JPH0352408B2 - - Google Patents
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- JPH0352408B2 JPH0352408B2 JP8275983A JP8275983A JPH0352408B2 JP H0352408 B2 JPH0352408 B2 JP H0352408B2 JP 8275983 A JP8275983 A JP 8275983A JP 8275983 A JP8275983 A JP 8275983A JP H0352408 B2 JPH0352408 B2 JP H0352408B2
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- silicon
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【発明の詳細な説明】
本発明は、一般式SikCl2k+2（ｋは２以上の整
数）で表される高級塩素化ケイ素から、SilCl2l+2
（ｌはｌ〓ｋなる１以上の整数）を製造する方法
に関する。 近年、エレクトロニクス工業の発展に伴い、多
結晶シリコンあるいはアモルフアスシリコン等の
半導体用シリコンの需要が急激に増大している。 式（）で表される塩素化ケイ素 SilCl2l+2 （） （ｎ≧１なる整数） は、かかる半導体用シリコンの製造原料として最
近特にその重要性を増している。 これらはそのまま熱分解してアモルフアスシリ
コン等とすることも勿論出来るが（ベルギー特許
明細書第889523号）、さらに還元して、（）式で
表されるポリシランとし、 SioH2o+2 （） （ｎ≧１なる整数） これを、熱分解等して半導体用シリコンを製造
することが普通である。 しかして、ポリシラン、特にジシランSi2H6
は、熱分解、グロー放電分解によりアモルフアス
シリコン膜を形成する場合、モノシランSiH4に
比較して、基盤上へ形成される膜の堆積速度がは
るかに大きく、かつ、該膜は電気特性に優れてい
る等の利点があり、太陽電池用または感光ドラム
用半導体の原料等として今後大幅な需要増加が期
待されている（特開昭56−83929号公報）。 従来、塩素化ケイ素たとえばヘキサクロロジシ
ラン自体の製造方法は公知であり、通常、カルシ
ウムシリコン、マグネシウムシリコン、あるいは
フエロシリコン等金属とシリコンとの合金の粒子
を高温で塩素化するかまたはシリコン粒子自体を
高温で塩素化することにより行われる（米国特許
明細書第2602728号、同第2621111号）。 しかしながら、この場合、目的物である塩素化
ケイ素たとえばヘキサクロロジシランのみを選択
的に生産することは困難であり、通常ヘキサクロ
ロジシラン以外にも相当量の四塩化ケイ素（一般
式（）においてｎ＝１）、オクタクロロトリシ
ラン（同じくｎ＝３）およびそれ以上の高級塩化
物（以下ｎ≧３のものを単に高級塩化物という）
がかなり副生することは避けられなかつた。特
に、このオクタクロロトリシラン以上の高級塩化
物が大量に副生することは、目的物であるヘキサ
クロロジシランの収率を減少せしめるばかりでな
く、廃棄処理を困難にしかつ操作の安全性をそこ
なうことになるので非常に大きな問題となつてい
た（該高級塩化物は水の存在により容易に衝撃発
火性の白色固体を生じる）。 従来、高級塩素化ケイ素に関し、たとえば次式
に示すような不均化反応が知られている。（ジヤ
ーナル オブ インオーガニツク アンド ニユ
クレア ケミストリー（J.Inorg.Nucl.Chem.）
vol26．p409−444（1964））。 ） 4Si2Cl6→Si5Cl12＋3SiCl4 ） 5Si2Cl6→Si6Cl14・SiCl4 ＋3SiCl4（→Si6Cl14＋4SiCl4） ） 3Si3Cl8→Si5Cl12＋2Si2Cl6 ） 15Si3Cl8→6Si6Cl14・SiCl4 ＋3SiCl4（→6Si6Cl14＋9SiCl4） 上記反応は、いずれも、触媒としてＮ（CH3）3、
