JPH0352521B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

この発明は、圧延方向に磁化容易軸＜001＞を
有しかつ板面に｛110｝を有する磁気特性の優れ
た一方向性珪素鋼板の製造方法に関し、特にその
一連の製造工程中における最終仕上げ焼鈍に関す
るものである。 周知のように一方向性珪素鋼板は変圧器その他
の電気機器の鉄芯として使用されるものであり、
その磁気特性としては、一般にはB₁₀値（磁場の
強さ1000A／ｍにおいて発生する圧延方向の磁束
密度）で代表される磁束密度が高く、かつW_17/50
値（磁束密度1.7T、周波数50Hzで磁化した場合
の鉄損）で代表される鉄損が低いことが要求され
ている。 ところで最近では省エネルギー優先の要請が一
段と強まり、そのため変圧器等における設計磁束
密度を下げて使用し、電力損失を減らすことの有
用性も認められてきている。このような観点か
ら、最近では鉄芯材料として従来ほど高い磁束密
度が重視されず、中・低磁場での鉄損（例えば
W_13/50、W_15/50）の低い珪素鋼板が望まれる場合
が増加しつつある。 一方向性珪素鋼板を製造するにあたつては、最
終仕上げ焼鈍に際して｛110｝＜001＞方位の結晶
粒が選択成長する所謂２次再結晶現象を適切に制
御して、｛110｝＜001＞方位の集積度を高めること
が重要である。このような｛110｝＜001＞組織を
有する珪素鋼板の製造方法としては、N.P.Goss
によつて２回圧延法が発明されて以来、磁気特性
向上のための種々の改善がなされてきた。例えば
方向性を強めるための一手段として、２次再結晶
の発達を促進させるべく正常粒（１次再結晶粒）
成長を抑制するための抑制剤（いわゆるインヒビ
ター）として熱延板に微細な析出物の２次分散相
を形成させる微量添加元素について種々の提案が
なされ、またその微量添加元素の微細析出のため
の方法について種々の提案がなされている。一
方、珪素鋼板の鉄損を下げるために、上述の如く
方向性の向上を図るほか、最終仕上焼鈍の雰囲気
やヒートサイクルの改良によつて製品の純化を促
進する方法、あるいは焼鈍分離剤として張力付与
型コーテイング被膜が形成されるものを選択して
鋼板表面に張力を付与する方法、あるいは製品に
微小歪を加えて磁区幅の細分化を図る方法などが
提案されている。 ところで本出願人は、磁束密度の高い一方向性
珪素鋼板を製造する方法として、適量のSbおよ
びSe、またはＳ等をインヒビターとして用い、
かつ最終仕上焼鈍工程における処理温度を比較的
低温とすることによつて２次再結晶粒を充分に発
達させる方法（特公昭51−13469号）を開発して
いる。しかしながらこの方法は高磁束密度材の製
造を主目的としたものであつて、２次再結晶粒を
充分に発達させるために製品の２次再結晶粒が大
きくなり、その結果磁区幅の増大により渦電流損
が大きくなつて低鉄損の製品が得にくくなり、ま
た比較的低温で２次再結晶を完了させるため長い
処理時間を要し、製造コストが高いなどの問題を
残している。 そこで本発明者等は上述のような問題を解決す
るべく、比較的低温・短時間で２次再結晶させる
ことによつて｛110｝＜001＞方位の集積度を従来
と同程度まで高めると同時に、２次再結晶の粒径
よりも小さくする方法の開発研究を進めた結果、
最終仕上焼鈍工程において、その前半の比較的低
温での２次再結晶焼鈍における２次再結晶率を適
切な範囲内に制御し、かつその後の２次再結晶完
了温度までの昇温速度を適切に規制することによ
