JPH0354457B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0354457B2 JPH0354457B2 JP58222644A JP22264483A JPH0354457B2 JP H0354457 B2 JPH0354457 B2 JP H0354457B2 JP 58222644 A JP58222644 A JP 58222644A JP 22264483 A JP22264483 A JP 22264483A JP H0354457 B2 JPH0354457 B2 JP H0354457B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- internal electrode
- gas
- chamber
- etching
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、半導体集積回路等の製造に用いら
れるドライエツチング装置の改良に関するもので
ある。
れるドライエツチング装置の改良に関するもので
ある。
従来のドライエツチング装置としては第１図、
第２図に示すものがあつた。この図において、１
は外側電極を兼ねるチヤンバー、２は真空排気
口、３は内部試料保持機構を兼ねる内部電極、４
は前記内部電極３とチヤンバー１を保持するベー
スプレート（台板）、５は試料、６は前記チヤン
バー１とベースプレート４との間の真空シール用
Ｏリング、７は前記チヤンバー１内に設けられた
ガス導入パイプ、８は高周波電源である。
第２図に示すものがあつた。この図において、１
は外側電極を兼ねるチヤンバー、２は真空排気
口、３は内部試料保持機構を兼ねる内部電極、４
は前記内部電極３とチヤンバー１を保持するベー
スプレート（台板）、５は試料、６は前記チヤン
バー１とベースプレート４との間の真空シール用
Ｏリング、７は前記チヤンバー１内に設けられた
ガス導入パイプ、８は高周波電源である。
ここで、内部電極３は通常多角型の柱状をして
おり、その多面体面３ａに試料５が保持されるよ
うに配置される。チヤンバー１は内部電極３を取
り囲むように位置した、例えば円筒型をしてい
る。
おり、その多面体面３ａに試料５が保持されるよ
うに配置される。チヤンバー１は内部電極３を取
り囲むように位置した、例えば円筒型をしてい
る。
次に、動作について説明する。
真空排気口２より真空ポンプ（図示せず）等に
より排気しつつガス導入パイプ７のガス導入口よ
りエツチングガスをチヤンバー１内に導入し、チ
ヤンバー１内を低圧（100〜10-3Torr程度）に保
ち、高周波電源８により内部電極３に高周波電力
を印加し、接地されたチヤンバー１との間で高周
波によるプラズマを発生させ、内部電極３に設置
した試料５をエツチングする。ここで、内部電極
３は試料５の数を増すため多角型の柱状をしてお
り、軸方向のプラズマの分布ひいてはエツチング
レートの分布を均一に保持するため、ガス導入口
の形状に種々の工夫がなされている。しかしなが
らエツチングの特性、例えば被エツチング材とマ
スク材とのエツチング選択性、または複数の被エ
ツチング材どうしのエツチング選択性の精密コン
トロールを行おとしてガス圧力、流量を変えると
き、ガス導入口の形状が固定されているため最適
なプラズマの分布を得ることが困難である。ま
た、さらに試料５の処理数を上げるため軸方向に
長大な形状のチヤンバー１、内部電極３のレイア
ウト設計を行うとき、上記の問題はさらに大きく
なる。
より排気しつつガス導入パイプ７のガス導入口よ
りエツチングガスをチヤンバー１内に導入し、チ
ヤンバー１内を低圧（100〜10-3Torr程度）に保
ち、高周波電源８により内部電極３に高周波電力
を印加し、接地されたチヤンバー１との間で高周
波によるプラズマを発生させ、内部電極３に設置
した試料５をエツチングする。ここで、内部電極
３は試料５の数を増すため多角型の柱状をしてお
り、軸方向のプラズマの分布ひいてはエツチング
レートの分布を均一に保持するため、ガス導入口
の形状に種々の工夫がなされている。しかしなが
らエツチングの特性、例えば被エツチング材とマ
スク材とのエツチング選択性、または複数の被エ
ツチング材どうしのエツチング選択性の精密コン
トロールを行おとしてガス圧力、流量を変えると
き、ガス導入口の形状が固定されているため最適
なプラズマの分布を得ることが困難である。ま
た、さらに試料５の処理数を上げるため軸方向に
長大な形状のチヤンバー１、内部電極３のレイア
ウト設計を行うとき、上記の問題はさらに大きく
なる。
この発明は、上記のような従来のものの欠点を
除去するためになされたもので、チヤンバー内部
に内部電極を囲み、上下（軸方向）に可動するガ
ス導入口を設け、プラズマの分布を任意に可変で
きるようにして、エツチング特性の均一化を図る
ことができる精密なプラズマエツチング装置を提
供することを目的としている。以下、この発明の
一実施例を図面を用いて説明する。
除去するためになされたもので、チヤンバー内部
に内部電極を囲み、上下（軸方向）に可動するガ
ス導入口を設け、プラズマの分布を任意に可変で
きるようにして、エツチング特性の均一化を図る
ことができる精密なプラズマエツチング装置を提
供することを目的としている。以下、この発明の
一実施例を図面を用いて説明する。
第３図、第４図はこの発明の一実施例を示すプ
ラズマエツチング装置の縦断面図および平断面図
である。これらの図において、１〜８は第１図、
第２図において説明したものと同一であり、９は
前記内部電極３を囲むように配置したガス導入リ
ングである。このガス導入リング９は、チヤンバ
ー１の外部より真空シール部を介して上下（軸方
向）に可動できるリング状に形成されており、か
