JPH0354425B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0354425B2 JPH0354425B2 JP57054812A JP5481282A JPH0354425B2 JP H0354425 B2 JPH0354425 B2 JP H0354425B2 JP 57054812 A JP57054812 A JP 57054812A JP 5481282 A JP5481282 A JP 5481282A JP H0354425 B2 JPH0354425 B2 JP H0354425B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- molybdenum
- tungsten
- substrate
- weight
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J35/00—X-ray tubes
- H01J35/02—Details
- H01J35/04—Electrodes ; Mutual position thereof; Constructional adaptations therefor
- H01J35/08—Anodes; Anti cathodes
- H01J35/10—Rotary anodes; Arrangements for rotating anodes; Cooling rotary anodes
- H01J35/108—Substrates for and bonding of emissive target, e.g. composite structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2235/00—X-ray tubes
- H01J2235/08—Targets (anodes) and X-ray converters
- H01J2235/083—Bonding or fixing with the support or substrate
- H01J2235/084—Target-substrate interlayers or structures, e.g. to control or prevent diffusion or improve adhesion
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2235/00—X-ray tubes
- H01J2235/08—Targets (anodes) and X-ray converters
- H01J2235/088—Laminated targets, e.g. plurality of emitting layers of unique or differing materials
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、タングステンを基礎とするターゲツ
ト層がモリブデン又はモリブデン合金の基板上に
化学蒸着（CVD）によつて堆積されるＸ線管用
陽極の製造方に関するものである。本発明は又か
くして得られる陽極に関するものである。
ト層がモリブデン又はモリブデン合金の基板上に
化学蒸着（CVD）によつて堆積されるＸ線管用
陽極の製造方に関するものである。本発明は又か
くして得られる陽極に関するものである。
陽極が、特に、健康診断のためのＸ線管用回転
陽極としてＸ線管に用いられる。
陽極としてＸ線管に用いられる。
フランス特許第2153765号明細書は上記の型の
陽極の製造方法を開示する。この先行技術によれ
ば、電子に対するタングステンターゲツト層がモ
リブデン基板上に設けられる。前記のタングステ
ン層は化学蒸着（CVD）によつて堆積される。
このターゲツト層と基板との間に、又CVDによ
つて障壁層が設けられる。
陽極の製造方法を開示する。この先行技術によれ
ば、電子に対するタングステンターゲツト層がモ
リブデン基板上に設けられる。前記のタングステ
ン層は化学蒸着（CVD）によつて堆積される。
このターゲツト層と基板との間に、又CVDによ
つて障壁層が設けられる。
本発明の目的は、先行技術の方法を改良し、そ
れによつてターゲツト層と基板との間に改良した
結合を得ることである。
れによつてターゲツト層と基板との間に改良した
結合を得ることである。
本発明による方法は、化学蒸着（CVD）によ
つて基板上に、次々に、次の層を被着させること
を特徴とする。
つて基板上に、次々に、次の層を被着させること
を特徴とする。
(a) モリブデン、又は95重量％よりも多いモリブ
デンを含むモリブデン合金の層１。
デンを含むモリブデン合金の層１。
(b) タングステン含量が層１に連続する側面にお
ける０−５重量％からの他方の側面における95
−100重量％まで変化するのに対して、モリブ
デンの含量が層１に連続する側面において95−
100重量％で他方の側面において０−５重量％
であるようにその組成が厚さ方向に変化するタ
ングステン−モリブデン合金の層２。