つて、磁束密度は従来と同程度であるが鉄損が極
めて低い一方向性珪素鋼板が低コストで得られる
ことを見出し、この発明をなすに至つたのであ
る。 したがつてこの発明は、従来の製品と比較して
遜色ない程度の磁束密度を有すると同時に、鉄損
が極めて低い一方向性珪素鋼板を低コストで製造
する方法を提供することを目的とするものであ
る。 そしてこの発明は、C0.01〜0.1％、Si2.5〜4.0
％、Mn0.02〜0.1％を含みかつSeおよびＳの１種
または２種を合計で0.008〜0.050％含有する珪素
鋼素材を熱間圧延して得られた熱延板に、１回ま
たは中間焼鈍を挾む２回以上の冷間圧延を施して
最終板厚とした後、脱炭を兼ねる１次再結晶焼鈍
を施し、次いでMgOを主成分とする焼鈍分離剤
を塗布して、２次再結晶焼鈍および純化焼鈍から
なる最終仕上げ焼鈍を施す一連の製造工程よりな
る一方向性珪素鋼板の製造方法において、前記最
終仕上げ焼鈍工程前半の２次再結晶焼鈍として、
810〜890℃の温度域での焼鈍を、その２次再結晶
焼鈍直後の２次再結晶面積率が65〜95％の範囲内
となるように施し、引続いて２次再結晶完了温度
まで0.5〜20℃／hrの昇温速度で昇温して1000℃
以上の温度で純化焼鈍することを特徴とするもの
である。 以下この発明の製造方法についてさらに詳細に
説明する。 この発明の方法では、前述のように最終仕上げ
焼鈍工程前半の比較的低温域での２次再結晶焼鈍
における２次再結晶面積率、およびその後の２次
再結晶完了までの昇温速度を特定の範囲内に制御
することが重要な要件であり、これらの要件は本
発明者等の詳細な実験により見出されたものであ
る。すなわち本発明者等は前述のような目的を達
成するべく実験・研究を重ねた結果、先ず最終仕
上げ焼鈍前半の２次再結晶温度および時間が製品
の磁気特性に大きな影響を及ぼしていることを知
見し、さらに研究を進めたところ、最終仕上げ焼
鈍前半の２次再結晶焼鈍の温度および時間に応じ
て変化する２次再結晶面積率を適切な範囲内とす
るとともに、その後の２次再結晶完了温度までの
昇温速度を適切な範囲内とすることによつて、製
品の鉄損を著しく低くすることができ、しかも磁
束密度は従来と同程度を確保できることを見出し
た。 ここで最終仕上げ焼鈍における２次再結晶につ
いて説明すると、最終仕上げ焼鈍は、｛110｝＜001
＞方位に揃つた２次再結晶粒を発達させること、
およびそれに引続いて鉄損に有害な鋼中のＳ、
Se、Ｎ等を除去するための純化を目的としてな
されるものであり、通常はその最終仕上げ焼鈍工
程の前半において２次再結晶焼鈍を行ない、引続
いて純化焼鈍を行なう。このような最終仕上げ焼
鈍工程の前半の２次再結晶焼鈍により得られる２
次再結晶粒の方位は、その処理条件、特に２次再
結晶焼鈍温度および時間の影響を強く受ける。こ
こで最終仕上げ焼鈍前半の２次再結晶温度および
時間が２次再結晶粒の方位に影響を与える理由に
ついては明確にされていないが、２次再結晶粒は
低温で焼鈍するほど｛110｝＜001＞方位に良く揃
うが、その処理には長時間を要するようになり、
また２次再結晶の粒径も大きくなつて鉄損が高く
なる。したがつて比較的低い温度で保定して２次
再結晶の核を生成させ、それをある程度成長させ
た後、２次再結晶していない領域からも新たに２
次再結晶させて２次再結晶粒の平均粒径を小さく
することにより、鉄損が著しく低くしかも磁束密
度もある程度優れた一方向性珪素鋼板を安価に得
ることができると考えられる。一方、２次再結晶
焼鈍温度を高めて２次再結晶の開始を速める処置
