JPH0354401B2

JPH0354401B2 -

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Publication number: JPH0354401B2
Application number: JP58051714A
Authority: JP
Priority date: 1982-05-24
Filing date: 1983-03-29
Publication date: 1991-08-20
Also published as: EP0095048B1; EP0095048A2; DE3378603D1; EP0095048A3; JPS58206005A

Description

【発明の詳細な説明】

〔本発明の技術分野〕本発明は、導電性パターンの形成された基板の
表面の少くとも一部に連続的被膜を設けてなる電
子回路に係り、更に具体的に云えば、装着された
集積回路チツプの下のはんだ接続パターンが或る
好ましい組成物より成る連続的被膜で覆われてい
る電子回路に係る。〔従来技術〕集積回路モジユールの製造中に、入出力（Ｉ／
Ｏ）ピンが基板中に挿入される。それらの入出力
ピンは、基板即ち支持体に接続されるべき集積回
路チツプに必要な電気的接続を設ける。それらの
集積回路チツプは、一般に“チツプ・パツド領
域”と称される、予め選択された基板上の領域に
はんだを付着することによつて、集積回路基板即
ち支持体に装着される。その様な領域は、例え
ば、予め選択された、はんだを受取る、銅の如き
金属の露出された領域を設けることによつて、限
定され得る。更に、上記チツプ・パツド領域への
はんだの付着を容易にするために、通常はんだフ
ラツクス組成物が基板に付着される。出来るだけ
清浄なモジユールが得られる様に、はんだがチツ
プ・パツド領域に付着された後に、集積回路チツ
プが装着される前に、すべてのフラツクス及び／
若しくはフラツクス残渣が除去される。集積回路チツツが装着されそして再びフラツス
残渣が除去された後、集積回路チツプを含むモジ
ユールの上側を腐食及び／若しくはエレクトロマ
イグレーシヨンから保護するために、集積回路モ
ジユール上に連続的被膜組成物が付着される。上記被膜組成物は、腐食による基板及び素子の
損傷を防ぎ、導電性粒子を移動不可能にし、基板
とチツプとの間のはんだ接続の熱疲労寿命を延ば
し、そしてアルフア粒子に敏感な半導体のための
保護障壁として働くために用いられる。しかしな
がら、今日一般に用いられている被膜組成物は、
大体は満足し得るものではあるが、上記のすべて
の望ましい機能を充分に満たしておらず、せいぜ
いそれらのうちの３つの機能しか充分に満たして
いない。従つて、集積回路モジユールの所望の用
途に応じて、使用する特定の被膜組成物を選択す
ることにより、上記機能の１つ以上に於て妥協せ
ざるを得ないのが通常である。より一般的に用い
られている型の被膜組成物の１つは、ポリアミド
−イミドを結合剤として含む組成物を硬化させる
ことによつて得られる。更に、上記被膜組成物は、はんだのパターンを
信頼性のある制御可能な方法で被覆するために必
要な型の流動特性を有していなければならない。〔本発明の概要〕本発明は、被膜組成物に望まれる上記のすべて
の機能を、満足し得るレベルで、従つて何ら妥協
を必要とせずに、達成することを可能にする。具
体的に云えば、本発明は、装着された集積回路チ
ツプの下の複雑な合はんだ接続パターンの均一な
被覆を達成する。更に、本発明は、チツプの下に
優れたα粒子のための障壁を設け、チツプ上の導
体の優れた表面安定化を達成する。又、本発明に
よる被膜組成物は、極めて熱的に安定であり、硬
化されたとき、強い。更に、本発明による被膜組
成物から形成された被膜は、実質的にピン・ホー
ルを有していない。本発明は、導電性パターンの形成された基板の
表面の少くとも一部に連続的被膜を設けて成る電
子回路及びその被膜組成物を提供する。上記連続的被膜は、可溶性の重合可能なオリゴ
マーから形成される。上記オリゴマーは、１、
３、５−トリエチニルベンゼンから得られ、約
400ないし約2000の分子量を有し、アセチレン基
の少なくとも60％がジアセチレン基であり、オリ
ゴマーの各分子が少なくとも２つのジアセチレン
基を含み、オリゴマーは20重量％までのエチニル
