JPH0354441B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0354441B2
JPH0354441B2 JP58223333A JP22333383A JPH0354441B2 JP H0354441 B2 JPH0354441 B2 JP H0354441B2 JP 58223333 A JP58223333 A JP 58223333A JP 22333383 A JP22333383 A JP 22333383A JP H0354441 B2 JPH0354441 B2 JP H0354441B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mol
voltage
current
life
amount
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP58223333A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS60116105A (en
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP58223333A priority Critical patent/JPS60116105A/en
Publication of JPS60116105A publication Critical patent/JPS60116105A/en
Publication of JPH0354441B2 publication Critical patent/JPH0354441B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

〔発明の技術分野〕 本発明は酸化亜鉛(ZnO)を主成分とする焼結
体からなる電圧電流非直線抵抗体に関し、特に直
流課電時の寿命特性に優れた電圧電流非直線抵抗
体に関する。 〔発明の技術的背景とその問題点〕 従来から各種の電圧電流非直線抵抗体(バリス
タ)が研究されているが、その中の一つにZnOを
主成分とした焼結体を用いたものがある。この
ZnOを主成分とした焼結体を用いたものにおいて
は、各種副成分を添加して所望の特性を得ること
が試みられている。 最近、直流送電の研究開発が行なわれている
が、交流送電の場合と異なり、非直線抵抗体には
常に一方向の電界が加わるため、非常に過酷な条
件となる。このような過酷な条件に耐え得る直流
寿命特性に優れた電圧電流非直線抵抗体は得られ
ていないのが現状である。例えば特開昭49−
119188号に示されているZnOにBi2O3、CoO、
Sb2O3、NiO、MnOを添加したもの、特公昭46−
19472号に示されているZnOにB、Biを添加した
もの、特公昭56−33842号に示されているZnOに
酸化硼素を含むガラスを添加したもの等が知られ
ているが、いずれも十分な特性は得られていな
い。例えば直流課電時の漏れ電流が時間とともに
増加し、熱暴走を生じてしまい、直流寿命特性に
劣るものであつた。 また近年送電の高圧化(UHV)が進むにつ
れ、要求される特性、例えば電圧電流非直線特
性、寿命特性等は過酷なものとなつてきている。 このように寿命特性、非直線性等の諸特性向上
の要求は年々大きくなつてきており、このような
要求を満足するため各所で研究が行なわれてい
る。 〔発明の目的〕 本発明は以上の点を考慮してなされたもので、
直流寿命特性に優れた電圧電流非直線抵抗体を提
供することを目的とする。さらに、電圧電流非直
線特性に優れた電圧電流非直線抵抗体を提供する
ことを目的とする。 〔発明の概要〕 本発明は酸化亜鉛を主成分とし、副成分として
ビスマス、コバルト、マンガン、アンチモン、ニ
ツケルがそれぞれBi2O3、Co2O3、MnO、Sb2O3
NiOに換算して、 Bi2O30.1〜5mol%、Co2O30.1〜5mol%、 MnO0.1〜5mol%、Sb2O30.1〜5mol%、 NiO0.1〜5mol% さらにアルミニウム、インジウム及びカリウム
から選ばれた少なくとも一種が、Al3+、In3+
Ga3+に換算して0.0001〜0.05mol%以下含有され
た基本組成分に対し、硼素がB2O3に換算して
0.001〜1wt%含有されるように硼素を含むガラス
を添加して焼結することを特徴とする電圧電流非
直線抵抗体の製造方法である。 上記のごとくBi2O3、Co2O3、MnO、Sb2O3
NiOにAl、In、Gaの少なくとも一種を含む基本
成分にBを含むガラスを加えた組成をとることに
より、直流寿命特性が大幅に向上する。また交流
印加時の寿命特性及び非直線特性にも優れてい
る。 本発明において、Bi2O3、Co2O3、MnO、
Sb2O3、NiOをそれぞれ0.1〜5mol%としたのは、
この範囲をはずれると、非直線特性、寿命特性が
劣化してしまうからである。 Al3+、In3+、Ga3+は、0.0001mol%〜0.05mol
%の範囲で効果を発揮する。Al3+等は微量の添
加で効果があらわれるが、特に0.0001mol%以上
の添加含有ですぐれた効果を奏する。また、あま
り多いとかえつて特性を劣化させてしまう。特に
非直線特性におけるAl3+等の含有の効果は大で
ある。ごく微量で特性向上の効果を得ることがで
きるため、硝酸塩等の水に易溶な化合物の水溶液
として混合添加することが好ましい。 この基本組成分に対しBを含むガラス添加する
ことにより、各特性が向上するが、特に直流寿命
が大幅に向上する。すなわち、基本組成分だけで
は直流課電時に漏れ電流が経時的に増加し、熱暴
走を生じ、直流用として用いることは不可能であ
るが、BをB2O3に換算して0.001〜1wt%含有さ
せることにより、漏れ電流の経時変化が少なくな
るため、直流寿命特性が飛躍的に向上する。
0.001wt%より少ないとB含有ガラスの添加の効
果が現われず、0.001wt%以上加えることにより
特に直流寿命特性が向上する。1wt%を超えると
かえつて直流寿命特性を劣化させるばかりか、交
流寿命、非直線特性まで劣化させることになる。
Al等含まない場合でも、B含有のガラスを加え
ることにより直流寿命をある程度改善することが
できるが、非直線特性が劣化するのみならず、放
電耐量の重大な低下をまねく。 電圧非直線抵抗体を電力用避雷器のごとき大き
なサージ吸収を目的とするものに利用するときは
特に単位体積あたりのエネルギー処理能力の優れ
ているものが要求される。 一般に電圧非直線抵抗体のエネルギー処理能力
を具体的な数値であらわすために2msの電流矩
形波を印加して単位体積あたりの矩形波放電耐量
を用いる。(試験方法については例えばJEC−
203P.43に記載されている) すなわち、放電耐量が小さい場合には、電圧非
直線抵抗体に大電流インパルスを印加すると沿面
閃絡または貫通破壊を起こし、サージ吸収という
本来の目的を果せず、ひいては避雷器等の性能を
も大きく低下させてしまう。 Al、In、Gaを含まない系ではこの放電耐量が
小さくなつてしまう。 〔発明の効果〕 以上説明したように本発明によれば、直流寿命
特性に優れた電圧電流非直線抵抗体を得ることが
できる。また本発明抵抗体は、非直線特性及び交
