JPH0354850B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0354850B2 JPH0354850B2 JP17668084A JP17668084A JPH0354850B2 JP H0354850 B2 JPH0354850 B2 JP H0354850B2 JP 17668084 A JP17668084 A JP 17668084A JP 17668084 A JP17668084 A JP 17668084A JP H0354850 B2 JPH0354850 B2 JP H0354850B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure
- vacuum container
- discharge
- processing
- predetermined
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 5
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、プラズマ処理方法に係り、特にプラ
ズマを利用して試料をエツチング処理並びに成膜
処理するのに好適なプラズマ処理方法に関するも
のである。
ズマを利用して試料をエツチング処理並びに成膜
処理するのに好適なプラズマ処理方法に関するも
のである。
プラズマを利用して試料をエツチング処理並び
に成膜処理するプラズマ処理方法としては、真空
容器内を真空排気装置により所定圧力まで減圧排
気し、減圧排気された真空容器内に処理ガスを所
定流量で導入すると共に真空容器内の圧力を所定
の処理圧力に厳密に調節し、その後、放電を開始
して処理ガスをプラズマ化し、このプラズマを利
用して試料をエツチング処理又は成膜処理する方
法が知られている。（特公昭56−5060号公報、特
開昭57−27914号公報、特開昭57−145321号公報、
特開昭57−211613号公報、特開昭58−173826号公
報） このようなプラズマ処理方法では、真空容器内
の圧力が厳密調節が必要な所定の処理圧力に調節
された後に放電を開始するようにされているた
め、真空容器内への処理ガスの導入開始から放電
開始までに要する時間が長くかかり、スループツ
ト（処理試料個数／処理時間）の向上を阻害する
という問題がある。
に成膜処理するプラズマ処理方法としては、真空
容器内を真空排気装置により所定圧力まで減圧排
気し、減圧排気された真空容器内に処理ガスを所
定流量で導入すると共に真空容器内の圧力を所定
の処理圧力に厳密に調節し、その後、放電を開始
して処理ガスをプラズマ化し、このプラズマを利
用して試料をエツチング処理又は成膜処理する方
法が知られている。（特公昭56−5060号公報、特
開昭57−27914号公報、特開昭57−145321号公報、
特開昭57−211613号公報、特開昭58−173826号公
報） このようなプラズマ処理方法では、真空容器内
の圧力が厳密調節が必要な所定の処理圧力に調節
された後に放電を開始するようにされているた
め、真空容器内への処理ガスの導入開始から放電
開始までに要する時間が長くかかり、スループツ
ト（処理試料個数／処理時間）の向上を阻害する
という問題がある。
本発明の目的は、真空容器内への処理ガスの導
入開始から放電開始までに要する時間を短縮して
スループツトを向上できるプラズマ処理方法を提
供することにある。
入開始から放電開始までに要する時間を短縮して
スループツトを向上できるプラズマ処理方法を提
供することにある。
本発明は、真空容器内でプラズマを利用して試
料を処理する方法において、真空容器内を減圧排
気した後、処理ガスを導入し、真空容器内の圧力
が、放電による真空容器内の圧力上昇分に応じて
所定の処理圧力以下に設定された圧力に達した時
点で放電を開始し、該放電により圧力上昇した真
空容器内の圧力を調整して所定の処理圧力に維持
することを特徴とするもので、真空容器内の圧力
を厳密調節が必要な所定の処理圧力に調節した後
に放電を開始することなく、真空容器内の圧力が
放電による圧力上昇分に応じて所定の処理圧力以
下に設定された圧力に達した時点で放電を開始し
該放電を利用して真空容器内の圧力を所定の処理
圧力に調整し維持することで、真空容器内への処
理ガスの導入開始から放電開始までに要する時間
を短縮してスループツトを向上させるようにする
ものである。
料を処理する方法において、真空容器内を減圧排
気した後、処理ガスを導入し、真空容器内の圧力
が、放電による真空容器内の圧力上昇分に応じて
所定の処理圧力以下に設定された圧力に達した時
点で放電を開始し、該放電により圧力上昇した真
空容器内の圧力を調整して所定の処理圧力に維持
することを特徴とするもので、真空容器内の圧力
を厳密調節が必要な所定の処理圧力に調節した後
