JPH0352920A - 導電性高分子とその製造方法およびそれを用いた電解コンデンサ - Google Patents
導電性高分子とその製造方法およびそれを用いた電解コンデンサInfo
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- JPH0352920A JPH0352920A JP1186480A JP18648089A JPH0352920A JP H0352920 A JPH0352920 A JP H0352920A JP 1186480 A JP1186480 A JP 1186480A JP 18648089 A JP18648089 A JP 18648089A JP H0352920 A JPH0352920 A JP H0352920A
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- polymer
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- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明｛よ 経時安定性に優れる導電性高分子とその製
造方法およびそれを用いた電解コンデンサに関すん 従来の技術 導電性高分子はポリアセチレン、ボリビロー／ｔ４ポリ
フェニレンサルファイド、ポリアニリン、ボリアセンな
どの大きく広がった共役π電子系をもつ高分子よりなり
、電子供与体または電子受容体（ルイス醜プロトン酸な
どのアニオン）をドーパントとして含有して高導電性を
示すことが広く知られていも発明が解決しようとする課
題しかし これらのドーバントは高分子マトリクス中を
電界により拡散し導電率を低下させてしまうという大き
な欠点を有していｔも この欠点に鑑次 フタロシアニンテトラスルフォン醜
ポリスチレンスルフオン酸などの高分子量ドーパントカ
交 例えばジャーナル オブ ケミカル ソサエティ１
９８３年版第６８４頁（Ｋ．Ｏｋａｂａｙａｓｈｉ，Ｊ
．Ｃｈｅｍ．Ｓｃｉ．，Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．．
ｐ６８４（１９８３））およびイビド１９８５年版第８
７１頁（Ｎ． Ｂａｔｅｓ ｅｔａｌ， ｉｂｉｄ．．
ｐ８７１（１９８５））ですでに開示されていも しかしなが板 これらのドーバントを鋭意検討した結凰
フタロシアニンテトラスルフォン酸はバルキーなフタ
ロシアニン核のためボリマー生戒時に導電性高分子鎖の
結晶配列を乱す上 電界による移動も比較的太きかつｔ
ラ また 一方ポリスチレンスルフォン酸は重合度が大きす
ぎるせい力＼ 導電性高分子マトリクスと相溶性が悪く
均一な分子分散体が得られなかっｔ４本発明はこれらの
現象に鑑へ 鋭意検討の結果得られたもので、耐熱怯
電界による経時安定性に優れる導電性高分子と、その製
造方法並びにこれを用いた電解コンデンサを提供するこ
とを目的とすも 課題を解決するための手段 本発明は 少なくとも表面にイオン性基が共有結合した
０．０１〜１μｍのイオン性基結合粒子力丈 ドーバン
トとして電子共役性高分子中に分散されている導電性高
分子及びこの導電性高分子の製造方法並びにこれを用い
た電解コンデンサによってかかる従来の課題を解決しｔ
４ 作用 ０． ０１〜ｌμｍのイオン性基結合粒子がドーバント
として電子共役性高分子中に分散された啄そのイオン性
基結合粒子は分子に比較してバルキーな粒子であるため
電子共役性高分子中で容易に移動できな鶏 それ故 直
流電界下でも経時的に安定した導電率を示も したがってこの導電性高分子を用いた電解コンデンサで
も同様の作用があるた取 静電容量と周波数特性を変え
ずに 経時安定性を向上し１，実施例 第１図に本発明のイオン性基結合粒子の一例を示す概念
図を示し 第２図に本発明のイオン性基結合粒子が分散