流寿命特性にも優れている。 従つて直流電圧送電用のサージ吸収体としての
避雷器に有効である。また交流送電用としても有
効である。特にUHV用として好適である。又、
直流用、交流用として両者を同一ラインで製造で
きるため、コスト低下等の製造上のメリツトも大
なるものである。また各特性に優れているため、
民生用の素子としても有効である。 〔発明の実施例〕 以下本発明の実施例を説明する。 ZnOに副成分としてBi2O3、Co2O3、MnO、
Sb2O3、NiO、Al(NO33・9H2O及びBを含むガ
ラスを所望の組成比で調合し混合の後、バインダ
ーとしてPVAを加え造粒し、円板状の板材に成
形した。この板材を乾燥した後1100〜1300℃2hr
程度の焼成の後両面研磨を施して、直径20mm厚さ
2mmの焼結体を形成した。なお用いたガラスを第
1表に示す。 この試料の両面にAl溶射により電極を設け電
極電流非直線抵抗体を形成し各種特性を測定し
た。この結果を第2表に示す。第2表には各組成
分で、本発明の範囲外のものについても比較例と
して示した。第2表において、電圧電流非直線特
性はV2KA/V1nA、寿命特性はL400で示す。また
B量はB2O3に換算して基本成分に対する重量比
で示した。 V2KA/V1nA=V(2KA電流通電時の電圧)/V(1mA電流
通電時の電圧) L400=I(400)/I(0) I(400)は周囲温度90℃とし、D.C.の場合は
0.75×V1nAの電圧を400時間印加し続けた後室温
で測定した漏れ電流であり、A.C.の場合は0.85×
V1nAの電圧を400時間印加し続けた後、室温で測
定した漏れ電流である。I(0)は初期値であり、
L400はI(400)とI(0)の比で表わした。なお
表中×印は400時間以内に熱暴走したことを示す。
又第2表中でガラス種類として第1表中に示した
No.を用いた。
[Technical Field of the Invention] The present invention relates to a voltage-current non-linear resistor made of a sintered body containing zinc oxide (ZnO) as a main component, and in particular to a voltage-current non-linear resistor that has excellent life characteristics when DC current is applied. . [Technical background of the invention and its problems] Various voltage-current non-linear resistors (varistors) have been researched in the past, and one of them uses a sintered body mainly composed of ZnO. There is. this
In products using sintered bodies containing ZnO as a main component, attempts have been made to obtain desired characteristics by adding various subcomponents. Recently, research and development on direct current power transmission has been carried out, but unlike in the case of alternating current power transmission, a unidirectional electric field is always applied to a nonlinear resistor, resulting in extremely harsh conditions. At present, a voltage-current nonlinear resistor with excellent DC life characteristics that can withstand such harsh conditions has not been obtained. For example, JP-A-49-
Bi 2 O 3 , CoO, ZnO shown in No. 119188
Added Sb 2 O 3 , NiO, MnO, Special Publication 1977-
19472, in which B and Bi are added, and ZnO, shown in Japanese Patent Publication No. 56-33842, in which glass containing boron oxide is added, etc., but both are sufficient. characteristics have not been obtained. For example, leakage current increases with time when direct current is applied, resulting in thermal runaway and poor direct current life characteristics. Furthermore, as power transmission has become increasingly high voltage (UHV) in recent years, the required characteristics, such as voltage-current nonlinear characteristics and life characteristics, have become more severe. As described above, the demand for improvements in various properties such as life characteristics and nonlinearity is increasing year by year, and research is being conducted in various places to satisfy these demands. [Object of the invention] The present invention has been made in consideration of the above points, and
