JPH0354872B2 - - Google Patents
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- JPH0354872B2 JPH0354872B2 JP60034682A JP3468285A JPH0354872B2 JP H0354872 B2 JPH0354872 B2 JP H0354872B2 JP 60034682 A JP60034682 A JP 60034682A JP 3468285 A JP3468285 A JP 3468285A JP H0354872 B2 JPH0354872 B2 JP H0354872B2
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- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
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- C23C18/1605—Process or apparatus coating on selected surface areas by masking
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はアデイテイブ法またはセミアデイテイ
ブ法によるプリント回路板製造のための湿式―化
学的方法に関する。
ブ法によるプリント回路板製造のための湿式―化
学的方法に関する。
通常の絶縁性基体材料上へしつかり付着した金
属層を析出せしめるには複雑な予備処理を必要と
することがよく知られている。即ち、例えば、基
板は先ず付着―促進層が施されなければならず次
いで酸化液、好ましくはクロム硫酸で処理されな
ければならず、このようにして準備された板はそ
れからイオン性またはコロイド状貴金属溶液で活
性化され、マスクされ、そして商業的金属化浴中
で金属化されるのである。
属層を析出せしめるには複雑な予備処理を必要と
することがよく知られている。即ち、例えば、基
板は先ず付着―促進層が施されなければならず次
いで酸化液、好ましくはクロム硫酸で処理されな
ければならず、このようにして準備された板はそ
れからイオン性またはコロイド状貴金属溶液で活
性化され、マスクされ、そして商業的金属化浴中
で金属化されるのである。
この方法が多くの段階を必要とする事実を別と
しても、この技法は伴するクロムイオンが各部分
を不可逆的に被毒せしめ、そして得られるプリン
ト回路板は不満足な電気的性質を有するという欠
点をもつている。
しても、この技法は伴するクロムイオンが各部分
を不可逆的に被毒せしめ、そして得られるプリン
ト回路板は不満足な電気的性質を有するという欠
点をもつている。
それ故基体、例えばプリント回路板の基板も包
含する基体、の非電導性表面を貴金属錯化合物を
含有する溶液または表面被覆で活性化することが
提案され、これは化学的金属化に先立つ酸化予備
処理なしに行なわれるのである(例えばドイツ特
許出願公開第1696603号及び第2116389号参照)。
含する基体、の非電導性表面を貴金属錯化合物を
含有する溶液または表面被覆で活性化することが
提案され、これは化学的金属化に先立つ酸化予備
処理なしに行なわれるのである(例えばドイツ特
許出願公開第1696603号及び第2116389号参照)。
しかしながら、これらの材料を温和な条件に付
する活性化方法は実際には確立されるに至らなか
つた。なぜなら、それらは比較的大量の活性化剤
を必要としそして電子工業において要求される高
い引剥がし強さを有する金属層を与えないからで
ある。
する活性化方法は実際には確立されるに至らなか
つた。なぜなら、それらは比較的大量の活性化剤
を必要としそして電子工業において要求される高
い引剥がし強さを有する金属層を与えないからで
ある。
今回、次の方法によれば、上記の欠点が克服さ
れ、そして高品質のプリント回路板が得られるこ
とが見出された: (a) 基板を、少くとも一つの付着―促進官能基を
含む、周期律表の第亜族または第族の元素
の錯化合物を含有する活性化剤系で処理し、 (b) 溶剤を蒸発させた後、レジスト層を施し、そ
してレジストパターンに従つて部分的に露出せ
しめ、 (c) 該露出せしめたレジスト層を現像し、現像に
よりレジスト層が除去された部分の基板表面
を、基板表面の膨潤剤で処理し、そして (d) このようにして裸にされた部分を―もし適当
なら増感浴に移した後に―電流の下在下に通常
の湿式―化学的金属化浴中で金属化し、そし
て、所望により金属化された部分の厚さを電気
メツキにより増大させる。
れ、そして高品質のプリント回路板が得られるこ
とが見出された: (a) 基板を、少くとも一つの付着―促進官能基を
含む、周期律表の第亜族または第族の元素
の錯化合物を含有する活性化剤系で処理し、 (b) 溶剤を蒸発させた後、レジスト層を施し、そ
してレジストパターンに従つて部分的に露出せ
しめ、 (c) 該露出せしめたレジスト層を現像し、現像に
よりレジスト層が除去された部分の基板表面
を、基板表面の膨潤剤で処理し、そして (d) このようにして裸にされた部分を―もし適当
なら増感浴に移した後に―電流の下在下に通常
の湿式―化学的金属化浴中で金属化し、そし
て、所望により金属化された部分の厚さを電気
メツキにより増大させる。
このような方法により明確な輪郭を有するしつ
かり付着した金属層が得られることは非常に驚く
べきことと考えなければならない。なぜなら、硬
化されなかつたレジスト層が溶解し去られそして
基体表面が膨潤されたとき活性化剤もまた少くと
もその幾分かは除去されるであろうことが予想さ
れるからである。
かり付着した金属層が得られることは非常に驚く
べきことと考えなければならない。なぜなら、硬
化されなかつたレジスト層が溶解し去られそして
基体表面が膨潤されたとき活性化剤もまた少くと
もその幾分かは除去されるであろうことが予想さ
れるからである。
活性化剤溶液中における適当な錯化合物は、オ
レフイン、共役ジエン及びα,β―不飽和ケトン
のπ―錯体、ならびにニトリル、アミン、カルボ
キシル、ヒドロキシル、スルホ及びスルホンアミ
ド基を含む化合物のキレート―錯体であつて、金
属化錯化合物の形成に必要なこれら基の他に更に
活性化剤の基体表面への付着を改善する少くとも
一つの官能基を含有するものである。
レフイン、共役ジエン及びα,β―不飽和ケトン
のπ―錯体、ならびにニトリル、アミン、カルボ
キシル、ヒドロキシル、スルホ及びスルホンアミ
ド基を含む化合物のキレート―錯体であつて、金
属化錯化合物の形成に必要なこれら基の他に更に
活性化剤の基体表面への付着を改善する少くとも
一つの官能基を含有するものである。
これは基体表面との化学反応によつて達成され
るが、好ましくは水素架橋の形成によつてまたは