含有量を有する。上記連続的被膜は、導電性パターンの形成され
た基板表面の少くとも一部を、上述の如き可溶性
の重合可能なオリゴマーを含む組成物で被覆し、
それから上記オリゴマーを更に重合させることに
より上記組成物を硬化させることによつて形成さ
れる。本発明による連続的被膜は、前述の可溶性の重
合可能なオリゴマーと、少くとも１つの可塑剤及
び／若しくは少くとも１つの強化剤（toughner）
とを含む組成物から形成される。上記可塑剤は、
ジフエニルジアセチレン、ジフエニルブタジエ
ン、ジフエニルエーテル、フエニルトリエチルニ
ルシラン、４、4′−ジエチニルジフエニルエーテ
ル、又はそれらの混合物等であり得る。上記強化
剤は、芳香族ジフエニルエーテル、アクリロニト
リル重合体、ポリイミド、ポリエステル、ポリシ
リコーン、ポリキノキサリン、環化ポリ（アリー
ルアセチレン）重合体、又はそれらの混合物等で
あり得る。上記可塑剤及び／若しくは強化剤は、
上記被膜組成物の流動度及び／若しくは強さを
各々増加させるに充分な量で含まれる。〔本発明の実施例〕本発明に従つて、可溶性の重合可能なオリゴマ
ーを含む組成物から、連続的被膜が基板上に形成
される。本発明に於て用いられるオリゴマーについて
は、本明細書に於て引用されている米国特許第
4258079号及び第4273906号等の明細書に於て、そ
の製造方法とともに開示されている。それらの重
合体は、少くとも２つのアセチレン基を含む単量
体を、該単量体よりも多量のモル濃度の芳香族モ
ノアセチレン・キヤツピング剤（cappingagent）
の存在の下で、そして又酸素を含むアミンに基づ
く銅塩錯体の触媒の存在の下で、反応させること
によつて形成される。好ましいキヤツピング剤
は、一般式で表わされる芳香族のモノエチニル化合物であ
る。上記式に於て、ＲはＨ、ハロゲン、約６個迄
の炭素原子を含む低級アルキル、又は約６個迄の
炭素原子を含む低級アルコキシである。最も好ま
しいキヤツピング剤は、フエニルアセチレンであ
る。キヤツピング剤の単一のエチニル基は結合反
応を開始するが、その分子は単一のエチニル基し
か有していないために、以後の結合が停止され
る。オリゴマーの分子量が適切に制御される様
に、多量のモル濃度のキヤツピング剤が用いられ
る。上記触媒を供給するために用いられるアミンに
は、例えば、ピリジン、及びテトラメチルエチレ
ンジアミンの如きアルキレンポリアミン等があ
る。上記触媒を供給するために用いられる適当な
銅塩はCuClである。上記触媒は、該触媒を反応
物質に加える前に、混合物中にO₂を数分間泡入
させることによつて、予め酸化され得る。本発明に於て用いられるオリゴマーは、１、
３、５−トリエチニルベンゼンから得られること
が好ましい。本発明に於て用いられるオリゴマー
の好ましい分子量は約400乃至約2000である。本
発明に於ては、アセチレン基の少くとも60％がジ
アセチレン基であることが好ましく、オリゴマー
の各分子が少くとも２つのジアセチレン基を含む
ことが最も好ましい。又、枝分れしたアセチレン
基の殆どがジアセチレン基より成ることが最も好
ましい。好ましいオリゴマーは、20％迄のエチニル含有
量を有する。上記オリゴマーの混合物も用いられ
得る。オリゴマーの混合物を重合させることによ
り、有用な共重合体が得られる。更に、芳香族の
基は、６個迄の炭素原子を含むアルキル基、ハロ
ゲン等によつて置換され得る。その様な置換基
は、重合反応を開始又は防害しない。しかしなが
ら、組成物が高温に於て用いられる場合には、高
温で劣化し易いアルキル基を何ら有していないこ
とが好ましい。芳香族の基は、例えば、フエニ
ル、ビフエニル等である。本発明に於て用いられる最も好ましいオリゴマ
ーは、次の特性を有する。芳香族の環毎に、６乃至20％の遊離したエチニ
ル基が含まれる。 _z＝〜1500−2500 _w＝〜1000−1200 _o＝〜700−900 本発明に於て用いられる好ましいオリゴマー
は、前述の米国特許第4273906号の明細書に記載
の方法に従つて形成され得る。本発明に於て用いられる被膜組成物は、好まし
くは、強化剤及び／若しくは可塑剤を含み、そし
て液状で用いられることが好ましい。適当な可塑
剤の例としては、ジフエニルジアセチレン、ジフ
エニルブタジエン（即ち、

