JPH0353551A - 絶縁型半導体装置用放熱板 - Google Patents
絶縁型半導体装置用放熱板Info
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- JPH0353551A JPH0353551A JP18941089A JP18941089A JPH0353551A JP H0353551 A JPH0353551 A JP H0353551A JP 18941089 A JP18941089 A JP 18941089A JP 18941089 A JP18941089 A JP 18941089A JP H0353551 A JPH0353551 A JP H0353551A
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- JP
- Japan
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- resin
- heat sink
- semiconductor device
- flow
- cavity
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 17
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 49
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 49
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 239000011800 void material Substances 0.000 abstract 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は放熱板の裏面をも或形樹脂でおおった絶縁型半
導体装置に用いる放熱板の楕遣にかかわるものである． 〔従来の技術〕 放熱板を含め全表面が樹脂でおおわれた絶縁型？導体装
置は放熱板を貫通する穴をっている。この穴を利用して
、絶縁型半導体装置をネジを用いて、ラジエー夕板に取
り付けて使用される。この時に、半導体チップが取り付
けられた放熱板の裏面には、ラジエー夕板と電気的に絶
縁を行ないつつ放熱が良好となる■様にできるだけ薄い
樹脂膜を、成形工程で形成する。そのために、通常リー
ド部分と反対側に樹脂注入口を設け、半導体装置ネジ締
め付け部分のトータル厚さを薄くすることによって、放
熱板表面及・び真面のキャビティ厚みを比較的近い値と
する。この用な構造とすることによって、樹脂注入口か
ら、注入された成形樹脂が、放熱板の表面及び裏面の各
キャビディ内に均一に流れる様に設計する．もしこの部
分の放熱板表面と裏面のキャビイティ厚みが大幅に異な
ると、注入された樹脂の流れ方がアンバランスとなり、
流れにくくなって、放熱板を樹脂によって均一におおう
ことができなくなる。
導体装置に用いる放熱板の楕遣にかかわるものである． 〔従来の技術〕 放熱板を含め全表面が樹脂でおおわれた絶縁型？導体装
置は放熱板を貫通する穴をっている。この穴を利用して
、絶縁型半導体装置をネジを用いて、ラジエー夕板に取
り付けて使用される。この時に、半導体チップが取り付
けられた放熱板の裏面には、ラジエー夕板と電気的に絶
縁を行ないつつ放熱が良好となる■様にできるだけ薄い
樹脂膜を、成形工程で形成する。そのために、通常リー
ド部分と反対側に樹脂注入口を設け、半導体装置ネジ締
め付け部分のトータル厚さを薄くすることによって、放
熱板表面及・び真面のキャビティ厚みを比較的近い値と
する。この用な構造とすることによって、樹脂注入口か
ら、注入された成形樹脂が、放熱板の表面及び裏面の各
キャビディ内に均一に流れる様に設計する．もしこの部
分の放熱板表面と裏面のキャビイティ厚みが大幅に異な
ると、注入された樹脂の流れ方がアンバランスとなり、
流れにくくなって、放熱板を樹脂によって均一におおう
ことができなくなる。
上述した従来の絶縁型半導体装置用放熱板では、以下の
理由により、樹脂注入時に段差部分のコアピンの後方に
樹脂未充てん部が生じやすいという欠点がある． 第４図（ａ）．（ｂ）は従来の絶縁型半導体装置の成形
時の樹脂の流れ方を示す平面図及び断面図である。
理由により、樹脂注入時に段差部分のコアピンの後方に
樹脂未充てん部が生じやすいという欠点がある． 第４図（ａ）．（ｂ）は従来の絶縁型半導体装置の成形
時の樹脂の流れ方を示す平面図及び断面図である。
樹脂注入口から入ってくる或形樹脂は放熱板１の表方向
と裏方向に分かれて、キャビティ内に充てんされる．表
面については、平面図で示すようにキャビディの空洞が
広くなる部分で未充てん（１０）が発生しやすい．この
理由はコアピン７が樹脂の流れをさまたげるため、放熱
板中央部への樹脂の充てんが遅くなるためである．一方
放熱板１表面のキャビティ部の厚さを厚くして、樹脂の
注入量を多くすると、前述した様に放熱板裏面の厚さと