（CH3）3N・HCl、（CH3）3N・BCl3等のアミンを
使用する低温液相反応である。したがつて、上記
反応を利用すれば、たとえば不要のオクタクロロ
トリシランSi3Cl8を有用なヘキサクロロジシラン
Si2Cl6や四塩化ケイ素SiCl4に転化せしめ得るは
ずである。 しかしながら、上記アミン触媒を利用する不均
化反応は転化率が低く、かつ、生成液中から触媒
であるアミン化合物を分離除去しなければならな
いという欠点がある。 本発明者らは、上記点にかんがみ鋭意検討した
結果、意外にも高級塩素化ケイ素をガス状で、触
媒不存在下に高温で加熱処理することにより、他
の所望の塩素化ケイ素に転化せしめることができ
ることを見出し、本発明を完成した。 すなわち、本発明は、一般式（） SikCl2k+2 （） （ｋは２以上の整数） で表わされる高級塩素化ケイ素を原料とし、これ
を単独あるいは希釈剤の存在下に200℃乃至1000
℃で加熱処理し少くともその一部分を一般式
（） SilCl2l+2 （） （ｌはｌ〓ｋなる１以上の整数） で表わされる（）と異る別の塩素化ケイ素に転
化せしめることを特徴とする塩素化ケイ素Sil
Cl2l+2の製造方法に存する。 以下、本発明を詳細に説明する。 本発明における原料たる高級塩素化ケイ素は一
般式（） SikCl2k+2 （） （ｋは２以上の整数） で表わされるものであり、たとえば、ヘキサクロ
ロジシラン、オクタクロロトリシラン、デカクロ
ロテトラシラン等があげられる。 これらは、もちろん、いかなる方法で得られた
ものであつてもかまわないが、たとえば前記した
ごとく、カルシウムシリコン、マグネシウムシリ
コン、あるいはフエロシリコン等金属とシリコン
との合金の粒子を高温で塩素化するかまたはシリ
コン粒子自体を高温で塩素化することにより得ら
れた生成物から、所望の塩素化ケイ素たとえば、
四塩化ケイ素やヘキサクロロジシラン等を蒸留等
の手段で分離したより高沸成分の高級塩素化ケイ
素などが好適に使用できる。また、該高級塩素化
ケイ素は単独でも混合物でもかまわないことはも
ちろんである。 本発明は上記のごとき高級塩素化ケイ素を原料
とし、これを単独あるいは希釈剤の存在下に200
℃乃至1000℃で加熱処理し少くともその一部分を
一般式（） SilCl2l+2 （） （ｌはｌ〓ｋなる１以上の整数） で表わされる（）と異る別の塩素化ケイ素に転
化せしめるものである。 加熱処理温度が200℃未満の場合は高級塩素化
ケイ素の転化がほとんど行なわれずまた1000℃を
越えた場合には、高級塩素化ケイ素の分解によつ
て塩素ガスおよび金属ケイ素が生成するので好ま
しくない。 なお、加熱温度は上記範囲であればより高温の
方が四塩化ケイ素SiCl4への転化生成割合が増加
し、一方より低温の方が、高級塩素化ケイ素の割
合が増加するので、高級塩素化ケイ素の製造を目
的とする場合には300℃乃至700℃であることが好
ましい。特にオクタクロロトリシランSi3Cl8から
ヘキサクロロジシランSi2Cl6を収率良く製造する
場合には、400℃乃至600℃であることが好まし
い。 本発明を実施するための転化器の構造は、原料
気体の加熱処理操作が効果的に行えるものであ
り、かつ、冷却および／または加熱手段を備えて
おり、処理温度（反応温度）を所望の範囲に制御
できるものであれば管型、撹拌層型等いかなる形
式のものでもかまわない。 なお、加熱手段は特に制限はなく、電熱あるい
はジフエニル等の熱媒体等が用いられる。たとえ
ば、管型の反応器の場合は、これを空塔（空管）
でそのまま使用してもよいしα−アルミナビー
ズ、ラシヒリング、バールサドルリング等の充填
物を充填して熱交換操作をより効果的にすること
も好ましい。 本発明の反応を実施させる態様としては、原料
の高級塩素化ケイ素（これらは通常常温で液体あ
るいは固体である）を予熱器等であらかじめ転化