フアンデルワールスの作用によつて達成される。
るが、好ましくは水素架橋の形成によつてまたは
フアンデルワールスの作用によつて達成される。
そのような活性化剤の基体表面への固定を達成
するのに特に適当な官能基はカルボン酸基、カル
ボン酸ハライド基、カルボン酸無水物基、カルボ
ン酸エステル基、カルボキシアミド基及びカルボ
キシイミド基、アルデヒド及びケトン基、エーテ
ル基、スルホンアミド基、スルホ基及びスルホネ
ート基、スルホニルハライド基、スルホン酸エス
テル基、ハロゲン含有複素環基、例えばクロロ―
トリアジニル、―ピラニジル、―ピリミジルまた
は―キノキサリニル基、ビニルスルホン酸誘導体
またはアクリル酸誘導体における如き活性化され
た二重結合、アミノ基、ヒドロキシル基、イソシ
アナト基、オレフイン基及びアセチレン基、メル
カプト基及びエポキサイド基、及びC原子8個ま
たはそれ以上を含む比較的長鎖のアルキルまたは
アルケニル基、特にオレイル、リノレイル、ステ
アリルまたはパルミチル基である。
するのに特に適当な官能基はカルボン酸基、カル
ボン酸ハライド基、カルボン酸無水物基、カルボ
ン酸エステル基、カルボキシアミド基及びカルボ
キシイミド基、アルデヒド及びケトン基、エーテ
ル基、スルホンアミド基、スルホ基及びスルホネ
ート基、スルホニルハライド基、スルホン酸エス
テル基、ハロゲン含有複素環基、例えばクロロ―
トリアジニル、―ピラニジル、―ピリミジルまた
は―キノキサリニル基、ビニルスルホン酸誘導体
またはアクリル酸誘導体における如き活性化され
た二重結合、アミノ基、ヒドロキシル基、イソシ
アナト基、オレフイン基及びアセチレン基、メル
カプト基及びエポキサイド基、及びC原子8個ま
たはそれ以上を含む比較的長鎖のアルキルまたは
アルケニル基、特にオレイル、リノレイル、ステ
アリルまたはパルミチル基である。
特に非常に適当な基はカルボン酸基、カルボン
酸アンハイドライド基、アミド基、カルボン酸イ
ミド基、ケト基、アルデヒド基及びエステル基の
如き官能基である。
酸アンハイドライド基、アミド基、カルボン酸イ
ミド基、ケト基、アルデヒド基及びエステル基の
如き官能基である。
それぞれ特定の基体に対し吸着を生成させる官
能基を適合させるのが有利である。例えば、活性
化剤分子中の長鎖アルキルまたはアルケニル基は
ポリエチレンまたはポリプロピレンより成る基体
への付着を改善する。他方では、例えば追加的に
カルボニルまたはスルホニル基を含む活性化剤は
ポリアミドまたはポリエステルに基づく物品の金
属化に特に有利である。
能基を適合させるのが有利である。例えば、活性
化剤分子中の長鎖アルキルまたはアルケニル基は
ポリエチレンまたはポリプロピレンより成る基体
への付着を改善する。他方では、例えば追加的に
カルボニルまたはスルホニル基を含む活性化剤は
ポリアミドまたはポリエステルに基づく物品の金
属化に特に有利である。
好ましい活性化剤は、例えばドイツ特許出願公
開第3148280号に記載の如く、元素Pd,Au,Pt
またはAgの有機金属π化合物である。特に好ま
しい化合物は、それらの或るものは同じく公知で
あるかまたはそれ自体公知の方法によつて得られ
るものであるが、周期律表の第亜族または第
族の酸化段階1〜4にある元素(特に1価のパラ
ジウム)と、式 式中、 R1及びR4はC1〜C10―アルキル、好ましくはC1
〜C6―アルキルをあらわし、 そして R2及びR3は水素またはC1〜C4―アルキル、好
ましくはメチルをあらわす、 の不飽和ケトンとの錯化合物である。
開第3148280号に記載の如く、元素Pd,Au,Pt
またはAgの有機金属π化合物である。特に好ま
しい化合物は、それらの或るものは同じく公知で
あるかまたはそれ自体公知の方法によつて得られ
るものであるが、周期律表の第亜族または第
族の酸化段階1〜4にある元素(特に1価のパラ
ジウム)と、式 式中、 R1及びR4はC1〜C10―アルキル、好ましくはC1
〜C6―アルキルをあらわし、 そして R2及びR3は水素またはC1〜C4―アルキル、好
ましくはメチルをあらわす、 の不飽和ケトンとの錯化合物である。
例として次のものを挙げることができる:メシ
チルオキサイド、n―ブト―3―エン―2―オ
ン、n―ヘプト―3―エン―2―オン、n―ヘキ
ス―3―エン―2―オン、n―デス―4―エン―
3―オン、5―クロロ―ペント―3―エン―2―
オン、エチルビニルケトン、3―メチル―オクト
―5―エン―4―オン、3―メチル―ペント―3
―エン―2―オン及び7―メトキシ―ヘプト―3
―エン―2―オン。
チルオキサイド、n―ブト―3―エン―2―オ
ン、n―ヘプト―3―エン―2―オン、n―ヘキ
ス―3―エン―2―オン、n―デス―4―エン―
3―オン、5―クロロ―ペント―3―エン―2―
オン、エチルビニルケトン、3―メチル―オクト
―5―エン―4―オン、3―メチル―ペント―3
―エン―2―オン及び7―メトキシ―ヘプト―3
―エン―2―オン。
その他の好ましい錯化合物形成体の例はブタジ
エン、4―シクロヘキセン―1,2―ジカルボン
酸アンハイドライド及び4―シクロヘキセン―
1,2―ジカルボキシイミドである。これらのパ
ラジウム錯化合物は特に好ましい。
エン、4―シクロヘキセン―1,2―ジカルボン
酸アンハイドライド及び4―シクロヘキセン―
1,2―ジカルボキシイミドである。これらのパ
ラジウム錯化合物は特に好ましい。
本発明による新規方法は基体材料が上述の有機
金属化合物で濡れているようにして有利に行なわ
れる。これは主として上記活性化剤の易揮発性有
機溶液を噴霧するか、またはこれらの媒体中に浸
漬することによつて行なうことができる。この操
作において、活性化剤の濃度は溶剤1当り0.01
g〜10gであるべきである。好ましい溶剤は
HCCl3,CCl4,CH2Cl2またはClCH=CCl2の如き
塩素化炭化水素、C2H5OHまたはCH3OHの如き
アルコール、及びこれら相互の混合物である。
金属化合物で濡れているようにして有利に行なわ
れる。これは主として上記活性化剤の易揮発性有
機溶液を噴霧するか、またはこれらの媒体中に浸
漬することによつて行なうことができる。この操
作において、活性化剤の濃度は溶剤1当り0.01
g〜10gであるべきである。好ましい溶剤は
HCCl3,CCl4,CH2Cl2またはClCH=CCl2の如き
塩素化炭化水素、C2H5OHまたはCH3OHの如き
アルコール、及びこれら相互の混合物である。
このように処理された基本材料は、もし適当な
ら続いてスクリーン状のマスクで部分的にカバー
され、そして溶剤中で部分的に膨潤され、そして
増感され、然る後還元性金属化浴中で部分的に金
属化される。
ら続いてスクリーン状のマスクで部分的にカバー
され、そして溶剤中で部分的に膨潤され、そして
増感され、然る後還元性金属化浴中で部分的に金
属化される。
殆どの場合、“レジスト・フイルム”(感光性レ
ジスト層・フオトレジスト)、即ち“ネガ・レジ