のアンバランスが生じて、裏面に樹脂が充てんされなく
なるという欠点がある．従って放熱効果を良くするため
に、裏面樹脂厚を薄くするのに限界があり、従来構造の
放熱板では樹脂厚を０．４ｍｍ以下にするのは困難であ
った。
と裏方向に分かれて、キャビティ内に充てんされる．表
面については、平面図で示すようにキャビディの空洞が
広くなる部分で未充てん（１０）が発生しやすい．この
理由はコアピン７が樹脂の流れをさまたげるため、放熱
板中央部への樹脂の充てんが遅くなるためである．一方
放熱板１表面のキャビティ部の厚さを厚くして、樹脂の
注入量を多くすると、前述した様に放熱板裏面の厚さと
のアンバランスが生じて、裏面に樹脂が充てんされなく
なるという欠点がある．従って放熱効果を良くするため
に、裏面樹脂厚を薄くするのに限界があり、従来構造の
放熱板では樹脂厚を０．４ｍｍ以下にするのは困難であ
った。
本発明はチップ搭載部とネジ止め用穴とを備えた絶縁型
半導体装置用放熱板において、前記チップ搭載部と前記
ねし止め用穴との間に、中央部を除く場所に設けられな
突起又は中央部に設けられた凹みを有するというもので
ある。
半導体装置用放熱板において、前記チップ搭載部と前記
ねし止め用穴との間に、中央部を除く場所に設けられな
突起又は中央部に設けられた凹みを有するというもので
ある。
第１図（ａ）は本発明の一実施例の斜視図、第１図（ｂ
），（Ｃ）は一実施例を用いた絶縁型半導体装置を示す
長手方向くＸ方向〉の断面図及びＹ方向の断面図である
。
），（Ｃ）は一実施例を用いた絶縁型半導体装置を示す
長手方向くＸ方向〉の断面図及びＹ方向の断面図である
。
本実施例では放熱板１の厚さ１．４ｍｍ、裏面樹脂厚さ
０．５ｍｍ、ネジ締め部表面樹脂厚さ０．７ｍｍで突起
部４高さ０．４ｍｍである。第２図は本発明による一実
施例の成形時の樹脂の流れ方を示す平面図である。コア
ビン７ ｆ＆方（ネジしめ付け部分に対応する放熱板中
央部分〉を除き突起４が設けられているので成形時にリ
ードフレームの周辺に近い側での樹脂の流れに対して抵
抗をもたせることにより、キャビティ内の樹脂の流れが
平均化され、樹脂ボイドのない均一な樹脂成形を行なう
ことができ、裏面樹脂厚を薄くしても未充てんが発生し
ない． 第３図は本発明の他の実施例の斜視図である。
０．５ｍｍ、ネジ締め部表面樹脂厚さ０．７ｍｍで突起
部４高さ０．４ｍｍである。第２図は本発明による一実
施例の成形時の樹脂の流れ方を示す平面図である。コア
ビン７ ｆ＆方（ネジしめ付け部分に対応する放熱板中
央部分〉を除き突起４が設けられているので成形時にリ
ードフレームの周辺に近い側での樹脂の流れに対して抵
抗をもたせることにより、キャビティ内の樹脂の流れが
平均化され、樹脂ボイドのない均一な樹脂成形を行なう
ことができ、裏面樹脂厚を薄くしても未充てんが発生し
ない． 第３図は本発明の他の実施例の斜視図である。
本実施例では放熱板１の中央部に凹み５を設けてあり、
放熱板１の厚さは１．４ｍｍ、裏面樹脂の厚さは０．３
ｍｍ、ネジ締め部表面樹脂厚さ０．５ｍｍ、突起４の高
さ０．２ｍｍ、凹部深さ０．４ｍｍである。
放熱板１の厚さは１．４ｍｍ、裏面樹脂の厚さは０．３
ｍｍ、ネジ締め部表面樹脂厚さ０．５ｍｍ、突起４の高
さ０．２ｍｍ、凹部深さ０．４ｍｍである。
周辺部に突起を設けて抵抗を大きくし中央部に凹部を設
けて抵抗を減らすことにより一層樹脂の流れを均一にで
きる． 〔発明の効果〕 以上説明したように本発明は、放熱板の中央部に凹部を
設けるか周辺部に突起を設けることにより樹脂或形時の
キャビティ内における樹脂の流れを均一化することがで
きるので樹脂ボイドのない絶縁型半導体装置を実現でき
る。あるいは絶縁型半導体装置の裏面樹脂厚を薄くする
ことができるという効果がある。
けて抵抗を減らすことにより一層樹脂の流れを均一にで
きる． 〔発明の効果〕 以上説明したように本発明は、放熱板の中央部に凹部を
設けるか周辺部に突起を設けることにより樹脂或形時の
キャビティ内における樹脂の流れを均一化することがで
きるので樹脂ボイドのない絶縁型半導体装置を実現でき
る。あるいは絶縁型半導体装置の裏面樹脂厚を薄くする
ことができるという効果がある。
第１図（ａ）は本発明の一実施例の斜視図、第１図（ｂ
），（ｃ）は一実施例を使用した絶縁型半導体装置のＸ
方向の断面図及びＹ方向の断面図、第２図は一実施例に
よる絶縁型半導体装置製造時の樹脂の流れを示す平面図
、第３図は他の実施例の主要部を示す斜視図、第４図は
従来例による絶縁型半導体装置製造時の樹脂注入時のｍ
樹脂の流れを示す平面図である。 １・・・放熱板、２・・・ネジとめ用穴、３・・・リー
ド、４・・・突起、５・・・凹み、６・・・半導体チッ
プ、７・・・コアビン、８・・・樹脂注入口、１０・・
・樹脂未充てん部、１１・・・封止樹脂、１２・・・チ
ップ搭載部。
），（ｃ）は一実施例を使用した絶縁型半導体装置のＸ
方向の断面図及びＹ方向の断面図、第２図は一実施例に
よる絶縁型半導体装置製造時の樹脂の流れを示す平面図
、第３図は他の実施例の主要部を示す斜視図、第４図は