【式】）、ジフエニルエーテル、フエニルトリエチニルシラン、４、
4′−ジエチニルジフエニルエーテル等が挙げられ
る。適当な強化剤の例としては、芳香族ジフエニル
エーテル、環化ポリ（アリールアセチレン）重合
体、アクリロニトリルとスチレンとの共重合体及
びアクリロニトリルとブタジエンとの共重合体の
如きアクリロニトリル重合体、ポリイミド、ポリ
キノキサリン、ポリエステル、ポリシリコーン等
が挙げられる。好ましい強化剤は、芳香族ジフエ
ニルエーテル、及びHercules社製のＨ樹脂（商
品名）の如き環化ポリ（アリールアセチレン）重
合体である。芳香族ジフエニルエーテルは、次の構造式によ
り表わされる。芳香族ジフエニルエーテルは、約75mlのジオキ
サン中に、約1.09ｇの４、4′−ジエチニルジフエ
ニルエーテル（即ち、）、約0.05ｇのアセチル酢酸ニツケル、及び約
0.10ｇのトリフエニルホスフインを混合すること
によつて形成され得る。その溶液が約80℃に加熱
され、絶えず撹拌しながらその温度が約６時間の
間維持される。それから、その反応混合物が500
mlの石油エーテル上に注がれる。沈殿物が集めら
れ、洗浄され、そして乾燥されて、所望の芳香族
化された４、4′−ジエチニルジフエニルエーテル
が得られる。好ましい環化ポリ（アリールアセチレン）重合
体成分は、約70乃至80重量％の、構造式を有する、環化ポリ（アリールアセチレン）重合
体と、約20乃至30重量％のジフエニルジアセチレ
ンとの混合物である、Hercules社製のＨ樹脂で
ある。その様な重合体は、本明細書に於て引用さ
れている米国特許第4070333号の明細書に記載の
方法に従つて形成され得る。環化ポリ（アリールアセチレン）を形成するた
めに用いられる、ポリアセチレンにより置換され
た芳香族化合物は、芳香族化合物又は芳香族化合
物の混合物中の同一の芳香族の環又は異なる芳香
族の環に結合された少くとも２つのアセチレン基
を含む芳香族化合物であり得る。それらのアセチ
レン基は、内部的、即ちアリール−Ｃ＝Ｃ−アリ
ールの型のアセチレン基であつても、又は外部
的、即ちアリール−Ｃ＝Ｃ−Ｈの型のエチニル基
であつてもよく、或は両方の型が上記ポリアセチ
レン化合物中に含まれていてもよい。その様な材料の例としては、ｍ−及びｐ−ジエ
チニルベンゼン、ジエチニルトルエン、ジエチニ
ルキシレン、９、10−ジエチニルアントラセン、
ジエチニルビフエニル、９、10−ジエチニルフエ
ナントレン、４、4′−ジエチニル−トランス−ア
ゾベンゼン、ジ（エチニルフエニル）エーテル、
２、３、５、６−テトラクロル−１、４−ジエチ
ニルベンゼン、ジフエニルジアセチレン、ジベン
ジルジアセチレン、ジ−ｐ−トリルジアセチレ
ン、ジ−α−ナフチルジアセチレン、１−クロル
−２、５−ジエチニルベンゼン、２、2′−ジクロ
ルジフエニルジアセチレン、４、4′−ジクロルジ
フエニルジアセチレン、４、4′−ジブロムジフエ
ニルジアセチレン、１、４−ビス（フエニルエチ
ニル）ベンゼン、１、３−ビス（フエニルエチニ
ル）ベンゼン、９、10−ビス（フエニルエチニ
ル）アントラセン、１、３、５−トリエチニルベ
ンゼン、１、２、４−トリエチニルベンゼン、
１、３、５−トリス（フエニルエチニル）−２、
４、６−トリフエニルベンゼン、１、２、４−ト
リス（フエニルエチニル）−３、５、６−トリフ
エニルベンゼン、トリス（エチニルフエニル）ベ
ンゼン等が挙げられる。反応は、ポリアセチレンにより置換された芳香
族化合物を、芳香族化触媒を用いて加熱すること
によつて、行われ得る。その反応は、バルク中