ける０−５重量％からの他方の側面における95
−100重量％まで変化するのに対して、モリブ
デンの含量が層１に連続する側面において95−
100重量％で他方の側面において０−５重量％
であるようにその組成が厚さ方向に変化するタ
ングステン−モリブデン合金の層２。
(c) タングステン又はタングステン合金から成る
層３。
層３。
その後、堆積したこれらの層を設けた基板を
1200−1700℃において10分〜６時間非酸化性雰囲
気にてアンニーリングする。層１と層２との使用
は、基板と層３との間の膨張係数の漸進的の遷移
（変化）をもたらす。これは、基板と層３との間
の改良した結合力をもたらす。この結合の一層の
改良は、２つの層から層３を形成することによつ
て得られる。すなわち、外側層３ｂと、層２及び
外側層３ｂの間の中間層３ａと、から層３を形成
する。これらの中間層３ａ及び外側層３ｂが作ら
れる材料の好適の選択が、膨張係数の一層の徐々
の変化をもたらす。
1200−1700℃において10分〜６時間非酸化性雰囲
気にてアンニーリングする。層１と層２との使用
は、基板と層３との間の膨張係数の漸進的の遷移
（変化）をもたらす。これは、基板と層３との間
の改良した結合力をもたらす。この結合の一層の
改良は、２つの層から層３を形成することによつ
て得られる。すなわち、外側層３ｂと、層２及び
外側層３ｂの間の中間層３ａと、から層３を形成
する。これらの中間層３ａ及び外側層３ｂが作ら
れる材料の好適の選択が、膨張係数の一層の徐々
の変化をもたらす。
徐々に変化する組成を有する中間層を、基板と
ターゲツト層との間に設けることにすでに考慮が
与えられている。ドイツ特許出願第2400717号は、
モリブデン基板上にタングステン−レニウム合金
を融合させることによつて、厚さ方向に変化する
モリブデン濃度を有する中間層が得られるという
方法を記載する。しかしながら、提案されたこの
方法は、実施するのが困難であり、いずれにして
も容易にくり返し再現することができない。量産
のためには、用いられる方法が再現性がなければ
ならない。
ターゲツト層との間に設けることにすでに考慮が
与えられている。ドイツ特許出願第2400717号は、
モリブデン基板上にタングステン−レニウム合金
を融合させることによつて、厚さ方向に変化する
モリブデン濃度を有する中間層が得られるという
方法を記載する。しかしながら、提案されたこの
方法は、実施するのが困難であり、いずれにして
も容易にくり返し再現することができない。量産
のためには、用いられる方法が再現性がなければ
ならない。
本発明による方法は、非常に簡単に再現できる
ように実施することができる。上述の層２を堆積
させる好適の方法は、例えば、ジエー・ジー・ド
ナルドソン等による「モリブデン−タングステン
の蒸着」（1973／74年）第435−446頁の電気堆積
及び表面処理、第２に記載されている。
ように実施することができる。上述の層２を堆積
させる好適の方法は、例えば、ジエー・ジー・ド
ナルドソン等による「モリブデン−タングステン
の蒸着」（1973／74年）第435−446頁の電気堆積
及び表面処理、第２に記載されている。
本発明を添附図面につき例によつてさらに説明
する。
する。
第１図は、基板Ｓと、この基板Ｓ上に堆積され
たターゲツト層Ｔとによつて形成された陽極Ａを
示す。この基板Ｓは、モリブデン、又は、例え
ば、TZM（0.5重量％のTi、0.07重量％のZr及び
0.03重量％のＣから成るモリブデン合金）のよう
なモリブデン合金から成る。代わりとしてターゲ
ツト層Ｔは、この基板Ｓの小部分又は大部分を被
覆する。これに代わつてこのターゲツトＴが、基
板Ｓを凹みをつけた底の部分に設けられる。
たターゲツト層Ｔとによつて形成された陽極Ａを
示す。この基板Ｓは、モリブデン、又は、例え
ば、TZM（0.5重量％のTi、0.07重量％のZr及び
0.03重量％のＣから成るモリブデン合金）のよう
なモリブデン合金から成る。代わりとしてターゲ
ツト層Ｔは、この基板Ｓの小部分又は大部分を被
覆する。これに代わつてこのターゲツトＴが、基
板Ｓを凹みをつけた底の部分に設けられる。
第２図に示すように、このターゲツト層Ｔは、
層１，２，３ａ及び３ｂから成る。層１は、モリ
ブデン、又は95重量％よりも多いモリブデンを含
むモリブデン合金から成る。層２は、徐々に変化
する組成を有するタングステン−モリブデン合金
から成る。層２は、層１に隣接する側において、
95−100重量％のモリブデンと０−５重量％のタ
ングステンとを含み、層２は、層３ａに隣接する
側において、95−100重量％のタングステンと０
−５重量％のモリブデンとを含む。層３ａが95−
100重量％のタングステンを含む層から成つてい
るのに対し、層３ｂは又はタングステン又はタン
グステン合金から成る。層３ｂの組成は、例え
ば、タングステンと、レニウム、タンタル、オス
ミウム、イリジウム、白金の元素及び類似の元素
の１種又は２種以上を有するタングステン合金と
のような、Ｘ線陽極用の先行技術のターゲツト層
の組成に相当する。
層１，２，３ａ及び３ｂから成る。層１は、モリ
ブデン、又は95重量％よりも多いモリブデンを含