された導電性高分子の構戒を示す概念断面図を示す。第
ｌ図（ａ）に示すようぺ少なくともその表面にイオン性
基１が共有結合した０．０１〜１μｍのイオン性基結合
粒子２を第２図のようにドーバントとして電子共役性高
分子中に分散することによって耐熱怯 電界による経時
安定性に優れる導電性高分子４を構或するものであも イオン性基ｌとしてはアニオン基が好ましい。
造方法およびそれを用いた電解コンデンサに関すん 従来の技術 導電性高分子はポリアセチレン、ボリビロー／ｔ４ポリ
フェニレンサルファイド、ポリアニリン、ボリアセンな
どの大きく広がった共役π電子系をもつ高分子よりなり
、電子供与体または電子受容体（ルイス醜プロトン酸な
どのアニオン）をドーパントとして含有して高導電性を
示すことが広く知られていも発明が解決しようとする課
題しかし これらのドーバントは高分子マトリクス中を
電界により拡散し導電率を低下させてしまうという大き
な欠点を有していｔも この欠点に鑑次 フタロシアニンテトラスルフォン醜
ポリスチレンスルフオン酸などの高分子量ドーパントカ
交 例えばジャーナル オブ ケミカル ソサエティ１
９８３年版第６８４頁（Ｋ．Ｏｋａｂａｙａｓｈｉ，Ｊ
．Ｃｈｅｍ．Ｓｃｉ．，Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．．
ｐ６８４（１９８３））およびイビド１９８５年版第８
７１頁（Ｎ． Ｂａｔｅｓ ｅｔａｌ， ｉｂｉｄ．．
ｐ８７１（１９８５））ですでに開示されていも しかしなが板 これらのドーバントを鋭意検討した結凰
フタロシアニンテトラスルフォン酸はバルキーなフタ
ロシアニン核のためボリマー生戒時に導電性高分子鎖の
結晶配列を乱す上 電界による移動も比較的太きかつｔ
ラ また 一方ポリスチレンスルフォン酸は重合度が大きす
ぎるせい力＼ 導電性高分子マトリクスと相溶性が悪く
均一な分子分散体が得られなかっｔ４本発明はこれらの
現象に鑑へ 鋭意検討の結果得られたもので、耐熱怯
電界による経時安定性に優れる導電性高分子と、その製
造方法並びにこれを用いた電解コンデンサを提供するこ
とを目的とすも 課題を解決するための手段 本発明は 少なくとも表面にイオン性基が共有結合した
０．０１〜１μｍのイオン性基結合粒子力丈 ドーバン
トとして電子共役性高分子中に分散されている導電性高
分子及びこの導電性高分子の製造方法並びにこれを用い
た電解コンデンサによってかかる従来の課題を解決しｔ
４ 作用 ０． ０１〜ｌμｍのイオン性基結合粒子がドーバント
として電子共役性高分子中に分散された啄そのイオン性
基結合粒子は分子に比較してバルキーな粒子であるため
電子共役性高分子中で容易に移動できな鶏 それ故 直
流電界下でも経時的に安定した導電率を示も したがってこの導電性高分子を用いた電解コンデンサで
も同様の作用があるた取 静電容量と周波数特性を変え
ずに 経時安定性を向上し１，実施例 第１図に本発明のイオン性基結合粒子の一例を示す概念
図を示し 第２図に本発明のイオン性基結合粒子が分散
された導電性高分子の構戒を示す概念断面図を示す。第
ｌ図（ａ）に示すようぺ少なくともその表面にイオン性
基１が共有結合した０．０１〜１μｍのイオン性基結合
粒子２を第２図のようにドーバントとして電子共役性高
分子中に分散することによって耐熱怯 電界による経時
安定性に優れる導電性高分子４を構或するものであも イオン性基ｌとしてはアニオン基が好ましい。
アニオン基として｛上 スルフオン酸基 オキシ安息香
酸基 ４級アンモニウム基のいずれかを用いも 粒子２としてζ上 トルエンスルフオン酸−アルデヒド
縮重合体 ベンゼンスルフオン酸−アルデヒド縮重合依
ポリスチレンスルフオンａ ｐ−オキシ安息番酸−ア
ルデヒド縮重合体 サリチル酸−アルデヒド縮重合依
ボリアクリル魚 スルフォン化ポリビニルアルコールな
どを用いることができる力ｔ 球状粒子が望ましＬ℃ これらの粒子２｛友 樹脂の粉砕あるいは乳化重合など