で、又は不活性の希釈剤の存在下で行われ得る。
例えば、１、２−ジメトキシエタン、ジオキサン
及びテトラヒドロフランの如きエーテル、又はベ
ンゼン、トルエ及びキシレンの如き芳香族炭化水
素等の任意の不活性の希釈剤が用いられ得る。環化反応を達成するために、任意の芳香族化触
媒が用いられ得る。“芳香族化触媒”なる用語は、
３つのアセチレン基の環化による芳香族の環の形
成を促進する触媒を意味する。芳香族化触媒に
は、ニツケル・ビス（アクリロニトリル）、ニツ
ケル・ビス（アクラルデヒド）、ニツケル・カル
ボニル・ビス（トリフエニルホスフイン）、シア
ン化ニツケル・ビス（トリフエニルホスフイン）、
及びトリフエニルホスフインと組合わされたアセ
チル酢酸ニツケルの如き、ニツケル触媒、並びに
ニオブ五ハロゲン化物及びタンタル五ハロゲン化
物の如き、第Ｖ−Ｂ族金属ハロゲン化物等があ
る。用いられる触媒の量は、一般的には、単量体
の約0.5乃至５重量％である。重合化は、ポリアセチレン単量体を、触媒を用
いて、約55乃至約250℃、好ましくは約80乃至約
150℃の温度に加熱することによつて行われる。
その反応は、不活性の雰囲気中で行われることが
好ましい。その反応は、一般的には、約30乃至約
90％の単量体の変換、好ましくは約50乃至約90％
の単量体の変換が生じた時点で、停止される。そ
の様にすることにより、約900乃至約12000の数平
均分子量を有するプリポリマーを形成し、交叉結
合された極めて高い分子量の重合体の形成を除
き、それと同時に第２段階の反応のためにプリポ
リマーの少くとも約５重量％、好ましくは約５乃
至20重量％のアセチレン基をプリポリマー中に維
持することが可能である。少くとも50％の単量体
のアセチレン不飽和が芳香族構造体に変換され
る。更に、一般に入手され得る如く、上記重合体
は、重合体の流動特性を修正するために、重合体
の約５乃至約40重量％、好ましくは約20乃至約30
重量％、の如き少量の、アアセチレンにより置換
された芳香族化合物を含み得る。その様な化合物
の例としては、β−ナフチルアセチレン、ビフエ
ニルアセチレン、４−エチニル−トランス−アゾ
ベンゼン、ジフエニルアセチレン、ジ−ｍ−トリ
ルアセチレン、ジ−ｏ−トリルアセチレン、ビス
（４−エチルフエニル）アセチレン、ビス（３、
４−ジメチルフエニル）アセチレン、ビス（４−
クロルフエニル）アセチレン、フエニルベンゾイ
ルアセチレン、β−ナフチルフエニルアセチレ
ン、ジ（α−ナフチル）アセチレン、１、４−ジ
エチニルナフタリン、９、10−ジエチニルアント
ラセン、４、4′−ジエチニルビフエニル、９、10
−ジエチニルフエナントレン、４、4′−ジエチニ
ル−トランス−アゾベンゼン、４、4′−ジエチニ
ルジフエニルエーテル、２、３、５、６−テトラ
クロル−１、４−ジエチニルベンゼン、ジフエニ
ルブタジイン、ジ−ｐ−トリル−ジアセチレン、
ジベンジルジアセチレン、２、2′−ジクロルジフ
エニルジアセチレン、３、3′−ジクロルジフエニ
ルジアセチレン、ジ（α−ナフチル）ジアセチ
ン、ジエチニルジフエニルブタジイン等が挙げら
れる。ポリキノキサリンは、次の一般式で表わされ
る。上記式に於て、ｎは約２乃至約25の整数であ
り、Ｒは６乃至10個の炭素原子を含むアリーレン
（arylene）基、１乃至６個の炭素原子を含むアル
キレン基、又はオキシビスフエニレンであり、そ
してｘは１乃至６個の炭素原子を含むアルキル、
OH、１乃至６個の炭素原子を含むアルコキシ、
又は６乃至10個の炭素原子を含むアロキシ
（aroxy）である。ポリキノキサリンは、