スト層”または“ポジ・レジスト層”は基体材料
を部分的に被うために用いることができ、これら
レジストは良く知られている〔例えばGu¨nther
Hermann,“Leiterplatten,Herstellung und
Vorbehandlung”(プリント回路板、製造及び予
備処理),93〜103頁及び125〜127頁参照〕。
ジスト層・フオトレジスト)、即ち“ネガ・レジ
スト層”または“ポジ・レジスト層”は基体材料
を部分的に被うために用いることができ、これら
レジストは良く知られている〔例えばGu¨nther
Hermann,“Leiterplatten,Herstellung und
Vorbehandlung”(プリント回路板、製造及び予
備処理),93〜103頁及び125〜127頁参照〕。
第一の場合、露出後露出されなかつた部分を適
当な溶剤で除去し、これに対し第二の場合は露出
された部分を除去する。数多くの特別のレジスト
系がエレクトロニツクスセクターまたはミクロ―
エレクトロニツクスセクター用のレリーフを製造
するのに用いることができる。これに関しては
UV照射、エレクトロンビーム及びレーザービー
ムの助けで硬化させることのできるレジスト系が
挙げられる(ドイツ特許出願公開第2007267号、
同第2454879号及び同第2507874号参照)。
当な溶剤で除去し、これに対し第二の場合は露出
された部分を除去する。数多くの特別のレジスト
系がエレクトロニツクスセクターまたはミクロ―
エレクトロニツクスセクター用のレリーフを製造
するのに用いることができる。これに関しては
UV照射、エレクトロンビーム及びレーザービー
ムの助けで硬化させることのできるレジスト系が
挙げられる(ドイツ特許出願公開第2007267号、
同第2454879号及び同第2507874号参照)。
レリーフマスクはスクリーン印刷、被覆または
スタンピングによつて施すことができる。
スタンピングによつて施すことができる。
本発明の方法に適当な基体は板、好ましくは標
準の孔を備えそしてガラス繊維―強化もしくはガ
ラスマツト―強化エポキシ樹脂〔例えば
Kunststoffhandbuch,Prof.R.Vieweg,XI,
p.180〜246,Carl Hanser Verlag,Munich
(1971)参照〕、フツ素―含有ポリマー(例えば上
記文献p.673〜674参照)例えばPTFE(ポリテト
ラフルオロエチレン)、熱硬化性プラスチツク例
えばフエノール―ホルマリン及び/またはメラミ
ン樹脂(例えばProf.R.Vieweg”Kunstostff―
Handbuch”,X,p.19〜59及びp.63〜128参照)、
ポリプロピレン、ポリエチレン、ABS(アクリロ
ニトリル/プタジエン/スチレン)コポリマーま
たはグラフトコポリマー及び重縮合体(例えばポ
リカーボネート、芳香族及び/または脂肪族ポリ
アミド、ポリエステル、芳香族及び/または脂肪
族ポリアミド及びポリアミド―イミド及びそれら
の混合縮合体または共縮合体)より成る板であ
る。
準の孔を備えそしてガラス繊維―強化もしくはガ
ラスマツト―強化エポキシ樹脂〔例えば
Kunststoffhandbuch,Prof.R.Vieweg,XI,
p.180〜246,Carl Hanser Verlag,Munich
(1971)参照〕、フツ素―含有ポリマー(例えば上
記文献p.673〜674参照)例えばPTFE(ポリテト
ラフルオロエチレン)、熱硬化性プラスチツク例
えばフエノール―ホルマリン及び/またはメラミ
ン樹脂(例えばProf.R.Vieweg”Kunstostff―
Handbuch”,X,p.19〜59及びp.63〜128参照)、
ポリプロピレン、ポリエチレン、ABS(アクリロ
ニトリル/プタジエン/スチレン)コポリマーま
たはグラフトコポリマー及び重縮合体(例えばポ
リカーボネート、芳香族及び/または脂肪族ポリ
アミド、ポリエステル、芳香族及び/または脂肪
族ポリアミド及びポリアミド―イミド及びそれら
の混合縮合体または共縮合体)より成る板であ
る。
レジスト層の架橋されなかつた部分を溶解し去
るのに適当な溶剤はその中にレジスト層のプレポ
リマーが容易に溶ける普通の有機溶剤である。有
利には、えらばれる溶剤系は同時に基体に対して
膨潤剤であるものである。
るのに適当な溶剤はその中にレジスト層のプレポ
リマーが容易に溶ける普通の有機溶剤である。有
利には、えらばれる溶剤系は同時に基体に対して
膨潤剤であるものである。
例えば、ポリアミド縮合体に基づく基体の処理
のためには、周期律表の第1及び2主族元素のハ
ライドと、無機弱塩基と無機強酸との塩と、の混
合物の溶液が用いられる。
のためには、周期律表の第1及び2主族元素のハ
ライドと、無機弱塩基と無機強酸との塩と、の混
合物の溶液が用いられる。
第1及び2主族の元素の適当なハライドは、特
にクロライドであり、好ましくはLiCl,BeCl2,
MgCl2及びCaCl2である。
にクロライドであり、好ましくはLiCl,BeCl2,
MgCl2及びCaCl2である。
適当な弱塩基と強酸との塩は、第3及び4主族
及び亜族の金属並びに第6〜8亜族の非貴金属の
硫酸塩、硝酸塩及び特に塩化物である。FeCl2,
FeCl3,TiCl3,TiCl4,BCl3及び特にAlCl3が好
ましい。
及び亜族の金属並びに第6〜8亜族の非貴金属の
硫酸塩、硝酸塩及び特に塩化物である。FeCl2,
FeCl3,TiCl3,TiCl4,BCl3及び特にAlCl3が好
ましい。
適当な膨潤剤及び溶剤はポリアミドに関する普
通のハンドブツクに記載されているようなもので
ある〔例えば“Die Polyamide”,Hopff.
Mu¨ller,Wegner,Springer―Verlag(1954)及
び“Polymer Handbook,Brandrupら、New
York,vol・(1975)及び
“Kunststoffhandbuch”,Vieweg Mu¨ller,vol.
(1966)参照〕。例として次のものが挙げられ
る:低級脂肪族及び芳香・脂肪族(araliphatic)
アルコール、例えばメタノール、エタノール、イ
ソプロパノール、n―プロパノール、n―ブタノ
ール、ペンジルアルコール及びフエニルエチルア
ルコール。メタノールが特に好ましい。ジメチル
スルホキサイド及びアミド基を含む溶剤例えばホ
ルムアミド及びジメチルホルムアミドもまた適当
である。これら溶剤の混合物もまたもちろん使用
できる。
通のハンドブツクに記載されているようなもので
ある〔例えば“Die Polyamide”,Hopff.
Mu¨ller,Wegner,Springer―Verlag(1954)及
び“Polymer Handbook,Brandrupら、New
York,vol・(1975)及び
“Kunststoffhandbuch”,Vieweg Mu¨ller,vol.
