JPH053906B2 - - Google Patents
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- JPH053906B2 JPH053906B2 JP59237461A JP23746184A JPH053906B2 JP H053906 B2 JPH053906 B2 JP H053906B2 JP 59237461 A JP59237461 A JP 59237461A JP 23746184 A JP23746184 A JP 23746184A JP H053906 B2 JPH053906 B2 JP H053906B2
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
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- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はガス状水素化物の検出方法に関する。
詳しくは特定の方法で得られた参加スズ素子の電
気抵抗の変化によつてガス状水素化物を検出する
方法に関する。
詳しくは特定の方法で得られた参加スズ素子の電
気抵抗の変化によつてガス状水素化物を検出する
方法に関する。
近年の半導体工業の進歩に伴いシラン、ジシラ
ンなどのエピタキシヤル用ガスやジボラン、ホス
フイン、アルミン、ゲルマンなどのドーピング用
ガスの使用量が大幅に増大している。
ンなどのエピタキシヤル用ガスやジボラン、ホス
フイン、アルミン、ゲルマンなどのドーピング用
ガスの使用量が大幅に増大している。
これらのガス状水素化物は可燃性、自然性、毒
性など微量でも流出すると健康上保安上問題が生
ずるため、微量のガス状水素化物の検出方法の開
発が望まれている。
性など微量でも流出すると健康上保安上問題が生
ずるため、微量のガス状水素化物の検出方法の開
発が望まれている。
これに対して定電位電解法、ガルバニル電池
法、IR法、UV法、化学発光法などが知られてい
るがいずれも高価であるとかメンテナンスが煩雑
でかつ経費がかかるとか、検出部が大型でしかも
脆弱であるとかの問題がある。一方酸化スズなど
の半導体検知素子はメタン、プロパン、エタノー
ル、アセトンなどの可熱性ガスに対しては感度が
良好であるものの上記ガス状水素化物に対しては
感度が不良である。これに対しては特定の処理を
施こした酸化スズがガス状水素化物の存在によつ
て熱伝導の変化をおこすことを利用した検知素子
が知られている（新コスモス電機株式会社技術資
料No.SK−2011）。
法、IR法、UV法、化学発光法などが知られてい
るがいずれも高価であるとかメンテナンスが煩雑
でかつ経費がかかるとか、検出部が大型でしかも
脆弱であるとかの問題がある。一方酸化スズなど
の半導体検知素子はメタン、プロパン、エタノー
ル、アセトンなどの可熱性ガスに対しては感度が
良好であるものの上記ガス状水素化物に対しては
感度が不良である。これに対しては特定の処理を
施こした酸化スズがガス状水素化物の存在によつ
て熱伝導の変化をおこすことを利用した検知素子
が知られている（新コスモス電機株式会社技術資
料No.SK−2011）。
上述の半導体検知素子を利用する方法は検知装
置が簡単で耐久性に優れているが通常の可熱性ガ
ス用の検知素子では感度が不充分であり、又熱伝
導を利用する方法は、検知素子加熱用のヒーター
の抵抗を使用するものであり検知素子の製造が難
かしいという問題があつた。
置が簡単で耐久性に優れているが通常の可熱性ガ
ス用の検知素子では感度が不充分であり、又熱伝
導を利用する方法は、検知素子加熱用のヒーター
の抵抗を使用するものであり検知素子の製造が難
かしいという問題があつた。
本発明者らは上記問題を解決する方法について
鋭意検討した結果、ガス状水素化物の検知用とし
ては不適当とされた可燃性ガス用検知素子が、特