によって容易に作ることができも導電性高分子４（よ
電子共役性高分子が適応され その製法は化学重念 ま
たは電解重合（陽極酸化重合、陰極還元重合）によって
合或されるもの玄 具体的に｛友 ボリピローノｋ
ポリフェニレンサルファイド、ポリチオフェン、ポリア
ニリン、及びその誘導体などを用いも 陽極酸化重合は 電子共役性モノマーの溶液中にアニオ
ン基結合粒子をコロイド状に分散させ、少なくとも一対
の電極による電場により、前記電子共役性モノマーを陽
極上に電解重合するもの玄第２図のように前記アニオン
性基結合粒子２がドーバントとして分散されて或る導電
性高分子４が得られも 電子共役性モノマーの溶液が非水溶液である場合（上
アニオン基結合粒子２を第ｌ図（ｂ）のようにカチオン
界面活性剤３により処理してコロイド状分散させも このようにして得られたアニオン性結合粒子２を含む導
電性高分子はアニオンが親水性であるた幽 導電性が湿
度依存性を受ける場合があん この場合には例えば不溶
性塩を生じる金属イオン（例えばＢ ａ”、Ｐｂ”など
）によって処理することによって耐水化することが出来
も ところでイオン性結合粒子２の粒径は０．０１〜１μｍ
が望ましｌ，％０．０１μｍ以下では粒子形或が難しい
とともに分子としての特性に近ずいてしまう。一太 １
μｍ以上では大きすぎ伝導キャリャ数を稼げないととも
に重合溶液中でコロイドにならず沈降を生じも 従ってこの大きさのイオン性基結合粒子２は分子鎖に比
べて遥かに太きいた△ 電子共役性高分子の結晶性や配
ＫＭ集構造などにはあまり影響を与えず、良質の導電性
高分子４を与えるという特徴があも このイオン性基結合粒子２の表面には第１図（ａ）に示
したようなスルフオン酸基の他オキシ安息香酸基 アン
モニウム基が共有結合しており、粒子表面のこれらの基
が電子共役性高分子のドーバントとして働き、導電率の
向上（キャリャ数の増加）に大きく寄与する。０．０１
〜、１μｍの大きさのイオン性基結合粒子２は重合溶液
中でコロイド状に分散され均一な反応液組成を与えると
ともに生戊した導電性高分子４中にも均一に分散される
ことにも大きな特徴を有していも まね アニオン結合粒子２を多孔質粒子にして、その粒
子２のバルク中より金属イオンを供給してこの機能をも
たせることも可能であも 本発明における導電性高分子４（よ 金属陽極酸化物誘
電層、 電解性導電恢 陰極よりなる電解コンデンサの
電解性導電体として、応用することができも この場合には本発明の導電性高分子の特徴である耐熱怯
電界による経時安定性によって、優れた特性のコンデ
ンサを得ることができもまｆ，，ｐ−ｎ接合素子とする
場合にも安定した接合特性が得られも 次に実施例を用いて本発明を説明すも 実施例ｌ ２ ０ ０ｍｌのセバラブルフラスコ中ＧＱ４ｇのピロ
ールとカチオン界面活性剤で処理した２ｇのトルエンス
ルフオン酸一ホルムアルデヒド縮重合体粒子（平均粒径
０． ０３μｍ）及び１００ｍｌのアセトニトリルを
入れて、コロイド溶液を得たこの溶液にインジウムース
ズ酸化物（ＩＴ○）を陽極と！，，Ｐｔ板を陰極として
窒素気流中で通電し 陽極上に約２５μｍのポリピロー
ル膜を得た この膜を電極よりはがし 銀ペイントを塗布し導電率を
測定したとこ；’ｘ １ ０ Ｓ／ａｍ （２ ５℃
）でありｔも さらに この，ｌＩ［８０℃炉中にセットし直流電場を
印加し 電流の経時変化を測定したとこ７）．３００時
間後の変化は１２％であった この安定性は従来の低分
子ドーパントの場合の特性に比べ著しく安定した特性で
あっ九 実施例２ ２００ｍｌのセバラブルフラスコ中に ５ｇの３−メチ
ルチオフェンとカチオン界面活性剤で処理した３ｇのポ
リスチレンスルフォン酸重合体粒子（平均粒径０．
０４μｍ）および１５０ｍｌのニトロベンゼンを入れて
、コロイド溶液を得ｆ，この溶液にインジウムースズ酸
化物（ＩＴＯ）を陽極とＬ Ｐｔ板を陰極として窒素