温度程度に予熱し転化器に供給してもよいし、ま
たは該高級塩素化ケイ素を液体のまま高温に保持
した転化器に供給し、該転化器に於て該高級塩素
化ケイ素の加熱および転化反応を共に起さしめて
もよい。 上記転化反応は発熱反応であるから、特に反応
の開始時にはある程度の熱を供給してやる必要が
ある。 しかして転化器は自己熱交換型のものとし、原
料高級塩素化ケイ素液体と生液高温ガスとを転化
器管壁を通して関接的に接触せしめ、熱回収を行
つてもよいし、好ましくは冷却した希釈剤たる四
塩化ケイ素を転化器内に噴霧したり、もしくは原
料高級塩素化ケイ素を四塩化ケイ素等であらかじ
め希釈して転化器に供給してもよい（なお、この
場合、希釈剤は原料高級塩素化ケイ素の流動性を
向上して取り扱い易くする効果をも有する）。ま
た、かかる希釈剤としては、その他反応系に対し
て不活性なフロン、メチレンクロライド、シリコ
ンオイル等も使用可能である。 また、反応速度を制御できる範囲におさえて反
応熱を的確にコントロールするため、上記転化反
応をヘリウム、ネオン、アルゴン、キセノン、窒
素等の不活性なガスの雰囲気下に行つてもよい。 なお、転化反応速度は非常に速いので、１秒〜
100秒程度の反応時間（連続流通反応の場合は空
塔基準の平均滞留時間）で転化反応は完結する。 反応完結後、原料高級塩素化ケイ素とは異る別
の塩素化ケイ素に転化した生成ガスは所望の塩素
化ケイ素を含む種々の塩素化ケイ素からなる組成
物（未反応の原料高級塩素化ケイ素も含まれう
る）として転化器より排出されるので、これを凝
縮して蒸留分離することにより、容易に所望の塩
素化ケイ素を回収することができる。 本発明によれば、高級塩素化ケイ素を原料とし
て、公知の方法を使用する場合よりはるかに容易
にかつ収率良く四塩化ケイ素および／または所望
の高級塩素化ケイ素等の塩素化ケイ素を製造する
ことが可能である。また、転化生成物の一部であ
るより高級塩素化ケイ素は互に重合不活性化し、
取り扱いの安全な物質（たとえば後記実施例では
釜残成分）となり容易に廃棄することができる。 以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。 実施例 １ 転化器として100mmφ＊980mmの石英ガラス管
に平均粒径５mmのα−アルミナビーズを充填した
ものを使用しこれを予め500℃に設定した。原料
の高級塩素化ケイ素Si3Cl82.7Kgを希釈剤たる
SiCl46.3Kgに希釈したものを定量ポンプにより
0.15Kg／minの速さで転化器に供給しアルゴンガ
ス雰囲気下で60分間転化反応を行つた。なお、空
塔基準の平均滞留時間は８秒であつた。生成ガス
を約０℃に冷却し、生成凝縮液9.0Kgを捕集した。 次にこの生成凝縮液を常圧下で単蒸留して
SiCl46.4Kgを得、更にひきつづいて減圧下（125
mmHg）で単蒸留することによりSi2Cl62.1Kg、
Si3Cl80.2Kg、Si4Cl100.2Kgを含む釜残0.1Kgを得
た。 すなわち、原料Si3Cl8の71％（Si原子基準）が
Si2Cl6に転化回収されたことになる。 比較例 １ 転化器として撹拌機を備えた200mlの丸底フラ
スコを使用し、これに原料高級塩素化ケイ素
Si3Cl824gを装入した。 次に転化器を液体窒素バスで−196℃に冷却し
た後系内を真空にし、その中に触媒として微量の
トリメチルアミン約１mlをガス状で注入した。転
化器を常温まで昇温し、３時間放置後に転化器内
容物を減圧下（数mmHg）で蒸留した。留出ガス
を約０℃に冷却し、Si2Cl611.5gを含む生成凝縮
液を捕集した。 また釜残として12.5gの白色結晶物を得た。得
られたSi2Cl6の仕込Si3Cl8に対する収率は44％
（Si原子基準）であつた。 実施例 ２ 実施例１において、転化温度を400℃で行なつ
た以外は、実施例１と同様の実験を行なつた。 結果を第１表に示す。 実施例 ３ 実施例１において、仕込み原料としてSi3Cl81.9