定の製造法で作られた酸化スズを用いた特定の方
法で素子とされたものであれば、ガス状水素化物
用検知素子として高感度でしかも選択性良く、検
知できるという優れた性質を有するものであるこ
とを見い出し本発明を完成した。
鋭意検討した結果、ガス状水素化物の検知用とし
ては不適当とされた可燃性ガス用検知素子が、特
定の製造法で作られた酸化スズを用いた特定の方
法で素子とされたものであれば、ガス状水素化物
用検知素子として高感度でしかも選択性良く、検
知できるという優れた性質を有するものであるこ
とを見い出し本発明を完成した。
本発明の目的は高純度でガス状水素化物を検知
する方法を提供することにある。
する方法を提供することにある。
即ち本発明は四塩化スズ水溶液を硝酸、アンモ
ニウム共存下にアンモニアで中和して得た沈澱生
成物を400〜700℃で仮焼し次いで素子形状に成形
し500〜700℃で加熱焼結して得た素子の電気抵抗
の変化を検知することを特徴とするガス状水素化
物の検出方法である。
ニウム共存下にアンモニアで中和して得た沈澱生
成物を400〜700℃で仮焼し次いで素子形状に成形
し500〜700℃で加熱焼結して得た素子の電気抵抗
の変化を検知することを特徴とするガス状水素化
物の検出方法である。
本発明において対象とするガス状水素化物とし
ては、ケイ素、ホウ素、リン、ゲルアニウム、ヒ
素の水素化物でありモノシラン、ジシラン、ボラ
ン、ジボラン等のごときモノ体、ジ体のみならず
他のガスで希釈されていても良く、さらにガス状
であればそれ以上のポリ体であつてもよい。
ては、ケイ素、ホウ素、リン、ゲルアニウム、ヒ
素の水素化物でありモノシラン、ジシラン、ボラ
ン、ジボラン等のごときモノ体、ジ体のみならず
他のガスで希釈されていても良く、さらにガス状
であればそれ以上のポリ体であつてもよい。
以下に本発明で使用する検知素子の製法につい
て詳述する。
て詳述する。
本発明の素子は以下の３つの工程で作られる。
(イ) 四塩化錫水溶液を硝酸アンモニウム共存下に
アンモニアで中和して沈澱生成物を得る工程、 (ロ) 沈澱生成物を400〜700℃で仮焼する工程、 (ハ) 仮焼して得た粉体を素子形状に成形し、500
〜700℃で加熱焼結して検知素子を作成する工
程、である。
アンモニアで中和して沈澱生成物を得る工程、 (ロ) 沈澱生成物を400〜700℃で仮焼する工程、 (ハ) 仮焼して得た粉体を素子形状に成形し、500
〜700℃で加熱焼結して検知素子を作成する工
程、である。
(イ)の工程は、四塩化錫水溶液を硝酸アンモニウ
ム共存下にアンモニアで中和して、β錫酸
（〔H2SnO3〕5）を主成分とする白色沈澱を製造す
る工程である。
ム共存下にアンモニアで中和して、β錫酸
（〔H2SnO3〕5）を主成分とする白色沈澱を製造す
る工程である。
アンモニアはSnCl4水溶液中にガスで吹き込ん
でもよいし液安として供給してもよいが、操作の
容易性の点で水溶液の形で供給するのが好まし
い。
でもよいし液安として供給してもよいが、操作の
容易性の点で水溶液の形で供給するのが好まし
い。
ここで使用するSnCl4水溶液の濃度は20〜40wt
％、水溶液で加える場合のNH3使用液の濃度は、
10〜30wt％、NH4NO3使用液の濃度は５〜30wt
％が、それぞれ好ましい。
％、水溶液で加える場合のNH3使用液の濃度は、
10〜30wt％、NH4NO3使用液の濃度は５〜30wt
％が、それぞれ好ましい。
NH3水溶液とNH4NO3水溶液は、前もつて混
合して加えても、各別に加えても良い。ただしそ
の場合NH4NO3水溶液を先に加えて後NH3水溶
液を加える必要がある。
合して加えても、各別に加えても良い。ただしそ
の場合NH4NO3水溶液を先に加えて後NH3水溶
液を加える必要がある。
中和点のPHは、6.5〜7.5であるが、より好まし
くは、6.8〜7.0である。
くは、6.8〜7.0である。