従来例による絶縁型半導体装置製造時の樹脂注入時のｍ
樹脂の流れを示す平面図である。 １・・・放熱板、２・・・ネジとめ用穴、３・・・リー
ド、４・・・突起、５・・・凹み、６・・・半導体チッ
プ、７・・・コアビン、８・・・樹脂注入口、１０・・
・樹脂未充てん部、１１・・・封止樹脂、１２・・・チ
ップ搭載部。
Claims (1)
- チップ搭載部とネジ止め用穴とを備えた絶縁型半導体
装置用放熱板において、前記チップ搭載部と前記ねじ止
め用穴との間に、中央部を除く場所に設けられた突起又
は中央部に設けられた凹みを有することを特徴とする絶
縁型半導体装置用放熱板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18941089A JPH0353551A (ja) | 1989-07-21 | 1989-07-21 | 絶縁型半導体装置用放熱板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18941089A JPH0353551A (ja) | 1989-07-21 | 1989-07-21 | 絶縁型半導体装置用放熱板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0353551A true JPH0353551A (ja) | 1991-03-07 |
Family
ID=16240807
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18941089A Pending JPH0353551A (ja) | 1989-07-21 | 1989-07-21 | 絶縁型半導体装置用放熱板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0353551A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0545487A3 (en) * | 1991-12-05 | 1994-06-08 | Cons Ric Microelettronica | Semiconductor device encapsulated in resin and electrically insulated having improved insulation characteristics and related manufacturing process |
| DE102004060378B4 (de) * | 2003-12-24 | 2014-08-28 | Denso Corporation | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung |
| JP2024046299A (ja) * | 2022-09-22 | 2024-04-03 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
-
1989
- 1989-07-21 JP JP18941089A patent/JPH0353551A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0545487A3 (en) * | 1991-12-05 | 1994-06-08 | Cons Ric Microelettronica | Semiconductor device encapsulated in resin and electrically insulated having improved insulation characteristics and related manufacturing process |
| US5766985A (en) * | 1991-12-05 | 1998-06-16 | Consorzio Per La Ricerca Sulla Microelettronica Nel Mezzogiorno | Process for encapsulating a semiconductor device having a heat sink |
| DE102004060378B4 (de) * | 2003-12-24 | 2014-08-28 | Denso Corporation | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung |
| JP2024046299A (ja) * | 2022-09-22 | 2024-04-03 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
| US12588240B2 (en) | 2022-09-22 | 2026-03-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
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