KgとSi5Cl12以上の高級塩素化ケイ素混合物0.7Kg
（Siとして108g）を希釈剤たるSiCl40.63Kgに希釈
した混合液を用いた以外は、実施例１と同様の実
験を行なつた。 結果を第１表に示す。 実施例 ４ 実施例３において、反応温度を400℃とした以
外は、実施例３と同様の実験を行なつた。 結果を第１表に示す。 【表】
数）で表される高級塩素化ケイ素から、SilCl2l+2
（ｌはｌ〓ｋなる１以上の整数）を製造する方法
に関する。 近年、エレクトロニクス工業の発展に伴い、多
結晶シリコンあるいはアモルフアスシリコン等の
半導体用シリコンの需要が急激に増大している。 式（）で表される塩素化ケイ素 SilCl2l+2 （） （ｎ≧１なる整数） は、かかる半導体用シリコンの製造原料として最
近特にその重要性を増している。 これらはそのまま熱分解してアモルフアスシリ
コン等とすることも勿論出来るが（ベルギー特許
明細書第889523号）、さらに還元して、（）式で
表されるポリシランとし、 SioH2o+2 （） （ｎ≧１なる整数） これを、熱分解等して半導体用シリコンを製造
することが普通である。 しかして、ポリシラン、特にジシランSi2H6
は、熱分解、グロー放電分解によりアモルフアス
シリコン膜を形成する場合、モノシランSiH4に
比較して、基盤上へ形成される膜の堆積速度がは
るかに大きく、かつ、該膜は電気特性に優れてい
る等の利点があり、太陽電池用または感光ドラム
用半導体の原料等として今後大幅な需要増加が期
待されている（特開昭56−83929号公報）。 従来、塩素化ケイ素たとえばヘキサクロロジシ
ラン自体の製造方法は公知であり、通常、カルシ
ウムシリコン、マグネシウムシリコン、あるいは
フエロシリコン等金属とシリコンとの合金の粒子
を高温で塩素化するかまたはシリコン粒子自体を
高温で塩素化することにより行われる（米国特許
明細書第2602728号、同第2621111号）。 しかしながら、この場合、目的物である塩素化
ケイ素たとえばヘキサクロロジシランのみを選択
的に生産することは困難であり、通常ヘキサクロ
ロジシラン以外にも相当量の四塩化ケイ素（一般
式（）においてｎ＝１）、オクタクロロトリシ
ラン（同じくｎ＝３）およびそれ以上の高級塩化
物（以下ｎ≧３のものを単に高級塩化物という）
がかなり副生することは避けられなかつた。特
に、このオクタクロロトリシラン以上の高級塩化
物が大量に副生することは、目的物であるヘキサ
クロロジシランの収率を減少せしめるばかりでな
く、廃棄処理を困難にしかつ操作の安全性をそこ
なうことになるので非常に大きな問題となつてい
た（該高級塩化物は水の存在により容易に衝撃発
火性の白色固体を生じる）。 従来、高級塩素化ケイ素に関し、たとえば次式
に示すような不均化反応が知られている。（ジヤ
ーナル オブ インオーガニツク アンド ニユ
クレア ケミストリー（J.Inorg.Nucl.Chem.）
vol26．p409−444（1964））。 ） 4Si2Cl6→Si5Cl12＋3SiCl4 ） 5Si2Cl6→Si6Cl14・SiCl4 ＋3SiCl4（→Si6Cl14＋4SiCl4） ） 3Si3Cl8→Si5Cl12＋2Si2Cl6 ） 15Si3Cl8→6Si6Cl14・SiCl4 ＋3SiCl4（→6Si6Cl14＋9SiCl4） 上記反応は、いずれも、触媒としてＮ（CH3）3、
（CH3）3N・HCl、（CH3）3N・BCl3等のアミンを
使用する低温液相反応である。したがつて、上記
反応を利用すれば、たとえば不要のオクタクロロ
トリシランSi3Cl8を有用なヘキサクロロジシラン
Si2Cl6や四塩化ケイ素SiCl4に転化せしめ得るは
ずである。 しかしながら、上記アミン触媒を利用する不均
化反応は転化率が低く、かつ、生成液中から触媒
であるアミン化合物を分離除去しなければならな
いという欠点がある。 本発明者らは、上記点にかんがみ鋭意検討した
結果、意外にも高級塩素化ケイ素をガス状で、触