むモリブデン合金から成る。層２は、徐々に変化
する組成を有するタングステン−モリブデン合金
から成る。層２は、層１に隣接する側において、
95−100重量％のモリブデンと０−５重量％のタ
ングステンとを含み、層２は、層３ａに隣接する
側において、95−100重量％のタングステンと０
−５重量％のモリブデンとを含む。層３ａが95−
100重量％のタングステンを含む層から成つてい
るのに対し、層３ｂは又はタングステン又はタン
グステン合金から成る。層３ｂの組成は、例え
ば、タングステンと、レニウム、タンタル、オス
ミウム、イリジウム、白金の元素及び類似の元素
の１種又は２種以上を有するタングステン合金と
のような、Ｘ線陽極用の先行技術のターゲツト層
の組成に相当する。
層１，２，３ａ及び３ｂはすべて、それ自体既
知であるCVD法によつて堆積される。これらの
層の堆積後、アンニーリングすなわち焼きなまし
作業が1200−1600℃の温度で10分〜６時間の間行
なわれる。このアンニーリング作業中は、異なつ
た層間の拡散が幾分起こり、それが又改良した結
合力をもたらす。場合によつては、ほんの一部分
の層だけを堆積させた後、このアンニーリング作
業を行なうことが可能である。
知であるCVD法によつて堆積される。これらの
層の堆積後、アンニーリングすなわち焼きなまし
作業が1200−1600℃の温度で10分〜６時間の間行
なわれる。このアンニーリング作業中は、異なつ
た層間の拡散が幾分起こり、それが又改良した結
合力をもたらす。場合によつては、ほんの一部分
の層だけを堆積させた後、このアンニーリング作
業を行なうことが可能である。
好ましくは、層１，２，３ａ及び３ｂは次の厚
さで堆積される。すなわち、層１は１−200μｍ、
好ましくは10−50μｍ、層２は１−300μｍ、好ま
しくは50−100μｍ、層３ａは10−500μｍ、好ま
しくは200−300μｍ、及び層３ｂは50−1000μｍ、
好ましくは200−300μｍである。
さで堆積される。すなわち、層１は１−200μｍ、
好ましくは10−50μｍ、層２は１−300μｍ、好ま
しくは50−100μｍ、層３ａは10−500μｍ、好ま
しくは200−300μｍ、及び層３ｂは50−1000μｍ、
好ましくは200−300μｍである。
本発明をさらに次の例について記載する。
例
モリブデン層を、TZM（0.5重量％のTi、0.07
重量％のZr、0.03重量％のＣを含むモリブデン合
金）から作られた好適の基板上に、CVDによつ
て20μｍの厚さをもつて先ず堆積させる（図面に
おける層１）。この基板が1000℃の温度に予熱さ
れる。このモリブデン層はM0F6として供給され
る。このM0F6や下に述べる弗化物は、H2によつ
て還元される。この還元工程中の条件は次の如く
である。すなわち、ガス圧は15ミリバール
（mbar）、温度は1000℃、H2の流速は0.5／分、
M0F6の流速は0.04／分である。ガスのこれら
の数は、すべての場合に対して１気圧及び室温
に換算されている。所望の層の厚さが得られるや
否や、M0F6の流速が徐々に０まで減され、徐々
に増加されるWF6の量は、50μｍの厚さの層２が
得られるように供給される（０／分から0.05
／分まで増加される）。しかしてこの層２にお
いては、モリブデンの濃度が100％から０％まで
減少し、タングステンの濃度が０％から100％ま
で増加する。WF6の原料送りは、250μｍの厚さ
を純タングステンの層３ａが得られるまで継続さ
れる。次いでWF6の供給が僅かに減少され、同
時にReF6が供給されるため４％のReを含む層３
ｂが堆積される。これは、層３ｂが250μｍの厚
さを持つまで継続される。
重量％のZr、0.03重量％のＣを含むモリブデン合
金）から作られた好適の基板上に、CVDによつ
て20μｍの厚さをもつて先ず堆積させる（図面に
おける層１）。この基板が1000℃の温度に予熱さ
れる。このモリブデン層はM0F6として供給され
る。このM0F6や下に述べる弗化物は、H2によつ
て還元される。この還元工程中の条件は次の如く
である。すなわち、ガス圧は15ミリバール
（mbar）、温度は1000℃、H2の流速は0.5／分、
M0F6の流速は0.04／分である。ガスのこれら
の数は、すべての場合に対して１気圧及び室温
に換算されている。所望の層の厚さが得られるや
否や、M0F6の流速が徐々に０まで減され、徐々
に増加されるWF6の量は、50μｍの厚さの層２が
得られるように供給される（０／分から0.05
／分まで増加される）。しかしてこの層２にお
いては、モリブデンの濃度が100％から０％まで
減少し、タングステンの濃度が０％から100％ま
で増加する。WF6の原料送りは、250μｍの厚さ
を純タングステンの層３ａが得られるまで継続さ
れる。次いでWF6の供給が僅かに減少され、同
時にReF6が供給されるため４％のReを含む層３
ｂが堆積される。これは、層３ｂが250μｍの厚
さを持つまで継続される。
表面に層１，２，３ａ及び３ｂを堆積した基板
は、最後に、非酸化性雰囲気中で1600℃で３時間
加熱される。このアンニーリング作業中に基板と
これらの層との間、及びそれぞれの層の間に拡散
が幾らか起こる。該拡散が個別の層と基板との間
