具
備するような回路基板を製造する方法は、技術的に公知
である。厚膜または薄膜製作技術のいづれも使用できる
。

第３図は第２図と同じ基板を示すが、チップキャパシタ
ＣＩ−Ｃ６、ＣＩ’　　Ｃ２’及びバイポーラトランジ
スタＱ１、Ｑ２、Ｑｌ′、Ｑ２′が追加されている。こ
れらは、典型的にはその場所にはんだ付けされるが、電
気的及び熱的要求に一致するいかなる好都合な取り付け
実装方法も使用できる。この様な方法は技術的に公知で
ある。

第４図は第３図と同じ基板を示すが、例えばワイヤボン
デイングによって供給される様々な追加の相互接続が与
えられている。あるワイヤボンド接続は任意であり、例
えば、Ｒ７またはＲ８の様々な部分を横切るこれらのブ
リッジはそれら抵抗値の調節を可能にし、また、Ｃ２、
Ｃ２’はそれらのキャパシタンス値の調節を可能にする
ことを、当業技術者は認めるであろう。

第５図は第４図と同じ基板を示すが、変圧器Ｔ１，Ｔ２
が追加されている。回路はここで完成されている。

説明を簡単にするために、′符号のない（ｕｎ−ｐｒｉ
ｍｅｄ）部品の接続及び配置構成が詳細に説明されるで
あろう。当業技術者は、対応する接続及び配置構戒の組
合わせは、回路１０（第１図）の部分１４及び第２図乃
至第５図上に指示される′符号づきの（ｐｒｉｍｅｄ）
部品に対して供給されるのを理解するであろう。同様の
様式がまた第６図乃至第９図に関しても守られるであろ
う。

第２図乃至第５図を参照すれば、金属領域２ｌがトラン
ジスタＱｌのコレクタの実装のために供給され、Ｑ２の
エミツタに対してＱｌのコレクタを接続するためのボン
デイング場所（位置）を提供する。金属領域２２はトラ
ンジスタＱ２のコレクタを実装するために供給され、抵
抗Ｒ５に対する端子を提供し、キャパシタＣ２へのボン
デイングのための端子を提供する。キャパシタＣ２は、
ボード２０上のその位置に示される、並んだ中断した（
ｓｉｄｅ−ｂｙ−ｓｉｄｅ　ｉｎｔｅｒｒｕｐｔｅｄ）
金属領域によって形成されている。Ｃ２の大きさは、ｌ
つまたはそれ以上の金属の長さ（第３図を参照）を共に
ボンデイング結合することによって調整されている。Ｃ
２のキャパシタンス値は非常に小さい。

金属領域２３は抵抗Ｒｌ及びＲ３を相互接続し、キャパ
シタＣＩに対して１つの端子を供給し、また、トランジ
スタＱ１のベースへのワイヤボンデイングに対する端子
を提供する。金属領域２４は抵抗Ｒ２に端子を提供し、
Ｑ１のエミツタに対するボンデイングのためのボンデイ
ング位置を供給し、また、抵抗Ｒ６及びキャパシタＣ３
に対して端子を提供する。金属領域２５は、抵抗Ｒ４に
対する端子及びＱ２のベースへのボンデイングのための
ボンデイング位置を供給する。金属領域２６は、キャパ
シタＣ２を形成する並んだ金属領域の他のプレートを供
給し、また、キャパシタＣＩに対し他の端子を供給する
。金属領域２７は、抵抗Ｒ４への他の端子及び抵抗Ｒ７
〜Ｒ９への端子を供給する。金属領域２８は、抵抗Ｒ３
及びＲ７を相互接続する。金属領域２９は、抵抗Ｒ８を
Ｖ。Ｃに接続する。金属領域３０は、接地（即ち、共通
リターン）接続である。金属領域３１，３２は、それぞ
れＲＦ−ＩＮ（入力）及びＲＦ−ＯＵＴ（出力）に対す
る接続を供給し、また、金属領域３３は、キャパシタＣ
４に端子を供給し、Ｃ４の他の端子は隣接する接地領域
３０に接続されている。抵抗Ｒ１、Ｒ２及びキャパシタ
Ｃ４、Ｃ５の他の端子部分は、他の隣接する接地領域３
０に結合されている。

デュアル増幅器の′符号つきの（ｐｒｉｍｅｄ）部分１
４における対応する金属領域は、′符号（ｐｒｉｍｅ）
シンボル付きの同じ数字によって第２図乃至５図上にお
いて表示され、当業技術者は理解するように、′符号付
き（ｐｒｉｍｅｄ）及び他の部品に対する対応接続を供
給する。

