JPH0354424B2 - - Google Patents
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- JPH0354424B2 JPH0354424B2 JP57109643A JP10964382A JPH0354424B2 JP H0354424 B2 JPH0354424 B2 JP H0354424B2 JP 57109643 A JP57109643 A JP 57109643A JP 10964382 A JP10964382 A JP 10964382A JP H0354424 B2 JPH0354424 B2 JP H0354424B2
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- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 78
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 30
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 17
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 12
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical group [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 8
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 6
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000000192 extended X-ray absorption fine structure spectroscopy Methods 0.000 claims description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 claims description 2
- 230000007480 spreading Effects 0.000 claims description 2
- 238000003892 spreading Methods 0.000 claims description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 7
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 238000003963 x-ray microscopy Methods 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000005596 ionic collisions Effects 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000036470 plasma concentration Effects 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/7035—Proximity or contact printers
-
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
- G03F7/70841—Constructional issues related to vacuum environment, e.g. load-lock chamber
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は概ね大気圧空気のような通常の環境下
にある対象物に対してX線を照射する装置に関す
る。
にある対象物に対してX線を照射する装置に関す
る。
本発明による装置は軟X線の照射を受けるべき
対象物を、X線を生ずる真空室のような特殊環境
に出し入れすることが高価につき、時間がかか
り、あるいは不便であるような用途に対して特に
有用である。この形式の装置の典型的な用途とし
ては、高解像リトグラフ用、拡張X線吸収微小構
造(extended X−ray absorption fine
structure−EXAFS)の分光学用およびX線顕微
鏡検査用の、レーザでつくるX線装置を含む。
対象物を、X線を生ずる真空室のような特殊環境
に出し入れすることが高価につき、時間がかか
り、あるいは不便であるような用途に対して特に
有用である。この形式の装置の典型的な用途とし
ては、高解像リトグラフ用、拡張X線吸収微小構
造(extended X−ray absorption fine
structure−EXAFS)の分光学用およびX線顕微
鏡検査用の、レーザでつくるX線装置を含む。
X線は一般に真空中でつくられるが、多くの用
途においては空気中で用ることが望ましい。しか
し、真空と空気との間の圧力差に耐えるに十分厚
くかつ強靱につくられた窓は、特に約5KeV以下
の光子エネルギを有するような軟X線に対しては
不透過性となるため、X線を真空から空気中に取
り出すには問題がある(但し、窓を極めて小さく
し、その厚みを薄くした場合は例外である。)。こ
の問題は大きな面積を照射することが望ましいX
線リトグラフイの場合は特に深刻である。
途においては空気中で用ることが望ましい。しか
し、真空と空気との間の圧力差に耐えるに十分厚
くかつ強靱につくられた窓は、特に約5KeV以下
の光子エネルギを有するような軟X線に対しては
不透過性となるため、X線を真空から空気中に取
り出すには問題がある(但し、窓を極めて小さく
し、その厚みを薄くした場合は例外である。)。こ
の問題は大きな面積を照射することが望ましいX
線リトグラフイの場合は特に深刻である。
本発明はこの問題を克服する簡単で、安価で、
かつ便利な装置を提供する。
かつ便利な装置を提供する。
米国特許第4058486号には、固体のターゲツト
レーザ光線を集中させることによりX線の強い点
源をつくり出せることが示されている。固形のス
ラブターゲツトに集中されたネオデイウムのレー
ザ光線は25パーセント以上の効率で、1ナノ秒内
に本質的に点源(直径が約100ミクロン)から放
出する数十ジユールのX線に変換された。約45度
の入射角にて、約100ジユールのレーザパルスで
照射された鉄製のターゲツトからつくり出された
X線のパターンは概ね無指向性である。25パーセ
ント以上の変換効率は、スラブから放射され2000
オングストロームアルミニウムを塗布した3000オ
ングストロームのプラスチツク(パラリン−
paraline)を垂直に通過したX線に見合う。この
ようにこの変換効率は下限であつて、スペクトル
の約300電子ボルト以上の部分にのみ対応する。
観察されるX線のほとんどが約0.3から15KeVの
間にあり、10から100KeVに達する少量ではある
が有用な部分を有している。KAP結晶からとつ
た屈折結晶分光結果を濃度計で検査してみると、
その放射線はスペクトル間隔がほとんどの場合約
0.7から1.2KeVの間であるようである。スペクト
ルの細部において異常な鋭さがあるのはその点源
の寸法が小さいためである。X線のこの新規な点
源は約0.1から100KeVの範囲中で調和可能なスペ
クトルを提供する。
レーザ光線を集中させることによりX線の強い点
源をつくり出せることが示されている。固形のス
ラブターゲツトに集中されたネオデイウムのレー
ザ光線は25パーセント以上の効率で、1ナノ秒内
に本質的に点源(直径が約100ミクロン)から放
出する数十ジユールのX線に変換された。約45度
の入射角にて、約100ジユールのレーザパルスで
照射された鉄製のターゲツトからつくり出された
X線のパターンは概ね無指向性である。25パーセ
ント以上の変換効率は、スラブから放射され2000
オングストロームアルミニウムを塗布した3000オ
ングストロームのプラスチツク(パラリン−
paraline)を垂直に通過したX線に見合う。この
ようにこの変換効率は下限であつて、スペクトル
の約300電子ボルト以上の部分にのみ対応する。