(ロ)の工程は、(イ)の工程で作られた白色沈澱を、
仮焼して、酸化スズ（SnO2）を製造する工程で
ある。
仮焼して、酸化スズ（SnO2）を製造する工程で
ある。
この仮焼温度は、400〜700℃が好ましい。
400℃以下未満では、四塩化スズ（SnCl4）の
残存率が高く、吸湿性が大で、特性が不安定であ
る。また700℃を越えると活性点がなくなつてし
まうせいか通常のSnO2性能と大差なくなつてし
まう。
残存率が高く、吸湿性が大で、特性が不安定であ
る。また700℃を越えると活性点がなくなつてし
まうせいか通常のSnO2性能と大差なくなつてし
まう。
なお、公知技術（特公昭51−25159号）におい
ては、仮焼温度を500〜700℃としているが、本発
明の目的のためには、500℃以上である必要はな
く、400℃以上で充分良好な素子を作ることがで
きる。
ては、仮焼温度を500〜700℃としているが、本発
明の目的のためには、500℃以上である必要はな
く、400℃以上で充分良好な素子を作ることがで
きる。
(ロ)の工程で作られる、SnO2は決して純粋な
SnO2ではなく、Cl原子、水酸基等が残存してお
り、また比表面積、細孔などの表面構造も特異的
であり、これらがガス状水素化物を高感度かつ迅
速に検出しうる性質をSnO2に与えるものと思わ
れる。
SnO2ではなく、Cl原子、水酸基等が残存してお
り、また比表面積、細孔などの表面構造も特異的
であり、これらがガス状水素化物を高感度かつ迅
速に検出しうる性質をSnO2に与えるものと思わ
れる。
(ハ)の工程は、素子を製作する工程である。
上記(ロ)で作られたSnO2を適当な大きさの素子
形状に成型する。
形状に成型する。
この場合、素子の形も大きさも任意であるが、
好ましい大きさは、１mm角〜５mm角程度である。
好ましい大きさは、１mm角〜５mm角程度である。
そして素子の電気抵抗変化に応じて流れる電流
変化を測定するための１対の電極と素子を加熱す
るヒーターを具備する。一方の電極がヒーターを
兼ねていてもよい。電極の材質はPtやPd−Ir等
が用いられる。
変化を測定するための１対の電極と素子を加熱す
るヒーターを具備する。一方の電極がヒーターを
兼ねていてもよい。電極の材質はPtやPd−Ir等
が用いられる。
素子を製作するためには、(ロ)のSnO2に、水や
ポリビニールアルコール水溶液等の液体粘結剤や
シリカゾルやガラスフリツト等加熱後、成型体に
残つて、形状を維持する焼結助剤が添加される。
さらには、素子の強度維持やガス濃度変化に対す
る応答特性をよくするためのアルミナ、シリカア
ルミナ、マグネシア等の無機助剤を添加するケー
スもある。
ポリビニールアルコール水溶液等の液体粘結剤や
シリカゾルやガラスフリツト等加熱後、成型体に
残つて、形状を維持する焼結助剤が添加される。
さらには、素子の強度維持やガス濃度変化に対す
る応答特性をよくするためのアルミナ、シリカア
ルミナ、マグネシア等の無機助剤を添加するケー
スもある。
また必要に応じ、検出ガスの選択性や高感度化
等を目的として、白金（Pt）、パラジウム（Pd）、
金（Au）、アンチモン（Sb）等の金属の酸化物
やハロゲン化物が添加される。
等を目的として、白金（Pt）、パラジウム（Pd）、
金（Au）、アンチモン（Sb）等の金属の酸化物
やハロゲン化物が添加される。
これらの好ましい添加量は、各々以下の通りで
ある。
ある。
液体粘結剤は、充分な混合が行えかつ素子成型
が簡単に行なえるに必要な量であればよい。
が簡単に行なえるに必要な量であればよい。
焼結助剤は、少なすぎると効果がなくなり、多
すぎると、SnO2粒子をカバーして、特性の発現
を防げるので、一般に0.01〜5wt％、好ましくは
0.1〜1wt％である。
すぎると、SnO2粒子をカバーして、特性の発現
を防げるので、一般に0.01〜5wt％、好ましくは
0.1〜1wt％である。
無機助剤は多すぎるとむしろ成型しにくくなる
ので、０〜10wt％の範囲が良い。
