JPH035391A - 半導体単結晶製造装置 - Google Patents
半導体単結晶製造装置Info
- Publication number
- JPH035391A JPH035391A JP13998189A JP13998189A JPH035391A JP H035391 A JPH035391 A JP H035391A JP 13998189 A JP13998189 A JP 13998189A JP 13998189 A JP13998189 A JP 13998189A JP H035391 A JPH035391 A JP H035391A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- focus
- multiple crystal
- temp
- crystal body
- single crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体単結晶製造装置にかかり。
特にトラベリング・ヒータ法（Ｔｒａｖｅｌｌｉｎｇ
ＨａａｔａｒＭｅｔｈｏｄ ： ＴＨＭと略称する）、
またはトラベリング・ソルベント法（Ｔｒａｖｅｌｌｉ
ｎｇ ５ｏｌｖｅｎｔ Ｍｅｔｈｏｄ ： ＴＳＭと略
称する）による半導体単結晶製造装置に関する。
ＨａａｔａｒＭｅｔｈｏｄ ： ＴＨＭと略称する）、
またはトラベリング・ソルベント法（Ｔｒａｖｅｌｌｉ
ｎｇ ５ｏｌｖｅｎｔ Ｍｅｔｈｏｄ ： ＴＳＭと略
称する）による半導体単結晶製造装置に関する。
（従来の技術）
従来のＴＨＭ法、またはＴＳＭ法による半導体単結晶製
造装置を第３図、および第４図を参照して説明する。
造装置を第３図、および第４図を参照して説明する。
この半導体単結晶製造装置とこの装置により、例えばＧ
ａＡｓの如き半導体多結晶体を単結晶化する状態を第３
図に斜視図で示す。この第３図に示すように、トーラス
形状の焦点加熱装置部１０１の焦点位置に半導体多結晶
体１００（以下多結晶体と略称する）の一部を位置させ
るとともに、焦点加熱装置部１０１、または多結晶体１
００の少なくとも一方を移動させ多結晶体１００を順次
前記焦点位置を通過させる。前記移動は一般の直線状移
動に用いられる移動機構１０２によって達成される。こ
の移動により、−例として棒状の多結晶体１００はその
一端部から順次他端に向は溶融、凝固し単結晶体となる
。
ａＡｓの如き半導体多結晶体を単結晶化する状態を第３
図に斜視図で示す。この第３図に示すように、トーラス
形状の焦点加熱装置部１０１の焦点位置に半導体多結晶
体１００（以下多結晶体と略称する）の一部を位置させ
るとともに、焦点加熱装置部１０１、または多結晶体１
００の少なくとも一方を移動させ多結晶体１００を順次
前記焦点位置を通過させる。前記移動は一般の直線状移
動に用いられる移動機構１０２によって達成される。こ
の移動により、−例として棒状の多結晶体１００はその
一端部から順次他端に向は溶融、凝固し単結晶体となる
。
次に前記単結晶製造装置の焦点加熱装置部１０１を断面
図で第４図に示す。同図において、棒状の多結晶体１０
０は常に焦点加熱装置部１０１の焦点位置（中心）に位
置しつつ移動機構１０２によって同図の左から右へ所定
の速度で移動する。そして、溶融、凝固後には単結晶体
が得られる。
図で第４図に示す。同図において、棒状の多結晶体１０
０は常に焦点加熱装置部１０１の焦点位置（中心）に位
置しつつ移動機構１０２によって同図の左から右へ所定
の速度で移動する。そして、溶融、凝固後には単結晶体
が得られる。
（発明が解決しようとする課題）
焦点加熱装置部の焦点は極めて小さなもので、多結晶体
を均一に加熱しようとすると、多結晶体の直径は焦点加
熱装置部の大きさに比べて小さなものにしなくてはなら
ない。逆に、原料のサイズを大きくすると、焦点から外
れてしまい、均一な加熱が出来ず、製造される半導体材
料の品質の低下をもたらすという重大な問題がある。
を均一に加熱しようとすると、多結晶体の直径は焦点加
熱装置部の大きさに比べて小さなものにしなくてはなら
ない。逆に、原料のサイズを大きくすると、焦点から外
れてしまい、均一な加熱が出来ず、製造される半導体材
料の品質の低下をもたらすという重大な問題がある。
本発明は、以上の従来の装置における問題点に鑑み、原
料を均一に加熱することが出来る半導体単結晶製造装置
の改良構造を提供する６〔発明の構成〕 （課題を解決するための手段） 本発明の半導体単結晶製造装置は、焦点加熱装置部の焦
点位置に一部を位置させた多結晶体と、前記焦点位置を
前記多結晶体上に順次移動させ多結晶体を徐々に溶融、
凝固させて単結晶化するために焦点加熱装置部又は多結
晶体の少なくとも一方を移動させる移動機構と、前記焦
点加熱装置部と多結晶体との間に配置された均温部材と
を具備したものである。
料を均一に加熱することが出来る半導体単結晶製造装置