の特有の結合を保証する。
は、最後に、非酸化性雰囲気中で1600℃で３時間
加熱される。このアンニーリング作業中に基板と
これらの層との間、及びそれぞれの層の間に拡散
が幾らか起こる。該拡散が個別の層と基板との間
の特有の結合を保証する。
以上要するに本発明はＸ線管用陽極とその製造
方法に関するものである。基板上に化学的蒸着
（蒸気堆積）によつて次々に数個の層が堆積され
る。これらの層の提案された組合わせ、すなわち
結合は、この基板に特有の結合をもたらす。この
結合は、モリブデン又はモリブデン合金の第１層
と、タングステン−モリブデン合金の第２層と、
さらに、タングステン又はタングステン合金の第
３層とから成る。この第２層の組成はその厚さに
わたつて変化する第２図。
方法に関するものである。基板上に化学的蒸着
（蒸気堆積）によつて次々に数個の層が堆積され
る。これらの層の提案された組合わせ、すなわち
結合は、この基板に特有の結合をもたらす。この
結合は、モリブデン又はモリブデン合金の第１層
と、タングステン−モリブデン合金の第２層と、
さらに、タングステン又はタングステン合金の第
３層とから成る。この第２層の組成はその厚さに
わたつて変化する第２図。
第１図は本発明の好適な一実施例による陽極を
通して切断して示す断面図であり、さらに、第２
図は第１図の丸で囲んだ部分の細部を示す。 １……層、２……層、３ａ……層、３ｂ……
層、Ａ……陽極、Ｓ……基板、Ｔ……ターゲツト
層。
通して切断して示す断面図であり、さらに、第２
図は第１図の丸で囲んだ部分の細部を示す。 １……層、２……層、３ａ……層、３ｂ……
層、Ａ……陽極、Ｓ……基板、Ｔ……ターゲツト
層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ モリブデン又はモリブデン合金の基板から形
成されるＸ線管用陽極において、 前記基板上に、 (a) モリブデン、又は95重量％よりも多いモリブ
デンを有するモリブデン合金の層１と、 (b) モリブデン含量が層１に相接触する側面にお
いて95−100重量％で他方の側面において０−
５重量％でありかつタングステン含量が同じ方
向において０−５重量％から95−100重量％ま
で変化するようにその組成が層を通しての厚さ
方向に変化するタングステン−モリブデン合金
の層２と、 (c) タングステン又はタングステン合金から成る
層３と、 をこの順に次々と堆積させて成ることを特徴とす
るＸ線管用陽極。 ２ タングステンを基礎とするターゲツト層を、
モリブデン又はモリブデン合金の基板上に化学蒸
着（CVD）によつて堆積させるＸ線管用陽極の
製造方法において、 (a) モリブデン、又は95重量％よりも多いモリブ
デンを含むモリブデン合金の層１と、 (b) 組成が厚み方向に変化するためタングステン
含量が層１に連続する側面における０−５重量
％から他方の側面における95−100重量％まで
変化するのに対して、モリブデン含量が層１に
連続する側面において95−100重量％で他方の
側面において０−５重量％であるタングステン
−モリブデン合金の層２と、 (c) タングステン又はタングステン合金から成る
層３とを、CVDによつて基板上に次々と堆積
させ、 その後に、堆積させたこれらの層を設けた基板
を1200−1700℃の温度において10分〜６時間非酸
化性雰囲気でアンニーリングすることを特徴とす
るＸ線管用陽極の製造方法。 ３ 層１が１−200μｍの厚みを持ち、層２が50
−100μｍの厚みを持ち、さらに層３が400−600μ
ｍの厚みを持つて堆積されることを特徴とする特
許請求の範囲第２項記載の方法。 ４ 層３が、タングステンから成る層３ａと、タ
ングステン又はタングステン合金の層３ｂとによ
つて形成されることを特徴とする特許請求の範囲
第２項又は第３項いずれかの記載の方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8101697A NL8101697A (nl) | 1981-04-07 | 1981-04-07 | Werkwijze voor het vervaardigen van een anode en zo verkregen anode. |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57176654A JPS57176654A (en) | 1982-10-30 |
| JPH0354425B2 true JPH0354425B2 (ja) | 1991-08-20 |
Family
ID=19837308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57054812A Granted JPS57176654A (en) | 1981-04-07 | 1982-04-03 | X-ray tube anode and method of producing same |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4461020A (ja) |