ので、０〜10wt％の範囲が良い。
触媒は、少ないと効果がなく、多すぎると高価
なので、0.001〜1wt％が好ましい。
なので、0.001〜1wt％が好ましい。
次に焼結温度は、500〜700℃が好ましい。
500℃未満では、液体粘結剤が残存したり、焼
結効果が充分でなく好ましくない。また700℃を
越えると(ロ)の工程で得られた特性が失なわれてし
まう。
結効果が充分でなく好ましくない。また700℃を
越えると(ロ)の工程で得られた特性が失なわれてし
まう。
本発明を実施する場合においては、(イ)(ロ)(ハ)の工
程をそれぞれ経て、ガス検知素子を製作すること
が必須である。
程をそれぞれ経て、ガス検知素子を製作すること
が必須である。
例えば、(イ)の工程でNH4NO3の添加を省略し
て、中和を行つて得た白色粉末を用いて、(ロ)(ハ)の
工程を経由して素子を製作しても、ガス状水素化
合物検出感度は非常に悪いものしか得られない。
て、中和を行つて得た白色粉末を用いて、(ロ)(ハ)の
工程を経由して素子を製作しても、ガス状水素化
合物検出感度は非常に悪いものしか得られない。
また(イ)の工程で、NH3かわりに、NaOH、
KOH、CaOH等のアルカリ金属、アルカリ土類
金属の水酸化物を用いて中和を行い、得られた白
色粉末を用いて(ロ)(ハ)の工程を経て素子を製作して
も、可燃性ガスの検出感度は、同様にきわめて悪
い。
KOH、CaOH等のアルカリ金属、アルカリ土類
金属の水酸化物を用いて中和を行い、得られた白
色粉末を用いて(ロ)(ハ)の工程を経て素子を製作して
も、可燃性ガスの検出感度は、同様にきわめて悪
い。
また(イ)(ロ)の工程を省略した市販SnO2を入手し、
微粉砕して(ハ)の工程を経て、ガス検知素子を製作
しても、ガス状水素化物の検出感度は殆ど無い。
微粉砕して(ハ)の工程を経て、ガス検知素子を製作
しても、ガス状水素化物の検出感度は殆ど無い。
さて(イ)(ロ)(ハ)の工程を経て製作されたガス検知素
子は、ガス状水素化物検出に用いられる時は、温
度100〜500℃の範囲で用いられる。
子は、ガス状水素化物検出に用いられる時は、温
度100〜500℃の範囲で用いられる。
半導体工場では、ガス状水素化物の１つモノシ
ラン希釈ガス、水素と共に使用される場合が多
い。このような状態でモノシランだけを選択的に
検出することは非常に重要であるが従来の素子で
は選択的検出は困難であつた。
ラン希釈ガス、水素と共に使用される場合が多
い。このような状態でモノシランだけを選択的に
検出することは非常に重要であるが従来の素子で
は選択的検出は困難であつた。
本発明の素子を使用すればそのような場合に
は、素子温度を100〜200℃に設定して使用すれば
よい。SnO2等、酸化物半導体を用いた検知素子
は、H2エチルアルコール、プロパン等の可燃性
ガスに対しては、素子温度が高温になるほど検出
感度が高くなり、逆に素子温度が低くなると検出
感度が低くなる性質を有するところ、本発明の検
知素子は特にこの性質が強く、素子温度が低くな
ると全く検出感度がなくなるからである。一方、
ガス状水素化物、例えば、モノシランに対しては
驚くべきことに低い素子温度の範囲で検出感度の
ピークがあるのである。
は、素子温度を100〜200℃に設定して使用すれば
よい。SnO2等、酸化物半導体を用いた検知素子
は、H2エチルアルコール、プロパン等の可燃性
ガスに対しては、素子温度が高温になるほど検出
感度が高くなり、逆に素子温度が低くなると検出
感度が低くなる性質を有するところ、本発明の検
知素子は特にこの性質が強く、素子温度が低くな
ると全く検出感度がなくなるからである。一方、
ガス状水素化物、例えば、モノシランに対しては
驚くべきことに低い素子温度の範囲で検出感度の
ピークがあるのである。
またモノシランは、不活性ガス例えばN2、
Ar、H2等O2以外のガス中で使用される。したが
つて不活性ガス中のモノシランを検出することも