(1966)参照〕。例として次のものが挙げられ
る:低級脂肪族及び芳香・脂肪族(araliphatic)
アルコール、例えばメタノール、エタノール、イ
ソプロパノール、n―プロパノール、n―ブタノ
ール、ペンジルアルコール及びフエニルエチルア
ルコール。メタノールが特に好ましい。ジメチル
スルホキサイド及びアミド基を含む溶剤例えばホ
ルムアミド及びジメチルホルムアミドもまた適当
である。これら溶剤の混合物もまたもちろん使用
できる。
所望により、普通のポリアミド可塑剤(液全量
に関して0.2〜10重量%または0.5〜5重量%)も
添加することができる。その例としてベンゼンス
ルホン酸モノエチルアミド、p―トルエンスルホ
ン酸アミドド、ジオキシジフエニルスルホン及び
ジベンジルアルコールが挙げられる。
に関して0.2〜10重量%または0.5〜5重量%)も
添加することができる。その例としてベンゼンス
ルホン酸モノエチルアミド、p―トルエンスルホ
ン酸アミドド、ジオキシジフエニルスルホン及び
ジベンジルアルコールが挙げられる。
溶剤処理後、得られる“半―仕上げ製品”は、
これもまた本発明の一主題をなすものであるが、
付着している溶剤が除去される。
これもまた本発明の一主題をなすものであるが、
付着している溶剤が除去される。
これは一般に蒸発によつて、もし適当なら減圧
下に、行なわれる。比較的高沸点の溶剤は、有利
には、低沸点溶剤を用いて抽出するかさつと洗い
流すことによつて除去される。
下に、行なわれる。比較的高沸点の溶剤は、有利
には、低沸点溶剤を用いて抽出するかさつと洗い
流すことによつて除去される。
基体としてフツ素含有ポリマーを用いるとき
は、好ましいこの変形法は、これらポリマーを、
有機の、好ましくは無水の、溶液例えばTHF(テ
トラヒドロフラン)、ベンゼン及びトルエン溶液
であつて、その他にカルブアニオンまたはカルブ
カチオンを形成しうるローンエレクトロンペアを
有する有機アルカリ金属化合物をも含有する溶液
中に浸漬することによつて処理することから成
る。これに関連して次の引用文献が参照される;
N.D.Scottら、Am.Soc.58,2443(1936);N.D.
Scott、米国特許第2181771号;M.Szwarc,
Nature 178,1168(1956);及びM.Szwarc,
Am.Soc.78,2656(1956)。ナフタレン―ナトリウ
ム、ナフタレン―リチウム、ベンゼン―リチウ
ム、ベンゼン―ナトリウム、及びビフエニル―、
トリフエニル―及びブチル―リチウム及び―ナト
リウムが特に好ましい。有機アルカリ金属化合物
の濃度は溶剤1当り0.01〜250gであるべきで
あり、好ましくは2.5〜100g、特に好ましくは5
〜75gである。
は、好ましいこの変形法は、これらポリマーを、
有機の、好ましくは無水の、溶液例えばTHF(テ
トラヒドロフラン)、ベンゼン及びトルエン溶液
であつて、その他にカルブアニオンまたはカルブ
カチオンを形成しうるローンエレクトロンペアを
有する有機アルカリ金属化合物をも含有する溶液
中に浸漬することによつて処理することから成
る。これに関連して次の引用文献が参照される;
N.D.Scottら、Am.Soc.58,2443(1936);N.D.
Scott、米国特許第2181771号;M.Szwarc,
Nature 178,1168(1956);及びM.Szwarc,
Am.Soc.78,2656(1956)。ナフタレン―ナトリウ
ム、ナフタレン―リチウム、ベンゼン―リチウ
ム、ベンゼン―ナトリウム、及びビフエニル―、
トリフエニル―及びブチル―リチウム及び―ナト
リウムが特に好ましい。有機アルカリ金属化合物
の濃度は溶剤1当り0.01〜250gであるべきで
あり、好ましくは2.5〜100g、特に好ましくは5
〜75gである。
このように処理された半―仕上げ板は乾燥され
そして次にH2Oまたは低級アルコールで洗浄さ
れる。次いでそれらは活性化され、商業的レジス
トで被覆され、そして湿式―化学的方法による部
分的金属化のために準備される。
そして次にH2Oまたは低級アルコールで洗浄さ
れる。次いでそれらは活性化され、商業的レジス
トで被覆され、そして湿式―化学的方法による部
分的金属化のために準備される。
本発明による半―仕上げ製品、例えば特に好ま
しいフツ素含有ポリマーは、上記有機金属活性化
剤、商業的レジストまたはスクリーン印刷層に対
して驚くべき程すぐれた付着力を有し、そしてま
た部分に対し非常に良好な付着をあらわす金属層
を備えることができる。
しいフツ素含有ポリマーは、上記有機金属活性化
剤、商業的レジストまたはスクリーン印刷層に対
して驚くべき程すぐれた付着力を有し、そしてま
た部分に対し非常に良好な付着をあらわす金属層
を備えることができる。
同じく本発明による基体材料の製造に好ましく
用いられそしてフエノール樹脂、エポキシ樹脂及
びメラミン樹脂に基づく熱硬化性プラスチツクも
またもちろん、エラストマー成分を含有する付着
―促進表面被覆を備えることができる〔例えば、
G.Herman,Leiterplatten,Herstellung und
Vorbereitung,p.164〜168,Euden G.Lenze
Verlag,Saulgan/Wu¨rtt.(1978)参照〕。最終段
階で析出された金属化の引剥がし強さを増すため
には、それらは、活性化された後に、ABSポリ
マーに通常用いられる溶剤または膨潤剤中で〔例
えば“Polymer―Habdbook”,Brandrupら、
New York,vol.(1975)参照〕、或いは酸化
媒体中で、処理することができる。
用いられそしてフエノール樹脂、エポキシ樹脂及
びメラミン樹脂に基づく熱硬化性プラスチツクも
またもちろん、エラストマー成分を含有する付着
―促進表面被覆を備えることができる〔例えば、
G.Herman,Leiterplatten,Herstellung und
Vorbereitung,p.164〜168,Euden G.Lenze
Verlag,Saulgan/Wu¨rtt.(1978)参照〕。最終段
階で析出された金属化の引剥がし強さを増すため
には、それらは、活性化された後に、ABSポリ
マーに通常用いられる溶剤または膨潤剤中で〔例
えば“Polymer―Habdbook”,Brandrupら、
New York,vol.(1975)参照〕、或いは酸化
媒体中で、処理することができる。
プリント回路板製造用の本発明の半―仕上げ基
体材料は次の性質を有すべきである: 1 活性化された状態において、それらは空気中
で湿気に対し安定であるべきである。
体材料は次の性質を有すべきである: 1 活性化された状態において、それらは空気中
で湿気に対し安定であるべきである。
2 それらの活性化剤層はフオトレジスト層の施
用または現像の過程で表面から除かれたりまた
は脱活性化されたりすべきではない。
用または現像の過程で表面から除かれたりまた
は脱活性化されたりすべきではない。
3 それらの活性化剤層は膨潤または酸化工程の
間に表面から除かれたりまたは脱活性化された
りすべきではない。
間に表面から除かれたりまたは脱活性化された
りすべきではない。
4 更に、レリーフ層は膨潤または現像工程の間
に材料表面からさつと洗い流されるべきではな
い。
に材料表面からさつと洗い流されるべきではな
い。
5 金属化または増感浴を毒するリガンドが増感
または金属化過程で遊離されてはならない。
または金属化過程で遊離されてはならない。
本発明による半―仕上げ製品は次いで還元によ
り増感されなければならない。これは好ましくは
ヒドラジンヒドラート、ホルムアルデヒド、ハイ
ポホスフアイトまたはボランの如き通常電気メツ
キで使用される還元剤を用いて行なわれる。もち
ろんその他の還元剤を用いることもできる。還元
は好ましくは水性溶液中で行なわれる。しかしな
がら、他の溶剤例えばアルコール、エーテルまた
は炭化水素も用いることができる。還元剤の懸濁
液またはペーストもまたもちろん用いることがで
きる。
り増感されなければならない。これは好ましくは
ヒドラジンヒドラート、ホルムアルデヒド、ハイ
ポホスフアイトまたはボランの如き通常電気メツ
キで使用される還元剤を用いて行なわれる。もち
ろんその他の還元剤を用いることもできる。還元
は好ましくは水性溶液中で行なわれる。しかしな