The purpose of the present invention is to provide a voltage-current nonlinear resistor with excellent DC life characteristics. A further object of the present invention is to provide a voltage-current nonlinear resistor with excellent voltage-current nonlinear characteristics. [Summary of the Invention] The present invention uses zinc oxide as a main component, and bismuth, cobalt, manganese, antimony, and nickel as subcomponents, respectively Bi 2 O 3 , Co 2 O 3 , MnO, Sb 2 O 3 ,
In terms of NiO, Bi 2 O 3 0.1-5 mol%, Co 2 O 3 0.1-5 mol%, MnO 0.1-5 mol%, Sb 2 O 3 0.1-5 mol%, NiO 0.1-5 mol%, and aluminum, indium and potassium, at least one selected from Al 3+ , In 3+ ,
For the basic composition containing 0.0001 to 0.05 mol% or less in terms of Ga 3+ , boron is included in terms of B 2 O 3 .
This is a method for manufacturing a voltage/current nonlinear resistor, characterized in that glass containing boron is added and sintered so that the glass contains boron in an amount of 0.001 to 1 wt%. As mentioned above, Bi 2 O 3 , Co 2 O 3 , MnO, Sb 2 O 3 ,
By adopting a composition in which glass containing B is added to NiO as a basic component containing at least one of Al, In, and Ga, the DC life characteristics are significantly improved. It also has excellent life characteristics and nonlinear characteristics when AC is applied. In the present invention, Bi 2 O 3 , Co 2 O 3 , MnO,
Sb 2 O 3 and NiO were set at 0.1 to 5 mol% each because
This is because if it deviates from this range, the nonlinear characteristics and life characteristics will deteriorate. Al 3+ , In 3+ , Ga 3+ is 0.0001mol%~0.05mol
Effective within a range of %. Al 3+ etc. can be effective when added in a trace amount, but especially when added in an amount of 0.0001 mol % or more, excellent effects are achieved. Moreover, if there is too much of it, the characteristics will deteriorate on the contrary. In particular, the effect of containing Al 3+ etc. on nonlinear characteristics is significant. Since the effect of improving properties can be obtained with a very small amount, it is preferable to mix and add a compound easily soluble in water, such as a nitrate, as an aqueous solution. By adding glass containing B to this basic composition, various properties are improved, and in particular, the DC life is significantly improved. In other words, if only the basic composition is used, the leakage current will increase over time when DC voltage is applied, causing thermal runaway, and it is impossible to use it for DC applications . %, the change in leakage current over time is reduced, and the DC life characteristics are dramatically improved.
If the amount is less than 0.001 wt%, the effect of adding B-containing glass will not appear, and if it is added at 0.001 wt% or more, the DC life characteristics will be particularly improved. If it exceeds 1wt%, it not only deteriorates the DC life characteristics, but also deteriorates the AC life and non-linear characteristics.
Even in the case where Al etc. are not included, the DC life can be improved to some extent by adding B-containing glass, but this not only deteriorates the non-linear characteristics but also leads to a significant decrease in discharge capacity. When a voltage nonlinear resistor is used in a device intended to absorb large surges, such as a power surge arrester, it is particularly required to have an excellent energy handling capacity per unit volume. Generally, in order to express the energy handling capacity of a voltage nonlinear resistor with a specific numerical value, a 2 ms current rectangular wave is applied and the rectangular wave discharge capacity per unit volume is used. (For test methods, see JEC-