観察されるX線のほとんどが約0.3から15KeVの
間にあり、10から100KeVに達する少量ではある
が有用な部分を有している。KAP結晶からとつ
た屈折結晶分光結果を濃度計で検査してみると、
その放射線はスペクトル間隔がほとんどの場合約
0.7から1.2KeVの間であるようである。スペクト
ルの細部において異常な鋭さがあるのはその点源
の寸法が小さいためである。X線のこの新規な点
源は約0.1から100KeVの範囲中で調和可能なスペ
クトルを提供する。
本発明による装置は典型的には前述の形式のX
線発生装置を採用している。しかしながら、本装
置はX線を発生させるために、レーザ光線以外の
電子ビームを使用する装置のようなその他の若干
類似の装置も使用することができる。
線発生装置を採用している。しかしながら、本装
置はX線を発生させるために、レーザ光線以外の
電子ビームを使用する装置のようなその他の若干
類似の装置も使用することができる。
概ね大気圧で空気のような通常の環境におかれ
る対象物に対してX線を照射する本発明による典
型的な装置は、ターゲツトにおいて選定したスペ
クトルと強度のX線を発生させるためにそのター
ゲツトにエネルギを向ける手段と、該ターゲツト
の周りの概ね流体密にされた第1の密閉室と、第
1の密閉室内の圧力を概ね大気圧以下に保持する
ためにその中のガス量を減少させる手段と、前記
第1の密閉室に隣接した概ね流体密にされ、X線
に対して高度に透過性を有するガスを他のガスは
概ね排除した状態で含む第2の密閉室とを含み、
第1の密閉室の一つの壁はX線がその中を通過で
きるようにするに十分な大きさであるが、所要の
圧力でそれを通過して入るのと同じ速さで減圧装
置が該第1の密閉室からガスを排出できるに十分
小さい開口を有しており、ターゲツトは発生した
X線の実質的な部分を前記開口に向いて放出し、
該開口を通過するように十分開口に近接して配置
され、第2の密封室の第1の壁は第1密閉室の壁
の前記開口に隣接して位置決めされたX線に対し
て高度に透過性を有する部分を有し、開口を通つ
たX線が当該透過性部分を通つて第2密閉室にお
ける離れた第2の壁に向けて進むようにし、第2
の密閉室内のガスは少くとも第2の壁の近くにお
いて大気圧にほぼ等しい圧力に維持され、また、
この第2の壁にX線に対して高度に透過性を有す
る部分を設け、これにより、患者などの対象物を
第2密閉室の外側の第2の壁のX線透過性部分に
隣接した位置に置いた状態で、空気等により減衰
されないX線を照射できるようにしている。
る対象物に対してX線を照射する本発明による典
型的な装置は、ターゲツトにおいて選定したスペ
クトルと強度のX線を発生させるためにそのター
ゲツトにエネルギを向ける手段と、該ターゲツト
の周りの概ね流体密にされた第1の密閉室と、第
1の密閉室内の圧力を概ね大気圧以下に保持する
ためにその中のガス量を減少させる手段と、前記
第1の密閉室に隣接した概ね流体密にされ、X線
に対して高度に透過性を有するガスを他のガスは
概ね排除した状態で含む第2の密閉室とを含み、
第1の密閉室の一つの壁はX線がその中を通過で
きるようにするに十分な大きさであるが、所要の
圧力でそれを通過して入るのと同じ速さで減圧装
置が該第1の密閉室からガスを排出できるに十分
小さい開口を有しており、ターゲツトは発生した
X線の実質的な部分を前記開口に向いて放出し、
該開口を通過するように十分開口に近接して配置
され、第2の密封室の第1の壁は第1密閉室の壁
の前記開口に隣接して位置決めされたX線に対し
て高度に透過性を有する部分を有し、開口を通つ
たX線が当該透過性部分を通つて第2密閉室にお
ける離れた第2の壁に向けて進むようにし、第2
の密閉室内のガスは少くとも第2の壁の近くにお
いて大気圧にほぼ等しい圧力に維持され、また、
この第2の壁にX線に対して高度に透過性を有す
る部分を設け、これにより、患者などの対象物を
第2密閉室の外側の第2の壁のX線透過性部分に
隣接した位置に置いた状態で、空気等により減衰
されないX線を照射できるようにしている。
この装置はまた、第1密閉部に隣接する概ね流
体密にされた中間室を有し、該中間室は一部が前
記開口を備える第1密閉室の壁の一部と共通する
内壁と、該共通壁にほぼ平行で前記共通壁内の開
口及び第2密閉室の第1の壁のX線透過性部分の
間でそれらに整合された開口を備える外壁とを有
し、それによりX線がそれらを通り第2の密閉室
の第2の壁に進めるようにしてあり、更に、中間
室内のガス量を減少させそのガス圧を第1及び第
2密閉室内の圧力の間の値に維持する減圧手段を
有し、前記外壁内の開口は小さく、そのため減圧
手段は少くとも当該開口を通つて入るガスの速度
で中間室内のガスを排除できるようにしてある。
体密にされた中間室を有し、該中間室は一部が前
記開口を備える第1密閉室の壁の一部と共通する
内壁と、該共通壁にほぼ平行で前記共通壁内の開
口及び第2密閉室の第1の壁のX線透過性部分の
間でそれらに整合された開口を備える外壁とを有
し、それによりX線がそれらを通り第2の密閉室
の第2の壁に進めるようにしてあり、更に、中間
室内のガス量を減少させそのガス圧を第1及び第
2密閉室内の圧力の間の値に維持する減圧手段を
有し、前記外壁内の開口は小さく、そのため減圧
手段は少くとも当該開口を通つて入るガスの速度
で中間室内のガスを排除できるようにしてある。
この装置はまた、第1及び第2密閉室間に追加
の類似した少なくとも一つの中間室を有し、隣接
する中間室は開口の設けられた共通壁の両側に位
置決めされ、それらの全ての開口は第1密閉室の
壁の開口及び第2密閉室の第1の壁の透過性部分
間でそれらに整合されて位置決めされ、更にこの
装置は各追加の中間室内のガス量を減少してガス
圧を隣接する密閉室内の圧力の中間の値に維持す
る手段を有し、各室の開口は小さく、そのため各
中間室の減圧手段は少くとも当該開口を通つて入
るガスの速度で中間室内のガスを排出できるよう
にしてある。
の類似した少なくとも一つの中間室を有し、隣接
する中間室は開口の設けられた共通壁の両側に位
置決めされ、それらの全ての開口は第1密閉室の
壁の開口及び第2密閉室の第1の壁の透過性部分
間でそれらに整合されて位置決めされ、更にこの
装置は各追加の中間室内のガス量を減少してガス
圧を隣接する密閉室内の圧力の中間の値に維持す
る手段を有し、各室の開口は小さく、そのため各
中間室の減圧手段は少くとも当該開口を通つて入
るガスの速度で中間室内のガスを排出できるよう
にしてある。
各中間室内の圧力は通常、その両側の室の圧力
値のほぼ中間で対数的に維持される。平行な壁の
間隔はそれらの間のガスの流れを避けるに十分な
程大きくすべきである。典型的には、第1の中間
室の内外(平行)壁間の間隔を約2乃至10ミリ、
次の中間室の平行壁間の間隔を約0.5乃至5ミリ、
更に次の中間室の平行壁間の間隔を約0.1乃至2
ミリとする。開口はそれを通つたX線が約1乃至
10度の頂点角を有する円錐形となるようなサイズ
にする。
値のほぼ中間で対数的に維持される。平行な壁の
間隔はそれらの間のガスの流れを避けるに十分な
程大きくすべきである。典型的には、第1の中間
室の内外(平行)壁間の間隔を約2乃至10ミリ、
次の中間室の平行壁間の間隔を約0.5乃至5ミリ、
更に次の中間室の平行壁間の間隔を約0.1乃至2
ミリとする。開口はそれを通つたX線が約1乃至
10度の頂点角を有する円錐形となるようなサイズ
にする。
本発明の典型的な実施例においては、第2密閉
室を軽量ガスドリフトチユーブで形成する。該チ
ユーブ内の代表的ガスとしてはほぼ大気圧でのヘ
リウム、水素、炭化水素、好ましくはヘリウムと
する。典型的なトリフトチユーブにおける上記第
1の壁から第2の壁までの距離は約0.5乃至5メ
ートルとされる。ドリフトチユーブ内の前記第1
の壁のX線透過性部分及び第2の壁のX線透過性
部分は典型的には、基本的にベリリウム、または
低原子価(低L)プラスチツク材からなることを
典型とする薄いフオイル(箔)を含む。該フオイ
ルの厚さは典型的には約2から20ミクロンであ
る。
室を軽量ガスドリフトチユーブで形成する。該チ
ユーブ内の代表的ガスとしてはほぼ大気圧でのヘ
リウム、水素、炭化水素、好ましくはヘリウムと
する。典型的なトリフトチユーブにおける上記第
1の壁から第2の壁までの距離は約0.5乃至5メ
ートルとされる。ドリフトチユーブ内の前記第1