がら、他の溶剤例えばアルコール、エーテルまた
は炭化水素も用いることができる。還元剤の懸濁
液またはペーストもまたもちろん用いることがで
きる。
このようにして増感された表面は電流の不在下
に直接金属化のために使用することができる。し
かしながら、残留している還元剤を表面から濯い
で除くことも必要であろう。
に直接金属化のために使用することができる。し
かしながら、残留している還元剤を表面から濯い
で除くことも必要であろう。
本発明方法の特に非常に好ましい態様は、還元
を金属化浴中で、電流の不在下で金属化を行なう
のに用いられる還元剤を用いて、直接実施するこ
とから成る。この態様は電流の不在下における金
属化の簡易化を構成するものであり、従来はこの
簡易化は不可能であつた。
を金属化浴中で、電流の不在下で金属化を行なう
のに用いられる還元剤を用いて、直接実施するこ
とから成る。この態様は電流の不在下における金
属化の簡易化を構成するものであり、従来はこの
簡易化は不可能であつた。
この態様はアミノボラン―含有ニツケル浴また
はホルマリン―含有銅浴に対し特に非常に適す
る。
はホルマリン―含有銅浴に対し特に非常に適す
る。
本発明方法で好ましく用いられる金属化浴は、
ニツケル塩、コバルト塩、銅塩、金塩及び銀塩ま
たはこれら相互間もしくは鉄塩との混合物を含有
する浴である。この種の金属化浴は電流不在下の
金属化技術において知られている。
ニツケル塩、コバルト塩、銅塩、金塩及び銀塩ま
たはこれら相互間もしくは鉄塩との混合物を含有
する浴である。この種の金属化浴は電流不在下の
金属化技術において知られている。
これら化学的方法で析出された金属層はもちろ
ん電解的金属化浴中で銅メツキ、銀メツキ、錫メ
ツキまたは亜鉛メツキすることができる。
ん電解的金属化浴中で銅メツキ、銀メツキ、錫メ
ツキまたは亜鉛メツキすることができる。
実施例 1
ナイロン6より成るガラス繊維―強化された
200×200×1mmのポリマー板に0.5mmの孔を複数
個あけ、CH2Cl21及び4―シクロヘキセン―
1,2―ジカルボン酸アンハイドライド―パラジ
ウム()クロライド1.0gより成る浴中で室温
において5分間かけて活性化し、そして乾燥す
る。このようにしてつくられた活性の半―仕上げ
基体材料を7日後に、スチレン/ブタジエンコポ
リマーに基づき幅約500μmの櫛状フリーパス(透
孔)を有する市販のスクリーン印刷マスクで被
い、次いでメタノール1400ml、CaCl2120g、
AlCl32.0g及びH2O400mlより成る浴中で5分間
後処理する。次にこの板をエタノール1200ml、
NH3溶液(25%濃度)24ml及び2N.DMAB(ジメ
チルアミノボラン)溶液500mlより成る浴中で5
分間増感し、洗浄し、次いで商業用銅メツキ浴中
で化学的方法によつて銅メツキする。
200×200×1mmのポリマー板に0.5mmの孔を複数
個あけ、CH2Cl21及び4―シクロヘキセン―
1,2―ジカルボン酸アンハイドライド―パラジ
ウム()クロライド1.0gより成る浴中で室温
において5分間かけて活性化し、そして乾燥す
る。このようにしてつくられた活性の半―仕上げ
基体材料を7日後に、スチレン/ブタジエンコポ
リマーに基づき幅約500μmの櫛状フリーパス(透
孔)を有する市販のスクリーン印刷マスクで被
い、次いでメタノール1400ml、CaCl2120g、
AlCl32.0g及びH2O400mlより成る浴中で5分間
後処理する。次にこの板をエタノール1200ml、
NH3溶液(25%濃度)24ml及び2N.DMAB(ジメ
チルアミノボラン)溶液500mlより成る浴中で5
分間増感し、洗浄し、次いで商業用銅メツキ浴中
で化学的方法によつて銅メツキする。
約1分後、フリーパス(透孔)は色が黒くな
り、そして25分後に電気伝導性のCu層が析出さ
れ、この層の厚さは電気メツキによる析出銅で
40μmに増大される。
り、そして25分後に電気伝導性のCu層が析出さ
れ、この層の厚さは電気メツキによる析出銅で
40μmに増大される。
幅500μm及び厚さ400μmの回路通路を有するメ
ツキされた、孔を通じてプリントされた回路板が
得られる。金属層は基体表面に十分よく付着して
おり、そのため商業用はんだ浴中265℃で1分間
後処理してもポリマー表面から金属層は除去され
ない。
ツキされた、孔を通じてプリントされた回路板が
得られる。金属層は基体表面に十分よく付着して
おり、そのため商業用はんだ浴中265℃で1分間
後処理してもポリマー表面から金属層は除去され
ない。
実施例 2
商業用ラバー―グラフトナイロン6の200×250
×1mmの板に0.2mmの孔をあけ、CH2Cl21及び
メシチルオキサイド―パラジウムクロライド0.9
gより成る浴中で4分間18℃で活性化し、乾燥
し、そして1,4―ポリイソプレンのオリゴマー
(キシレン中5重量%濃度)とAGFA―
GEVAERT AGの感光性ジアゾ開始剤に基づく
UV―硬化性の表面被覆を噴霧し、そしてこの表
面被覆層を物理的に硬化させる。1週間後、この
半―仕上げ製品の活性表面をフオトマスクで被い
そしてUV照射によつて部分的に架橋する。試料
からマスクを除去した後架橋されなかつたプレポ
リマー区域をメタノール(高純度)中で除く。次
いで基体材料をメタノール700ml、n―ブタノー
ル50ml、CaCl280g及びTiCl42gより成る浴中で
8分間室温で後処理し、実施例1に従つて増感
し、乾燥し、そして次に商業用ニツケルメツキ浴
中でニツケルメツキする。約2分後にフリーパス
(透孔)は色が銀灰色になり、そして約20分後に
は良好な電導性をあらわすNi層が析出し、この
層の厚さを電解的に析出された銀によつて40μm
に増大する。
×1mmの板に0.2mmの孔をあけ、CH2Cl21及び
メシチルオキサイド―パラジウムクロライド0.9
gより成る浴中で4分間18℃で活性化し、乾燥
し、そして1,4―ポリイソプレンのオリゴマー
(キシレン中5重量%濃度)とAGFA―
GEVAERT AGの感光性ジアゾ開始剤に基づく
UV―硬化性の表面被覆を噴霧し、そしてこの表
面被覆層を物理的に硬化させる。1週間後、この
半―仕上げ製品の活性表面をフオトマスクで被い
そしてUV照射によつて部分的に架橋する。試料
からマスクを除去した後架橋されなかつたプレポ
リマー区域をメタノール(高純度)中で除く。次
いで基体材料をメタノール700ml、n―ブタノー
ル50ml、CaCl280g及びTiCl42gより成る浴中で
8分間室温で後処理し、実施例1に従つて増感
し、乾燥し、そして次に商業用ニツケルメツキ浴
中でニツケルメツキする。約2分後にフリーパス
(透孔)は色が銀灰色になり、そして約20分後に
は良好な電導性をあらわすNi層が析出し、この
層の厚さを電解的に析出された銀によつて40μm
に増大する。
幅30μm、厚さ40μmの回路通路を有するメツキ
された、孔を通じプリントされた回路板が得られ
る。金属層の引剥がし強さはDIN53494により測
定して約60N/25mmであり、そして255℃の2分
間はんだ浴試験に合格する。
された、孔を通じプリントされた回路板が得られ
る。金属層の引剥がし強さはDIN53494により測
定して約60N/25mmであり、そして255℃の2分
間はんだ浴試験に合格する。
実施例 3
鉱物繊維40%で強化されたナイロン6より成る
ポリマーの100×100×1mm板を4―シクロヘキセ
ン―1,2―ジカルボン酸イミド―パラジウム
()クロライド0.8g及びCH2Cl21より成る浴
中で35℃で3分間活性化し、乾燥し、そして次に
Mund T Chemicals GmbH,Stuttgartからの
UV―硬化性レジストで被覆する。14日後、半―
仕上げ製品の活性化された表面をフオトマスクで
被い、そしてUV照射により部分的に架橋する。
基体材料からマスクを除いた後、架橋されなかつ
たポリマー区域を商業的現像液中で除去する。試
料を次いでEtOH1500ml、CaCl2120g、p―トル
エンスルホンアミド20ml及びAlCl33gより成る
浴中で5分間室温で処理し、実施例1に従つて増
感し、幅約150μmの櫛状フリーパス(透孔)を有
する商業用スクリーン印刷マスクで被い、洗浄
し、そして次に商業用銅―メツキ浴中で化学的方
法により銅メツキする。
ポリマーの100×100×1mm板を4―シクロヘキセ
ン―1,2―ジカルボン酸イミド―パラジウム