203P.43) In other words, if the discharge withstand capacity is small, applying a large current impulse to a voltage nonlinear resistor will cause creeping flash or through-breakage, and the original purpose of surge absorption will not be achieved. In addition, the performance of lightning arresters etc. will be greatly reduced. In a system that does not contain Al, In, or Ga, this discharge withstand capacity becomes small. [Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, a voltage-current nonlinear resistor with excellent DC life characteristics can be obtained. The resistor of the present invention also has excellent nonlinear characteristics and AC life characteristics. Therefore, it is effective as a lightning arrester as a surge absorber for DC voltage transmission. It is also effective for AC power transmission. It is particularly suitable for UHV applications. or,
Since both direct current and alternating current applications can be manufactured on the same line, there are great manufacturing advantages such as cost reduction. In addition, because it has excellent characteristics,
It is also effective as a consumer device. [Embodiments of the Invention] Examples of the present invention will be described below. Bi 2 O 3 , Co 2 O 3 , MnO,
Glass containing Sb 2 O 3 , NiO, Al(NO 3 ) 3.9H 2 O and B is prepared and mixed in the desired composition ratio, then PVA is added as a binder, granulated, and formed into a disc-shaped plate. did. After drying this plate material 1100~1300℃ 2 hours
After firing to a certain degree, both sides were polished to form a sintered body with a diameter of 20 mm and a thickness of 2 mm. The glasses used are shown in Table 1. Electrodes were provided on both sides of this sample by Al spraying to form an electrode current nonlinear resistor, and various characteristics were measured. The results are shown in Table 2. In Table 2, compositions outside the scope of the present invention are also shown as comparative examples. In Table 2, the voltage-current nonlinear characteristics are shown as V 2KA /V 1nA , and the life characteristics are shown as L 400 . Moreover, the amount of B was converted into B 2 O 3 and expressed as a weight ratio to the basic components. V 2KA /V 1nA = V (voltage when 2KA current is applied) / V (voltage when 1mA current is applied) L 400 = I (400) / I (0) I (400) is the ambient temperature of 90°C, and the DC If
This is the leakage current measured at room temperature after applying a voltage of 0.75×V 1nA for 400 hours, and in the case of AC, it is 0.85×
This is the leakage current measured at room temperature after applying a voltage of V 1nA for 400 hours. I(0) is the initial value,
L 400 was expressed as the ratio of I(400) and I(0). Note that the x mark in the table indicates that thermal runaway occurred within 400 hours.
In addition, the glass types shown in Table 1 in Table 2
No. was used.