をとつても、２時間未満の短時間保定では｛110｝
＜001＞方位に揃つた２次再結晶の核発生は起き
にくく、優れた磁気特性は得られない。 上述のような観点から、本発明者等は鉄損値が
著しく低くかつ磁束密度もある程度大きい一方向
性珪素鋼板を得るために最適な２次再結晶焼鈍条
件を見出すべく、次のような実験を行なつた。 すなわち、C0.040％、Si3.20％、Mn0.075％、
S0.004％、Se0.015％、Sb0.020％を含有する厚さ
3.0mmの熱延板を焼鈍し、中間焼鈍を挾む２回の
冷間圧延によつて0.30mmの最終板厚とし、続いて
脱炭・１次再結晶焼鈍を行つた鋼板（脱炭焼鈍
板）について、次のように２次再結晶の進行状態
および磁性に及ぼす影響を調べた。 第１図には、最終仕上げ焼鈍工程前半の２次再
結晶焼鈍のための保定温度を種々変化させて、各
温度における２次再結晶開始および完了に要する
時間を調べた結果を示す。第１図から、２次再結
晶焼鈍保定温度が低下するのに伴なつて、２次再
結晶の開始および完了に要する時間が長くなるこ
とがわかる。また２次再結晶面積率の異なつた試
験片が、その後の昇温により２次再結晶が完了す
る温度を調査したところ、950℃までに完了する
ことが判明した。 第２図には、第１図の実験で用いたものと同一
の脱炭焼鈍板について、最終仕上げ焼鈍の前半に
おいて２次再結晶焼鈍のための保定温度を850℃
とし、その保定温度における保定時間を種々変化
させることによつて保定直後の２次再結晶面積率
を変え、保定後に10℃／hrの昇温速度で1200℃の
純化焼鈍温度まで昇温させてその温度に５時間保
持した場合の製品の磁気特性を調べた結果を、２
次再結晶焼鈍のための850℃保定直後の段階の２
次再結晶面積率と対応して示す。第２図から明ら
かなように、２次再結晶焼鈍のための850℃保定
直後の段階で２次再結晶面積率が低い場合には、
850℃保定により２次再結晶を完了させた場合す
なわち２次再結晶面積率が100％の場合より磁束
密度B₁₀は若干低下するが、鉄損W_17/50は、２次
再結晶面積率が65〜95％の範囲内の場合に、２次
再結晶が完了した場合よりも低くなることが判明
した。 上述のように２次再結晶焼鈍後の２次再結晶面
積率65〜95％が得られる２次再結晶焼鈍温度およ
び時間は、第１図、第２図の実験に用いた脱炭焼
鈍板の場合、第１図中に斜線で示した領域、すな
わち次の(1)、(2)式で挾まれる範囲である。 Ｔ＝−40×log₁₀H＋895.5 ……(1) Ｔ＝−36.5×log₁₀H＋913 ……(2) 但しここでＴは２次再結晶焼鈍の保定温度
（℃）、Ｈは保定時間（hr）を示す。 したがつて２次再結晶焼鈍後の２次再結晶面積
率を65〜95％の範囲内に制御するためには、第１
図、第２図の実験で用いた脱炭焼鈍板の場合、２
次再結晶焼鈍の保定温度および保定時間を第１図
の斜線領域内となるように設定すれば良い。但し
２次再結晶のための保定温度が890℃を越える高
温の場合には、たとえその保定直後の２次再結晶
面積率が65〜95％の範囲内であつても２次再結晶
粒の｛110｝＜001＞方位への集積度が低くなつて
磁気特性が低下するから、２次再結晶焼鈍のため
の保定温度は890℃以下とし、その温度域での保
定終了直後の面積率が65〜95％の範囲内となるよ
うに制御する必要がある。一方２次再結晶のため
の保定温度が810℃未満では、２次再結晶面積率
が65％以上に達する時間がいたずらに長時間とな
つて経済性を損なうから、810〜890℃の範囲内と
する。 なお２次再結晶面積率は２次再結晶焼鈍温度お