の改良構造を提供する６〔発明の構成〕 （課題を解決するための手段） 本発明の半導体単結晶製造装置は、焦点加熱装置部の焦
点位置に一部を位置させた多結晶体と、前記焦点位置を
前記多結晶体上に順次移動させ多結晶体を徐々に溶融、
凝固させて単結晶化するために焦点加熱装置部又は多結
晶体の少なくとも一方を移動させる移動機構と、前記焦
点加熱装置部と多結晶体との間に配置された均温部材と
を具備したものである。
（作 用）
焦点加熱装置部とその中心に配置した多結晶体との間に
、高融点で熱伝導率の大きい材料で形成された均温部材
を配置し、多結晶体における溶融部の均質化をはかるも
のである。
、高融点で熱伝導率の大きい材料で形成された均温部材
を配置し、多結晶体における溶融部の均質化をはかるも
のである。
（実施例）
以下、本発明の１実施例につき第１図と第２図を参照し
て説明する。この第１図と第２図は前記従来例における
第３図と第４図に夫々対応して示すものであり、従来例
と変わらない部分に対しては図面に従来の各部分と同じ
符号を付けて示し説明を省略する。
て説明する。この第１図と第２図は前記従来例における
第３図と第４図に夫々対応して示すものであり、従来例
と変わらない部分に対しては図面に従来の各部分と同じ
符号を付けて示し説明を省略する。
図示の如く、焦点加熱装置部１０１と、その焦点位置に
一部が位置する例えばＧａＡｓの如き多結晶体１０との
間に多結晶体と同軸に円筒型の均温部材１１が配置され
ている。この均温部材１１は高融点で熱伝導率の高い物
質、例えばモリブデンで形成されており、焦点で集光さ
れるべき焦点加熱装置部１０１の熱を一旦吸収して等温
かつ高温になった均温部材１１により多結晶体１０は均
温加熱される。この加熱によって、棒状の多結晶体は特
に周方向に均等に昇温し、均温部材の中央位置に均温の
溶融域が形成される。
一部が位置する例えばＧａＡｓの如き多結晶体１０との
間に多結晶体と同軸に円筒型の均温部材１１が配置され
ている。この均温部材１１は高融点で熱伝導率の高い物
質、例えばモリブデンで形成されており、焦点で集光さ
れるべき焦点加熱装置部１０１の熱を一旦吸収して等温
かつ高温になった均温部材１１により多結晶体１０は均
温加熱される。この加熱によって、棒状の多結晶体は特
に周方向に均等に昇温し、均温部材の中央位置に均温の
溶融域が形成される。
なお、軟土の実施例において、焦点加熱装置部１０１を
固定し多結晶体１０を移動させるものを例示したが、こ
れに限られることなく、この逆、すなわち多結晶体１０
を固定し焦点加熱装置部１０１を移動させてもよく、さ
らには両者を共に移動させてもよい。
固定し多結晶体１０を移動させるものを例示したが、こ
れに限られることなく、この逆、すなわち多結晶体１０
を固定し焦点加熱装置部１０１を移動させてもよく、さ
らには両者を共に移動させてもよい。
本発明によれば、従来の半導体単結晶製造装置における
均温ゾーンが狭いために小さい多結晶体しか使用できな
い不具合と、製造の効率が低い点と、得られる単結晶体
の品質が悪い点とを改良できる。すなわち、多結晶体の
大きさについては、従来−例の棒状多結晶体が径１０ｍ
ｍ未満に限られていたものが、径２０ｍ＋＋＋を超える
ものが良好な効率と品質で達成できるなどの顕著な効果
がある。また、この発明は実施が容易で、比較的廉価に
達成できる利点もある。
均温ゾーンが狭いために小さい多結晶体しか使用できな
い不具合と、製造の効率が低い点と、得られる単結晶体
の品質が悪い点とを改良できる。すなわち、多結晶体の
大きさについては、従来−例の棒状多結晶体が径１０ｍ
ｍ未満に限られていたものが、径２０ｍ＋＋＋を超える
ものが良好な効率と品質で達成できるなどの顕著な効果
がある。また、この発明は実施が容易で、比較的廉価に
達成できる利点もある。
第１図と第２図は本発明の一実施例にかかり、第１図は
半導体単結晶製造装置を説明するための斜視図、第２図
は半導体単結晶製造装置の断面図、第３図は従来例の半
導体単結晶製造装置を説明するための斜視図、第４図は
従来例の半導体単結晶製造装置の断面図である。
半導体単結晶製造装置を説明するための斜視図、第２図
は半導体単結晶製造装置の断面図、第３図は従来例の半
導体単結晶製造装置を説明するための斜視図、第４図は
従来例の半導体単結晶製造装置の断面図である。
Claims (1)
- 焦点加熱装置部の焦点位置に一部を位置させた半導体多
結晶体と、前記焦点位置を前記半導体多結晶体上に順次
移動させ半導体多結晶体を徐々に溶融、凝固させて単結
晶化するために焦点加熱装置部又は半導体多結晶体の少
なくとも一方を移動させる移動機構と、前記焦点加熱装
置部と半導体多結晶体との間に配置された均温部材とを