【表】【table】

【表】【table】

【表】 第2表から明らかなように、本発明の実施例に
おいては、D.C.I(400)/I(0)が小さく直流寿
命に優れていることがわかる。また他の特性は、
交流寿命A.C.I(400)/I(0)、非直線性V2KA
V1nAもともに優れていることがわかる。 比較例(試料No.38,39)からも明らかなよう
に、ガラスの添加量が少ないとD.C.寿命に劣り、
また多すぎると、D.C.寿命に加えさらにA.C.寿
命、非直線性も劣化してしまう。 又、比較例(試料No.40,41)からも明らかなよ
うに、ガラスを適量に含有させた場合でも、Al
量が範囲外である場合は、非直線特性で大きく劣
り、特にAl量が多すぎる場合はA.C、D.C印加と
もに熱暴走を生じてしまう。またAlが少ない場
合は多い場合ほど顕著ではないが寿命特性に劣つ
ている。 さらにAl量が範囲外の場合は、放電耐量が大
幅に劣化する。第3表に試料No.16の組成系でAl
量を変えた時の放電耐量を示す。同じく第1図に
放電耐量特性図を示す。 第3表及び第1図からも明らかなように、本発
明の範囲では250J/cm3程度であるが、範囲外だと
200J/cm3以下程度と極度に劣る。
[Table] As is clear from Table 2, in the examples of the present invention, DCI(400)/I(0) is small and the DC life is excellent. Other characteristics are
AC life ACI(400)/I(0), nonlinearity V 2KA /
It can be seen that both V 1nA are also excellent. As is clear from the comparative examples (Samples No. 38 and 39), if the amount of glass added is small, the DC life will be inferior.
If it is too large, not only the DC life but also the AC life and nonlinearity will deteriorate. Furthermore, as is clear from the comparative examples (sample Nos. 40 and 41), even when a suitable amount of glass is contained, Al
If the amount is outside the range, the nonlinear characteristics will be greatly degraded, and especially if the amount of Al is too large, thermal runaway will occur in both AC and DC applications. Furthermore, when Al is low, the life characteristics are inferior, although this is not as noticeable as when Al is high. Furthermore, if the amount of Al is outside the range, the discharge withstand capacity will be significantly degraded. Table 3 shows Al in the composition system of sample No. 16.
Shows the discharge capacity when changing the amount. Similarly, FIG. 1 shows a discharge withstand characteristic diagram. As is clear from Table 3 and Figure 1, it is about 250J/ cm3 within the scope of the present invention, but if it is outside the range.
Extremely poor, at around 200J/cm3 or less .

【表】 Alと同様の効果をIn、Gaでも得ることができ
た。その結果を第4表に示す。製法は前述と同様
である。
[Table] The same effect as Al could be obtained with In and Ga. The results are shown in Table 4. The manufacturing method is the same as described above.