よび時間のほか、鋼組成および最終仕上げ焼鈍以
前の工程の処理条件によつても変動するから、実
際の操業においては、これらの条件に応じて適切
な２次再結晶焼鈍温度および時間を設定する必要
がある。 さらに本発明者等は、C0.043％、Si3.30％、
Mn0.076％、S0.003％、Se0.018％、Sb0.027％を
含有する厚み3.0mmの熱延板を第１図、第２図の
実験と同一条件で処理して脱炭焼鈍板を作り、最
終仕上焼鈍工程前半での２次再結晶焼鈍を、 Ａ：860℃で23時間保定、２次再結晶面積率88％、 Ｂ：830℃で60時間保定、２次再結晶面積率70％、 なる２種の条件で実施し、その後２次再結晶完了
（950℃）までの昇温速度を0.5〜50℃／hrの範囲
内で種々変化させ、さらに純化焼鈍温度（1200
℃）まで50℃／hrで昇温して得られた一方向性珪
素鋼板製品の磁気特性を調べたところ、第１表に
示す結果が得られた。

【表】 第１表から明らかなように、２次再結晶焼鈍
後、２次再結晶完了温度までの昇温速度は製品の
鉄損W_17/50、磁束密度B₁₀に影響を及ぼし、特に
鉄損W_17/50に対する影響は顕著である。そして著
しく低い鉄損値と比較的高い磁束密度を得るため
には、上記昇温速度が20℃／hr以下の範囲が適当
であることが判明した。但し昇温速度が0.5℃／
hr未満では昇温に要する時間が著しく長くなつて
経済性、生産性を損なうから、この発明では２次
再結晶完了までの昇温速度を0.5〜20℃／hrの範
囲内とした。なお第１表に示すように２次再結晶
のための保定焼鈍直後の２次再結晶面積率が88％
の条件Ａの場合には昇温速度10℃／hr付近で鉄損
が最低となるのに対し、同上２次再結晶面積率が
70％の条件Ｂの場合には昇温速度が３℃／hr付近
で鉄損が最低となつている。このことから、２次
再結晶保定焼鈍直後の２次再結晶面積率が高い場
合には昇温速度を比較的大きくし、再結晶面積率
が低い場合には昇温速度を比較的遅くすることが
望ましい。 なお、２次再結晶焼鈍後の昇温速度は、純化焼
鈍温度まで規制しても良いが、２次再結晶が完了
した950℃以上では結晶方位への影響はなく、し
たがつて２次再結晶完了温度を越える温度域での
昇温速度は、Ｓ、Se、Ｎ等の純化する温度との
兼合いや経済性の観点から適宜定めれば良い。 以上のように本発明者等の詳細な実験の結果、
最終仕上げ焼鈍工程の前半における890℃以下の
温度で２次再結晶焼鈍を、その２次再結晶焼鈍直
後の２次再結晶面積率が65〜95％の範囲内となる
ように制御し、かつそれに引続いての純化焼鈍温
度まで昇温する途中での２次再結晶完了温度
（950℃）までの昇温速度を0.5〜20℃／hrに制御
することによつて、鉄損が極めて低くかつ磁束密
度も比較的高い製品を得ることが可能となつたの
である。 なお890℃以下の温度範囲で２次再結晶面積率
65〜95％を得る手段は、一定温度に保定する処理
に限らず、保定と同様の効果を持つ10℃／hr以下
（実質的に０℃／hrでない）の昇温速度での加熱
でも良い。但しこの場合も２次再結晶面積率65〜
95％に到達した後、それ以前と同じ10℃／hr以下
の昇温速度で２次再結晶を完了させた場合には、
２次再結晶粒が大きくなり、鉄損が改善されな
い。２次再結晶率が65〜95％に到達した時点にお
いて、それ以前の昇温速度より速い昇温速度を
0.5〜20℃／hrの範囲内で選ぶことにより鉄損が
改善される。 次にこの発明の方法で使用される珪素鋼素材の
成分限定理由について説明する。 Ｃは脱炭焼鈍以前の工程において結晶組織を均