気流中で通電し 陽極上に約２０μｍのポリ（３−メチ
ルチオフェン）膜を得ｆ， この膜を電極よりはがし
銀ペイントを塗布し 導電率を測定したとこム４０Ｓ／
ｃｍ（２５℃）であッタ さらに この膜８０℃炉中にセットし直流電場を印加し
電流の経時変化を測定したとこム ３００時間後の変
化は５％であった この安定性は従来の低分子ドーパン
トの場合の特性に比べ著しく安定した特性であっｔら 実施例３ ０． ０３ｍｍ厚の粗面化処理したアルミニウムフィル
ムにまず酸化物誘電層を形或したの板 導電核を形戊し
ついで導電性高分子形或糟を通して実施例１と同じ反
応溶液組戒にて導電性高分子膜を形戒した ついでそれを折り畳んだ後銀ペイントで陰極を形戒して
、 リード線を取出しそれに外装樹脂を被覆しｔら こうして得た固体電解コンデンサは低分子ドーパントを
用いた同じ型の積層形コンデンサとほぼ同じ静電容量を
示しｔも これの周波数特性並びに経時安定性を測定したとこム
周波数特性は低分子ドーバントのものとほぼ同一であっ
たバ 経時安定性は大きく改善され １２５゜Ｃ ２
０００時間以上の寿命を示しｔも 発明の効果 このように本発明（上 少なくともその表面にイオン性
基が共有結合した０． ０１〜ｌμｍのイオン性基結合
粒子をドーパントとして電子共役性高分子中に分散する
ことによって、耐熱怯 電界による経時安定性に優れる
導電性高分子を得るものであ，４０．０１〜１μｍのイ
オン性基結合粒子はドーパントとして電子共役性高分子
中に分散された隊 分子に比較してバルキーな粒子であ
るため電子共役性高分子中で容易に移動でき哄 直流電
界下でも経時的に安定した導電率を示も またこのイオ
ン基結合粒子は分子鎖に比べて遥かに太きいた△ 電子
共役性高分子の結晶性や配ＫＮ集構造などにはあまり影
響を与え哄 良質の導電性高分子フィルムを与えるとい
う特徴があん このイオン性基結合粒子の表面のイオン
性基が電子共役性高分子のドーバントとして働き、導電
率の向上（キャリャ数の増加）に大きく寄与すも また
このイオン基結合粒子は重合溶液中でコロイド状に分散
され均一な反応液組或を与えるとともに生或した導電性
高分子中にも均一に分散されることにも大きな特徴を有
していも 本発明における導電性高分子（よ 金属陽極、 酸化物
誘電層、 電解性導電体、 陰極よりなる電解コンデン
サの電解性導電体として、応用することができも この
場合には本発明の導電性高分子の特徴である耐熱怯 電
界による経時安定性によって、優れた特性のコンデンサ
を得ることができも ま，？Ｑ ｐ−ｎ接合素子とす
る場合にも安定した接合特性が得られも このように本発明は工業的価値の犬なるものであも
酸基 ４級アンモニウム基のいずれかを用いも 粒子２としてζ上 トルエンスルフオン酸−アルデヒド
縮重合体 ベンゼンスルフオン酸−アルデヒド縮重合依
ポリスチレンスルフオンａ ｐ−オキシ安息番酸−ア
ルデヒド縮重合体 サリチル酸−アルデヒド縮重合依
ボリアクリル魚 スルフォン化ポリビニルアルコールな
どを用いることができる力ｔ 球状粒子が望ましＬ℃ これらの粒子２｛友 樹脂の粉砕あるいは乳化重合など
によって容易に作ることができも導電性高分子４（よ
電子共役性高分子が適応され その製法は化学重念 ま
たは電解重合（陽極酸化重合、陰極還元重合）によって
合或されるもの玄 具体的に｛友 ボリピローノｋ
ポリフェニレンサルファイド、ポリチオフェン、ポリア
ニリン、及びその誘導体などを用いも 陽極酸化重合は 電子共役性モノマーの溶液中にアニオ
ン基結合粒子をコロイド状に分散させ、少なくとも一対
の電極による電場により、前記電子共役性モノマーを陽
極上に電解重合するもの玄第２図のように前記アニオン
性基結合粒子２がドーバントとして分散されて或る導電
性高分子４が得られも 電子共役性モノマーの溶液が非水溶液である場合（上
アニオン基結合粒子２を第ｌ図（ｂ）のようにカチオン