【式】を、と反応させることにより形成され得る。ポリエステルは、芳香族のポリカルボン酸から
得られることが好ましい。可塑剤及び／若しくは
強化剤は、一般的にはオリゴマーの約10乃至約75
重量％、好ましくは約25乃至約50重量％、の量で
用いられる。更に、チツプを基板に接続するために特に複雑
なはんだ接続パターンが用いられている場合に、
最も有利な湿潤特性を得るために、被膜組成物は
溶液として付着されることが好ましい。最も好ま
しい溶媒は、前述の米国特許第4258079号の明細
書に記載されている如き、反応性のアセチレン溶
媒である。適当な溶媒の例は、次の一般式で表わ
される。上記式に於て、ＲはＨ、ハロゲン、１乃至６個
の炭素原子を含む低級アルキル、又は１乃至６個
の炭素原子を含む低級アルコキシである。好まし
いアセチレン溶媒はフエニルアセチレンである。
非反応性溶媒が、上記反応性アセチレン溶媒の代
りに、又はそれと組合わせて、用いられてもよ
い。適当な非反応性溶媒の例としては、１−ブタ
ノール及び２−エトキシエタノールの如きアルコ
ール、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、シ
クロヘキサノン、１−メチル−２−ピロリジノン
等が挙げられる。好ましい非反応性溶媒は、酸素
を含む溶媒である。好ましい溶媒系は、約５乃至
約30部の２−エトキシエタノールと約70乃至約95
部の１−メチル−２−ピロリジノンとの混合物、
約50部の１−メチル−２−ピロリジノンと約50部
の１−ブタノールとの混合物、約60部のシクロヘ
キサノンと約40部の２−エトキシエタノールとの
混合物等である。溶媒に対するオリゴマーの量
は、通常、１の溶媒当り約５乃至約75mgであ
り、好ましくは約10乃至50mgである。被膜組成物は、基板に装着されたチツプの所望
の組立体に付着されて、基板とチツプとの間の複
雑な電気的接続パターンを覆う様に流動される。
それから、オリゴマーを更に重合させるために、
上記組立体に硬化技術が施される。オリゴマー
は、紫外線及び／若しくは電子ビームを用いて、
熱的に硬化され得る。好ましくは、オリゴマー
は、約150乃至250℃の高温に加熱する熱的技術に
よつて硬化される。その高温による加熱は、通常
約30分乃至約５時間、好ましくは約30分乃至約２
時間の間行われる。添付図面は、本発明による被膜組成物を含む、
基板とチツプとの組立体を示す縦断面図である。基板１は、該基板の裏側から突出するピン２を
有する。ピン２は、それに電流が流れる様に、基
板１の上側から突出するピンの頭部３を有してい
る。シリコン又は多結晶シリコンのチツプの如き
集積回路チツプ４がはんだ９を用いて基板１に装
着されている。更に、上記チツプ１は、石英又は
ポリイミドで表面安定化即ち被覆された好ましい
チツプの１つであり得る。基板１は、セラミツク
基板であることが好ましい。セラミツクは、原材
料に熱が作用して製造された製品又は材料であ
る。好ましいセラミツク基板は、シリコン酸化
物、珪酸アルミニウムの如き珪酸塩、並びに酸化
アルミニウム等より成る。本発明に従つて、被膜
組成物５が用いられている。１つの典型的な適用
例に於ては、被膜組成物５は、約５乃至約50μ
ｍ、好ましくは約12乃至約25μｍ、の厚さを有す
る、ピン・ホールのない連続的被膜である。本発明に従つて用いられる好ましい被膜組成物
の典型的な例を幾つか以下に示す。例１前述の米国特許第4273906号の明細書に記載の
方法に従つて形成され、芳香族の環毎に６乃至20
％の遊離したエチニル基を有し、そして約1500乃
至約2500の_z、約1000乃至約1200の_w、及び約
700乃至約900の_oを有している、約20mgのポリ
（１、３、５−トリエチニルベンゼン）が、１−
メチル−２−ピロリジノン及びエトキシエタノー
ルを１：４の比率で含む、１mlの溶媒中に溶解さ
れる。約100μの上記組成物が、単一のシリコ
ン・チツプを有する24mmの基板上に分散される。
この量は、基板当り約２mgの重合体と等価であ
る。それらの基板が、焼成棒上に装填されて、そ
れから約80乃至90℃の乾燥炉中に約１時間の間配
置される。それから、その温度が約150℃に上昇
されて、約１時間の間維持される。上記溶液は、チツプの下を含むモジユールの全
表面を湿潤及び被覆する。乾燥及び硬化の後、湿
気に耐える連続的被膜が形成される。例２上記例１の場合と同様な、約20mgのポリ（１、
３、５−トリエチニルベンゼン）が、１−メチル
−２−ピロリジノン及び１−ブタノールを１：１
の比率で含む、１mlの溶媒中に溶解される。約
180μの上記組成物が、28mmの基板上に分散さ
れる。それらの基板が、焼成棒上に装填され、そ
れから約85乃至90℃に於て１時間の間乾燥され、
更に約170℃に於て約２時間の間硬化される。上記溶液は、チツプの下を含むモジユールの全
表面を湿潤及び被覆する。乾燥及び硬化の後、湿
気に耐える連続的被膜が形成される。例３前述の米国特許第4273906号の明細書に記載の
方法に従つて形成され、芳香族の環毎に６乃至20
％の遊離したエチニル基を有し、約1500乃至約
2500の_z、約1000乃至約1200の_w、及び約700
乃至約900の_oを有し、そして約８mgのＨ樹脂を
有している、約16mgのポリ（１、３、４−トリエ
チニルベンゼン）が、１−メチル−２−ピロリジ
ノン及び１−ブタノールを２：３の比率で含む、
約１mlの溶媒中に溶解される。約100μの上記
組成物が24mmの基板上に分散される。それらの基
板が焼成棒上に装填され、それから約90℃の乾燥
炉中に約１時間の間配置され、更に約150℃に於
て約３時間の間硬化される。上記溶液は、チツプの下を含むモジユールの全
表面を湿潤及び被覆する。乾燥及び硬化の後、湿
気に耐える連続的被膜が形成される。