の壁のX線透過性部分及び第2の壁のX線透過性
部分は典型的には、基本的にベリリウム、または
低原子価(低L)プラスチツク材からなることを
典型とする薄いフオイル(箔)を含む。該フオイ
ルの厚さは典型的には約2から20ミクロンであ
る。
本発明の典型的な実施例においては、第2密閉
室の前記第2の壁のX線透過性部分に開口を設け
るとともに、該第2密閉室に高いX線透過性を有
するガスを供給する手段を設ける。X線透過性部
分の開口は小さくされ、それによりガス供給手段
が、少くとも当該開口を通つて排出されるガスの
速度でX線透過性ガスを第2密閉室に供給し、他
のガスが該第2密閉室に入るのを実質上阻止でき
るようにする。
室の前記第2の壁のX線透過性部分に開口を設け
るとともに、該第2密閉室に高いX線透過性を有
するガスを供給する手段を設ける。X線透過性部
分の開口は小さくされ、それによりガス供給手段
が、少くとも当該開口を通つて排出されるガスの
速度でX線透過性ガスを第2密閉室に供給し、他
のガスが該第2密閉室に入るのを実質上阻止でき
るようにする。
前記第2の密閉部へ運ばれるガスは典型的には
ヘリウム、水素、または炭化水素であつて、好ま
しくはヘリウムで、少なくとも前記第2の壁の透
過性部分近くで、約0.9から1大気圧に保持され
る。第2の密閉部の第2の壁の透過性の部分は基
本的にベリリウムまたは低原子価プラスチツク材
からなることを典型とするフオイルを含む。該フ
オイルの厚さは典型的には約2乃至20ミクロンで
ある。
ヘリウム、水素、または炭化水素であつて、好ま
しくはヘリウムで、少なくとも前記第2の壁の透
過性部分近くで、約0.9から1大気圧に保持され
る。第2の密閉部の第2の壁の透過性の部分は基
本的にベリリウムまたは低原子価プラスチツク材
からなることを典型とするフオイルを含む。該フ
オイルの厚さは典型的には約2乃至20ミクロンで
ある。
前記第2の密閉室中、少なくとも該密閉室の第
2の壁のX線透過性部分近くにおけるガスが概ね
大気圧に保持されているので、その透過性部分に
開口を設けることも出来、かつ前記の第2の密閉
室の内部にあるガスは、前記開口を通過するガス
カーテンか、あるいはX線を受けるべき対象物に
よつて、あるいは前記壁に当接して置かれ、前記
開口を覆うように前記対象物に付属した要素によ
つてその周りの空気から実質的に分離させること
ができる。
2の壁のX線透過性部分近くにおけるガスが概ね
大気圧に保持されているので、その透過性部分に
開口を設けることも出来、かつ前記の第2の密閉
室の内部にあるガスは、前記開口を通過するガス
カーテンか、あるいはX線を受けるべき対象物に
よつて、あるいは前記壁に当接して置かれ、前記
開口を覆うように前記対象物に付属した要素によ
つてその周りの空気から実質的に分離させること
ができる。
材料のEXAFSデータをとるための本発明によ
る装置は、前記開口を通過するX線を受取りスペ
クトル分解したX線をX線を照射すべき対象物に
隣接したX線透過性部分に向かつて導くよう位置
されたスペクトル拡散手段を前記第2の密閉室に
含み、対象物が記録手段を含むことを典型とす
る。この装置は、また、典型的に、第2の密閉室
の中、あるいは第2の密閉室の外側で、第2の壁
のX線透過性部分と記録手段との間において、材
料のサンプルをX線の光路中に位置させる手段も
含む。
る装置は、前記開口を通過するX線を受取りスペ
クトル分解したX線をX線を照射すべき対象物に
隣接したX線透過性部分に向かつて導くよう位置
されたスペクトル拡散手段を前記第2の密閉室に
含み、対象物が記録手段を含むことを典型とす
る。この装置は、また、典型的に、第2の密閉室
の中、あるいは第2の密閉室の外側で、第2の壁
のX線透過性部分と記録手段との間において、材
料のサンプルをX線の光路中に位置させる手段も
含む。
前記のエネルギを向ける手段は、例えば約1か
ら200ミクロンの直径をもつターゲツト上の点へ
レーザ光線からのエネルギを導く手段を含む。前
記共通壁部分の開口は典型的には直径が約0.2か
ら2ミリであつて、前記開口とターゲツト上の点
との間の距離は約0.2から5センチである。ター
ゲツトで作られるX線は典型的には概ね約0.3乃
至2KeVのエネルギを有する。
ら200ミクロンの直径をもつターゲツト上の点へ
レーザ光線からのエネルギを導く手段を含む。前
記共通壁部分の開口は典型的には直径が約0.2か
ら2ミリであつて、前記開口とターゲツト上の点
との間の距離は約0.2から5センチである。ター
ゲツトで作られるX線は典型的には概ね約0.3乃
至2KeVのエネルギを有する。
さて図面、特に第1図に示すように、概ね大気
圧で空気のような通常の環境下におかれる対象物
12にX線11を照射する本発明に係る装置はタ
ーゲツト15において選定されたスペクトルと強
さをもつX線11を発生させるためにそのターゲ
ツト15へエネルギ14を導くレンズ13のよう
な手段と、ターゲツト15の周りにある実質的に
流体密の第1の密閉室16と、第1の密閉室16
中のガスを矢印17の方向へ排出してその中の圧
力を概ね大気圧以下(典型的には約1トル以下)
に保つ(図示していないが真空ポンプのような)
減圧手段と、第1の密閉室16に隣接し実質的に
流体密とされX線に対し高度の透過性を有するガ
ス24を含む第2の密閉室18とを有している。
第1の密閉室16の壁19はX線11がそこを通
過しうるのに十分な大きさであるが、少なくとも
ガスがそこを通る速さと同じ位に前記減圧手段が
第1の密閉室16からガス21を排出できるのに
十分小さい開口20を有し、ターゲツト15はつ
くられたX線11のかなりの部分を開口20に向
かつて放出し、該開口20を通過させるよう開口
20に十分近接して位置決めされている。第2密
閉室内に設けられた壁35は開口20の近くに位
置決めされてX線11に対して高い透過性を有す
る部分20′(第1図)または36(第3図)を
有し、開口20を通つたX線が同部分20′,3
6を通つて第2密閉室18の反対側の壁22に向
うようにしている。壁22はX線に対して高い透
過性を有する部分25を有し、X線11が該部分
を通つて第2密閉室の外側で同部分25に隣接し
て位置決めされた対象物12に照射されるように
なつている。従つて、対象物に照射されるX線は
空気やその他の好ましくない介在物により減衰さ
れることがほとんどない。
圧で空気のような通常の環境下におかれる対象物
12にX線11を照射する本発明に係る装置はタ
ーゲツト15において選定されたスペクトルと強
さをもつX線11を発生させるためにそのターゲ
ツト15へエネルギ14を導くレンズ13のよう
な手段と、ターゲツト15の周りにある実質的に
流体密の第1の密閉室16と、第1の密閉室16
中のガスを矢印17の方向へ排出してその中の圧
力を概ね大気圧以下(典型的には約1トル以下)
に保つ(図示していないが真空ポンプのような)
減圧手段と、第1の密閉室16に隣接し実質的に
流体密とされX線に対し高度の透過性を有するガ
ス24を含む第2の密閉室18とを有している。
第1の密閉室16の壁19はX線11がそこを通
過しうるのに十分な大きさであるが、少なくとも
ガスがそこを通る速さと同じ位に前記減圧手段が
第1の密閉室16からガス21を排出できるのに
十分小さい開口20を有し、ターゲツト15はつ
くられたX線11のかなりの部分を開口20に向
かつて放出し、該開口20を通過させるよう開口
20に十分近接して位置決めされている。第2密
閉室内に設けられた壁35は開口20の近くに位
置決めされてX線11に対して高い透過性を有す
る部分20′(第1図)または36(第3図)を
有し、開口20を通つたX線が同部分20′,3
6を通つて第2密閉室18の反対側の壁22に向
うようにしている。壁22はX線に対して高い透
過性を有する部分25を有し、X線11が該部分
を通つて第2密閉室の外側で同部分25に隣接し
て位置決めされた対象物12に照射されるように
なつている。従つて、対象物に照射されるX線は
空気やその他の好ましくない介在物により減衰さ
れることがほとんどない。
例えばX線リトグラフイのように、対象物12
の特定部分のみがX線を受取る場合には、対象物
12のその他の部分に向かつてX線が進行するの
を阻止するために壁22のX線透過性部分25と
対象物12との間にマスク26をおけばよい。
の特定部分のみがX線を受取る場合には、対象物
