JPH0353166Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0353166Y2 JPH0353166Y2 JP1985001792U JP179285U JPH0353166Y2 JP H0353166 Y2 JPH0353166 Y2 JP H0353166Y2 JP 1985001792 U JP1985001792 U JP 1985001792U JP 179285 U JP179285 U JP 179285U JP H0353166 Y2 JPH0353166 Y2 JP H0353166Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silane
- based gas
- gas
- catalyst
- heater
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Fire-Extinguishing By Fire Departments, And Fire-Extinguishing Equipment And Control Thereof (AREA)
- Emergency Alarm Devices (AREA)
Description
〔技術分野〕
この考案は、超LSI工場などにおける製造工程
において発生するシラン系ガスの漏洩を検出し警
報を発する、あるいは警報を発するとともに消化
装置などの防災装置および製造工程を適切に制御
するために使用されるシラン系ガス検出器に関す
るものである。 〔従来技術〕 近年大きな飛躍を遂げている超LSIなどの半導
体工場では、シリコンウエハに絶縁膜を設ける
際、シラン系ガスを使用するが、このような処理
ガスは有害であるとともにその濃度が４％以上に
なると空気中の酸素と反応し着炎燃焼して危険で
あつた。このため少量の燃焼生成物を検出するこ
とができるイオン化式煙感知器に着目し、漏洩し
たシランガスが空気中の酸素と反応し燃焼し燃焼
生成物を発生している状態を直ちに検出し警報を
発するとともに、事前にあるいは火災の初期段階
において適切な制御を行う半導体工場などにおけ
る警報および制御装置（特開昭59−98294号参照）
が提案されている。しかし上記イオン化式煙感知
器がシランガスを検出できる下限値は、濃度が４
％以上であつたので場合によつてはすでに危険な
状態であることもあつた。 〔問題点を解決するための手段〕 この考案は上記の点にかんがみ、より低濃度の
シラン系ガスを検出することを目的としたもの
で、一対の電極とこれら電極間の空気をイオン化
する放射線源とを有するイオン化式の検煙部に、
シラン系ガスの酸化を促進させガス体から酸化ケ
イ素の微粒子状の固形物に変化させるための触媒
を担持したヒータを設けたことを特徴とするもの
である。 〔作用〕 この考案によるシラン系ガス検出器は、上記特
徴ある構成としたことにより、触媒を担持したヒ
ータによりシラン系ガスの酸化を強制的に促進さ
せてシラン系ガスを燃焼させ燃焼生成物を発生す
るようにし、イオン化式の検煙部が低濃度のシラ
ン系ガスで応答動作するようにしたものである。 〔実施例〕 以下この考案の一実施例を図面により説明す
る。図において、ａ，ｂはそれぞれ検出器の正、
負の端子、CH1は周囲の空気が自由に流入できる
煙検出用の外部イオン室、CH2は温度、湿度、気
圧などの環境条件の変化の影響を補償するために
設けられた空気の流入しにくい内部イオン室であ
る。これらイオン室CH1，CH2は、一対の電極
P1，P2と放射線源RIとにより構成され、端子ａ，
ｂ間に直列接続される。Ｔはゲートが内外イオン
室CH2，CH1の接続点に接続された電界効果トラ
ンジスタで、ソースは抵抗R1を通じて端子ａに
また抵抗R3を通じて端子ｂに接続され、ドレイ
ンは抵抗R2を通じて端子ｂに接続される。Ｓは
ゲートが電界効果トランジスタＴのドレインに接
続されたサイリスタで、端子ａ，ｂ間を短絡させ
図示されない受信機に警報信号が送出されるよう
に構成されている。Ｈは外部イオン室CH1内ある
いはその近傍に設けられたヒータで、ZnO，
SnO2，Fe2O3，NiO，WO3等の触媒Ｚを担持し
たAl2O3またはSiO2の管状の担体Ａ内に設けられ
ヒータ端子Ｃと負端子ｂ間に接続され、イオン室
CH1に流入するガスを酸化燃焼させる。 次に上記検出器を半導体工場などの処理ガスを
収納するボンベストツカ内に設けた場合について
説明する。 平常状態、即ち外部イオン室CH1になんらのガ
ス、煙も流入しない場合は、公知のイオン化式煙
感知器と同様に、内外イオン室CH2，CH1の接続