第２図乃至第５図によって例示された回路ｌＯの先行技
術による実現は、良好な性能を示すが、更に改善が望ま
れる。本発明は、主として回路基板上の部品及び相互接
続の物理的なレイアウトの再配置（構成）を通じて、性
能の改善に関係する。

これらの再配置はまた、回路ｌＯにおいて示されるいく
つかの部品の大きさをより好都合な範囲に調整されるこ
とを可能にし、さらに、性能の改善に寄与する。第６図
乃至第９図は、第２図乃至第５図に類似しているが本発
明に基づく改良された回路ｌＯを物理的に実現したもの
の簡略化された平面図を示す。

回路ボード４０上の様々な部品の配置は、回路１０にお
いて指示された部品に対応するように第２図乃至第５図
において同じ様式で図示されている。第６図乃至第９図
において識別されるメタライズ（金属被覆化）領域４１
〜５３は、それぞれメタライズ（金属被覆化）領域２１
〜３３に類似であり、また回路ＩＯの同じ相互接続に対
応している。回路基板４０の寸法は回路基板２０と同じ
で、また、追加の基板スペースの必要は全然ない。第２
図乃至第５図及び第６図乃至第９図を比較すれば、メタ
ライゼーション（金属被覆化）領域４ｌ５３の位置及び
範囲はメタライセーション領域２１−３２に比較して修
正されしかもまた様々な構成部品の位置が配列されてい
ることは、当業技術者には明白であろう。第６図乃至第
９図に図示される配置構成は、著しい性能の改善を示す
ことが認められている。

大−１１−剋 回路ＩＯを実現する増幅器が、先行技術によるレイアウ
ト及び配置、及び、第６図乃至第９図に図示された本発
明に基づき製作された。少なくとも６ＧＨｚのｆｔの値
を有するバイポーラトランジスタチップが、Ｑｉ　Ｑｌ
’　、Ｑ２、Ｑ２’に対して使用された。増幅器は４０
ＭＨｚ〜５５０ＭＨｚの範囲内で動作するように同調（
ｔｕｎｅ）され、整合負荷で約１８ｄｂの公称帯域内利
得を得た。

他の条件が等しければ、本発明による改善された配置構
成は、高周波数において大きいゲイン、例えば５５０Ｍ
Ｈｚにおいて少なくともｌｄｂ大きいゲインを供給する
ことが認められた。これは著しい改善である。

本発明の改善されたレイアウトはまた、非常に良好なゲ
イン安定度を与える。ゲイン安定度は、例えば、増幅器
の負荷インピーダンスが変化するとき増幅器が発振状態
になる傾向を記述するものである。これは、ＲＦ増幅器
の重要な特性の１つである。典型的にはこのような発振
は、増幅器の意図された上限遮断周波数より以上の帯域
外周波数において、例えば、典型的な先行技術による４
０　ＭＨｚ〜５　５　０　ＭＨｚ帯域の増幅器では、７
５０−１２００ＭＨ．の周波数範囲において発生する。

これらの事情は当業技術者には珍らしくなく、また、Ｒ
Ｆ回路における重要な設計上の問題である。絶対的に安
定な増幅器は非常に望ましいか、従来技術の配置では可
能でなかった。ある特定の出力インピーダンス状態にお
いては、先行技術による増幅器の利得及び位相シフトは
、発振がおきうるようなものである。

一般にはよく機能するが、先行技術による増幅器は、あ
る特定の出力インピーダンス不整合の状態では不安定と
なり、一方、第６図乃至第９図の改善された配置構或で
は不安定にならないことが認められている。本発明の改
善された増幅器は、はるかに良好な帯域外利得安定度（
ｏｕｔ−ｏｆ−ｂａｎｄｇａｉｎ　ｓｔａｂｉｌｉｔｙ
）を持っている。

さらに加えて、改１善された帯域外利得安定度のために
、更に適切なる回路安定度を達成するために、以前には
比較的高くする（例えば４０Ω）ことが要求されたはず
の抵抗Ｒ４、Ｒ・１′の値は、非常により小さい値（例
えば５Ω）に低減化でき、それによって、また実質的に
増幅器のひずみを低減化できるということが、決定付け
られた。少なくともＩ．　ｄ　ｂ分の複合トリプルビー
ト歪みの低減化が、この方法で達成された。これは非常
に重大である。これらの性能改善を供給するさまざまな
修正を以下に詳細に説明する。

ここで第６図乃至第９図を参照する。第１図の点線ｌ２
、１４内の増幅器部分内に囲まれる部品の物理的配置構
成は、出来るだけライン６０に対して殆んど完全な物理
的鏡面対称関係を供給するために修正されている。この
より完全な鏡面対称は、ライン６０に沿って回路部分１
２、１４の間に非常に改善された仮想接地（ｖｉｒｔｕ
ａｌ　ｇｒｏｕｎｄ）を供給する。これは、回路部分ｌ
２、ｌ４に関係する寄生インピーダンスの影響を大いに
低減化する。これら変更に関するいくつかの重要な局面
は、寄生効果の低減化に寄与する。