12のその他の部分に向かつてX線が進行するの
を阻止するために壁22のX線透過性部分25と
対象物12との間にマスク26をおけばよい。
この装置はまた、第1密閉室16に隣接したほ
ぼ流体密にされた中間室34を有しており、該室
の内壁19の一部は第1密閉室の壁19と共通し
ており、また外壁19′は共通壁19とほぼ平行
で共通壁の開口20及び第2密閉室18の壁35
の透過性部分20′または36の間でそれらに整
合された開口20′を有し、X線11が該開口2
0′を通つて第2密閉室18の壁22に進めるよ
うにしている。中間室34のガスは図示しない減
圧手段により矢印17′で示された方向に排出さ
れてその内部の圧力を第1及び第2密閉室内の圧
力の間の値に保たれる。外壁の開口20′は小さ
く、それにより減圧手段が少なくとも該開口を通
るガスの速度で中間室からガスを排出できるよう
にしてある。
ぼ流体密にされた中間室34を有しており、該室
の内壁19の一部は第1密閉室の壁19と共通し
ており、また外壁19′は共通壁19とほぼ平行
で共通壁の開口20及び第2密閉室18の壁35
の透過性部分20′または36の間でそれらに整
合された開口20′を有し、X線11が該開口2
0′を通つて第2密閉室18の壁22に進めるよ
うにしている。中間室34のガスは図示しない減
圧手段により矢印17′で示された方向に排出さ
れてその内部の圧力を第1及び第2密閉室内の圧
力の間の値に保たれる。外壁の開口20′は小さ
く、それにより減圧手段が少なくとも該開口を通
るガスの速度で中間室からガスを排出できるよう
にしてある。
第3図に示す装置では更に追加の上記と類似し
た中間室34′を有しており、両中間室34,3
4′はそれらが共通する壁19′の両側に位置決め
されており、開口20′,20″が第1密閉室16
の壁19の開口20と第2密閉室18の壁35の
X線透過性部分との間で、それらに整合して位置
決めされている。第2の中間室34′は図示しな
い減圧手段によつてその中のガスが矢印17″で
示される方向に排出され、その内部圧力が当該中
間室の両側に隣接した室の内部圧力の中間の圧力
に維持される。開口20′,20″は少なくともそ
こを通つて中間室に入る空気の速度と同じ速度で
減圧手段が各中間室からガスを排出することがで
きる程度十分に小さくされる。
た中間室34′を有しており、両中間室34,3
4′はそれらが共通する壁19′の両側に位置決め
されており、開口20′,20″が第1密閉室16
の壁19の開口20と第2密閉室18の壁35の
X線透過性部分との間で、それらに整合して位置
決めされている。第2の中間室34′は図示しな
い減圧手段によつてその中のガスが矢印17″で
示される方向に排出され、その内部圧力が当該中
間室の両側に隣接した室の内部圧力の中間の圧力
に維持される。開口20′,20″は少なくともそ
こを通つて中間室に入る空気の速度と同じ速度で
減圧手段が各中間室からガスを排出することがで
きる程度十分に小さくされる。
中間室34,34′内の圧力は、ほぼ平行な壁
19,19′,19″の両側の圧力の間の中間で対
数的に維持される。例えば、第1密閉室16内で
は約1トル(torr)、中間室34においては約10
トル、中間室34′においては約100トルとされ
る。中間室34′の外壁19″と第2密閉室18の
壁35との間のスペース(典型的には約0.1乃至
2ミリメータ)はもちろん大気圧、約760トルと
される。1以上の中間室34,34′が設けられ
る場合、電子ビームを大気に放射するのに使われ
るタイプの異つた排気システムが望ましいであろ
う。
19,19′,19″の両側の圧力の間の中間で対
数的に維持される。例えば、第1密閉室16内で
は約1トル(torr)、中間室34においては約10
トル、中間室34′においては約100トルとされ
る。中間室34′の外壁19″と第2密閉室18の
壁35との間のスペース(典型的には約0.1乃至
2ミリメータ)はもちろん大気圧、約760トルと
される。1以上の中間室34,34′が設けられ
る場合、電子ビームを大気に放射するのに使われ
るタイプの異つた排気システムが望ましいであろ
う。
平行な壁19,19′,19″,35間の間隔は
ガスがこれら壁から壁へ流れるのを防ぐのに十分
な程度大きい。典型的には、第1中間室34の内
壁19及び外壁19′間の間隔は約2乃至10ミリ
追加の第1の中間室の壁19′,19″の間の間隔
は約0.5乃至5ミリ、そして更に追加の中間室の
平行壁(または、第3図の壁19″と35との間
の如き間隔)は約0.1乃至2ミリとされる。開口
20,20′,20″(及び透過性部分36)はX
線がそこを通つて約1乃至10゜の頂角Aを有する
円錐形となるような大きさにされる。
ガスがこれら壁から壁へ流れるのを防ぐのに十分
な程度大きい。典型的には、第1中間室34の内
壁19及び外壁19′間の間隔は約2乃至10ミリ
追加の第1の中間室の壁19′,19″の間の間隔
は約0.5乃至5ミリ、そして更に追加の中間室の
平行壁(または、第3図の壁19″と35との間
の如き間隔)は約0.1乃至2ミリとされる。開口
20,20′,20″(及び透過性部分36)はX
線がそこを通つて約1乃至10゜の頂角Aを有する
円錐形となるような大きさにされる。
本発明の幾つかの典型的な実施例においては第
3図に示すように、第2密閉室18は軽量ガスド
リフトチユーブからなる。すなわち、該室には典
型的にはヘリウム、炭化水素若しくは水素、好ま
しくはヘリウムのガスがほぼ大気圧で入つてい
る。典型的な密閉室の壁35から壁22までの距
離は約0.5乃至5メートル、通常は0.5乃至2メー
トルとされる。典型的には、壁35のX線透過性
部分36と壁22のX線透過性部分25とは本質
的にベリリウム若しくは低Zプラスチツクから成
る薄いフオイル材から構成される。フオイル材の
原子番号Zは8より大きくない。フオイル材の厚
みは約2乃至20ミクロンとされる。
3図に示すように、第2密閉室18は軽量ガスド
リフトチユーブからなる。すなわち、該室には典
型的にはヘリウム、炭化水素若しくは水素、好ま
しくはヘリウムのガスがほぼ大気圧で入つてい
る。典型的な密閉室の壁35から壁22までの距
離は約0.5乃至5メートル、通常は0.5乃至2メー
トルとされる。典型的には、壁35のX線透過性
部分36と壁22のX線透過性部分25とは本質
的にベリリウム若しくは低Zプラスチツクから成
る薄いフオイル材から構成される。フオイル材の
原子番号Zは8より大きくない。フオイル材の厚
みは約2乃至20ミクロンとされる。
本発明の幾つかの実施例においては、第1図に
示されるように、第2密閉室18の壁35のX線
透過性部分はその中に開口20′を有しており当
該装置ではX線透過性ガス24を、少なくとも同
ガスが開口20′から出て行く速さで室18に矢
印23の方向で供給し、該室18に他のガスが入
るのを防いでいる。典型的には、少くとも壁22
のX線透過性部分の近くにおける第2密閉室内の
ガスが約0.9乃至1気圧に維持される。
示されるように、第2密閉室18の壁35のX線
透過性部分はその中に開口20′を有しており当
該装置ではX線透過性ガス24を、少なくとも同
ガスが開口20′から出て行く速さで室18に矢
印23の方向で供給し、該室18に他のガスが入
るのを防いでいる。典型的には、少くとも壁22
のX線透過性部分の近くにおける第2密閉室内の
ガスが約0.9乃至1気圧に維持される。
典型的には、第2密閉室18内に導入されるガ
ス24はヘリウム、水素若しくはメタンのような
炭化水素で、少くとも壁22のX線透過性部分2
5の近くで0.9乃至1気圧とされる。好ましくは、
実質的に不活性でX線に対し高い透過性を有する
ものとして知られているヘリウムガスとされる。
ス24はヘリウム、水素若しくはメタンのような
炭化水素で、少くとも壁22のX線透過性部分2
5の近くで0.9乃至1気圧とされる。好ましくは、
実質的に不活性でX線に対し高い透過性を有する
ものとして知られているヘリウムガスとされる。
壁22のX線透過性部分25は低Zプラスチツ
ク材若しくは本質的にベリリウムからなる薄いフ
オイル材25から形成される。フオイル材25の
厚みは約2乃至20ミクロンとされている。原子番
号Zが約8より大きくない他のプラスチツク材を
用いられる。X線透過性の低い材料を使う場合
は、その厚みを極めて薄くしなければならない。
ク材若しくは本質的にベリリウムからなる薄いフ