点の電位が電界効果トランジスタＴのソース電位
よりも高くなるように抵抗R1，R3の値が選ばれ
ているので、トランジスタＴは導通せずサイリス
タＳは動作しない。 一方、ボンベストツカのボンベよりモノシラン
ガス（SiH4）が漏洩すると、ガ スはヒータＨ
により加熱されまた触媒Ｚの作用によりSiH4＋
O2→SiO2＋2H2の反応を起こし、ガス体から酸化
ケイ素の微粒子の固形物に変化され外部イオン室
CH1に流入する。これにより外部イオン室CH1の
イオン電流が減少し、内外イオン室CH2，CH1の
接続点の電位がソース電位に比べ低くなりトラン
ジスタＴが導通しサイリスタＳが動作し図示され
ない受信機にシランガスが漏洩したことが報知さ
れる。 なお、上記ヒータＨによる加熱および触媒Ｚが
低濃度のモノシランガスの酸化促進に寄与するこ
とは、下記事実により証明された。即ちPd／Sn
＝1mo1％の組成比の触媒を担持したヒータＨを
20℃〜550℃間の所定温度に加熱し、外部イオン
室CH1内に濃度１％のモノシランガスを流入させ
た場合の外部イオン室CH1の両端の電圧は、表に
示すようになつた。
において発生するシラン系ガスの漏洩を検出し警
報を発する、あるいは警報を発するとともに消化
装置などの防災装置および製造工程を適切に制御
するために使用されるシラン系ガス検出器に関す
るものである。 〔従来技術〕 近年大きな飛躍を遂げている超LSIなどの半導
体工場では、シリコンウエハに絶縁膜を設ける
際、シラン系ガスを使用するが、このような処理
ガスは有害であるとともにその濃度が４％以上に
なると空気中の酸素と反応し着炎燃焼して危険で
あつた。このため少量の燃焼生成物を検出するこ
とができるイオン化式煙感知器に着目し、漏洩し
たシランガスが空気中の酸素と反応し燃焼し燃焼
生成物を発生している状態を直ちに検出し警報を
発するとともに、事前にあるいは火災の初期段階
において適切な制御を行う半導体工場などにおけ
る警報および制御装置（特開昭59−98294号参照）
が提案されている。しかし上記イオン化式煙感知
器がシランガスを検出できる下限値は、濃度が４
％以上であつたので場合によつてはすでに危険な
状態であることもあつた。 〔問題点を解決するための手段〕 この考案は上記の点にかんがみ、より低濃度の
シラン系ガスを検出することを目的としたもの
で、一対の電極とこれら電極間の空気をイオン化
する放射線源とを有するイオン化式の検煙部に、
シラン系ガスの酸化を促進させガス体から酸化ケ
イ素の微粒子状の固形物に変化させるための触媒
を担持したヒータを設けたことを特徴とするもの
である。 〔作用〕 この考案によるシラン系ガス検出器は、上記特
徴ある構成としたことにより、触媒を担持したヒ
ータによりシラン系ガスの酸化を強制的に促進さ
せてシラン系ガスを燃焼させ燃焼生成物を発生す
るようにし、イオン化式の検煙部が低濃度のシラ
ン系ガスで応答動作するようにしたものである。 〔実施例〕 以下この考案の一実施例を図面により説明す
る。図において、ａ，ｂはそれぞれ検出器の正、
負の端子、CH1は周囲の空気が自由に流入できる
煙検出用の外部イオン室、CH2は温度、湿度、気
圧などの環境条件の変化の影響を補償するために
設けられた空気の流入しにくい内部イオン室であ
る。これらイオン室CH1，CH2は、一対の電極
P1，P2と放射線源RIとにより構成され、端子ａ，
ｂ間に直列接続される。Ｔはゲートが内外イオン
室CH2，CH1の接続点に接続された電界効果トラ
ンジスタで、ソースは抵抗R1を通じて端子ａに
また抵抗R3を通じて端子ｂに接続され、ドレイ
ンは抵抗R2を通じて端子ｂに接続される。Ｓは
ゲートが電界効果トランジスタＴのドレインに接
続されたサイリスタで、端子ａ，ｂ間を短絡させ
図示されない受信機に警報信号が送出されるよう
に構成されている。Ｈは外部イオン室CH1内ある
いはその近傍に設けられたヒータで、ZnO，
SnO2，Fe2O3，NiO，WO3等の触媒Ｚを担持し
たAl2O3またはSiO2の管状の担体Ａ内に設けられ
ヒータ端子Ｃと負端子ｂ間に接続され、イオン室
CH1に流入するガスを酸化燃焼させる。 次に上記検出器を半導体工場などの処理ガスを
収納するボンベストツカ内に設けた場合について
説明する。 平常状態、即ち外部イオン室CH1になんらのガ
ス、煙も流入しない場合は、公知のイオン化式煙
感知器と同様に、内外イオン室CH2，CH1の接続
点の電位が電界効果トランジスタＴのソース電位
よりも高くなるように抵抗R1，R3の値が選ばれ
ているので、トランジスタＴは導通せずサイリス
タＳは動作しない。 一方、ボンベストツカのボンベよりモノシラン