に放電を開始することなく、真空容器内の圧力が
放電による圧力上昇分に応じて所定の処理圧力以
下に設定された圧力に達した時点で放電を開始し
該放電を利用して真空容器内の圧力を所定の処理
圧力に調整し維持することで、真空容器内への処
理ガスの導入開始から放電開始までに要する時間
を短縮してスループツトを向上させるようにする
ものである。
本発明の一実施例を図面により説明する。
図面で、真空容器（図示省略）内の圧力が所定
圧力P0に減圧排気された後に、真空容器内には
処理ガスが所定流量で導入を開始される。この場
合、まず、真空容器内の圧力は、所定の処理圧力
P1とは異なる圧力、この場合、所定の処理圧力
P1よりも低い圧力P2を目標とし、例えば、真空
容器内の圧力を検知する圧力計（図示省略）と真
空容器内を真空排気する真空排気系を真空排気装
置（図示省略）等と構成する、例えば、可変コン
ダクタンスバルブ（図示省略）との運動により調
節される。真空容器内の圧力が圧力P2に調節さ
れた時点で、真空容器内では放電が開始される。
この放電により真空容器内の圧力は、圧力P2か
ら所定の処理圧力P1の許容範囲＋△P1を超える
圧力に上昇し、その後、真空容器内の圧力は、圧
力計と可変コンダクタンスバルブとの連動により
P1±△P1（△P1はP1に対して数％以内）に調節さ
れる。真空容器内の圧力は、真空容器内での試料
（図示省略）のプラズマ処理中P1±△P1に維持さ
れる。なお、放電による真空容器内の圧力上昇分
は、処理ガスの種類、流量、放電電力等の条件に
より決まり、したがつて、これら条件の選定によ
つて圧力P2は設定される。また、圧力P2の許容
範囲△P2は、所定の処理圧力P1の許容範囲△P1
のように厳密にする必要はなく、圧力P2の10〜
20％程度で良い。
圧力P0に減圧排気された後に、真空容器内には
処理ガスが所定流量で導入を開始される。この場
合、まず、真空容器内の圧力は、所定の処理圧力
P1とは異なる圧力、この場合、所定の処理圧力
P1よりも低い圧力P2を目標とし、例えば、真空
容器内の圧力を検知する圧力計（図示省略）と真
空容器内を真空排気する真空排気系を真空排気装
置（図示省略）等と構成する、例えば、可変コン
ダクタンスバルブ（図示省略）との運動により調
節される。真空容器内の圧力が圧力P2に調節さ
れた時点で、真空容器内では放電が開始される。
この放電により真空容器内の圧力は、圧力P2か
ら所定の処理圧力P1の許容範囲＋△P1を超える
圧力に上昇し、その後、真空容器内の圧力は、圧
力計と可変コンダクタンスバルブとの連動により
P1±△P1（△P1はP1に対して数％以内）に調節さ
れる。真空容器内の圧力は、真空容器内での試料
（図示省略）のプラズマ処理中P1±△P1に維持さ
れる。なお、放電による真空容器内の圧力上昇分
は、処理ガスの種類、流量、放電電力等の条件に
より決まり、したがつて、これら条件の選定によ
つて圧力P2は設定される。また、圧力P2の許容
範囲△P2は、所定の処理圧力P1の許容範囲△P1
のように厳密にする必要はなく、圧力P2の10〜
20％程度で良い。
本実施例のようなプラズマ処理方法では、次の
ような効果を得ることができる。
ような効果を得ることができる。
(1) 真空容器内への処理ガスの導入開始から放電
開始までに要する時間を短縮できるため、スル
ープツトを向上できる。
開始までに要する時間を短縮できるため、スル
ープツトを向上できる。
(2) 放電開始から真空容器内の圧力が所定の処理
圧力に調節されるまでの時間が短かくなるた
め、試料のプラズマ処理精度を向上できる。
圧力に調節されるまでの時間が短かくなるた
め、試料のプラズマ処理精度を向上できる。
上記一実施例では、真空容器内の圧力が所定の
処理圧力以下の圧力で放電を開始し、該放電後に
真空容器内の圧力を所定の処理圧力に調節するよ
うにしているが、この他に、真空容器内の圧力が
所定の処理圧力以上の圧力で放電を開始し、該放
電後に真空容器内の圧力を所定の処理圧力に調節
するようにしても良い。このような場合は、放電
により減圧する処理ガスを用いる場合に、特に有
効である。
処理圧力以下の圧力で放電を開始し、該放電後に
真空容器内の圧力を所定の処理圧力に調節するよ
うにしているが、この他に、真空容器内の圧力が
所定の処理圧力以上の圧力で放電を開始し、該放
電後に真空容器内の圧力を所定の処理圧力に調節
するようにしても良い。このような場合は、放電
により減圧する処理ガスを用いる場合に、特に有
効である。
なお、上記したプラズマ処理プロセスは、実際
上、繰り返して実施される。このような場合は、
所定の処理圧力を得るための可変コンダクタンス
バルブの開度は、ほぼ一定となる。そこで、一つ
前の同一条件のプラズマ処理プロセスでの可変コ
ンダクタンスバルブの開度を記憶させ、真空容器
内の上記した圧力調節の開始時点で、まず、記憶
させていた値に可変コンダクタンスバルブの開度