界面活性剤３により処理してコロイド状分散させも このようにして得られたアニオン性結合粒子２を含む導
電性高分子はアニオンが親水性であるた幽 導電性が湿
度依存性を受ける場合があん この場合には例えば不溶
性塩を生じる金属イオン（例えばＢ ａ”、Ｐｂ”など
）によって処理することによって耐水化することが出来
も ところでイオン性結合粒子２の粒径は０．０１〜１μｍ
が望ましｌ，％０．０１μｍ以下では粒子形或が難しい
とともに分子としての特性に近ずいてしまう。一太 １
μｍ以上では大きすぎ伝導キャリャ数を稼げないととも
に重合溶液中でコロイドにならず沈降を生じも 従ってこの大きさのイオン性基結合粒子２は分子鎖に比
べて遥かに太きいた△ 電子共役性高分子の結晶性や配
ＫＭ集構造などにはあまり影響を与えず、良質の導電性
高分子４を与えるという特徴があも このイオン性基結合粒子２の表面には第１図（ａ）に示
したようなスルフオン酸基の他オキシ安息香酸基 アン
モニウム基が共有結合しており、粒子表面のこれらの基
が電子共役性高分子のドーバントとして働き、導電率の
向上（キャリャ数の増加）に大きく寄与する。０．０１
〜、１μｍの大きさのイオン性基結合粒子２は重合溶液
中でコロイド状に分散され均一な反応液組成を与えると
ともに生戊した導電性高分子４中にも均一に分散される
ことにも大きな特徴を有していも まね アニオン結合粒子２を多孔質粒子にして、その粒
子２のバルク中より金属イオンを供給してこの機能をも
たせることも可能であも 本発明における導電性高分子４（よ 金属陽極酸化物誘
電層、 電解性導電恢 陰極よりなる電解コンデンサの
電解性導電体として、応用することができも この場合には本発明の導電性高分子の特徴である耐熱怯
電界による経時安定性によって、優れた特性のコンデ
ンサを得ることができもまｆ，，ｐ−ｎ接合素子とする
場合にも安定した接合特性が得られも 次に実施例を用いて本発明を説明すも 実施例ｌ ２ ０ ０ｍｌのセバラブルフラスコ中ＧＱ４ｇのピロ
ールとカチオン界面活性剤で処理した２ｇのトルエンス
ルフオン酸一ホルムアルデヒド縮重合体粒子（平均粒径
０． ０３μｍ）及び１００ｍｌのアセトニトリルを
入れて、コロイド溶液を得たこの溶液にインジウムース
ズ酸化物（ＩＴ○）を陽極と！，，Ｐｔ板を陰極として
窒素気流中で通電し 陽極上に約２５μｍのポリピロー
ル膜を得た この膜を電極よりはがし 銀ペイントを塗布し導電率を
測定したとこ；’ｘ １ ０ Ｓ／ａｍ （２ ５℃
）でありｔも さらに この，ｌＩ［８０℃炉中にセットし直流電場を
印加し 電流の経時変化を測定したとこ７）．３００時
間後の変化は１２％であった この安定性は従来の低分
子ドーパントの場合の特性に比べ著しく安定した特性で
あっ九 実施例２ ２００ｍｌのセバラブルフラスコ中に ５ｇの３−メチ
ルチオフェンとカチオン界面活性剤で処理した３ｇのポ
リスチレンスルフォン酸重合体粒子（平均粒径０．
０４μｍ）および１５０ｍｌのニトロベンゼンを入れて
、コロイド溶液を得ｆ，この溶液にインジウムースズ酸
化物（ＩＴＯ）を陽極とＬ Ｐｔ板を陰極として窒素
気流中で通電し 陽極上に約２０μｍのポリ（３−メチ
ルチオフェン）膜を得ｆ， この膜を電極よりはがし
銀ペイントを塗布し 導電率を測定したとこム４０Ｓ／
ｃｍ（２５℃）であッタ さらに この膜８０℃炉中にセットし直流電場を印加し
電流の経時変化を測定したとこム ３００時間後の変
化は５％であった この安定性は従来の低分子ドーパン
トの場合の特性に比べ著しく安定した特性であっｔら 実施例３ ０． ０３ｍｍ厚の粗面化処理したアルミニウムフィル
ムにまず酸化物誘電層を形或したの板 導電核を形戊し
ついで導電性高分子形或糟を通して実施例１と同じ反
応溶液組戒にて導電性高分子膜を形戒した ついでそれを折り畳んだ後銀ペイントで陰極を形戒して
、 リード線を取出しそれに外装樹脂を被覆しｔら こうして得た固体電解コンデンサは低分子ドーパントを
