JPS6399539A - 樹脂封止半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6399539A JPS6399539A JP26712486A JP26712486A JPS6399539A JP S6399539 A JPS6399539 A JP S6399539A JP 26712486 A JP26712486 A JP 26712486A JP 26712486 A JP26712486 A JP 26712486A JP S6399539 A JPS6399539 A JP S6399539A
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- JP
- Japan
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- mold
- substrate
- resin
- space
- gate
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- Pending
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、半導体素子を固着した金属基板がほぼ直方体
の樹脂層によりて被覆され、その際基板の反素子支持面
を覆う樹脂層は放熱効果を上げるために、素子を覆う樹
脂層に比して薄くされる樹脂封止半導体装置の製造方法
に関する。
の樹脂層によりて被覆され、その際基板の反素子支持面
を覆う樹脂層は放熱効果を上げるために、素子を覆う樹
脂層に比して薄くされる樹脂封止半導体装置の製造方法
に関する。
半導体素子を支持する金属基板を表面に露出させて樹脂
封止した半導体装置においては、接地された放熱体上に
絶縁して固定する場合は、基板と放熱体の間にマイカ等
の絶縁板を介挿させていた。 このような絶縁板の使用を不要にするため、放熱体に固
定される側にも基板上に絶縁層を設けた樹脂封止半導体
装置を第２図に示し、（ａｌは外観図。 （ｂ）は断面図である０図において、半導体チップ１は
支持基板としてのリードフレームのマウント部２にろう
付けられており、外部リード部２１と導線３によって接
続され、外部リード部２１を露出させ、取付孔８を有す
る樹脂層４によって封止されている。この際、樹脂層４
のチップ側の厚さｄ、に比して反対側の厚さｄ、は著し
く薄くされていて、この半導体装置を面５によって放熱
体上に固定した場合の放熱性を良くしである。しがし、
このような樹脂層４の成形のために、金型空間内にリー
ドフレームを支持し、マウント部２１に垂直な金型面に
設けられたゲート６から樹脂を注入すると、層厚さの差
異により樹脂流れに及ぼす抵抗が異なり、樹脂は基板２
のチップ側の広い金型空間に入りやすく、厚さｄ、の樹
脂層が早（成形され、基板２の反チップ側の厚さｄ、の
樹脂層は遅く成形される。そして、この反チップ側にゲ
ート６から直接入る樹脂と基板２のチップ側の金型空間
から廻ってくる樹脂との合流点が反チップ側の金型空間
にできるため、金型空間内の空気が十分に抜は切らず、
樹脂層４内に気泡、ピンホールが発生する。この現象は
薄い樹脂層の厚さｄ２が薄いほど、また封止面積が大き
い程著しい。
封止した半導体装置においては、接地された放熱体上に
絶縁して固定する場合は、基板と放熱体の間にマイカ等
の絶縁板を介挿させていた。 このような絶縁板の使用を不要にするため、放熱体に固
定される側にも基板上に絶縁層を設けた樹脂封止半導体
装置を第２図に示し、（ａｌは外観図。 （ｂ）は断面図である０図において、半導体チップ１は
支持基板としてのリードフレームのマウント部２にろう
付けられており、外部リード部２１と導線３によって接
続され、外部リード部２１を露出させ、取付孔８を有す
る樹脂層４によって封止されている。この際、樹脂層４
のチップ側の厚さｄ、に比して反対側の厚さｄ、は著し
く薄くされていて、この半導体装置を面５によって放熱
体上に固定した場合の放熱性を良くしである。しがし、
このような樹脂層４の成形のために、金型空間内にリー
ドフレームを支持し、マウント部２１に垂直な金型面に
設けられたゲート６から樹脂を注入すると、層厚さの差
異により樹脂流れに及ぼす抵抗が異なり、樹脂は基板２
のチップ側の広い金型空間に入りやすく、厚さｄ、の樹
脂層が早（成形され、基板２の反チップ側の厚さｄ、の
樹脂層は遅く成形される。そして、この反チップ側にゲ
ート６から直接入る樹脂と基板２のチップ側の金型空間
から廻ってくる樹脂との合流点が反チップ側の金型空間
にできるため、金型空間内の空気が十分に抜は切らず、
樹脂層４内に気泡、ピンホールが発生する。この現象は
薄い樹脂層の厚さｄ２が薄いほど、また封止面積が大き
い程著しい。
【発明の目的］
本発明は、上述の問題を解決し、基板の半導体素子側の
厚い樹脂層と反素子側の薄い樹脂層への成形速度の差異
と、それに基づいて発生する樹脂層中の気泡含有、ピン
ホールの発生を防ぐことのできる樹脂封止半導体装置の
製造方法を提供することを目的とする。 【発明の要点】 本発明は、樹脂をほぼ直方体の空間をもつ金型の基板面
に垂直な金型面の一つに基板の半導体素子側の金型空間