オイル材25から形成される。フオイル材25の
厚みは約2乃至20ミクロンとされている。原子番
号Zが約8より大きくない他のプラスチツク材を
用いられる。X線透過性の低い材料を使う場合
は、その厚みを極めて薄くしなければならない。
第2密閉室18内のガス24の圧力はほぼ大気
圧に維持され、このため壁22のX線透過性部分
25はその両側の圧力がほぼ同じになるので非常
に薄くすることができる。第2密閉室18内部の
ガス24を周囲の空気から実質的に分離するため
には、中実の材料よりもガスカーテンだけを用い
ることができ、又は、第1図のマスク26若しく
は第2図のサンプル32を壁22によつて作られ
た薄いフレームに当接して配置することができ
る。隣接するマスクまたはサンプルが使用されな
い場合、対象物12を壁22に当接して配置し、
室18内のガスを周囲の空気から分離できる。
圧に維持され、このため壁22のX線透過性部分
25はその両側の圧力がほぼ同じになるので非常
に薄くすることができる。第2密閉室18内部の
ガス24を周囲の空気から実質的に分離するため
には、中実の材料よりもガスカーテンだけを用い
ることができ、又は、第1図のマスク26若しく
は第2図のサンプル32を壁22によつて作られ
た薄いフレームに当接して配置することができ
る。隣接するマスクまたはサンプルが使用されな
い場合、対象物12を壁22に当接して配置し、
室18内のガスを周囲の空気から分離できる。
第2密閉室18内のガス24、少なくとも壁2
2のX線透過性部分25の近くのガス24はほぼ
大気圧に維持される場合、X線透過性部分は開口
を有することができ、第2密閉室18内のガス2
4は開口25に沿つて流されるガスカーテンによ
つて若しくは壁22に当接して配置されて開口2
5をカバーする(第1図及び第3図におけるマス
ク26や第2図のサンプル32のような)対象物
に関係した部品によつて空気から実質的に分離す
ることができる。
2のX線透過性部分25の近くのガス24はほぼ
大気圧に維持される場合、X線透過性部分は開口
を有することができ、第2密閉室18内のガス2
4は開口25に沿つて流されるガスカーテンによ
つて若しくは壁22に当接して配置されて開口2
5をカバーする(第1図及び第3図におけるマス
ク26や第2図のサンプル32のような)対象物
に関係した部品によつて空気から実質的に分離す
ることができる。
第2図に示すように、材料のEXAFデータを得
るための本発明に係る典型的な装置はまた、対象
物12に隣接した壁22のX線透過性部分25に
向けてスペクトル分析X線11Rを指向させるた
め、第2密閉室18内にモノクロメータ30の如
きスペクトル分散手段を設けることができる。対
象物12は典型的には写真フイルム12のような
記録手段を有している。このような装置はまた点
線31で示したような第2密閉室18の内側若し
くは32で示したようなX線透過性部分25と記
録手段12との間の第2密閉室18の外側のいず
れかの位置でX線11,11Rの光路内に材料の
サンプル31を位置決めするための支持手段(図
示せず)を設けることもできる。位置32の方
が、第2密閉室18内の(31のような)位置よ
りも都合がよい。
るための本発明に係る典型的な装置はまた、対象
物12に隣接した壁22のX線透過性部分25に
向けてスペクトル分析X線11Rを指向させるた
め、第2密閉室18内にモノクロメータ30の如
きスペクトル分散手段を設けることができる。対
象物12は典型的には写真フイルム12のような
記録手段を有している。このような装置はまた点
線31で示したような第2密閉室18の内側若し
くは32で示したようなX線透過性部分25と記
録手段12との間の第2密閉室18の外側のいず
れかの位置でX線11,11Rの光路内に材料の
サンプル31を位置決めするための支持手段(図
示せず)を設けることもできる。位置32の方
が、第2密閉室18内の(31のような)位置よ
りも都合がよい。
典型的には、大体の場合、40未満の原子番号を
有するエレメントとしての材料32のEXAFSス
ペクトルを得るのに適した軟X線11を単一パル
スとして作るように、高エネルギ14を単一パル
スとしてターゲツト15に指向する。
有するエレメントとしての材料32のEXAFSス
ペクトルを得るのに適した軟X線11を単一パル
スとして作るように、高エネルギ14を単一パル
スとしてターゲツト15に指向する。
第2図に示した如きEXAFS装置はまた、ター
ゲツト15の表面を回転し且つ前進するように動
かし、レーザの高エネルギ14が当るターゲツト
15の円筒形面上の焦点28の軌跡を、螺旋状に
する手段を含むこともできる。その場合、エネル
ギビーム14は軟X線11を作るように一連のパ
ルスとして動いているターゲツト表面の点28に
指向される。
ゲツト15の表面を回転し且つ前進するように動
かし、レーザの高エネルギ14が当るターゲツト
15の円筒形面上の焦点28の軌跡を、螺旋状に
する手段を含むこともできる。その場合、エネル
ギビーム14は軟X線11を作るように一連のパ
ルスとして動いているターゲツト表面の点28に
指向される。
ターゲツト15からのX線はサンプル32の選
定したスペクトル範囲において連続した放射を行
うことが好ましい。典型的には、ターゲツト15
は選定した材料のEXAFSスペクトル範囲を含み
L線のすぐ上の連続体を有する元素から基本的に
成つている。あるいは、ターゲツト15はサンプ
ル32の選定したEXAFSスペクトル範囲で事実
上連続体を形成するに十分近接した線を有する複
数の元素を含んでいてもよい。そのようなターゲ
ツト15は典型的には隣接する原子番号をもつ成
分の混合物を含む。
定したスペクトル範囲において連続した放射を行
うことが好ましい。典型的には、ターゲツト15
は選定した材料のEXAFSスペクトル範囲を含み
L線のすぐ上の連続体を有する元素から基本的に
成つている。あるいは、ターゲツト15はサンプ
ル32の選定したEXAFSスペクトル範囲で事実
上連続体を形成するに十分近接した線を有する複
数の元素を含んでいてもよい。そのようなターゲ
ツト15は典型的には隣接する原子番号をもつ成
分の混合物を含む。
高エネルギは典型的に、平方センチ当り少なく
とも約1013ワツトの出力密度を有するレーザパル
ス14よりなり、ターゲツト15は典型的には固
体(典型的には金属)面を含むことによつて表面
プラズマが形成され、キロボルトの温度領域まで
上昇する。しかしながら、平方センチ当り約1011
ワツトまで下げた出力密度のものを利用して紫外
線および超軟X線領域に於てある種のEXAFSを
得ることができる。レーザパルス14は直径が約
1から200ミクロンの、ターゲツト15上の焦点
28に衝突するよう集中される。
とも約1013ワツトの出力密度を有するレーザパル
ス14よりなり、ターゲツト15は典型的には固
体(典型的には金属)面を含むことによつて表面
プラズマが形成され、キロボルトの温度領域まで
上昇する。しかしながら、平方センチ当り約1011
ワツトまで下げた出力密度のものを利用して紫外
線および超軟X線領域に於てある種のEXAFSを
得ることができる。レーザパルス14は直径が約
1から200ミクロンの、ターゲツト15上の焦点
28に衝突するよう集中される。
材料のEXAFSデータを得るための、第2図に
示す形式の装置についてのさらに典型的で、かつ
好適な詳細は米国特許第4317994号に記載されて
いる。
示す形式の装置についてのさらに典型的で、かつ
好適な詳細は米国特許第4317994号に記載されて
いる。
高エネルギをターゲツトに指向させる手段は第
1密閉室16内の窓29を通つたレーザ27から
のレーザビーム14をターゲツト15上の直径約
1乃至200ミクロンの点28に収束させるレンズ
13を有している。典型的には、共通壁19内の
開口20は約0.2乃至2ミリの直径を有し、開口
20とターゲツト15上の点28との間の距離は
約0.2乃至5センチとされる。ターゲツト15で
生じたX線は大体約0.3乃至2KeVのエネルギを持
つ。
1密閉室16内の窓29を通つたレーザ27から
のレーザビーム14をターゲツト15上の直径約
1乃至200ミクロンの点28に収束させるレンズ
13を有している。典型的には、共通壁19内の
開口20は約0.2乃至2ミリの直径を有し、開口
20とターゲツト15上の点28との間の距離は