例えば、抵抗Ｒｌ，Ｒ２（及び対応するＲｌ’Ｒ２′）
は新たな方向を与えられ、それによってそこの電流の流
れは実質的に鏡面ライン６０に平行であり、また、抵抗
Ｒｌ，Ｒ２は実質的に一直線に整合化配置され、新たに
供給された共通導体５４上に終端する（抵抗Ｒｌ’　　
Ｒ２’はまた一直線に整合化配置され、新たに供給され
た共通導体５４′上に終端する）。Ｒｌ，Ｒ２（及びＲ
ｌ’、Ｒ２’　）の長手寸法（ｌｏｎｇｅｒ　ｄｉｍｅ
ｎｓｉｏｎｓ）は、この例ではライン６０に対して直角
に交差しているが、これは所望の抵抗値または比に依存
する。

鏡面ライン６０に対称でかつ、それに対して直角に交差
する方向に方向付けされた共通導体５４、５４′が追加
されている。共通導体５４、５４′はギャップ５６で分
離され、従って抵抗及び回路部分１２、ｌ４は製造中に
個々にテストできるということが望ましい。空間的に隔
てられた共通導体５４、５４′はそこで互いに結合され
、また、隣接する接地領域５０に対して導体５５（第８
図を参照）によって結合される。従って、共通導体５４
、５４′に対しては、実質的にはただ単一の対称な接地
結合位置が存在している。このことは入力５ｌに近い接
地領域５０における非対称帰還（リターン）電流の流れ
を除去し、さらに回路部分ｌ２、ｌ４の間のバランスを
改善する。

さらに、金属領域４４、４４′及び４５、４５′は、先
行技術における領域２４、２４′及び２５２５′に比べ
て大きく形成されている。これらの変更は、共通導体５
４、５４′の追加とともに、Ｒ２、Ｒ２’　、Ｒ４、Ｒ
４’　、Ｒ６に関連する寄生的なインダクタンス分を低
減化し、また、以下に説明するように、Ｑｌ，Ｑｌ’　
、Ｑ２、Ｑ２’に対して結合されたリードに関連した寄
生的なインダクタンス成分を低減化する。

第６図乃至第９図の配置構威のさらに改善された特徴は
、金属領域４４が金属領域４１の３つの側面に沿って伸
びるＵ型部分を有するように配置構成されることである
。従ってＱｌは金属領域４ｌ上に実装されるのでＱ１に
対するエミッタ結合は、Ｕ型の対面する反対側の腕から
ダブルボンドされていてもよい。これは、Ｑ１に対する
エミッタ結合の寄生的なインダクタンス及び寄生的な抵
抗分を実質的に低減化し、また性能を大いに改善する。

金属領域４４のＵ型部分によって実現可能にされたＱｌ
のダブル結合エミッタと金属領域４５のＵ型部分によっ
て実現可能にされたＱ２のダブル結合ベースとの組合せ
は、また新規な特徴である。金属領域４４′及び４５′
は、同じ特徴を有し、ライン６０に関し鏡面対称である
。

第６図乃至第９図に図示される実施例の更に改善された
特徴は、抵抗Ｒ３は再配置されて鏡面ライン６０に対し
て直角に交差する方向に電流を流し、キャパシタＣ２に
対する寄生的な結合を低減化し、また、金属領域４４の
Ｕ型腕のため必要とされる追加空間を提供するように、
配置されていることである。キャパシタＣ２より遠くに
抵抗Ｒ３を設置することは、対称な増幅器回路を、抵抗
Ｒ７、Ｒ８及び導体４７、４８に接続するバイアスチェ
ーン（ｂｉａｓ　ｃｈａｉｎ）より切り離す。これは、
導体４７上に存在するひずみ成分の帰還の除去を助ける
。同じ修正が、抵抗Ｒ３’及び接続された導体にも実行
されるので、Ｒ３、Ｒ３’の配置はライン６０に関し対
称であり、Ｒ３、Ｒ３’及びＣ２、Ｃ２’はともに回路
１０の接近した非対称部分によって影響を受けることが
少ない。これは、これらの抵抗、キャパシタ及び接続リ
ードに関連する寄生インピーダンスの影響を低減化する
。