媒不存在下に高温で加熱処理することにより、他
の所望の塩素化ケイ素に転化せしめることができ
ることを見出し、本発明を完成した。 すなわち、本発明は、一般式（） SikCl2k+2 （） （ｋは２以上の整数） で表わされる高級塩素化ケイ素を原料とし、これ
を単独あるいは希釈剤の存在下に200℃乃至1000
℃で加熱処理し少くともその一部分を一般式
（） SilCl2l+2 （） （ｌはｌ〓ｋなる１以上の整数） で表わされる（）と異る別の塩素化ケイ素に転
化せしめることを特徴とする塩素化ケイ素Sil
Cl2l+2の製造方法に存する。 以下、本発明を詳細に説明する。 本発明における原料たる高級塩素化ケイ素は一
般式（） SikCl2k+2 （） （ｋは２以上の整数） で表わされるものであり、たとえば、ヘキサクロ
ロジシラン、オクタクロロトリシラン、デカクロ
ロテトラシラン等があげられる。 これらは、もちろん、いかなる方法で得られた
ものであつてもかまわないが、たとえば前記した
ごとく、カルシウムシリコン、マグネシウムシリ
コン、あるいはフエロシリコン等金属とシリコン
との合金の粒子を高温で塩素化するかまたはシリ
コン粒子自体を高温で塩素化することにより得ら
れた生成物から、所望の塩素化ケイ素たとえば、
四塩化ケイ素やヘキサクロロジシラン等を蒸留等
の手段で分離したより高沸成分の高級塩素化ケイ
素などが好適に使用できる。また、該高級塩素化
ケイ素は単独でも混合物でもかまわないことはも
ちろんである。 本発明は上記のごとき高級塩素化ケイ素を原料
とし、これを単独あるいは希釈剤の存在下に200
℃乃至1000℃で加熱処理し少くともその一部分を
一般式（） SilCl2l+2 （） （ｌはｌ〓ｋなる１以上の整数） で表わされる（）と異る別の塩素化ケイ素に転
化せしめるものである。 加熱処理温度が200℃未満の場合は高級塩素化
ケイ素の転化がほとんど行なわれずまた1000℃を
越えた場合には、高級塩素化ケイ素の分解によつ
て塩素ガスおよび金属ケイ素が生成するので好ま
しくない。 なお、加熱温度は上記範囲であればより高温の
方が四塩化ケイ素SiCl4への転化生成割合が増加
し、一方より低温の方が、高級塩素化ケイ素の割
合が増加するので、高級塩素化ケイ素の製造を目
的とする場合には300℃乃至700℃であることが好
ましい。特にオクタクロロトリシランSi3Cl8から
ヘキサクロロジシランSi2Cl6を収率良く製造する
場合には、400℃乃至600℃であることが好まし
い。 本発明を実施するための転化器の構造は、原料
気体の加熱処理操作が効果的に行えるものであ
り、かつ、冷却および／または加熱手段を備えて
おり、処理温度（反応温度）を所望の範囲に制御
できるものであれば管型、撹拌層型等いかなる形
式のものでもかまわない。 なお、加熱手段は特に制限はなく、電熱あるい
はジフエニル等の熱媒体等が用いられる。たとえ
ば、管型の反応器の場合は、これを空塔（空管）
でそのまま使用してもよいしα−アルミナビー
ズ、ラシヒリング、バールサドルリング等の充填
物を充填して熱交換操作をより効果的にすること
も好ましい。 本発明の反応を実施させる態様としては、原料
の高級塩素化ケイ素（これらは通常常温で液体あ
るいは固体である）を予熱器等であらかじめ転化
温度程度に予熱し転化器に供給してもよいし、ま
たは該高級塩素化ケイ素を液体のまま高温に保持
した転化器に供給し、該転化器に於て該高級塩素
化ケイ素の加熱および転化反応を共に起さしめて
もよい。 上記転化反応は発熱反応であるから、特に反応
の開始時にはある程度の熱を供給してやる必要が
ある。 しかして転化器は自己熱交換型のものとし、原
料高級塩素化ケイ素液体と生液高温ガスとを転化
器管壁を通して関接的に接触せしめ、熱回収を行
つてもよいし、好ましくは冷却した希釈剤たる四
塩化ケイ素を転化器内に噴霧したり、もしくは原
料高級塩素化ケイ素を四塩化ケイ素等であらかじ
め希釈して転化器に供給してもよい（なお、この