| EP (1) | EP0062380B1 (ja) |
| JP (1) | JPS57176654A (ja) |
| AT (1) | ATE13732T1 (ja) |
| DE (1) | DE3264013D1 (ja) |
| NL (1) | NL8101697A (ja) |
Families Citing this family (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL8402828A (nl) * | 1984-09-14 | 1986-04-01 | Philips Nv | Werkwijze voor de vervaardiging van een roentgendraaianode en roentgendraaianode vervaardigd volgens de werkwijze. |
| US4709655A (en) * | 1985-12-03 | 1987-12-01 | Varian Associates, Inc. | Chemical vapor deposition apparatus |
| US4796562A (en) * | 1985-12-03 | 1989-01-10 | Varian Associates, Inc. | Rapid thermal cvd apparatus |
| FR2625605A1 (fr) * | 1987-12-30 | 1989-07-07 | Thomson Cgr | Anode tournante pour tube a rayons x |
| EP0359865A1 (de) * | 1988-09-23 | 1990-03-28 | Siemens Aktiengesellschaft | Anodenteller für eine Drehanoden-Röntgenröhre |
| AT394643B (de) * | 1989-10-02 | 1992-05-25 | Plansee Metallwerk | Roentgenroehrenanode mit oxidbeschichtung |
| FR2655191A1 (fr) * | 1989-11-28 | 1991-05-31 | Genral Electric Cgr Sa | Anode pour tube a rayons x. |
| FR2655192A1 (fr) * | 1989-11-28 | 1991-05-31 | Gen Electric Cgr | Anode pour tube a rayons x a corps de base composite. |
| KR940007867B1 (ko) * | 1990-10-30 | 1994-08-26 | 가부시키가이샤 도시바 | 고온열처리용 지그 |
| JP3277226B2 (ja) * | 1992-07-03 | 2002-04-22 | 株式会社アライドマテリアル | Ｘ線管用回転陽極及びその製造方法 |
| ATE188312T1 (de) | 1994-03-28 | 2000-01-15 | Hitachi Ltd | Röntgenröhre und anodentarget dafür |
| DE19536917C2 (de) * | 1995-10-04 | 1999-07-22 | Geesthacht Gkss Forschung | Röntgenstrahlungsquelle |
| JP3052240B2 (ja) * | 1998-02-27 | 2000-06-12 | 東京タングステン株式会社 | Ｘ線管用回転陽極及びその製造方法 |
| US8243876B2 (en) | 2003-04-25 | 2012-08-14 | Rapiscan Systems, Inc. | X-ray scanners |
| GB0812864D0 (en) * | 2008-07-15 | 2008-08-20 | Cxr Ltd | Coolign anode |
| GB0525593D0 (en) | 2005-12-16 | 2006-01-25 | Cxr Ltd | X-ray tomography inspection systems |
| US10483077B2 (en) | 2003-04-25 | 2019-11-19 | Rapiscan Systems, Inc. | X-ray sources having reduced electron scattering |
| US7194066B2 (en) * | 2004-04-08 | 2007-03-20 | General Electric Company | Apparatus and method for light weight high performance target |
| US9046465B2 (en) | 2011-02-24 | 2015-06-02 | Rapiscan Systems, Inc. | Optimization of the source firing pattern for X-ray scanning systems |