約0.2乃至5センチとされる。ターゲツト15で
生じたX線は大体約0.3乃至2KeVのエネルギを持
つ。
本明細書の背景技術に関して引用した前記米国
特許に詳細に説明され本発明で使用するX線をつ
くる典型的な方法でレーザからのエネルギをター
ゲツトに向ける。概ね均一な有効強さをもつ低出
力の先駆パルスの放射エネルギを約1から30ナノ
秒の間ターゲツトの表面に集中することにより、
全体に通常の固体密度以下であつて、ブラズマの
周波数がレーザ放射の周波数以下である低密度
(過小密度)部分とプラズマの周波数がレーザ放
射の周波数以上である高密度(過大密度)部分と
よりなる、広がりをもち非制限のコロナプラズマ
を発生させることによつて少なくとも約3パーセ
ントの変換効率が得られ、先駆パルスがターゲツ
トに衝突して約1から30ナノ秒後に、約10-3から
30ナノ秒の間ブラズマに向けて集中され、前記過
小密度部分に放射エネルギが吸収され過大密度部
分に伝導されてそれを加熱するような出力密度と
全体エネルギとを有する高出力の主パルスが放射
されることによつて実質的に通常の固体密度以下
に留つているプラズマと共にX線を発生させ、こ
のように非均衡のイオン化状態から立ち上るスペ
クトル線の形態でX線の実質的な放出を促進す
る。
特許に詳細に説明され本発明で使用するX線をつ
くる典型的な方法でレーザからのエネルギをター
ゲツトに向ける。概ね均一な有効強さをもつ低出
力の先駆パルスの放射エネルギを約1から30ナノ
秒の間ターゲツトの表面に集中することにより、
全体に通常の固体密度以下であつて、ブラズマの
周波数がレーザ放射の周波数以下である低密度
(過小密度)部分とプラズマの周波数がレーザ放
射の周波数以上である高密度(過大密度)部分と
よりなる、広がりをもち非制限のコロナプラズマ
を発生させることによつて少なくとも約3パーセ
ントの変換効率が得られ、先駆パルスがターゲツ
トに衝突して約1から30ナノ秒後に、約10-3から
30ナノ秒の間ブラズマに向けて集中され、前記過
小密度部分に放射エネルギが吸収され過大密度部
分に伝導されてそれを加熱するような出力密度と
全体エネルギとを有する高出力の主パルスが放射
されることによつて実質的に通常の固体密度以下
に留つているプラズマと共にX線を発生させ、こ
のように非均衡のイオン化状態から立ち上るスペ
クトル線の形態でX線の実質的な放出を促進す
る。
ターゲツトは、典型的に高原子番号Z、即ち10
以上の原子番号を有する成分から基本的に構成さ
れる。典型的には、ターゲツトは鉄、カルシウ
ム、クローム、ニツケル、アルミニウム、鉛、タ
ングステン、あるいは金から基本的に構成され
る。
以上の原子番号を有する成分から基本的に構成さ
れる。典型的には、ターゲツトは鉄、カルシウ
ム、クローム、ニツケル、アルミニウム、鉛、タ
ングステン、あるいは金から基本的に構成され
る。
典型的には、先駆パルスの振幅、持続時間、お
よび形状はX線の強さとスペクトル成分を制御す
るように調整される。先駆パルスは、典型的には
約1から30ナノ秒で約0.01から5ジユール(平方
センチ当り約1010から1012ワツト)であり、ター
ゲツトにその表面から約20から70度の角度で衝突
する。
よび形状はX線の強さとスペクトル成分を制御す
るように調整される。先駆パルスは、典型的には
約1から30ナノ秒で約0.01から5ジユール(平方
センチ当り約1010から1012ワツト)であり、ター
ゲツトにその表面から約20から70度の角度で衝突
する。
主パルスは典型的には約1から3ナノ秒間に少
なくとも0.1ジユール、好ましくは10から200ジユ
ールである。
なくとも0.1ジユール、好ましくは10から200ジユ
ールである。
典型的は実施例においては、ターゲツトは基本
的に鉄から構成され、先駆パルスの持続時間は約
8から10ナノ秒である。
的に鉄から構成され、先駆パルスの持続時間は約
8から10ナノ秒である。
プラズマの低密度部分の電子密度は典型的には
1立方センチ当り約1016から1021であつて高密度
部分は立方センチ当り約1019から1025である。放
射エネルギは典型的には直径が約1から1000ミク
ロンの、ターゲツト上の点に集中される。プラズ
マの容量は典型的には約10-6から10-3立方センチ
であつて、プラズマの厚さはどの方向にも約
0.001から0.1センチである。
1立方センチ当り約1016から1021であつて高密度
部分は立方センチ当り約1019から1025である。放
射エネルギは典型的には直径が約1から1000ミク
ロンの、ターゲツト上の点に集中される。プラズ
マの容量は典型的には約10-6から10-3立方センチ
であつて、プラズマの厚さはどの方向にも約
0.001から0.1センチである。
低エネルギの用途に対しては、X線は圧倒的に
スペクトル線の形で放出される。
スペクトル線の形で放出される。
放射エネルギは約1から100ミクロンの直径の、
ターゲツト上の点に集中され、ほぼ同直径のプラ
ズマを発生させてX線の概ね点源を形成すること
により実質的にX線の誘導放出の利点を与える。
ターゲツト上の点に集中され、ほぼ同直径のプラ
ズマを発生させてX線の概ね点源を形成すること
により実質的にX線の誘導放出の利点を与える。
本発明のある実施例においては、ターゲツトの
成分とプラズマの温度はかなりの量のX線の誘導
放出をもたらすよう選定される。
成分とプラズマの温度はかなりの量のX線の誘導
放出をもたらすよう選定される。
その他の実施例においては、X線は螢光性のタ
ーゲツトに衝突するよう向けられることによつて
その原子から内殻の電子を除去し、ポピユレーシ
ヨン反転を生ぜしめる。
ーゲツトに衝突するよう向けられることによつて
その原子から内殻の電子を除去し、ポピユレーシ
ヨン反転を生ぜしめる。
放射エネルギをターゲツトに向けポンピングメ
カニズムによりある上下のレーザレベルをつくり
出すことによつてX線の誘導放出を与える典型的
な方法においては、ポンピングメカニズムのみで
は必要なポピユレーシヨン反転は得られないが、
反転を行いそれを連続的に保持するに十分な速度
で下方のレーザレベルを消滅させる消滅メカニズ
ムをポンピングメカニズムに組合せることによつ
て反転が行われる。ポンピングメカニズムは典型
的には電子とイオンとを衝突させるか、あるいは
誘電再結合による励振よりなる。消滅メカニズム
は典型的にはアウガー(Auger)遷移、コスター
ケレニツヒ(Coster−Kronig)遷移、あるいは
衝突よりなる。放射エネルギはレーザからつくる
か、あるいは電子ビームより構成してもよい。ポ
ンピングメカニズムは電子ビームを含んでもよ
い。
カニズムによりある上下のレーザレベルをつくり
出すことによつてX線の誘導放出を与える典型的
な方法においては、ポンピングメカニズムのみで
は必要なポピユレーシヨン反転は得られないが、
反転を行いそれを連続的に保持するに十分な速度
で下方のレーザレベルを消滅させる消滅メカニズ
ムをポンピングメカニズムに組合せることによつ
て反転が行われる。ポンピングメカニズムは典型
的には電子とイオンとを衝突させるか、あるいは
誘電再結合による励振よりなる。消滅メカニズム
は典型的にはアウガー(Auger)遷移、コスター
ケレニツヒ(Coster−Kronig)遷移、あるいは
衝突よりなる。放射エネルギはレーザからつくる
か、あるいは電子ビームより構成してもよい。ポ
ンピングメカニズムは電子ビームを含んでもよ
い。
本発明による装置は、X線がつくり出される真
空室のような特殊環境に軟X線を受けるべき対象
物を出し入れするのが高価につき、時間がかか
り、あるいは不便であるような用途に対して特に
有用である。この種の典型的な用途には高解像性
のリトグラフ、拡張X線吸収性微小構造
(EXAFS)の分光学、およびX線顕微鏡検査用
の、レーザよりつくるX線装置を含む。
空室のような特殊環境に軟X線を受けるべき対象
物を出し入れするのが高価につき、時間がかか
り、あるいは不便であるような用途に対して特に
有用である。この種の典型的な用途には高解像性
のリトグラフ、拡張X線吸収性微小構造
(EXAFS)の分光学、およびX線顕微鏡検査用
の、レーザよりつくるX線装置を含む。
X線は通常真空中でつくられるが、多くの用途
ではそれを空気中で照射することが望ましい。特
に約5KeVの光子エネルギを有するような軟X線
に対しては、真空と空気との間の圧力差に耐える