場合、希釈剤は原料高級塩素化ケイ素の流動性を
向上して取り扱い易くする効果をも有する）。ま
た、かかる希釈剤としては、その他反応系に対し
て不活性なフロン、メチレンクロライド、シリコ
ンオイル等も使用可能である。 また、反応速度を制御できる範囲におさえて反
応熱を的確にコントロールするため、上記転化反
応をヘリウム、ネオン、アルゴン、キセノン、窒
素等の不活性なガスの雰囲気下に行つてもよい。 なお、転化反応速度は非常に速いので、１秒〜
100秒程度の反応時間（連続流通反応の場合は空
塔基準の平均滞留時間）で転化反応は完結する。 反応完結後、原料高級塩素化ケイ素とは異る別
の塩素化ケイ素に転化した生成ガスは所望の塩素
化ケイ素を含む種々の塩素化ケイ素からなる組成
物（未反応の原料高級塩素化ケイ素も含まれう
る）として転化器より排出されるので、これを凝
縮して蒸留分離することにより、容易に所望の塩
素化ケイ素を回収することができる。 本発明によれば、高級塩素化ケイ素を原料とし
て、公知の方法を使用する場合よりはるかに容易
にかつ収率良く四塩化ケイ素および／または所望
の高級塩素化ケイ素等の塩素化ケイ素を製造する
ことが可能である。また、転化生成物の一部であ
るより高級塩素化ケイ素は互に重合不活性化し、
取り扱いの安全な物質（たとえば後記実施例では
釜残成分）となり容易に廃棄することができる。 以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。 実施例 １ 転化器として100mmφ＊980mmの石英ガラス管
に平均粒径５mmのα−アルミナビーズを充填した
ものを使用しこれを予め500℃に設定した。原料
の高級塩素化ケイ素Si3Cl82.7Kgを希釈剤たる
SiCl46.3Kgに希釈したものを定量ポンプにより
0.15Kg／minの速さで転化器に供給しアルゴンガ
ス雰囲気下で60分間転化反応を行つた。なお、空
塔基準の平均滞留時間は８秒であつた。生成ガス
を約０℃に冷却し、生成凝縮液9.0Kgを捕集した。 次にこの生成凝縮液を常圧下で単蒸留して
SiCl46.4Kgを得、更にひきつづいて減圧下（125
mmHg）で単蒸留することによりSi2Cl62.1Kg、
Si3Cl80.2Kg、Si4Cl100.2Kgを含む釜残0.1Kgを得
た。 すなわち、原料Si3Cl8の71％（Si原子基準）が
Si2Cl6に転化回収されたことになる。 比較例 １ 転化器として撹拌機を備えた200mlの丸底フラ
スコを使用し、これに原料高級塩素化ケイ素
Si3Cl824gを装入した。 次に転化器を液体窒素バスで−196℃に冷却し
た後系内を真空にし、その中に触媒として微量の
トリメチルアミン約１mlをガス状で注入した。転
化器を常温まで昇温し、３時間放置後に転化器内
容物を減圧下（数mmHg）で蒸留した。留出ガス
を約０℃に冷却し、Si2Cl611.5gを含む生成凝縮
液を捕集した。 また釜残として12.5gの白色結晶物を得た。得
られたSi2Cl6の仕込Si3Cl8に対する収率は44％
（Si原子基準）であつた。 実施例 ２ 実施例１において、転化温度を400℃で行なつ
た以外は、実施例１と同様の実験を行なつた。 結果を第１表に示す。 実施例 ３ 実施例１において、仕込み原料としてSi3Cl81.9
KgとSi5Cl12以上の高級塩素化ケイ素混合物0.7Kg
（Siとして108g）を希釈剤たるSiCl40.63Kgに希釈
した混合液を用いた以外は、実施例１と同様の実
験を行なつた。 結果を第１表に示す。 実施例 ４ 実施例３において、反応温度を400℃とした以
外は、実施例３と同様の実験を行なつた。 結果を第１表に示す。 【表】
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式（） SikCl2k+2（ｋは２以上の整数） （） で表わされる高級塩素化ケイ素を原料とし、これ
を単独あるいは希釈剤の存在下に200℃乃至1000