ガス（SiH4）が漏洩すると、ガ スはヒータＨ
により加熱されまた触媒Ｚの作用によりSiH4＋
O2→SiO2＋2H2の反応を起こし、ガス体から酸化
ケイ素の微粒子の固形物に変化され外部イオン室
CH1に流入する。これにより外部イオン室CH1の
イオン電流が減少し、内外イオン室CH2，CH1の
接続点の電位がソース電位に比べ低くなりトラン
ジスタＴが導通しサイリスタＳが動作し図示され
ない受信機にシランガスが漏洩したことが報知さ
れる。 なお、上記ヒータＨによる加熱および触媒Ｚが
低濃度のモノシランガスの酸化促進に寄与するこ
とは、下記事実により証明された。即ちPd／Sn
＝1mo1％の組成比の触媒を担持したヒータＨを
20℃〜550℃間の所定温度に加熱し、外部イオン
室CH1内に濃度１％のモノシランガスを流入させ
た場合の外部イオン室CH1の両端の電圧は、表に
示すようになつた。
この考案によれば、触媒を担持したヒータを設
けたイオン室に流入するガスを強制的に酸化させ
ガス体から酸化ケイ素の微粒子状の固形物に変化
させるようにしたので低濃度のシラン系ガスが検
出できるシラン系ガス検出器が得られる効果があ
る。
けたイオン室に流入するガスを強制的に酸化させ
ガス体から酸化ケイ素の微粒子状の固形物に変化
させるようにしたので低濃度のシラン系ガスが検
出できるシラン系ガス検出器が得られる効果があ
る。
図面はこの考案のシラン系ガス検出器の一実施
例の回路図である。 CH1……外部イオン室、RI……放射線源、P1，
P2……電極、Ｈ……ヒータ、Ｚ……触媒。
例の回路図である。 CH1……外部イオン室、RI……放射線源、P1，
P2……電極、Ｈ……ヒータ、Ｚ……触媒。
Claims (1)
- 一対の電極とこれら電極間の空気をイオン化す
る放射線源とを有するイオン化式の検煙部に、シ
ラン系ガスの酸化を促進させガス体から酸化ケイ
素の微粒子状の固形物に変化させるための触媒を
担持したヒータを設けたことを特徴とするシラン
系ガス検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985001792U JPH0353166Y2 (ja) | 1985-01-12 | 1985-01-12 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985001792U JPH0353166Y2 (ja) | 1985-01-12 | 1985-01-12 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61119758U JPS61119758U (ja) | 1986-07-28 |
| JPH0353166Y2 true JPH0353166Y2 (ja) | 1991-11-20 |
Family
ID=30474860
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1985001792U Expired JPH0353166Y2 (ja) | 1985-01-12 | 1985-01-12 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0353166Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012026946A1 (en) | 2010-08-27 | 2012-03-01 | Empire Technology Development Llc | Hydrofluorocarbon detection device |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS554317B2 (ja) * | 1972-06-05 | 1980-01-29 | ||
| JPS5069985U (ja) * | 1973-10-30 | 1975-06-20 | ||
| JPS53140089A (en) * | 1977-05-13 | 1978-12-06 | Shimadzu Corp | Detection of n-nitroso compound |
-
1985
- 1985-01-12 JP JP1985001792U patent/JPH0353166Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61119758U (ja) | 1986-07-28 |
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