()クロライド0.8g及びCH2Cl21より成る浴
中で35℃で3分間活性化し、乾燥し、そして次に
Mund T Chemicals GmbH,Stuttgartからの
UV―硬化性レジストで被覆する。14日後、半―
仕上げ製品の活性化された表面をフオトマスクで
被い、そしてUV照射により部分的に架橋する。
基体材料からマスクを除いた後、架橋されなかつ
たポリマー区域を商業的現像液中で除去する。試
料を次いでEtOH1500ml、CaCl2120g、p―トル
エンスルホンアミド20ml及びAlCl33gより成る
浴中で5分間室温で処理し、実施例1に従つて増
感し、幅約150μmの櫛状フリーパス(透孔)を有
する商業用スクリーン印刷マスクで被い、洗浄
し、そして次に商業用銅―メツキ浴中で化学的方
法により銅メツキする。
約数分の後、フリーパス(透孔)は色が黒くな
り、そして約30分後には電導性のCu層が析出さ
れる。
り、そして約30分後には電導性のCu層が析出さ
れる。
金属層はポリマー表面に十分良好に付着してお
り、DIN53436による熱衝撃試験に合格する。
り、DIN53436による熱衝撃試験に合格する。
実施例 4
商業用ポリテトラフルオロエチレンの200×200
×1mmフイルムをナトリウム1モル、ナフタレン
1モル及びTHF(高純度)1より成る浴中で5
分間前処理する。その後、板をメタノールで中性
になるまで洗浄し、次いでn―ヘプト―3―エン
―2―オン―パラジウムクロライド1.2g及び
CCl2=CHCl1000mlより成る浴中で30℃で6分間
処理し、その後乾燥する。このようにしてつくつ
た活性板にマスクをつけ、増感し、次に銅メツキ
し、これらの段階は実施例1に従つて行なう。金
属層はポリマー表面に十分良く付着しており、商
業用はんだ浴中265℃で5分間後処理しても金属
層はポリマー表面から除去することができない。
×1mmフイルムをナトリウム1モル、ナフタレン
1モル及びTHF(高純度)1より成る浴中で5
分間前処理する。その後、板をメタノールで中性
になるまで洗浄し、次いでn―ヘプト―3―エン
―2―オン―パラジウムクロライド1.2g及び
CCl2=CHCl1000mlより成る浴中で30℃で6分間
処理し、その後乾燥する。このようにしてつくつ
た活性板にマスクをつけ、増感し、次に銅メツキ
し、これらの段階は実施例1に従つて行なう。金
属層はポリマー表面に十分良く付着しており、商
業用はんだ浴中265℃で5分間後処理しても金属
層はポリマー表面から除去することができない。
実施例 5
概略30重量%の鉱物繊維で強化されたポリフツ
化ビニルの200×200×1mmフイルムをベンゼン―
リチウム90g及びTHF(高純度)900mlより成る
浴中で室温で5分間処理しそして実施例1に従つ
て活性化し、そして1ケ月の貯蔵期間後、実施例
2に従いレジストマスクを施し、実施例1に従い
増感し、そして次に部分的にニツケルメツキし、
この通路の厚さを電解的に析出させた銀で40μm
に増大させ、これら終りの二つの段階は実施例2
に従つて実施する。
化ビニルの200×200×1mmフイルムをベンゼン―
リチウム90g及びTHF(高純度)900mlより成る
浴中で室温で5分間処理しそして実施例1に従つ
て活性化し、そして1ケ月の貯蔵期間後、実施例
2に従いレジストマスクを施し、実施例1に従い
増感し、そして次に部分的にニツケルメツキし、
この通路の厚さを電解的に析出させた銀で40μm
に増大させ、これら終りの二つの段階は実施例2
に従つて実施する。
幅30μm、厚さ40μmの回路通路を有する、メツ
キされた、孔を通じプリントされた回路板が得ら
れる。金属層の引剥がし強さはDIN53494により
測定して概略50〜60N/25mmであり、そして250
℃における5分間のはんだ浴試験に合格する。
キされた、孔を通じプリントされた回路板が得ら
れる。金属層の引剥がし強さはDIN53494により
測定して概略50〜60N/25mmであり、そして250
℃における5分間のはんだ浴試験に合格する。
実施例 6
芳香族ポリアミド〔ピロメリツト酸ジアンハイ
ドライド(PMDA)と4,4′―ジアミノジフエ
ニルエーテルとの縮合生成物〕より成る200×300
mmフイルムに0.25mmの孔をあけ、実施例3に従い
活性化し、または貯蔵し、そして実施例3に従
い、MerckAGからのUV―感光性表面被覆で被
覆する。このようにしてつくられた活性半―仕上
げ製品を3日後にUV照射用いて部分的に架橋す
る。試料から架橋されなかつたプレポリマー区域
を商業的現像浴中で除去する。試料を次いで実施
例1に従い増感しそして金属化する。
ドライド(PMDA)と4,4′―ジアミノジフエ
ニルエーテルとの縮合生成物〕より成る200×300
mmフイルムに0.25mmの孔をあけ、実施例3に従い
活性化し、または貯蔵し、そして実施例3に従
い、MerckAGからのUV―感光性表面被覆で被
覆する。このようにしてつくられた活性半―仕上
げ製品を3日後にUV照射用いて部分的に架橋す
る。試料から架橋されなかつたプレポリマー区域
を商業的現像浴中で除去する。試料を次いで実施
例1に従い増感しそして金属化する。
金属化されたプリント回路板が得られる。金属
層は基体表面に十分良く付着しており、商業用は
んだ浴中、高温(約240℃)における1分間の後
処理にも拘らず金属層はポリマー表面から除かれ
ない。
層は基体表面に十分良く付着しており、商業用は
んだ浴中、高温(約240℃)における1分間の後
処理にも拘らず金属層はポリマー表面から除かれ
ない。
実施例 7
商業用のガラスマツト―強化され化学的に粗面
化されたエポキシ樹脂の100×200mm矩形板にスル
ーホールをあけ、実施例1に従つて活性化する。
9日の貯蔵期間の後、幅80μmの櫛状透孔を有す
るスクリーン印刷マスクで板を被い、メタノール
1000ml、ヒドラジン40ml及びNH3溶液(濃度25
%)12mlより成る浴中で5分間室温で増感し、洗
浄し、次いで実施例2に従いニツケルメツキし、
そして次に通路の厚さを電解的に析出させた金に
より40μmに増大する。よく付着した金属層を有
する、メツキされた、孔を通じプリントされた回
路板が得られる。
化されたエポキシ樹脂の100×200mm矩形板にスル
ーホールをあけ、実施例1に従つて活性化する。
9日の貯蔵期間の後、幅80μmの櫛状透孔を有す
るスクリーン印刷マスクで板を被い、メタノール
1000ml、ヒドラジン40ml及びNH3溶液(濃度25
%)12mlより成る浴中で5分間室温で増感し、洗
浄し、次いで実施例2に従いニツケルメツキし、
そして次に通路の厚さを電解的に析出させた金に
より40μmに増大する。よく付着した金属層を有
する、メツキされた、孔を通じプリントされた回
路板が得られる。
実施例 8
商業用フエノール樹脂/硬質紙の100×200mm矩
形板であつて、貫通孔を有し、その表面はラバー
ラテツクス30%が加えられた厚さ20μmの商業用
付着―促進層を含む板を、実施例3に従い活性化
しそしてMerck AG,DarmstadtからのUVレジ
ストで被覆する。14日後、活性板を実施例3に従
つて現像し、実施例7に従つて増感し、洗浄し、
そして実施例3に従つて金属化する。
形板であつて、貫通孔を有し、その表面はラバー
ラテツクス30%が加えられた厚さ20μmの商業用
付着―促進層を含む板を、実施例3に従い活性化
しそしてMerck AG,DarmstadtからのUVレジ
ストで被覆する。14日後、活性板を実施例3に従
つて現像し、実施例7に従つて増感し、洗浄し、
そして実施例3に従つて金属化する。
約数分後、表面は黒くなり初め、そして約25分
後金属光沢及び良好な付着をあらわす金属層が析
出された。
後金属光沢及び良好な付着をあらわす金属層が析
出された。
4―シクロヘキセン―1,2―ジカルボキシイ
ミド―パラジウム()クロライド: 4―シクロヘキセン―1,2―ジカルボキシイ
ミド10gを5倍量のDM(ジメチルホルムアミド)
の中に溶かし、そして当モル量のアセトニトリル
―パラジウムジクロライドを3時間の間に45℃で
加える。DMF及びアセトニトリルを45℃/
25mbarで蒸留除去する。融点102℃の褐黄色固
体が95%収率で得られる。
ミド―パラジウム()クロライド: 4―シクロヘキセン―1,2―ジカルボキシイ