図示される特別の実施例では、Ｒ３、Ｒ３’の長手方向
の寸法はライン６０に対して直角に交差しているが、こ
れは所望の抵抗値または比に依存する。

本発明の配置構成は、従来技術のものに比べて改善され
た性能、例えば、実質的に同じ部品及び同じかまたは小
さい基板スペースを用いて、より大きい利得帯域幅積、
及び、より良好な安定度（Ｓｔａｂｉｌｉｔｙ　ｍａｒ
ｇｉｎ）を与えることは、当業技術者には認められるで
あろう。これらは、ＲＦ増幅器に関連して特に価値のあ
る著しい改善点である。改善されたレイアウトは、全体
の回路基板領域を縮小することを容易にするのに役に立
つことも、また理解できるであろう。

本発明は、特別の形の増幅器手段及び他の部品によって
図示されているが、本発明はまた、他の増幅器手段、他
の部品、及び様々な他の回路を選択しても同様に適用で
きることを当業技術者は理解できるであろう。また、本
発明の開示に基づき当業技術者は、過度の実験なしにこ
の様な変更をする方法を理解できるであろう。従って、
このような変更されたもの及び等価なものは特許請求の
範囲に含まれることが意図されている。

【図面の簡単な説明】

第１図は、先行技術に基づ＜ＲＦデュアルカスコード増
幅器（ｄｕａｌ　ＲＦ　Ｃａｓｃｏｄｅ　ａｍｐｌｉｆ
ｉｅｒ）の簡略化された回路図である。 第２図乃至第５図は、先行技術に基づく、また、様々の
製造段階における、第１図の回路のハイブリッド構或の
簡略化された平面図で、また第６図乃至第９図は、第２
図乃至第５図に類似し、様々の製造段階におけるもので
あるが、しかし本発明に基づく第１図の回路のハイブリ
ッド構威の簡略化された平面図である。 １０．　２０．　４０・・・・・・ＲＦデュアル力スコ
ード増幅器の回路（基板） １２．　１４・・・・・・プッシュブル回路部分３０．
　５０・・・・・・接地金属領域２１〜３３．　４１〜
５３，　４４．　４４’　　４５．　４５’・・・・・
・金属領域（導体） ５４．　５４’・・・・・・共通導体 ６０・・・・・・鏡面ライン ５１・・・・・・入力

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）高周波電子的アセンブリであつて、それぞれ入力
   端子と基準端子と出力端子とを有し、第１の増幅器チツ
   プ手段の出力は第２の増幅器チツプ手段の入力に結合さ
   れる、信号増幅用の第１及び第２のトランジスタチツプ
   を含む手段と、 増幅器チツプ手段を含み、実装される手段である第１及
   び第２の増幅器チツプをそれぞれ受容する第１及び第２
   の金属領域と、第１の金属領域の３つの側面の周囲に沿
   つて少なくとも部分的に伸びる部分を有するＵ型第３の
   金属領域と及び第２の金属領域の３つの側面の周囲に沿
   つて少なくとも部分的に伸びる部分を有するＵ型第４の
   金属領域とを有する、部品を支持し結合するボード手段
   とを含む、ハイブリツド増幅器。
2. （２）それぞれ入力端子と基準端子と出力端子とを有し
   、第１の増幅器手段の出力は第２の増幅器手段の入力に
   結合される、信号増幅用の第１及び第２の手段と、 増幅器手段を含み、第１及び第２の増幅器手段をそれぞ
   れ受容する第１及び第２の金属領域と、第１の金属領域
   の３つの側面の周囲に沿つて少なくとも部分的に伸びる
   部分を有する第３の金属領域と及び第２の金属領域の３
   つの側面の周囲に沿つて少なくとも部分的に伸びる部分
   を有する第４の金属領域とを有する、部品を支持し結合
   するボード手段と、 各々入力端子、基準端子及び出力端子を有し、第３の増
   幅器手段の出力は第４の増幅器手段の入力に結合される
   、信号増幅用の第３及び第４の手段と、 それぞれ第３及び第４の増幅器手段を受容する第５及び
   第６の金属領域と、 第５の金属領域の３つの側面に沿つて少なくとも部分的
   に伸びる部分を有する第７の金属領域と、第６の金属領
   域の３つの側面に沿つて少なくとも部分的に伸びる部分
   を有する第８の金属領域とを含む、ハイブリツド増幅器
   。
3. （３）導体と薄膜抵抗とをその上に具備する回路ボード
   と、 少なくとも２つの直接的に結合された増幅器素子と抵抗
   とキヤパシタとを含み、増幅器手段は回路ボードに沿つ
   て延長した第１の方向の両側に鏡面対称形式で配置され
   、少なくとも２つの薄膜抵抗は各々の増幅器手段内にお
   いて、第１の方向と交差する方向を有する各々の共通の
   導体において終端を有する、回路ボード上の第１及び第
   ２の増幅器手段とを含む、ＲＦ用のハイブリツド増幅器
   。