具備した半導体単結晶製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13998189A JPH035391A (ja) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | 半導体単結晶製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13998189A JPH035391A (ja) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | 半導体単結晶製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH035391A true JPH035391A (ja) | 1991-01-11 |
Family
ID=15258166
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13998189A Pending JPH035391A (ja) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | 半導体単結晶製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH035391A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008054634A (ja) * | 2006-09-02 | 2008-03-13 | Okinawa Shokuryo Kk | 雑穀配合米とその製造方法 |
-
1989
- 1989-06-01 JP JP13998189A patent/JPH035391A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008054634A (ja) * | 2006-09-02 | 2008-03-13 | Okinawa Shokuryo Kk | 雑穀配合米とその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US2890139A (en) | Semi-conductive material purification method and apparatus | |
| JPH035391A (ja) | 半導体単結晶製造装置 | |
| US3242015A (en) | Apparatus and method for producing single crystal structures | |
| JPH064519B2 (ja) | 希土類金属と遷移金属とからなる巨大磁歪合金ロツドの製造方法 | |
| US3622280A (en) | Adjustable heating device for crucible-free zone melting a crystalline rod | |
| US3389987A (en) | Process for the purification of materials in single crystal production | |
| EP0931185B1 (de) | Verfahren zum ziehen von einkristallen | |
| US3046164A (en) | Metal purification procedures | |
| JPH04292494A (ja) | 整形結晶の製造方法及び製造装置 | |
| KR101745308B1 (ko) | 저융점 금속의 극미량 원소 제어방법 | |
| JP2582434B2 (ja) | 方向凝固装置 | |
| JP2535773B2 (ja) | 酸化物単結晶の製造方法とその装置 | |
| EP1464904A1 (de) | Schmelzvorrichtung mit einem Schmelztiegel | |
| JPH0429638B2 (ja) | ||
| JP2601204B2 (ja) | 化合物半導体の固相再結晶法 | |
| JP3255653B2 (ja) | 結晶性硝子による接合方法 | |
| JPS6253746A (ja) | 加熱冷却炉 | |
| JPS562602A (en) | Heat treatment of amorphous magnetic element | |
| JPS58161924A (ja) | 結晶配向性ニオブ酸ランタンの透明薄帯製造法 | |
| JPS5816328B2 (ja) | 多元半導体多結晶の熱処理方法 | |
| US6126742A (en) | Method of drawing single crystals | |
| JPH0274371U (ja) | ||
| JPS6235511A (ja) | 半導体薄膜結晶層の製造方法 | |
| JPS63185885A (ja) | 横型結晶成長装置 | |
| JP2000286470A (ja) | 半導体材料およびその製造方法 |