一にするために必要であるが0.01％未満ではその
効果が少ない。またＣが0.1％を越えれば脱炭が
困難となり、製品中の残留Ｃにより磁気特性を劣
化させるから、0.01〜0.1％の範囲内に限定した。 Siは比抵抗を高めて渦電流損を低下させるため
に必要な元素であり、2.5％未満ではその効果が
不充分である。一方Siが4.0％を越えれば冷間圧
延時に脆性割れが生じ易くなる。したがつてSiは
2.5〜4.0％の範囲内に限定した。 Mnは熱間加工中の割れを防ぐために0.02％以
上必要であるが、0.1％を越えればB₁₀値を低下さ
せるから、0.02〜0.1％の範囲内に限定した。 Ｓ、SeはそれぞれMnS、MnSeとしてインヒビ
ターの役割を果たすが、いずれか１種または２種
が合計量で0.008％未満では完全な２次再結晶粒
が得られないから、0.008％以上が必要である。
一方Ｓ、Seの１種または２種の合計量が0.050％
を越えれば、最終仕上げ焼鈍におけるＳあるいは
Seの純化が不充分となるから、合計量の上限を
0.050％とした。 このほか、この発明においてはインヒビター効
果を補強するために、Sb、Te、As、Bi、Pb、
Mo、Ｗ等の１種または２種以上を、Ｓおよび／
またはSeと複合添加しても良い。例えばSbを粒
界に偏析して１次再結晶粒の成長を抑制し、Ｓお
よび／またはSeと共存することによつて磁気特
性を向上させることができるが、Sbが0.005％未
満では効果が小さく、0.1％を越えればその効果
が飽和するから、Sbを添加する場合には0.005〜
0.1％の範囲内が適切である。 次に上述のような成分を含有する珪素鋼素材を
用いてこの発明の一連の製造工程を説明する。 先ず前述のような成分の珪素鋼素材を得る方法
は、公知の方法で良く、例えば転炉製鋼法等によ
つて所要成分の溶鋼を溶製し、連続鋳造法あるい
は造塊−分塊圧延法によつてスラブとすれば良
い。 このようなスラブは、通常はインヒビター形成
元素を充分に解離固溶させるために1250℃程度以
上の高温に加熱した後、公知の方法に従つて熱間
圧延し、1.4〜5.0mm程度の厚みの熱延板とする。 この熱延板に対しては、必要に応じて熱延板焼
鈍を施した後、酸洗処理を行ない、次いで１回ま
たは中間焼鈍を挾む２回以上の冷間圧延を施して
最終板厚とし、次いで磁気特性に悪影響を及ぼす
鋼中Ｃを除去するための脱炭と１次再結晶とを目
的とする脱炭・１次再結晶焼鈍を施した後、
MgOを主成分とする焼鈍分離剤を鋼板表面に塗
布する。 次いでこの発明の最重要工程である最終仕上げ
焼鈍を施す。この最終仕上げ焼鈍工程は、前述の
ように｛110｝＜001＞方位に揃つた２次再結晶粒
を発達させること、およびそれに引続いて鉄損に
有害なＳ、Se、Ｎ等を除去することすなわち純
化とを目的とするものであり、この発明の方法で
は、その最終仕上げ焼鈍工程前半の２次再結晶焼
鈍として、890℃以下の温度域での焼鈍を、その
焼鈍直後の２次再結晶面積率が65〜95％の範囲内
となるように施す。そしてその890℃以下の温度
域での焼鈍に引続き、純化焼鈍温度に昇温途中、
２次再結晶が完了する950℃まで0.5〜20℃の範囲
内の昇温速度で昇温させ、1000℃以上で純化焼鈍
を行なう。ここで890℃以下での２次再結晶焼鈍
終了直後の２次再結晶面積率が95％を越えれば鉄
損が大きくなり、２次再結晶面積率が65％未満で
は鉄損が大きくなると同時に磁束密度も不充分と
なるから、65〜95％の範囲内とした。また２次再
結晶焼鈍温度が890℃を越える場合には、前述の
ようにその２次再結晶焼鈍直後の２次再結晶率が