重要である。
Ar、H2等O2以外のガス中で使用される。したが
つて不活性ガス中のモノシランを検出することも
重要である。
通常SnO2等酸化物半導体を用いた検知素子は、
空気中即ちO2存在下では可燃性ガスに対する検
出感度は高いが不活性ガス中では、検出感度は低
い。
空気中即ちO2存在下では可燃性ガスに対する検
出感度は高いが不活性ガス中では、検出感度は低
い。
ところが、本発明の検知素子は、ガス状水素化
物に対して、驚くべきことに不活性ガス中でも空
気中と同レベルの高い検出感度を示すのである。
物に対して、驚くべきことに不活性ガス中でも空
気中と同レベルの高い検出感度を示すのである。
本発明の検知素子は、ガス状水素化物の濃度に
対応して素子の電気抵抗が変化する。そこで、そ
の変化を利用して、素子と電源、そして警報手段
又は制御回路を含む回路を構成し、ガス状水素化
物を検出する。
対応して素子の電気抵抗が変化する。そこで、そ
の変化を利用して、素子と電源、そして警報手段
又は制御回路を含む回路を構成し、ガス状水素化
物を検出する。
本発明の検知素子を用いて具体的に検出装置を
構成する一例を示す。
構成する一例を示す。
素子と電源と固定抵抗を直列に接続し、素子に
10Vていどの定電圧を負荷する。素子のヒーター
に適当な電圧を負荷し、素子温度を一定に保つ。
固定抵抗の両端の出力をとり出し、増幅器に接続
してベル、発光ダイオード等の警報手段を動作さ
せるか、リレー等の制御回路を動作させる。
10Vていどの定電圧を負荷する。素子のヒーター
に適当な電圧を負荷し、素子温度を一定に保つ。
固定抵抗の両端の出力をとり出し、増幅器に接続
してベル、発光ダイオード等の警報手段を動作さ
せるか、リレー等の制御回路を動作させる。
ガス状水素化物の恕限度は、例えばSiH4（モノ
シラン）5ppm、B2H60.1ppm、PH30.3ppm、
AsH30.05ppmである。
シラン）5ppm、B2H60.1ppm、PH30.3ppm、
AsH30.05ppmである。
前述したように、可燃性ガス検知用に普及して
いるSnO2の酸化物半導体が、ガス濃度に対応し
て抵抗値変化を起す性質を利用した検出方法にお
いて、従来の方法により製作された素子では、上
記恕限度を満たす検出感度を得ることはもちろん
その近くの検出感度を得ることも不可能であつ
た。
いるSnO2の酸化物半導体が、ガス濃度に対応し
て抵抗値変化を起す性質を利用した検出方法にお
いて、従来の方法により製作された素子では、上
記恕限度を満たす検出感度を得ることはもちろん
その近くの検出感度を得ることも不可能であつ
た。
ところが、驚くべきことに本発明の方法で製作
した素子を用いると、恕限度を越えるか又は実用
上充分なほどの非常な高感度を得ることができ
る。
した素子を用いると、恕限度を越えるか又は実用
上充分なほどの非常な高感度を得ることができ
る。
本発明の方法においては、用いられる検出素子
が非常に安価に製作でき、かつ耐久性もあり、メ
ンテナンスも簡単である。しかもガス状水素化物
に対し従来の製法のものにない高い検出感度を有
している。
が非常に安価に製作でき、かつ耐久性もあり、メ
ンテナンスも簡単である。しかもガス状水素化物
に対し従来の製法のものにない高い検出感度を有
している。
またガス検知素子を用いた回路も簡単にできる
ので、全体の装置も従来実用化された方法に比較
してはるかに安価に製作できる。
ので、全体の装置も従来実用化された方法に比較
してはるかに安価に製作できる。
本発明の方法は、作業環境や高圧ガス設備での
漏洩ガス状水素化物の連続モニター検出やスポツ
ト検出に好適に適用できる。又半導体製造装置か
らの廃ガス中の残存ガス状水素化物量の測定も可
能である。
漏洩ガス状水素化物の連続モニター検出やスポツ
ト検出に好適に適用できる。又半導体製造装置か
らの廃ガス中の残存ガス状水素化物量の測定も可
能である。
以下に実施例により、本発明を詳細に説明する