つ、図示のように多数のガス噴出穴９ａを有して
いる。このガス導入リング９の近傍のガス密度は
高く、プラズマ状態でのプラズマ密度、組成が他
の領域と異なつている。したがつて、このガス導
入リング９の位置を可変することにより、内部電
極３、チヤンバー１内のプラズマ密度を任意に変
えることが可能となる。
ラズマエツチング装置の縦断面図および平断面図
である。これらの図において、１〜８は第１図、
第２図において説明したものと同一であり、９は
前記内部電極３を囲むように配置したガス導入リ
ングである。このガス導入リング９は、チヤンバ
ー１の外部より真空シール部を介して上下（軸方
向）に可動できるリング状に形成されており、か
つ、図示のように多数のガス噴出穴９ａを有して
いる。このガス導入リング９の近傍のガス密度は
高く、プラズマ状態でのプラズマ密度、組成が他
の領域と異なつている。したがつて、このガス導
入リング９の位置を可変することにより、内部電
極３、チヤンバー１内のプラズマ密度を任意に変
えることが可能となる。
この発明の実施例では、あらかじめガス導入リ
ング９を用いない場合のエツチング速度の分布を
測定しておき、第５図のようなベースプレート４
からの距離が高い位置、すなわち、上部の方がエ
ツチング速度の分布が高く、下部の方が低い分布
であることを確認しており、ガス導入リング９を
用いる場合のリング近傍のエツチングレートは、
他の領域より５割程度高いことも実験的に確認し
ているので、下部に集中するようにエツチング時
間中、上部領域から下部領域への移動速度を上部
で速く、下部で遅いように、ガス導入リング９を
移動させることにより第６図のように軸方向エツ
チング量の均一化を図ることができる。これによ
れば平均エツチング速度は上部では減少し、下部
では増加することになる。
ング９を用いない場合のエツチング速度の分布を
測定しておき、第５図のようなベースプレート４
からの距離が高い位置、すなわち、上部の方がエ
ツチング速度の分布が高く、下部の方が低い分布
であることを確認しており、ガス導入リング９を
用いる場合のリング近傍のエツチングレートは、
他の領域より５割程度高いことも実験的に確認し
ているので、下部に集中するようにエツチング時
間中、上部領域から下部領域への移動速度を上部
で速く、下部で遅いように、ガス導入リング９を
移動させることにより第６図のように軸方向エツ
チング量の均一化を図ることができる。これによ
れば平均エツチング速度は上部では減少し、下部
では増加することになる。
また、この発明の他の実施例においては、ガス
導入リング９を下部のエツチング速度の低い領域
に移動して固定し、その近傍のエツチング速度を
増大させることによつて均一化を図つた結果、こ
れも同様の効果をもたらした。
導入リング９を下部のエツチング速度の低い領域
に移動して固定し、その近傍のエツチング速度を
増大させることによつて均一化を図つた結果、こ
れも同様の効果をもたらした。
以上説明したように、この発明は、内部電極を
同軸状に取り囲み、円周上に多数のガス噴出穴が
形成されたガス導入リンクを前記内部電極の軸方
向に移動自在に設けたので、柱状の内部電極の軸
方向のプラズマ密度の分布を均一化することがで
きるので、チヤンバー内のエツチングの均一化を
図ることができ、内部電極に保持された多数の試
料のエツチングを均一に行うことができる効果が
ある。
同軸状に取り囲み、円周上に多数のガス噴出穴が
形成されたガス導入リンクを前記内部電極の軸方
向に移動自在に設けたので、柱状の内部電極の軸
方向のプラズマ密度の分布を均一化することがで
きるので、チヤンバー内のエツチングの均一化を
図ることができ、内部電極に保持された多数の試
料のエツチングを均一に行うことができる効果が
ある。
第１図は従来のプラズマエツチング装置を示す
断面図、第２図は第１図の横断面図、第３図はこ
の発明の一実施例を示すプラズマエツチング装置
の断面図、第４図は第３図の横断面図、第５図は
従来装置によるエツチング速度の分布を示すエツ
チング特性図、第６図は第３図の装置によるエツ
チング速度の分布を示すエツチング特性図であ
る。 図中、１はチヤンバー、２は真空排気口、３は
内部電極、４はベースプレート、５は試料、６は
Ｏリング、７はガス導入パイプ、８は高周波電
源、９はガス導入リング、９ａはガス噴出穴であ
る。なお、図中の同一符号は同一または相当部分
を示す。
断面図、第２図は第１図の横断面図、第３図はこ
の発明の一実施例を示すプラズマエツチング装置
の断面図、第４図は第３図の横断面図、第５図は
従来装置によるエツチング速度の分布を示すエツ
チング特性図、第６図は第３図の装置によるエツ
チング速度の分布を示すエツチング特性図であ
る。 図中、１はチヤンバー、２は真空排気口、３は
内部電極、４はベースプレート、５は試料、６は
Ｏリング、７はガス導入パイプ、８は高周波電
源、９はガス導入リング、９ａはガス噴出穴であ
る。なお、図中の同一符号は同一または相当部分
を示す。
Claims (1)
- １ 試料を保持する内部電極をチヤンバーを兼ね
る外側電極で密封し、前記チヤンバー内を所要の
圧力に真空排気するとともに、エツチングガスを
前記外側電極の内面の上下方向に沿つて配置され
た複数本のガス導入パイプにより導入し、前記内
部電極と外側電極との間でプラズマ放電を発生さ
せ、前記内部電極に保持された複数の試料をエツ
チングするプラズマエツチング装置において、前
記内部電極を同軸状に取り囲み円周上に多数のガ
ス噴出穴が形成されたガス導入リングを前記内部
電極の軸方向に移動自在に設けたことを特徴とす
るプラズマエツチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58222644A JPS60126833A (ja) | 1983-11-24 | 1983-11-24 | プラズマエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58222644A JPS60126833A (ja) | 1983-11-24 | 1983-11-24 | プラズマエツチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60126833A JPS60126833A (ja) | 1985-07-06 |
| JPH0354457B2 true JPH0354457B2 (ja) | 1991-08-20 |
Family
ID=16785678
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58222644A Granted JPS60126833A (ja) | 1983-11-24 | 1983-11-24 | プラズマエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60126833A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62241336A (ja) * | 1986-04-11 | 1987-10-22 | Nec Kyushu Ltd | プラズマエツチング装置 |
| JP2832724B2 (ja) * | 1989-06-16 | 1998-12-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体処理装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52127761A (en) * | 1976-04-19 | 1977-10-26 | Fujitsu Ltd | Gas plasma etching unit |
| JPS5358761A (en) * | 1976-11-08 | 1978-05-26 | Sony Corp | Vapor phase growth apparatus |
-
1983
- 1983-11-24 JP JP58222644A patent/JPS60126833A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60126833A (ja) | 1985-07-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4358686A (en) | Plasma reaction device | |
| US7255773B2 (en) | Plasma processing apparatus and evacuation ring | |
| JP3468446B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| US4512841A (en) | RF Coupling techniques | |
| JP3242166B2 (ja) | エッチング装置 | |
| KR100554645B1 (ko) | 처리 장치, 및 가스 방전 억제 부재 | |
| JP2748886B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| US6916401B2 (en) | Adjustable segmented electrode apparatus and method | |
| KR20010089689A (ko) | 플라즈마 리액터 내의 천공된 플라즈마 한정 링 | |
| JP2002246368A (ja) | ウェハー表面径方向均一プラズマを用いるウェハー処理システム | |
| JPH07142449A (ja) | プラズマエッチング装置 | |
| JP2000058518A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP3050716B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH0359573B2 (ja) | ||
| US4352974A (en) | Plasma etcher having isotropic subchamber with gas outlet for producing uniform etching | |
| JPH0473289B2 (ja) | ||
| JPH0423429A (ja) | 半導体装置のプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
| JPS6345468B2 (ja) | ||
| JPH0452611B2 (ja) | ||
| JPH0354457B2 (ja) | ||
| JPH02106925A (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JP2978857B2 (ja) | プラズマエッチング装置 | |
| JPS6234834B2 (ja) | ||
| US6551520B1 (en) | Exhausting method and means in a dry etching apparatus | |
| US6123805A (en) | Discharge electrode and process chamber of dry etching facility for manufacturing semiconductor devices |