用いた同じ型の積層形コンデンサとほぼ同じ静電容量を
示しｔも これの周波数特性並びに経時安定性を測定したとこム
周波数特性は低分子ドーバントのものとほぼ同一であっ
たバ 経時安定性は大きく改善され １２５゜Ｃ ２
０００時間以上の寿命を示しｔも 発明の効果 このように本発明（上 少なくともその表面にイオン性
基が共有結合した０． ０１〜ｌμｍのイオン性基結合
粒子をドーパントとして電子共役性高分子中に分散する
ことによって、耐熱怯 電界による経時安定性に優れる
導電性高分子を得るものであ，４０．０１〜１μｍのイ
オン性基結合粒子はドーパントとして電子共役性高分子
中に分散された隊 分子に比較してバルキーな粒子であ
るため電子共役性高分子中で容易に移動でき哄 直流電
界下でも経時的に安定した導電率を示も またこのイオ
ン基結合粒子は分子鎖に比べて遥かに太きいた△ 電子
共役性高分子の結晶性や配ＫＮ集構造などにはあまり影
響を与え哄 良質の導電性高分子フィルムを与えるとい
う特徴があん このイオン性基結合粒子の表面のイオン
性基が電子共役性高分子のドーバントとして働き、導電
率の向上（キャリャ数の増加）に大きく寄与すも また
このイオン基結合粒子は重合溶液中でコロイド状に分散
され均一な反応液組或を与えるとともに生或した導電性
高分子中にも均一に分散されることにも大きな特徴を有
していも 本発明における導電性高分子（よ 金属陽極、 酸化物
誘電層、 電解性導電体、 陰極よりなる電解コンデン
サの電解性導電体として、応用することができも この
場合には本発明の導電性高分子の特徴である耐熱怯 電
界による経時安定性によって、優れた特性のコンデンサ
を得ることができも ま，？Ｑ ｐ−ｎ接合素子とす
る場合にも安定した接合特性が得られも このように本発明は工業的価値の犬なるものであも
Claims (7)
- （１）少なくとも表面にイオン性基が共有結合した０．
０１〜１μｍのイオン性基結合粒子が、ドーパントとし
て電子共役性高分子中に分散されていることを特徴とす
る導電性高分子。 - （２）イオン性基が、スルフォン酸基、オキシ安息香酸
基、４級アンモニウム基、の少なくとも一つの基である
ことを特徴とする請求項１に記載の導電性高分子。 - （３）粒子が、トルエンスルフオン酸−アルデヒド縮重
合体、ベンゼンスルフォン酸−アルデヒド縮重合体、ポ
リスチレンスルフォン酸、ｐ−オキシ安息香酸−アルデ
ヒド縮重合体、サリチル酸−アルデヒド縮重合体、ポリ
ビニルベンジルアンモニウム塩より選ばれた少なくとも
１種よりなる球状粒子であることを特徴とする請求項１
に記載の導電性高分子。 - （４）電子共役性高分子が、ポリピロール、ポリフェニ
レンサルファイド、ポリチオフェン、ポリアニリン、も
しくはその誘導体より選ばれた１種であることを特徴と
する請求項１に記載の導電性高分子。 - （５）電子共役性モノマー溶液中にアニオン基結合粒子
をコロイド状に分散させ、少なくとも一対の電極による
電場により、前記電子共役性モノマーを陽極上に電解重
合することを特徴とする導電性高分子の製造方法。 - （６）電子共役性モノマー溶液が非水溶液であり、アニ
オン基結合粒子がカチオン界面活性剤によりコロイド状
分散されることを特徴とする請求項５に記載の導電性高
分子の製造方法。 - （７）金属陽極、酸化物誘電層、電解性導電体、陰極よ
りなる電解コンデンサにおいて、前記電解性導電体とし
て、少なくとも表面にアニオン基が共有結合した０．０
１〜１μｍのアニオン基結合粒子がドーパントとして電
子共役性高分子中に分散されている導電性高分子を用い
ることを特徴とする電解コンデンサ。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1186480A JPH0352920A (ja) | 1989-07-19 | 1989-07-19 | 導電性高分子とその製造方法およびそれを用いた電解コンデンサ |