がこれらはあくまで例示であり本発明の技術的範
囲は、それらに拘束されるものではない。
がこれらはあくまで例示であり本発明の技術的範
囲は、それらに拘束されるものではない。
実施例 １
四塩化錫300ｇと硝酸アルミニウム５ｇを水１
に溶解する。
に溶解する。
一方、水１当り硝酸アンモニア150ｇとアン
モニア150ｇを溶解した水溶液を用意し、PH6.8に
なるまで撹拌しつつ滴下する。大量の白色沈澱を
別し、１回水洗した後、400℃にて仮焼する。
モニア150ｇを溶解した水溶液を用意し、PH6.8に
なるまで撹拌しつつ滴下する。大量の白色沈澱を
別し、１回水洗した後、400℃にて仮焼する。
得られた仮焼物に塩化パラジウム（PdCl2）
0.1wt％、シリカゾル0.1wt％、さらに２％ポリビ
ニールアルコール水溶液適当量を加え、充分撹拌
し混合してペーストにする。
0.1wt％、シリカゾル0.1wt％、さらに２％ポリビ
ニールアルコール水溶液適当量を加え、充分撹拌
し混合してペーストにする。
このペーストを、両端に電極を有するアルミナ
製担体に塗布し、１晩風乾する。
製担体に塗布し、１晩風乾する。
しかるのち600℃、2hr焼成して素子を作る。
担体両端にある電極の一方はヒーターを兼ねて
おりこの素子と電源と固定抵抗を直列に結んだ回
路を構成し、出力は固定抵抗の両端からとり出す
ようにする。
おりこの素子と電源と固定抵抗を直列に結んだ回
路を構成し、出力は固定抵抗の両端からとり出す
ようにする。
素子温度を170℃に設定して、モノシランの検
出を行つた。結果は、素子の空気中での抵抗
（Va）とモノシランを検出した時の抵抗（Vg）
の比抵抗変化率（Va／Vg）で表示する。
出を行つた。結果は、素子の空気中での抵抗
（Va）とモノシランを検出した時の抵抗（Vg）
の比抵抗変化率（Va／Vg）で表示する。
結果は第１図に示す。
モノシランの恕限度5ppmより低い濃度まで充
分に検出できることがわかる。
分に検出できることがわかる。
実施例 ２
四塩化スズ300ｇと硝酸アルミニウム５ｇを水
１に溶解する。
１に溶解する。
一方、水１当り硝酸アンモニア100ｇとアン
モニア150ｇを溶解した水溶液を用意し、PH6.5に
なるまで、撹拌しつつ滴下する。大量の白色沈澱
を別し、１回水洗した後、500℃にて仮焼する。
モニア150ｇを溶解した水溶液を用意し、PH6.5に
なるまで、撹拌しつつ滴下する。大量の白色沈澱
を別し、１回水洗した後、500℃にて仮焼する。
得られた仮焼物に塩化パラジウム（PdCl2）
0.5wt％、ガラスフリツト0.1wt％さらに２％ポリ
ビニールアルコール水溶液適当量を加え、充分撹
拌し混合してペーストにする。
0.5wt％、ガラスフリツト0.1wt％さらに２％ポリ
ビニールアルコール水溶液適当量を加え、充分撹
拌し混合してペーストにする。
このペーストを両端に電極を有するアルミナ担
体に塗布し、１晩風乾する。
体に塗布し、１晩風乾する。
しかるのち650℃、2hr焼成して素子を作る。
以下実施例１と同様にして回路を構成し、チツ
ソ中のモノシランガスを検定した。
ソ中のモノシランガスを検定した。
素子温度は250℃に設定した。
結果を第２図に示す。
モノシランの恕限度5ppmより充分低い濃度ま
で測定できることがわかる。
で測定できることがわかる。
本発明の方法がガス状水素化物の検出方法とし
てきわめて高感度なものである理由は不明である
が、実質的に酸素の存在しない条件でも高感度で
あることから、素子に何らかの形でガス状水素化
物が吸着及び／又は反応し感度よく素子の電気伝
導度を変化させるためと推定できる。
てきわめて高感度なものである理由は不明である
が、実質的に酸素の存在しない条件でも高感度で
あることから、素子に何らかの形でガス状水素化
物が吸着及び／又は反応し感度よく素子の電気伝
導度を変化させるためと推定できる。
本発明の方法を採用することで安価でしかも高
感度でガス状水素化物を検知することができ工業