【表】【table】

【表】 第4表から明らかなように、In、GaもAlと同
様であり、Bを含むガラスを添加含有させること
により、特にD.C寿命に優れたバリスタと得るこ
とができる。 本発明による電圧電流非直線抵抗体中のBi2O3
について、結晶構造を検討したところ、α相(斜
方晶系)が生じていた。このα相は温度、組成等
の製造条件でその全Bi2O3中の比率が変化する。
このα相の比率による特性の変化を調べたところ
全Si2O3量中のα相量(Rα)が10%以上、さらに
好ましくは30%以上特に50%以上であれば、直流
寿命特性に優れていることが判明した。この傾向
は本発明における組成範囲では同じであり、
Al3+、In3+、Ga3+いずれも同様であつた。しか
しながら基本成分が異なる場合は、α相は生じな
かつた。例えば、ZnO−Bi2O3−Co2O3−MnO−
NiO−Sb2O3にCr2O3及びSiO2を加えた基本成分
にB2O3を添加含有させてもα相は生じなかつた
し、又、非直線性、寿命特性とも改善はされなか
つた。 またこのα相は熱処理によつて他の相に変化し
てしまう。よつてこの結晶相を変化させる程度の
加熱を含む工程を加えないことが望ましい。 特に直流印加の場合、Rα10でL400が改善さ
れ、Rα30特にRα50でほぼ一定の値に落ち着
く。Rαが小さいと、熱暴走を生じてしまう。B
含有ガラスの添加がない場合はRα=0であり、
B含有ガラスの添加によりα相が生じはじめる。 第5表に前述の試料中のα相量と特性の関係を
示す。 α相量は、以下に示すRαで規定した。 Rα≡I(α)/I(α)+I(β)+I(γ)+I(
δ)×100 (I(α):X線回折による最高強度 I(β): 〃 I(γ): 〃 I(δ): 〃 α(斜方晶系)、β(正方晶系)γ(体心立方晶
系)、δ(面心立方晶系))
[Table] As is clear from Table 4, In and Ga are similar to Al, and by adding glass containing B, a varistor with particularly excellent DC life can be obtained. Bi 2 O 3 in voltage-current nonlinear resistor according to the invention
When we examined the crystal structure of this material, we found that an α phase (orthorhombic system) was formed. The ratio of this α phase in the total Bi 2 O 3 changes depending on manufacturing conditions such as temperature and composition.
We investigated the change in characteristics depending on the ratio of α phase and found that if the amount of α phase (Rα) in the total amount of Si 2 O 3 is 10% or more, more preferably 30% or more, especially 50% or more, the DC life characteristics will be affected. It turned out to be excellent. This tendency is the same in the composition range of the present invention,
The same was true for Al 3+ , In 3+ , and Ga 3+ . However, when the basic components were different, the α phase did not occur. For example, ZnO−Bi 2 O 3 −Co 2 O 3 −MnO−
Even when B 2 O 3 was added to the basic component of NiO−Sb 2 O 3 plus Cr 2 O 3 and SiO 2 , α phase did not occur, and neither nonlinearity nor life characteristics were improved. Nakatsuta. Moreover, this α phase changes into another phase by heat treatment. Therefore, it is desirable not to add a process that includes heating to an extent that changes this crystal phase. Particularly in the case of DC application, L 400 is improved at Rα10, and settles to a nearly constant value at Rα30, especially Rα50. If Rα is small, thermal runaway will occur. B
When no glass is added, Rα=0,
With the addition of B-containing glass, an α phase begins to form. Table 5 shows the relationship between the amount of α phase in the sample and the properties. The amount of α phase was defined by Rα shown below. Rα≡I(α)/I(α)+I(β)+I(γ)+I(
δ)×100 (I(α): Maximum intensity by X-ray diffraction I(β): 〃 I(γ): 〃 I(δ): 〃 α (orthorhombic system), β (tetragonal system) γ( body-centered cubic system), δ (face-centered cubic system))