| US20080081122A1 (en) * | 2006-10-03 | 2008-04-03 | H.C. Starck Inc. | Process for producing a rotary anode and the anode produced by such process |
| US20080118031A1 (en) * | 2006-11-17 | 2008-05-22 | H.C. Starck Inc. | Metallic alloy for X-ray target |
| US8036341B2 (en) * | 2008-08-14 | 2011-10-11 | Varian Medical Systems, Inc. | Stationary x-ray target and methods for manufacturing same |
| GB0901338D0 (en) | 2009-01-28 | 2009-03-11 | Cxr Ltd | X-Ray tube electron sources |
| DE102010043028C5 (de) | 2010-10-27 | 2014-08-21 | Bruker Axs Gmbh | Verfahren zur röntgendiffraktometrischen Analyse bei unterschiedlichen Wellenlängen ohne Wechsel der Röntgenquelle |
| FR3018081B1 (fr) | 2014-03-03 | 2020-04-17 | Acerde | Procede de reparation d'une anode pour l'emission de rayons x et anode reparee |
| US10692685B2 (en) * | 2016-06-30 | 2020-06-23 | General Electric Company | Multi-layer X-ray source target |
| EP3496128A1 (en) * | 2017-12-11 | 2019-06-12 | Koninklijke Philips N.V. | A rotary anode for an x-ray source |
| EP4386807A1 (de) * | 2022-12-13 | 2024-06-19 | Plansee SE | Röntgendrehanode mit zwei unterschiedlichen kornstrukturen im brennbahnbelag |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2153765A5 (ja) * | 1971-09-23 | 1973-05-04 | Cime Bocuze | |
| DE2212058A1 (de) * | 1972-03-13 | 1973-09-20 | Siemens Ag | Drehanode fuer roentgenroehren |
| NL158967B (nl) * | 1972-12-07 | 1978-12-15 | Philips Nv | Werkwijze voor de vervaardiging van een gelaagde roentgendraaianode, alsmede aldus verkregen gelaagde roentgendraaianode. |
| DD103525A1 (ja) * | 1973-03-21 | 1974-01-20 | ||
| DE2358691A1 (de) * | 1973-08-28 | 1975-03-06 | Hermsdorf Keramik Veb | Drehanode fuer roentgenroehren |
| DE2400717C3 (de) * | 1974-01-08 | 1979-10-31 | Vsesojuznyj Nautschno-Issledovatelskij I Proektnyj Institut Tugoplavkich Metallov, I Tvjerdych Splavov Vniits, Moskau | Röntgenröhrendrehanode und Verfahren zu deren Herstellung |
| US3936689A (en) * | 1974-01-10 | 1976-02-03 | Tatyana Anatolievna Birjukova | Rotary anode for power X-ray tubes and method of making same |
| US4227112A (en) * | 1978-11-20 | 1980-10-07 | The Machlett Laboratories, Inc. | Gradated target for X-ray tubes |