的に極めて価値がある。
感度でガス状水素化物を検知することができ工業
的に極めて価値がある。
第１図および第２図は抵抗変化率とガス濃度の
関係を示すグラフである。
関係を示すグラフである。
Claims (1)
- １ 四塩化スズ水溶液を硝酸アンモニウム共存下
にアンモニアで中和して得た沈澱生成物を400〜
700℃で仮焼し次いで素子形状に成形し500〜700
℃で加熱焼結して得た素子の電気抵抗の変化を検
知することを特徴とするガス状水素化物の検出方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23746184A JPS61116651A (ja) | 1984-11-13 | 1984-11-13 | ガス状水素化物の検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23746184A JPS61116651A (ja) | 1984-11-13 | 1984-11-13 | ガス状水素化物の検出方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61116651A JPS61116651A (ja) | 1986-06-04 |
| JPH053906B2 true JPH053906B2 (ja) | 1993-01-18 |
Family
ID=17015678
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23746184A Granted JPS61116651A (ja) | 1984-11-13 | 1984-11-13 | ガス状水素化物の検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61116651A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03287057A (ja) * | 1990-04-04 | 1991-12-17 | Fuji Electric Co Ltd | ガスセンサの製造方法 |
| CN1304297C (zh) * | 2004-04-29 | 2007-03-14 | 上海交通大学 | 制备纳米晶SnO2粉的方法 |
| JP7634354B2 (ja) * | 2020-10-14 | 2025-02-21 | 大阪瓦斯株式会社 | ガス検知装置の温度制御方法およびガス検知装置の温度制御装置 |
| JP7638078B2 (ja) * | 2020-10-14 | 2025-03-03 | 大阪瓦斯株式会社 | ガス検知装置の温度制御方法およびガス検知装置の温度制御装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5125159A (en) * | 1974-08-27 | 1976-03-01 | Mitsui Shipbuilding Eng | Yoatsuoryoshita ekimenreberukeisokuhoho |
| JPS59131152A (ja) * | 1983-01-16 | 1984-07-27 | Esutetsuku:Kk | 還元性ガスセンサ |
| JPS61116650A (ja) * | 1984-11-09 | 1986-06-04 | Esutetsuku:Kk | プレ−ナ型還元性ガスセンサ |
-
1984
- 1984-11-13 JP JP23746184A patent/JPS61116651A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61116651A (ja) | 1986-06-04 |
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