ミド10gを5倍量のDM(ジメチルホルムアミド)
の中に溶かし、そして当モル量のアセトニトリル
―パラジウムジクロライドを3時間の間に45℃で
加える。DMF及びアセトニトリルを45℃/
25mbarで蒸留除去する。融点102℃の褐黄色固
体が95%収率で得られる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 アデイテイブ法またはセミアデイテイブ法に
従い、基板を電流の不在下に有機金属活性化剤の
助けにより部分的に湿式―化学的に金属化するこ
とによつてプリント回路板を製造する方法におい
て、 (a) 基板を、少くとも一つの付着促進官能基を含
む、周期律表の第亜族または第族の元素の
錯化合物を含有する活性化剤系で処理し、 (b) 溶剤を蒸発させた後、レジスト層を施し、そ
してレジストパターンに従つて部分的に露出せ
しめ、 (c) 該露出せしめたレジスト層を現像し、現像に
よりレジスト層が除去された部分の基板表面
を、基板表面の膨潤剤で処理し、そして (d) このようにして裸にされた部分を、もし適当
なら増感浴に移した後に、電流の不在下に通常
の湿式―化学的金属化浴中で金属化し、そし
て、所望により、金属化された部分の厚さを電
気メツキによつて増大させる、 ことを特徴とするプリント回路板の製造方法。 2 用いられる錯化合物が、オレフイン、共役ジ
エン及びα,β―不飽和ケトンのπ―錯化合物、
ならびにニトリル、アミノ、カルボキシル、ヒド
ロキシル、スルホ及びスルホンアミド基を含む化
合物のキレート錯化合物であつて、金属錯化合物
の形成に必要な基の他に更に活性化剤の基体表面
への付着を改善する少なくとも一つの官能基を含
有するものであることを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載の方法。 3 用いられる錯化合物が、官能基としてカルボ
ン酸基、無水カルボン酸基、アミド基、カルボン
酸イミド基、ケト基、アルデヒド基及びエステル
基を含有するものであることを特徴とする特許請
求の範囲第1項または第2項記載の方法。 4 用いられる錯化合物が、メシチルオキサイド
―パラジウムクロライド、ヘプト―3―エン―2
―オン―パラジウムクロライド、ブタジエン―パ
ラジウムクロライド、4―シクロヘキセン―1,
2―ジカルボン酸アンハイドライド―パラジウム
()クロライド及び4―シクロヘキセン―1,
2―ジカルボン酸イミド―パラジウム()クロ
ライドであることを特徴とする特許請求の範囲第
1項記載の方法。 5 用いられる錯化合物が、4―シクロヘキセン
―1,2―ジカルボン酸イミド―パラジアウムク
ロライドであることを特徴とする特許請求の範囲
第1項記載の方法。 6 用いられる基板が、随時ガラス繊維―強化さ
れた及び/または鉱物繊維―強化された及び/ま
たはラバー―グラフトされたナイロン6、ナイロ
ン6.6、ナイロン11またはナイロン12またはそれ
らの縮合物または混合縮合物、またはポリテトラ
フルオロエチレン、ポリフツ化ビニルまたはポリ
フツ化ビニリデンまたはそれら相互の混合物また
は補強されたエポキシ樹脂、フエノール/ホルマ
リン樹脂またはメラミン樹脂またはそれらの混合
物より成るものであることを特徴とする特許請求
の範囲第1項記載の方法。 7 基板が膨潤剤で処理されることを特徴とする
特許請求の範囲第1項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3407114.8 | 1984-02-28 | ||
| DE19843407114 DE3407114A1 (de) | 1984-02-28 | 1984-02-28 | Verfahren zur herstellung von leiterplatten |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60206085A JPS60206085A (ja) | 1985-10-17 |
| JPH0354872B2 true JPH0354872B2 (ja) | 1991-08-21 |
Family
ID=6228986
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60034682A Granted JPS60206085A (ja) | 1984-02-28 | 1985-02-25 | プリント回路板の製造法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4830714A (ja) |
| EP (1) | EP0153683B1 (ja) |
| JP (1) | JPS60206085A (ja) |
| CA (1) | CA1277534C (ja) |
| DE (2) | DE3407114A1 (ja) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4718972A (en) * | 1986-01-24 | 1988-01-12 | International Business Machines Corporation | Method of removing seed particles from circuit board substrate surface |
| US5182135A (en) * | 1986-08-12 | 1993-01-26 | Bayer Aktiengesellschaft | Process for improving the adherency of metallic coatings deposited without current on plastic surfaces |
| US5238702A (en) * | 1988-10-27 | 1993-08-24 | Henning Giesecke | Electrically conductive patterns |
| DE3939676C2 (de) * | 1989-11-28 | 1994-01-27 | Schering Ag | Metallisierung von Nichtleitern |
| US5411629A (en) * | 1992-02-03 | 1995-05-02 | Motorola, Inc. | Method for roughening surface of halocarbon film |
| DE4209708A1 (de) * | 1992-03-25 | 1993-09-30 | Bayer Ag | Verfahren zur Verbesserung der Haftfestigkeit von stromlos abgeschiedenen Metallschichten |
| US5419954A (en) * | 1993-02-04 | 1995-05-30 | The Alpha Corporation | Composition including a catalytic metal-polymer complex and a method of manufacturing a laminate preform or a laminate which is catalytically effective for subsequent electroless metallization thereof |
| JPH07122850A (ja) * | 1993-10-22 | 1995-05-12 | Totoku Electric Co Ltd | 低誘電率プリント基板の製造方法 |
| US5427895A (en) * | 1993-12-23 | 1995-06-27 | International Business Machines Corporation | Semi-subtractive circuitization |
| DE4417245A1 (de) * | 1994-04-23 | 1995-10-26 | Lpkf Cad Cam Systeme Gmbh | Verfahren zur strukturierten Metallisierung der Oberfläche von Substraten |