| DE2929136A1 (de) * | 1979-07-19 | 1981-02-05 | Philips Patentverwaltung | Drehanode fuer roentgenroehren |
| US4298816A (en) * | 1980-01-02 | 1981-11-03 | General Electric Company | Molybdenum substrate for high power density tungsten focal track X-ray targets |
-
1981
- 1981-04-07 NL NL8101697A patent/NL8101697A/nl not_active Application Discontinuation
-
1982
- 1982-03-08 US US06/355,634 patent/US4461020A/en not_active Expired - Fee Related
- 1982-03-31 EP EP82200391A patent/EP0062380B1/en not_active Expired
- 1982-03-31 AT AT82200391T patent/ATE13732T1/de not_active IP Right Cessation
- 1982-03-31 DE DE8282200391T patent/DE3264013D1/de not_active Expired
- 1982-04-03 JP JP57054812A patent/JPS57176654A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57176654A (en) | 1982-10-30 |
| EP0062380A1 (en) | 1982-10-13 |
| US4461020A (en) | 1984-07-17 |
| NL8101697A (nl) | 1982-11-01 |
| EP0062380B1 (en) | 1985-06-05 |
| ATE13732T1 (de) | 1985-06-15 |
| DE3264013D1 (en) | 1985-07-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0354425B2 (ja) | ||
| US4516255A (en) | Rotating anode for X-ray tubes | |
| US3890521A (en) | X-ray tube target and X-ray tubes utilising such a target | |
| US5122422A (en) | Composite body made of graphite and high-melting metal | |
| JPH08129980A (ja) | Ｘ線管用陽極 | |
| US5508118A (en) | Rotary anode for x-ray tube | |
| US4799250A (en) | Rotating anode with graphite for X-ray tube | |
| JPS59221947A (ja) | Ｘ線管 | |
| JPH0855595A (ja) | 液体金属滑り軸受けに用いられる滑り軸受け部分 | |
| JPH068500B2 (ja) | アルミナ被覆Ａ▲ｌ▼・Ａ▲ｌ▼合金部材の製造方法 | |
| US4700882A (en) | Composite rotary anode for X-ray tube and process for preparing the composite | |
| JP2950342B2 (ja) | Ｘ線回転アノード | |
| JPH0568812B2 (ja) | ||
| US5874015A (en) | Method for making a rhenium rocket nozzle | |
| JPH0719530B2 (ja) | 陰極線管 | |
| US4963394A (en) | Method for producing thin metal films by vapor-deposition | |
| JP2634157B2 (ja) | 空密熱圧封止を有する容器 | |
| JPS5944386B2 (ja) | 耐熱性金属薄膜の製造方法 | |
| JPS6139352A (ja) | Ｘ線管回転陽極とその製法 | |
| JP2791977B2 (ja) | Ｘ線管用回転陽極及びその製造方法 | |
| FR2716034A1 (fr) | Emetteurs thermoélectroniques d'électrons et procédés pour leur fabrication. | |
| JP2650638B2 (ja) | 陰極線管 | |
| JP2921853B2 (ja) | 保護層を有する銀部材の製造方法 | |
| JPH0971859A (ja) | 貴金属膜被覆高分子基体及びその製造方法 | |
| JPS598252A (ja) | Ｘ線管用回転ターゲットの製造法 |