℃で加熱処理し少くともその一部分を一般式
（） SilCl2l+2（ｌはｌ≠ｋなる１以上の整数）
（） で表わされる（）と異る別の塩素化ケイ素に転
化せしめることを特徴とする塩素化ケイ素Sil
Cl2l+2の製造方法。 ２ 塩素化ケイ素SilCl2l+2がSiCl4である特許請求
の範囲第１項記載の方法。 ３ 塩素化ケイ素SilCl2l+2がSiCl4を含有する塩素
化ケイ素組成物として得られる特許請求の範囲第
２項記載の方法。 ４ 塩素化ケイ素SilCl2l+2がSi2Cl6である特許請
求の範囲第１項記載の方法。 ５ 塩素化ケイ素SilCl2l+2がSi2Cl6を含有する塩
素化ケイ素組成物として得られる特許請求の範囲
第４項記載の方法。 ６ 原料高級塩素化ケイ素SikCl2k+2がSi3Cl8であ
る特許請求の範囲第１項ないし第５項のいずれか
に記載の方法。 ７ 原料高級塩素化ケイ素SikCl2k+2がSi3Cl8を含
有する高級塩素化ケイ素組成物である特許請求の
範囲第６項記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8275983A JPS59207830A (ja) | 1983-05-13 | 1983-05-13 | 塩素化ケイ素の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8275983A JPS59207830A (ja) | 1983-05-13 | 1983-05-13 | 塩素化ケイ素の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59207830A JPS59207830A (ja) | 1984-11-26 |
| JPH0352408B2 true JPH0352408B2 (ja) | 1991-08-09 |
Family
ID=13783365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8275983A Granted JPS59207830A (ja) | 1983-05-13 | 1983-05-13 | 塩素化ケイ素の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59207830A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4841083A (en) * | 1987-06-03 | 1989-06-20 | Mitsui Toatsu Chemicals, Incorporated | Ladder polysilanes |
| US7922814B2 (en) | 2005-11-29 | 2011-04-12 | Chisso Corporation | Production process for high purity polycrystal silicon and production apparatus for the same |
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| DE102010062984A1 (de) * | 2010-12-14 | 2012-06-14 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung höherer Halogen- und Hydridosilane |
-
1983
- 1983-05-13 JP JP8275983A patent/JPS59207830A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59207830A (ja) | 1984-11-26 |
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