| EP19900113540 EP0409124A3 (en) | 1989-07-19 | 1990-07-14 | Electrically conducting polymer, method for preparing the same and electrolytic capacitor comprising the same |
| US07/758,196 US5130886A (en) | 1989-07-19 | 1991-09-11 | Electrically conducting polymer, method for preparing the same and electrolytic capacitor comprising the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1186480A JPH0352920A (ja) | 1989-07-19 | 1989-07-19 | 導電性高分子とその製造方法およびそれを用いた電解コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0352920A true JPH0352920A (ja) | 1991-03-07 |
Family
ID=16189221
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1186480A Pending JPH0352920A (ja) | 1989-07-19 | 1989-07-19 | 導電性高分子とその製造方法およびそれを用いた電解コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0352920A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0637043A1 (en) * | 1993-07-27 | 1995-02-01 | Nec Corporation | Solid electrolytic capacitor and method for manufacturing the same |
| KR20010112574A (ko) * | 2000-06-09 | 2001-12-20 | 오응주 | 여러 유기용매에 가용성인, 다양한 분자량의 폴리피롤제조방법 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62181328A (ja) * | 1985-12-20 | 1987-08-08 | ポラロイド コ−ポレ−シヨン | 導電性有機重合体の製造方法 |
-
1989
- 1989-07-19 JP JP1186480A patent/JPH0352920A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62181328A (ja) * | 1985-12-20 | 1987-08-08 | ポラロイド コ−ポレ−シヨン | 導電性有機重合体の製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0637043A1 (en) * | 1993-07-27 | 1995-02-01 | Nec Corporation | Solid electrolytic capacitor and method for manufacturing the same |
| KR20010112574A (ko) * | 2000-06-09 | 2001-12-20 | 오응주 | 여러 유기용매에 가용성인, 다양한 분자량의 폴리피롤제조방법 |
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