65〜95％の範囲内であつても良好な磁気特性が得
られないから、その上限温度を890℃とした。さ
らに、２次再結晶焼鈍後の２次再結晶完了までの
昇温速度が20℃／hrを越えれば磁気特性が劣化
し、特に鉄損値の上昇が大きく、一方その昇温速
度が0.5℃／hr未満では経済性を損なうから、２
次再結晶完了までの昇温速度は0.5〜20℃／hrの
範囲内とした。 なお最終仕上げ焼鈍後半の1000℃以上の温度で
の純化焼鈍は、公知の如く１〜20時間程度行なえ
ばよい。また最終仕上げ焼鈍工程の雰囲気は、２
次再結晶が完了するまでは水素、窒素、アルゴン
ガスあるいはそれらの混合ガスでも良いが、1000
℃以上における純化過程では水素ガスが望まし
い。 以下この発明の実施例を記す。 実施例 １ C0.035％、Si3.20％、Mn0.073％、S0.021％、
Sb0.030％を含有する160mm厚のスラブを1300℃で
90分加熱し、熱間圧延を施して３mm厚の熱延板と
した。この熱延板を酸洗した後、第１回冷間圧延
を施して0.75mmの中間板厚とし、950℃×５分間
の中間焼鈍を施した後、第２回冷間圧延を施して
0.30mm厚の最終板厚に仕上げた。次いで湿水素中
にて820℃で５分間脱炭・１次再結晶焼鈍を施し
た後、MgOを主成分とする焼鈍分離剤を鋼板表
面に塗布し、最終仕上げ焼鈍を施した。その最終
仕上げ焼鈍としては、窒素雰囲気中にて870℃で
10時間保定する２次再結晶焼鈍（条件Ｃ）、もし
くは870℃で40時間保定する２次再結晶焼鈍（条
件Ｄ）を施した後、引続いて15℃／hrの昇温速度
で昇温して水素雰囲気中にて1160℃で10時間保持
する純化焼鈍を行つた。２次再結晶焼鈍後の２次
再結晶面積率と、得られた製品の磁気特性を第２
表に示す。

【表】 第２表に示すように、最終仕上げ焼鈍工程前半
の２次再結晶焼鈍において２次再結晶面積率がこ
の発明の範囲内に納まつた条件Ｃの場合には、２
次再結晶が完了してしまつた条件Ｄの場合よりも
格段に低い鉄損値が得られた。 実施例 ２ C0.038％、Si3.32％、Mn0.075％、S0.003％、
Se0.017％、Sb0.025％を含有する180mm厚のスラ
ブを1300℃で90分間加熱し、熱間圧延を施して３
mm厚の熱延板とした。その熱延板を920℃で５分
間焼鈍した後酸洗し、第１回冷間圧延を施して
0.80mmの中間板厚とし、続いて950℃で５分間の
中間焼鈍を施した後、第２回冷間圧延によつて
0.30mmの冷延板に仕上げた。この冷延板に対して
露点60℃の湿水素中において800℃で５分間の脱
炭・１次再結晶焼鈍を施した後、MgOを主成分
とする焼鈍分離剤を塗布し、最終仕上げ焼鈍を次
の３条件Ｅ、Ｆ、Ｇで実施した。 Ｅ：窒素中において850℃×20時間保定する２次
再結晶焼鈍後、900℃までは３℃／hr、900℃以
上を10℃／hrで昇温して水素中で1180℃×10時
間純化焼鈍。 Ｆ：窒素中において850℃×50時間保定する２次
再結晶焼鈍後、20℃／hrで昇温して水素中で
1180℃×10時間純化焼鈍。 Ｇ：窒素中において850℃で80時間保定する２次
再結晶焼鈍後、20℃／hrで昇温して水素中で
1180℃×10時間純化焼鈍。 このような最終仕上げ焼鈍を施して得られた製
品の磁気特性と、２次再結晶焼鈍後の面積率を第
３表に示す。

【表】 第３表から明らかなように、２次再結晶面積率
がこの発明の範囲内に納まつた条件Ｅ、Ｆの場合
には、低鉄損値が得られた。但し条件Ｆは昇温速
度が20℃とこの発明の上限であるため、条件Ｅの