| TW312079B (ja) * | 1994-06-06 | 1997-08-01 | Ibm | |
| DE4438799A1 (de) * | 1994-10-18 | 1996-04-25 | Atotech Deutschland Gmbh | Verfahren zum Beschichten elektrisch nichtleitender Oberflächen mit Metallstrukturen |
| IE980461A1 (en) * | 1998-06-15 | 2000-05-03 | Univ Cork | Method for selective activation and metallisation of materials |
| DE19910482A1 (de) * | 1999-03-10 | 2000-05-04 | Stp Elektronische Systeme Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Leiterplatten-Schaltungsebenen |
| RU2151475C1 (ru) * | 1999-06-15 | 2000-06-20 | Ратников Виктор Иванович | Способ изготовления печатных плат |
| DE102015201562A1 (de) * | 2015-01-29 | 2016-08-04 | Helmholtz-Zentrum Dresden - Rossendorf E.V. | Verfahren zur Metallisierung von Kunststoffteilen sowie Lösung |
| EP3181006A1 (fr) * | 2015-12-18 | 2017-06-21 | The Swatch Group Research and Development Ltd. | Element d'habillage en zircone a coloration selective |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1521445C3 (de) * | 1965-06-01 | 1979-11-29 | Photocircuits Corp., Glen Cove, N.Y. (V.St.A.) | Verfahren zur Herstellung von für die stromlose Metallbeschichtung aktivierten Isolierstoffoberflächen |
| US3501332A (en) * | 1967-04-28 | 1970-03-17 | Shell Oil Co | Metal plating of plastics |
| DE2116389C3 (de) * | 1971-03-30 | 1980-04-03 | Schering Ag, 1000 Berlin Und 4619 Bergkamen | Lösung zur Aktivierung von Oberflächen für die Metallisierung |
| US3865623A (en) * | 1973-02-02 | 1975-02-11 | Litton Systems Inc | Fully additive process for manufacturing printed circuit boards |
| CA956294A (en) * | 1973-03-14 | 1974-10-15 | Stanley J. Whittaker | Rotary valve |
| US4021314A (en) * | 1976-03-25 | 1977-05-03 | Western Electric Company, Inc. | Method of depositing a metal on a surface |
| US4042387A (en) * | 1976-05-05 | 1977-08-16 | Rockwell International Corp | Photolithographic method of making microcircuits using glycerine in photoresist stripping solution |
| JPS606556B2 (ja) * | 1977-06-03 | 1985-02-19 | 旭化成株式会社 | プリント回路板の製造法 |
| DE2920940A1 (de) * | 1979-05-21 | 1980-12-04 | Schering Ag | Verfahren zur herstellung von gedruckten schaltungen |
| JPS5685894A (en) * | 1979-12-17 | 1981-07-13 | Tokyo Shibaura Electric Co | Method of forming printed circuit |
| US4281034A (en) * | 1980-04-03 | 1981-07-28 | Sunbeam Corporation | Plating on plastics by softening with trichloroethylene and methylene chloride bath |
| DE3148280A1 (de) * | 1981-12-05 | 1983-06-09 | Bayer Ag, 5090 Leverkusen | Verfahren zur aktivierung von substratoberflaechen fuer die stromlose metallisierung |
| DE3150985A1 (de) * | 1981-12-23 | 1983-06-30 | Bayer Ag, 5090 Leverkusen | Verfahren zur aktivierung von substratoberflaechen fuer die stromlose metallisierung |
| JPS5986628A (ja) * | 1982-11-10 | 1984-05-18 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | ポリエステルの被覆方法 |
-
1984
- 1984-02-28 DE DE19843407114 patent/DE3407114A1/de not_active Withdrawn
-
1985
- 1985-02-16 EP EP19850101732 patent/EP0153683B1/de not_active Expired
- 1985-02-16 DE DE8585101732T patent/DE3569450D1/de not_active Expired
- 1985-02-25 JP JP60034682A patent/JPS60206085A/ja active Granted
- 1985-02-26 CA CA 475146 patent/CA1277534C/en not_active Expired - Lifetime
-
1987
- 1987-04-22 US US07/041,037 patent/US4830714A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0153683B1 (de) | 1989-04-12 |
| EP0153683A3 (en) | 1987-07-01 |
| JPS60206085A (ja) | 1985-10-17 |
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| EP0153683A2 (de) | 1985-09-04 |
| DE3569450D1 (en) | 1989-05-18 |
| US4830714A (en) | 1989-05-16 |
| CA1277534C (en) | 1990-12-11 |
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