に対向して設けられた主注入口と、その金型面に主注入
口より近い側で、隣接する基板面に垂直な金型面に基板
の反素子側の金型空間に対向して設けられた補助注入口
とより注入するもので、これにより基板の反素子側の薄
い樹脂層への成形速度を素子側の厚い樹脂層の成形速度
に同調させることができるので上記の目的が達成される
。
厚い樹脂層と反素子側の薄い樹脂層への成形速度の差異
と、それに基づいて発生する樹脂層中の気泡含有、ピン
ホールの発生を防ぐことのできる樹脂封止半導体装置の
製造方法を提供することを目的とする。 【発明の要点】 本発明は、樹脂をほぼ直方体の空間をもつ金型の基板面
に垂直な金型面の一つに基板の半導体素子側の金型空間
に対向して設けられた主注入口と、その金型面に主注入
口より近い側で、隣接する基板面に垂直な金型面に基板
の反素子側の金型空間に対向して設けられた補助注入口
とより注入するもので、これにより基板の反素子側の薄
い樹脂層への成形速度を素子側の厚い樹脂層の成形速度
に同調させることができるので上記の目的が達成される
。
第１図は本発明の一実施例を示し、（ａ）は樹脂成形後
の平面図、（ｂｌはでき上がった半導体装置の断面図で
あり、第２図と共通の部分には同一の符号が付されてい
る。図から明らかなように、樹脂は主ランナ７に連通ず
る主ゲート６と、主ランナ７から分岐した補助ランナ７
１に連通し、主ゲート６に近い側の隣接金型内側面に設
けられた補助ゲート６１から注入される。第１図中）か
ら分がるように、主ゲート６は基板２のチップ１側の厚
さｄ、の広い金型空間に向けられており、補助ゲート６
１は基板２の反チップ側の厚さｄ８の狭い金型空間に向
けられている。これらの主ゲート６および補助ゲート６
１から樹脂を注入すると、厚さｄ２の狭い金型空間には
、各々のゲートからの樹脂がそれぞれ扇状に広がりなが
ら充填されていく。従って主ゲート６と補助ゲート６１
の位置関係で厚さの薄い金型空間に流入する樹脂は、そ
の空間中の空気を押し出す方向に向かって成形されてい
く。この成形速度を基板のチップ側の広い金型空間の成
形速度と同調を取るために、補助ランナ７１に連通する
補助ゲートを複数設けてもよい。 第３図は、主ゲート６が基板２の外部リード部２１と反
対側に設けられた実施例を示す。 補助ゲート６１を主ゲート６から遠い側の隣接側金型側
面に設けると前述の空気押し出し効果が順調に生じない
。ただし、主ゲート６が金型側面の中央に設けられると
きには、何れの隣接金型側面に設けられてもよい。 第４図、第５図は主ゲート６を主ランナ７の矢印９で示
す樹脂圧入方向に見てすべて手前側にそれぞれ設け、ま
た補助ランナ７１を矢印９で示す樹脂圧入方向に見て主
ゲート６よりすべて手前側にそれぞれ設けたもので、こ
れにより第１図、第３図の場合に比して補助ランナ７１
の数は増すが各金型空間への注入圧力が上がると共に均
一化するため、各半導体装置の健全な樹脂層４の成形を
一様に行うことができる利点がある。
の平面図、（ｂｌはでき上がった半導体装置の断面図で
あり、第２図と共通の部分には同一の符号が付されてい
る。図から明らかなように、樹脂は主ランナ７に連通ず
る主ゲート６と、主ランナ７から分岐した補助ランナ７
１に連通し、主ゲート６に近い側の隣接金型内側面に設
けられた補助ゲート６１から注入される。第１図中）か
ら分がるように、主ゲート６は基板２のチップ１側の厚
さｄ、の広い金型空間に向けられており、補助ゲート６
１は基板２の反チップ側の厚さｄ８の狭い金型空間に向
けられている。これらの主ゲート６および補助ゲート６
１から樹脂を注入すると、厚さｄ２の狭い金型空間には
、各々のゲートからの樹脂がそれぞれ扇状に広がりなが
ら充填されていく。従って主ゲート６と補助ゲート６１
の位置関係で厚さの薄い金型空間に流入する樹脂は、そ
の空間中の空気を押し出す方向に向かって成形されてい
く。この成形速度を基板のチップ側の広い金型空間の成
形速度と同調を取るために、補助ランナ７１に連通する
補助ゲートを複数設けてもよい。 第３図は、主ゲート６が基板２の外部リード部２１と反
対側に設けられた実施例を示す。 補助ゲート６１を主ゲート６から遠い側の隣接側金型側
面に設けると前述の空気押し出し効果が順調に生じない
。ただし、主ゲート６が金型側面の中央に設けられると
きには、何れの隣接金型側面に設けられてもよい。 第４図、第５図は主ゲート６を主ランナ７の矢印９で示
す樹脂圧入方向に見てすべて手前側にそれぞれ設け、ま
た補助ランナ７１を矢印９で示す樹脂圧入方向に見て主
ゲート６よりすべて手前側にそれぞれ設けたもので、こ
れにより第１図、第３図の場合に比して補助ランナ７１
の数は増すが各金型空間への注入圧力が上がると共に均
一化するため、各半導体装置の健全な樹脂層４の成形を
一様に行うことができる利点がある。
本発明によれば、半導体素子を支持する基板の素子側の
厚い金型空間に向かう注入口のほかに、反素子側の薄い
金型空間に向かう注入口・を−っまたは複数設けて薄い
樹脂層の成形速度を任意に設定することにより、厚い樹
脂層の成形速度に同調させることが可能になる。この結
果、基板の前後からの樹脂層の合流が防止され、樹脂の
完全充填が行われて樹脂層の気泡含有、ピンホールの発