【図面の簡単な説明】

添付図面は、本発明による連続的被膜組成物を
含む、基板とチツプとの組立体を示す縦断面図で
ある。１……基板、２……ピン、３……ピンの頭部、
４……チツプ、５……被膜組成物、９……はん
だ。

Claims

【特許請求の範囲】１可溶性の重合可能なオリゴマー並びに可塑剤
及び強化剤の少なくとも一方を含む連続的被膜を
形成しうる被膜組成物であつて、上記オリゴマーは、１、３、５−トリエチニル
ベンゼンから得られ、約400ないし約2000の分子
量を有し、アセチレン基の少なくとも60％がジア
セチレン基であり、上記オリゴマーの各分子が少
なくとも２つのジアセチレン基を含み、上記オリ
ゴマーは20重量％までのエチニル含有量を有する
ことと、上記可塑剤は、ジフエニルジアセチレン、ジフ
エニルブタジエン、ジフエニルエーテル、フエニ
ルトリエチニルシラン、４，4′ジエチニルジフエ
ニルエーテル、又はそれらの混合物からなる群か
ら選択されることと、上記強化剤は、芳香族ジフエニルエーテル、環
化ポリ（アリールアセチレン）重合体、アクリロ
ニトリル重合体、ポリイミド、ポリキノキサリ
ン、ポリエステル、ポリシリコーン又はそれらの
混合物からなる群から選択されることを特徴とす
る、被膜組成物。２基板、少なくとも１つの集積回路チツプの形
の上記基板上の導電性パターン、及び上記少なく
とも１つの集積回路チツプを含む回路の上側を腐
食又はエレクトロマイグレーシヨンから保護する
ための被膜を含む電子回路であつて、上記被膜が、可溶性の重合可能なオリゴマー並
びに可塑剤及び強化剤の少なくとも一方を含む被
膜組成物から形成される連続的被膜であり、上記オリゴマーは、１、３、５−トリエチニル
ベンゼンから得られ、約400ないし約2000の分子
量を有し、アセチレン基の少なくとも60％がジア
セチレン基であり、上記オリゴマーの各分子が少
なくとも２つのジアセチレン基を含み、上記オリ
ゴマーは20重量％までのエチニル含有量を有し、上記可塑剤は、ジフエニルジアセチレン、ジフ
エニルブタジエン、ジフエニルエーテル、フエニ
ルトリエチニルシラン、４，4′ジエチニルジフエ
ニルエーテル、又はそれらの混合物からなる群か
ら選択され、上記強化剤は、芳香族ジフエニルエーテル、環
化ポリ（アリールアセチレン）重合体、アクリロ
ニトリル重合体、ポリイミド、ポリキノキサリ
ン、ポリエステル、ポリシリコーン又はそれらの
混合物からなる群から選択され、上記可塑剤又は強化剤は、上記オリゴマーの約
10ないし約75重量％の量で用いられる電子回路。