に十分厚くかつ強靭につくられた窓は不伝導性で
あるため、X線を真空から空気中に取り出すには
問題がある。この問題は大きな面積を照射するこ
とが好ましいX線トリグラフイの場合は特に深刻
である。
ではそれを空気中で照射することが望ましい。特
に約5KeVの光子エネルギを有するような軟X線
に対しては、真空と空気との間の圧力差に耐える
に十分厚くかつ強靭につくられた窓は不伝導性で
あるため、X線を真空から空気中に取り出すには
問題がある。この問題は大きな面積を照射するこ
とが好ましいX線トリグラフイの場合は特に深刻
である。
本発明は概ね大気圧にある空気のように通常の
環境におかれている対象物にX線を照射する問題
を克服するための簡単で、安価で、かつ便利な装
置を提供する。
環境におかれている対象物にX線を照射する問題
を克服するための簡単で、安価で、かつ便利な装
置を提供する。
本発明による方法はX線リトグラフイのみなら
ず、レーザEXAFSに対しても、かつ特に単パル
スのレーザ発生のX線、あるいは複数パルスの該
X線を用いる高速EXAFS分光学においても有
用、かつ有益である。
ず、レーザEXAFSに対しても、かつ特に単パル
スのレーザ発生のX線、あるいは複数パルスの該
X線を用いる高速EXAFS分光学においても有
用、かつ有益である。
EXAFS分光学の技術は、例えば非晶質(アモ
ルフオス)固体や、生物学的に重要な材料からな
る溶液やガスのように、長い寿命(long−range
order)を欠除するサンプル中の化学構造の研究
に増々重要な手段となつている。これらの研究は
近年において、EXAFSに必要な軟X線の連続
し、かつ強度のスペクトルを提供するシンクロト
ロンが利用できるようになつたお蔭で拍車がかけ
られてきた。しかしながら、シンクロトロンは高
価であり、科学者はその実験を行うためにその場
所へ行かねばならない。他方、レーザによるX線
源は比較的コンパクトで、安価で、かつ操作、保
守が簡単である。さらに、本質的にシンクロトロ
ンによる放射源の能力以上の種々の新規な
EXAFSの実験が行える。短いパルス幅や、低エ
ネルギ(4KeV以下)のX線の強いフラツクス
や、かつ(または)連続体、スペクトル製構造又
は密に詰められたスペクトル線構造を必要とする
これらの実験はレーザによりつくられたX線に理
想的に適している。
ルフオス)固体や、生物学的に重要な材料からな
る溶液やガスのように、長い寿命(long−range
order)を欠除するサンプル中の化学構造の研究
に増々重要な手段となつている。これらの研究は
近年において、EXAFSに必要な軟X線の連続
し、かつ強度のスペクトルを提供するシンクロト
ロンが利用できるようになつたお蔭で拍車がかけ
られてきた。しかしながら、シンクロトロンは高
価であり、科学者はその実験を行うためにその場
所へ行かねばならない。他方、レーザによるX線
源は比較的コンパクトで、安価で、かつ操作、保
守が簡単である。さらに、本質的にシンクロトロ
ンによる放射源の能力以上の種々の新規な
EXAFSの実験が行える。短いパルス幅や、低エ
ネルギ(4KeV以下)のX線の強いフラツクス
や、かつ(または)連続体、スペクトル製構造又
は密に詰められたスペクトル線構造を必要とする
これらの実験はレーザによりつくられたX線に理
想的に適している。
アルミニウムのEXAFSスペクトルが、レーザ
で発生したX線によりつくり出された1ナノ秒の
パルスをもつ軟X線により測定された。この技術
はEXAFSデータ収集に対してシンクロトロン放
射に対する実用的な代替を提供する。また高遷移
性の化学標本の分子構造の分析にも独得の能力を
提供する。
で発生したX線によりつくり出された1ナノ秒の
パルスをもつ軟X線により測定された。この技術
はEXAFSデータ収集に対してシンクロトロン放
射に対する実用的な代替を提供する。また高遷移
性の化学標本の分子構造の分析にも独得の能力を
提供する。
本明細書で示した本発明の形態は現在のところ
好適な実施例を構成するものであるが、その他多
くの実施例も可能である。ここでは、本発明の細
部にわたる可能な均等形態について述べる意図は
ない。また、ここで使用した用語は限定的ではな
く、単に説明目的であつて、本発明の趣旨あるい
は範囲から逸脱することなく種々変更が可能であ
る。
好適な実施例を構成するものであるが、その他多
くの実施例も可能である。ここでは、本発明の細
部にわたる可能な均等形態について述べる意図は
ない。また、ここで使用した用語は限定的ではな
く、単に説明目的であつて、本発明の趣旨あるい
は範囲から逸脱することなく種々変更が可能であ
る。
第1図は本発明による典型的な装置の概略平面
図、第2図は材料のEXAFSデータを収集するた
めの、本発明の典型的な実施例の概略平面図、第
3図は本発明の他の典型的な実施例の概略図であ
る。 図において、11,11R……X線、12……
対象物、13……レンズ、14……エネルギ、1
5……ターゲツト、16……第1の密閉部、18
……第2の密閉部、20,20′……開口、21
……ガス、22……壁、24……X線透過性ガ
ス、25……X線透過性部分、27……レーザ、
28……焦点、30……モノクロメータ、34,
34′……中間室。
図、第2図は材料のEXAFSデータを収集するた
めの、本発明の典型的な実施例の概略平面図、第
3図は本発明の他の典型的な実施例の概略図であ
る。 図において、11,11R……X線、12……
対象物、13……レンズ、14……エネルギ、1
5……ターゲツト、16……第1の密閉部、18
……第2の密閉部、20,20′……開口、21
……ガス、22……壁、24……X線透過性ガ
ス、25……X線透過性部分、27……レーザ、
28……焦点、30……モノクロメータ、34,
34′……中間室。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 概ね大気圧で空気のような通常の環境におか
れる対象物にX線を照射する装置において、 ターゲツトにエネルギを向け、選定したスペク
トルと強さをもつX線を該ターゲツトにてつくり
出す手段と; ターゲツトの周りにある実質的に流体密にされ
た第1の密閉室と; 第1の密閉室内のガスの量を、従つてその圧力
を減少させて、その中の圧力を実質的に大気圧以
下に保持する減圧手段と; 前記第1の密閉室に隣接し、X線に対して高い
透過性を有するガスを他のガスを排除した状態で
含む実質的に流体密にされた第2の密閉室と;を
有し、 第1の密閉室の1つの壁は、X線を通過させる
に十分大きい開口で、該開口を通つて第1の密閉
室に入るガスの流入量が前記減圧手段が第1の密
閉室から排出するガスの量と多くても同じになる
程度に小さくされている開口を有し、 前記ターゲツトは、前記開口に十分近づけて配
置され、発生したX線の実質的な部分を前記開口
に向け同開口を通すように位置決めされており、 第2の密閉室の第1の壁は、X線に対して高い
透過性を有し第1の密閉室の壁に設けられた前記
開口に隣接して位置決めされたX線透過性部分を
有し、開口を通つたX線が該X線透過性部分を通
り同部分の反対側にある第2の密閉室の第2の壁
に向けて進むことができるようにしてあり、 第2の密閉室内の前記ガスは、少くとも第2の
壁の近くにおいて大気圧にほぼ等しい圧力に維持
されており、 第2の密閉室の第2の壁は、それに向けて進め
られたX線に対して高い透過性を有するX線透過
性部分を有し、それにより、該X線透過性部分に
隣接して第2の密閉室の外側に対象物を位置決め
することにより空気や他の望ましくない介在物に
よつてほとんど阻害されないX線を当該対象物に
照射するようにしたX線を対象物に照射する装
置。 2 一部を、前記開口を有する第1の密閉室の壁
の一部と共通にする内壁と、該内壁とほぼ平行で
前記開口及び前記第1の壁のX線透過性部分の間
でそれらに整合された第2の開口が設けられた外
壁とを有し、X線がこれら開口及びX線透過性部
分を通つて第2密閉室の第2壁に進めるようにし
てある、第1密閉室に隣接した実質的に流体密に
された中間室と;該中間室内のガスの量、従つて
その圧力を減じて当該中間室内の圧力を第1密閉
室の圧力及び第2の密閉室の圧力の間の値に維持
する第2の減圧手段と;を有し、前記外壁の第2
の開口は該開口を通つて中間室に入るガスの量が
第2減圧手段によつて中間室から排出されるガス