場合と比較すれば鉄損値が高いことが判る。 実施例 ３ C0.040％、Si3.35％、Mn0.073％、S0.003％、
Se0.020％、Sb0.030％、Mo0.010％を含有する
180mm厚のスラブを1300℃で90分加熱し、熱間圧
延を施して2.3mm厚の熱延板とした。以下冷間圧
延における中間板厚および最終板厚を除き、最終
仕上げ焼鈍前までは実施例２と同じ条件で処理し
た。最終仕上げ焼鈍は、次のＨ、Ｉの２種の条件
で施した。 Ｈ：アルゴン中において840℃×40時間保定する
２次再結晶焼鈍後、950℃までを10℃／hrで昇
温し、その後30℃／hrで昇温して水素中におい
て1160℃×10時間保持の純化焼鈍。 Ｉ：アルゴン中において840℃×150時間保定する
２次再結晶焼鈍後、950℃までを10℃／hrで昇
温し、その後30℃／hrで昇温して水素中におい
て1160℃×10時間保持の純化焼鈍。 このような最終仕上げ焼鈍を施して得られた製
品の磁気特性および２次再結晶焼鈍後の２次再結
晶面積率と、冷間圧延条件（第１回、第２回冷延
後の板厚）を第４表に示す。

【表】 この実施例３は、実施例２の場合よりも製品板
厚を薄くした例であるが、この場合においても条
件Ｈによる本発明例が条件Ｉによる比較例に比し
格段に鉄損が低下していることが明らかである。 以上の実施例から明らかなように、この発明の
一方向性珪素鋼板の製造方法によれば、最終仕上
げ焼鈍工程前半の比較的低温での２次再結晶焼鈍
による２次再結晶面積率を適切な範囲内となるよ
うに制御しかつその後の２次再結晶完了温度まで
の昇温速度を適切に制御することによつて、最終
製品の鉄損を著しく低くすることができ、また磁
束密度は従来と比較して遜色ない程度とすること
ができる。しかもこの発明の方法では、前記２次
再結晶焼鈍において２次再結晶を完了させずに２
次再結晶面積率をある範囲内とするから、従来の
如く２次再結晶を完了させる場合と比較して２次
再結晶焼鈍に要する時間が短かく、そのため生産
コストの低減を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は最終仕上げ焼鈍工程前半の２次再結晶
焼鈍における保定温度と２次再結晶開始および終
了時間との関係を示す相関図、第２図は２次再結
晶のための850℃保定焼鈍における２次再結晶面
積率と磁気特性W_17/50、B₁₀との関係を示す相関
図である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ C0.01〜0.1％（重量％、以下同じ）、Si2.5〜
   4.0％、Mn0.02〜0.1％を含み、かつSeおよびＳの
   １種または２種を合計で0.008〜0.050％含有する
   珪素鋼素材を熱間圧延して得られた熱延板に、１
   回または中間焼鈍を挾む２回以上の冷間圧延を施
   して最終板厚とした後、脱炭を兼ねる１次再結晶
   焼鈍を施し、次いでMgOを主成分とする焼鈍分
   離剤を塗布して、２次再結晶焼鈍および純化焼鈍
   からなる最終仕上げ焼鈍を施す一連の工程よりな
   る一方向性珪素鋼板の製造方法において、 前記最終仕上げ焼鈍工程前半の２次再結晶焼鈍
   として、810〜890℃の温度域での焼鈍をその２次
   再結晶焼鈍終了直後の２次再結晶面積率が65〜95
   ％の範囲内となるように施し、引続いて２次再結
   晶完了温度まで0.5〜20℃／hrの昇温速度で昇温
   して1000℃以上の温度で純化焼鈍することを特徴
   とする一方向性珪素鋼板の製造方法。