生が防止され、また樹脂の合流による外観不良もなくな
る。本発明は個別素子のチップを樹脂封止した半導体装
置に限らず、モノリシックＩＣチップ。 ハイブリッドＩＣ基板を単独にあるいは複合して封止し
た半導体装置の製造に対しても有効に適用できる。
厚い金型空間に向かう注入口のほかに、反素子側の薄い
金型空間に向かう注入口・を−っまたは複数設けて薄い
樹脂層の成形速度を任意に設定することにより、厚い樹
脂層の成形速度に同調させることが可能になる。この結
果、基板の前後からの樹脂層の合流が防止され、樹脂の
完全充填が行われて樹脂層の気泡含有、ピンホールの発
生が防止され、また樹脂の合流による外観不良もなくな
る。本発明は個別素子のチップを樹脂封止した半導体装
置に限らず、モノリシックＩＣチップ。 ハイブリッドＩＣ基板を単独にあるいは複合して封止し
た半導体装置の製造に対しても有効に適用できる。
第１図は本発明の一実施例を示し、ｆａ）は樹脂成形後
の平面図、（ｂ）はでき上がった半導体装置の断面図、
第２図は従来の樹脂封止半導体装置を示し、（ａ）は斜
視図、（ｂ）は断面図、第３図は本発明の異なる実施例
を示し、（ａ）は樹脂成形後の平面図、 （ｂｌはでき
上がった半導体装置の断面図、第４図、第５図はそれぞ
れ本発明のさらに異なる実施例の樹脂成形後の平面図で
ある。 １：半導体チップ、２：基板、２１：外部リード、４：
樹脂層、６：主ゲート、６１：補助ゲート、７：主ラン
ナ、７１：補助ランナ。 １Ｎ開昭６３−９９５３９（４） 第４図 ７オ〜六不＝ ・−ト←＝
の平面図、（ｂ）はでき上がった半導体装置の断面図、
第２図は従来の樹脂封止半導体装置を示し、（ａ）は斜
視図、（ｂ）は断面図、第３図は本発明の異なる実施例
を示し、（ａ）は樹脂成形後の平面図、 （ｂｌはでき
上がった半導体装置の断面図、第４図、第５図はそれぞ
れ本発明のさらに異なる実施例の樹脂成形後の平面図で
ある。 １：半導体チップ、２：基板、２１：外部リード、４：
樹脂層、６：主ゲート、６１：補助ゲート、７：主ラン
ナ、７１：補助ランナ。 １Ｎ開昭６３−９９５３９（４） 第４図 ７オ〜六不＝ ・−ト←＝
Claims (1)
- １）半導体素子を固着した基板を金型のほぼ直方体の空
間内に支持し、樹脂を注入して基板の素子側に厚い樹脂
層、基板の反素子側に薄い樹脂層を成形する際に、基板
面に垂直な金型面の一つに基板の素子側の金型空間に対
向して設けられた主注入口と、前記金型面に主注入口よ
り近い側で、隣接する基板面に垂直な金型面に基板の反
素子側の金型空間に対向して設けられた補助注入口とよ
り樹脂を注入することを特徴とする樹脂封止半導体装置
の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61-129927 | 1986-06-04 | ||
| JP12992786 | 1986-06-04 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6399539A true JPS6399539A (ja) | 1988-04-30 |
Family
ID=15021855
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26712486A Pending JPS6399539A (ja) | 1986-06-04 | 1986-11-10 | 樹脂封止半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6399539A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5368805A (en) * | 1992-03-24 | 1994-11-29 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method for producing resin sealed type semiconductor device |
| KR101073702B1 (ko) | 2009-07-17 | 2011-10-14 | 미크론정공 주식회사 | 반도체 패키지를 위한 리드 프레임 및 몰드 금형, 그리고 반도체 패키지 방법 |
-
1986
- 1986-11-10 JP JP26712486A patent/JPS6399539A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5368805A (en) * | 1992-03-24 | 1994-11-29 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method for producing resin sealed type semiconductor device |
| KR101073702B1 (ko) | 2009-07-17 | 2011-10-14 | 미크론정공 주식회사 | 반도체 패키지를 위한 리드 프레임 및 몰드 금형, 그리고 반도체 패키지 방법 |
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