の量と多くても同じになる程度小さくされている
特許請求の範囲第1項記載の装置。 3 第1及び第2の密閉室間に設けられた少なく
とも1つの追加の中間室で、隣接する対の中間室
は開口を備える1つの共通壁の両側に配置され、
共通壁の開口は第1密閉室の壁に設けられた前記
開口及び第2密閉室の第1壁のX線透過性部分間
でそれらに整合されてなる追加の中間室と;各追
加の中間室のガスの量、従つてその圧力を減じ、
当該中間室内の圧力を隣接する室内の圧力の中間
の値に維持する手段と;を有し前記共通壁の開口
は該開口を通つて追加の中間室に入るガス量が当
該中間室から減圧手段が排出するガスの量と多く
ても同じになる程度小さくされている特許請求の
範囲第2項記載の装置。 4 各中間室内の圧力の値が、それに隣接する室
内の圧力の値の中間で対数的に維持される特許請
求の範囲第3項記載の装置。 5 前記中間室の前記共通壁間の間隔をそれらの
間でガスが流れるのを防ぐに十分な程度大きくし
た特許請求の範囲第3項記載の装置。 6 第1の中間室の内壁及び外壁間の間隔を約2
乃至10ミリ、第1の追加の中間室の前記共通壁間
の間隔を0.5乃至5ミリとした特許請求の範囲第
3項記載の装置。 7 更に追加の中間室の前記共通壁間の間隔を
0.1乃至2ミリとした特許請求の範囲第6項に記
載の装置。 8 前記開口を、そこを通つたX線が1乃至10゜
の頂角の円錐形となるようなサイズとした特許請
求の範囲第3項に記載の装置。 9 第2密閉室が軽量ガスドリフトチユーブから
なる特許請求の範囲第1項に記載の装置。 10 第2密閉室内のガスをヘリウム、水素若し
くは炭化水素とした特許請求の範囲第9項に記載
の装置。 11 第2密閉室内のガスをヘリウムとした特許
請求の範囲第9項に記載の装置。 12 第2密閉室内のガス圧を実質的に大気圧と
した特許請求の範囲第9項に記載の装置。 13 第2密閉室の第1の壁から第2の壁までの
距離を約0.5乃至5メートルとした特許請求の範
囲第9項に記載の装置。 14 第2密閉室の第1の壁のX線透過性部分を
薄いフオイル材から形成した特許請求の範囲第9
項に記載の装置。 15 第2密閉室の第2の壁のX線透過性部分も
薄いフオイル材から形成した特許請求の範囲第1
4項に記載の装置。 16 前記フオイル材がベリリウムまたは低Zブ
ラスチツク物質から成る特許請求の範囲第15項
に記載の装置。 17 フオイル材の厚みが約2乃至20ミクロンの
特許請求の範囲第16項記載の装置。 18 第2密閉室の第1の壁のX線透過性部分が
開口と、高いX線透過性のガスを少なくとも第1
の壁の開口を通つて第2密閉室から排出されるガ
スの速さで第2密閉室に供給し、それにより第2
密閉室内に他のガスが入るのを実質的に防止する
ガス供給手段とを有する特許請求の範囲第1項に
記載の装置。 19 第2密閉室に供給されるガスをヘリウム、
水素または炭化水素とした特許請求の範囲第18
項に記載の装置。 20 第2密閉室に供給されるガスをヘリウムと
した特許請求の範囲第18項に記載の装置。 21 第2密閉室内のガス圧が少くとも前記第2
壁のX線透過性部分の近くにおいて約0.9乃至1
気圧に維持された特許請求の範囲第18項に記載
の装置。 22 第2密閉室の第2壁のX線透過性部分が薄
いフオイル材から成る特許請求の範囲第21項に
記載の装置。 23 フオイル材が、ベリリウム若しくは低Zプ
ラスチツク材とした特許請求の範囲第22項に記
載の装置。 24 フオイル材の厚みを2乃至20ミクロンとし
た特許請求の範囲23項に記載の装置。 25 第2密閉室の第2壁のX線透過性部分が開
口を有し、第2密閉室内のガスを、該開口に沿つ
て通るガスカーテンにより若しくは第2壁に当接
され当該開口をカバーするように配置されたX線
を照射される対象物または該対象物に関連した部
材により、周囲の空気から実質的に分離するよう
にした特許請求の範囲第1項に記載の装置。 26 前記開口を通つたX線を受け、スペクトル
分解されたX線を、当該X線の照射される対象物
に隣接した前記第2の壁のX線透過性部分に向け
て指向されるよう位置決めされた第2密閉室内の
スペクトル拡散手段を有し、前記対象物が記録手
段を含む、物質のEXAFSデータを得るようにし
た特許請求の範囲第1項に記載の装置。 27 物質のサンプルをX線の光路に位置決めす
る手段を有する特許請求の範囲第26項に記載の
装置。 28 前記サンプルが第2密閉室内に位置決めさ
れるようにした特許請求の範囲第27項に記載の
装置。 29 前記サンプルが第2密閉室の外側で、前記
第2壁のX線透過性部分と記録手段との間に位置
決めされた特許請求の範囲第27項に記載の装
置。 30 前記エネルギ指向手段がレーザからのエネ
ルギをターゲツトに向ける手段を有している特許
請求の範囲第1項に記載の装置。 31 エネルギ指向手段が、エネルギをターゲツ
ト上の直径約1乃至200ミクロンの直径の点に集
束させる手段を有している特許請求の範囲第1項
に記載の装置。 32 第1密閉室の壁の開口が約0.2乃至2ミリ
の直径を有している特許請求の範囲第1項に記載
の装置。 33 第1密閉室の壁の開口とターゲツト上の前
記点との間の距離が約0.2乃至5センチである特
許請求の範囲第1項に記載の装置。 34 ターゲツトで作られたX線が概ね約0.3乃
至2KeVのエネルギを有している特許請求の範囲
第1項に記載の装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57109643A JPS58225636A (ja) | 1982-06-25 | 1982-06-25 | X線を対象物に照射する装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57109643A JPS58225636A (ja) | 1982-06-25 | 1982-06-25 | X線を対象物に照射する装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58225636A JPS58225636A (ja) | 1983-12-27 |
| JPH0354424B2 true JPH0354424B2 (ja) | 1991-08-20 |
Family
ID=14515477
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57109643A Granted JPS58225636A (ja) | 1982-06-25 | 1982-06-25 | X線を対象物に照射する装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58225636A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4692934A (en) * | 1984-11-08 | 1987-09-08 | Hampshire Instruments | X-ray lithography system |
| JP3480048B2 (ja) * | 1994-07-26 | 2003-12-15 | 株式会社ニコン | X線発生装置 |
| TW548524B (en) * | 2000-09-04 | 2003-08-21 | Asm Lithography Bv | Lithographic projection apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
| US6770895B2 (en) * | 2002-11-21 | 2004-08-03 | Asml Holding N.V. | Method and apparatus for isolating light source gas from main chamber gas in a lithography tool |
-
1982
- 1982-06-25 JP JP57109643A patent/JPS58225636A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58225636A (ja) | 1983-12-27 |
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