【表】 同様にRαの変化によるA.C.L400(破線)、D.
CL400(実線)の変化を第2図に示す。同図からも
明らかなように、Rαが10未満の領域ではD.C.印
加時には熱暴走を生じてしまう。Rα30程度で
A.C.L400が安定し、Rα50程度でD.C.L400も安定
する。
[Table] Similarly, ACL 400 due to changes in Rα (dashed line), D.
Figure 2 shows the change in CL 400 (solid line). As is clear from the figure, thermal runaway occurs when DC is applied in a region where Rα is less than 10. At about Rα30
ACL 400 is stable, and DCL 400 is also stable at around Rα50.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図及び第2図は特性曲線図。 Figures 1 and 2 are characteristic curve diagrams.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 酸化亜鉛を主成分とし、副成分としてビスマ
ス、コバルト、マンガン、アンチモン、ニツケル
がそれぞれBi2O3、Co2O3、MnO、Sb2O3、NiO
に換算して、 Bi2O30.1〜5mol%、Co2O30.1〜5mol%、 MnO0.1〜5mol%、Sb2O30.1〜5mol%、 NiO0.1〜5mol% さらにアルミニウム、インジウム及びガリウム
から選ばれた少なくとも一種がAl3+、In3+
Ga3+に換算して0.0001〜0.05mol%含有された基
本成分に対し、硼素がB2O3に換算して0.001〜
1wt%含有されるように硼素を含むガラスを添加
して焼結することを特徴とする電圧電流非直線抵
抗体の製造方法。
[Claims] 1 Main component is zinc oxide, and subcomponents are bismuth, cobalt, manganese, antimony, and nickel, respectively Bi 2 O 3 , Co 2 O 3 , MnO, Sb 2 O 3 , and NiO
In terms of, Bi 2 O 3 0.1-5 mol%, Co 2 O 3 0.1-5 mol%, MnO 0.1-5 mol%, Sb 2 O 3 0.1-5 mol%, NiO 0.1-5 mol%, and further aluminum, indium and At least one selected from gallium is Al 3+ , In 3+ ,
While the basic component contains 0.0001 to 0.05 mol% in terms of Ga 3+ , boron contains 0.001 to 0.001 in terms of B 2 O 3 .
A method for manufacturing a voltage/current nonlinear resistor, which comprises adding glass containing boron to a content of 1 wt% and sintering the glass.
JP58223333A 1983-11-29 1983-11-29 Voltage/current nonlinear resistor Granted JPS60116105A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58223333A JPS60116105A (en) 1983-11-29 1983-11-29 Voltage/current nonlinear resistor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58223333A JPS60116105A (en) 1983-11-29 1983-11-29 Voltage/current nonlinear resistor

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS60116105A JPS60116105A (en) 1985-06-22
JPH0354441B2 true JPH0354441B2 (en) 1991-08-20

Family

ID=16796508

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58223333A Granted JPS60116105A (en) 1983-11-29 1983-11-29 Voltage/current nonlinear resistor

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS60116105A (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62177901A (en) * 1986-01-31 1987-08-04 株式会社東芝 Manufacture of nonlinear resistance element
JP2008162820A (en) * 2006-12-27 2008-07-17 Mitsubishi Electric Corp Voltage nonlinear resistor and manufacturing method thereof

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5633842B2 (en) * 1972-08-23 1981-08-06
JPS49119188A (en) * 1973-03-20 1974-11-14
JPS5812306A (en) * 1981-07-16 1983-01-24 株式会社東芝 Oxide voltage nonlinear resistor
JPS6074404A (en) * 1983-09-30 1985-04-26 株式会社東芝 Voltage/current nonlinear resistor

Also Published As

Publication number Publication date
JPS60116105A (en) 1985-06-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH11340009A (en) Non-linear resistor
JPH0136684B2 (en)
US5039971A (en) Voltage non-linear type resistors
JPH0354441B2 (en)
JPH0425681B2 (en)
JPS5811084B2 (en) Voltage nonlinear resistor
JPH04245602A (en) Nonlinearly voltage-dependent resistor
JPH0223008B2 (en)
EP2144256B1 (en) Current/voltage nonlinear resistor
JPS6221242B2 (en)
JPH0576761B2 (en)
JPS6113603A (en) Voltage nonlinear resistor
JP2003007512A (en) Nonlinear resistor element
JPH05234716A (en) Zinc oxide varistor
JPS634681B2 (en)
JPS6236615B2 (en)
JPH04245601A (en) Nonlinearly voltage-dependent resistor
JP2533597B2 (en) Method of manufacturing voltage non-linear resistor
JPH04290202A (en) Manufacture of voltage dependent nonlinear resistor
JPS6115303A (en) Method of producing oxide voltage nonlinear resistor
JPS63132401A (en) Manufacture of voltage nonlinear resistor
JPH0580802B2 (en)
JPS6113602A (en) Voltage current nonlinear resistor
JP2002305105A (en) Method for manufacturing voltage non-linear resistor
JPH0817123B2 (en) Method of manufacturing voltage non-linear resistor