を設定する。その後、所定時間経過後に真空容器
内の圧力を測定し、この圧力が上記したP2±△
P2になつたのを確認し放電を開始する。放電開
始後、所定時間経過した後は可変コンダクタンス
バルブによる圧力のフイードバツク制御を開始す
る。なお、この場合、プラズマ処理プロセス毎の
変動が少ない場合は、可変コンダクタンスバルブ
の開度として適当な設定値を用いても良い。
上、繰り返して実施される。このような場合は、
所定の処理圧力を得るための可変コンダクタンス
バルブの開度は、ほぼ一定となる。そこで、一つ
前の同一条件のプラズマ処理プロセスでの可変コ
ンダクタンスバルブの開度を記憶させ、真空容器
内の上記した圧力調節の開始時点で、まず、記憶
させていた値に可変コンダクタンスバルブの開度
を設定する。その後、所定時間経過後に真空容器
内の圧力を測定し、この圧力が上記したP2±△
P2になつたのを確認し放電を開始する。放電開
始後、所定時間経過した後は可変コンダクタンス
バルブによる圧力のフイードバツク制御を開始す
る。なお、この場合、プラズマ処理プロセス毎の
変動が少ない場合は、可変コンダクタンスバルブ
の開度として適当な設定値を用いても良い。
以上、本発明によれば、処理ガス導入による所
定の処理圧力への調節を不要にできるので、所定
圧力に減圧排気された真空容器内への処理ガスの
導入開始から放電開始までに要する時間を短縮で
きスループツトを向上できるという効果がある。
定の処理圧力への調節を不要にできるので、所定
圧力に減圧排気された真空容器内への処理ガスの
導入開始から放電開始までに要する時間を短縮で
きスループツトを向上できるという効果がある。
図面に、本発明の一実施例を示すもので、本発
明によるプラズマ処理方法を実施して得られる真
空容器内への処理ガスの導入開始時点からの時間
と真空容器内の圧力との関係模式図である。 P1……所定の処理圧力、P2……放電開始時の
圧圧。
明によるプラズマ処理方法を実施して得られる真
空容器内への処理ガスの導入開始時点からの時間
と真空容器内の圧力との関係模式図である。 P1……所定の処理圧力、P2……放電開始時の
圧圧。
Claims (1)
- １ 真空容器内でプラズマを利用して試料を処理
する方法において、前記真空容器内を減圧排気し
た後、処理ガスを導入し、前記真空容器内の圧力
が、放電による前記真空容器内の圧力上昇分に応
じて所定の処理圧力以下に設定された圧力に達し
た時点で放電を開始し、該放電により圧力上昇し
た前記真空容器内の圧力を調整して所定の処理圧
力に維持することを特徴とするプラズマ処理方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17668084A JPS6154627A (ja) | 1984-08-27 | 1984-08-27 | プラズマ処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17668084A JPS6154627A (ja) | 1984-08-27 | 1984-08-27 | プラズマ処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6154627A JPS6154627A (ja) | 1986-03-18 |
| JPH0354850B2 true JPH0354850B2 (ja) | 1991-08-21 |
Family
ID=16017841
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17668084A Granted JPS6154627A (ja) | 1984-08-27 | 1984-08-27 | プラズマ処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6154627A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0812855B2 (ja) * | 1986-09-10 | 1996-02-07 | 株式会社日立製作所 | エツチング装置の圧力制御方法および装置 |
| JP2013506544A (ja) * | 2009-09-30 | 2013-02-28 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | ガス濃縮装置 |
-
1984
- 1984-08-27 JP JP17668084A patent/JPS6154627A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6154627A (ja) | 1986-03-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |