JPS60206085A - プリント回路板の製造法 - Google Patents

プリント回路板の製造法

Info

Publication number
JPS60206085A
JPS60206085A JP60034682A JP3468285A JPS60206085A JP S60206085 A JPS60206085 A JP S60206085A JP 60034682 A JP60034682 A JP 60034682A JP 3468285 A JP3468285 A JP 3468285A JP S60206085 A JPS60206085 A JP S60206085A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
printed circuit
group
groups
complex compound
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP60034682A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0354872B2 (ja
Inventor
キルコル・ジリニアン
ゲルハルト・デイーター・ボルフ
ウルリツヒ・フオン・ギツイツキ
ルドルフ・メルテン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Bayer AG
Original Assignee
Bayer AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=6228986&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JPS60206085(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Bayer AG filed Critical Bayer AG
Publication of JPS60206085A publication Critical patent/JPS60206085A/ja
Publication of JPH0354872B2 publication Critical patent/JPH0354872B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
    • H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
    • H05K3/182—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method
    • H05K3/184—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1603—Process or apparatus coating on selected surface areas
    • C23C18/1605—Process or apparatus coating on selected surface areas by masking
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1633—Process of electroless plating
    • C23C18/1646—Characteristics of the product obtained
    • C23C18/165—Multilayered product
    • C23C18/1653—Two or more layers with at least one layer obtained by electroless plating and one layer obtained by electroplating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
    • C23C18/2006—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins by other methods than those of C23C18/22 - C23C18/30
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
    • C23C18/2006—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins by other methods than those of C23C18/22 - C23C18/30
    • C23C18/2026—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins by other methods than those of C23C18/22 - C23C18/30 by radiant energy
    • C23C18/204—Radiation, e.g. UV, laser
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
    • C23C18/2006—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins by other methods than those of C23C18/22 - C23C18/30
    • C23C18/2046—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins by other methods than those of C23C18/22 - C23C18/30 by chemical pretreatment
    • C23C18/2073—Multistep pretreatment
    • C23C18/208—Multistep pretreatment with use of metal first
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
    • C23C18/22—Roughening, e.g. by etching
    • C23C18/24—Roughening, e.g. by etching using acid aqueous solutions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
    • C23C18/22—Roughening, e.g. by etching
    • C23C18/26—Roughening, e.g. by etching using organic liquids
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
    • C23C18/28—Sensitising or activating
    • C23C18/30—Activating or accelerating or sensitising with palladium or other noble metal
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
    • H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
    • H05K2203/0703—Plating
    • H05K2203/0716—Metallic plating catalysts, e.g. for direct electroplating of through holes; Sensitising or activating metallic plating catalysts
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/14—Related to the order of processing steps
    • H05K2203/1407—Applying catalyst before applying plating resist

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は添加物法または準−添加物法によるプリント回
路板製造のための湿式−化学的方法に関する。
通常の絶縁性基体材料上へしつかシ付着した金属層を析
出せしめるには複雑な予備処理を必要とすることがよく
知られている。即ち、例えば、基板は先ず付着−促進層
が施されなければならず次いで酸化液、好ましくはクロ
ム硫酸で処理されなければならず、このようにして準備
された板はそれからイオン性またはコロイド状貴金属溶
液で活性化され、マスクされ、そして商業的金属化浴中
で金属化されるのである。
この方法が多くの段階を必要とする事実を別としても、
この技法は随伴するクロムイオンが各部分を不可逆的に
被毒せしめ、そして得られるプリント回路板は不満足な
電気的性質を有するという欠点をもっている。
それ数基体、例えばプリント回路板の基板も包含する基
体、の非電導性表面を貴金属錯化合物を含有する溶液ま
たは表面被覆で活性化することが提案され、これは化学
的金属化に先立つ酸化予備処理なしに行なわれるのであ
る(例えばドイツ特許出願公開第1.696.603号
及び第2,116,389号参照)。
しかしながら、これらの材料を温和な条件に付する活性
化方法は実際には確立されるに至らなかつた。なぜなら
、それらは比較的大量の活性化剤を必要としそして電子
工業において要求される高い引剥がし強さを有する金属
層を与えないからである。
今回、次の方法によれば、上記の欠点が克服され、そし
て高品質のプリント回路板が得られることが見出された
: (α)基板を、少くとも一つの付着−促進官能基を含む
、周期律表の亜族lまたは■の元素の錯化合物を含有す
る活性化側系で処理し、 (6) 溶剤を蒸発させた後、レジスト層を施し、そし
てレジストのパターンに従って部分的に露出せしめ、 (C) 被われ、従って架橋されなかったレジスト層部
分を、同時に基板表面の膨潤剤であることもできる、適
当な溶剤で溶解し去υ、そして(の このようにして裸
にされた部分を−もし適当なら増感浴に移した後に一電
流の不在下に通常の湿式−化学的金属化浴中で金属化し
、そして、所望によシ金属化された部分の厚さを電気メ
ッキによシ増大させる。
このような方法によシ明確な輪郭を有するしつかり付着
した金属層が得られることは非常に驚くべきことと考え
なければならない。なぜなら、硬化されなかったレジス
ト層が溶解し去られそして基体表面が膨潤されたとき活
性化剤もまた少くともその幾分かは除去されるであろう
ことが予想されるからである。
活性化側溶液中における適当な錯化合物は、オレフィン
、共役ジエン及びα、β−不飽和ケトンのπ−錯体、な
らびにニトリル、アミン、カルボキシル、ヒドロキシル
、スルホ及びスルホンアミド基を含む化合物のキレート
−錯体でおって、金属錯化合物の形成に必要なこれら基
の他に更に活性化剤の基体表面への付着を改善する少く
とも一つの官能基を含有するものである。
これは基体表面との化学反応によって達成されるが、好
ましくは水素架橋の形成によってまたはファンデルワー
ルス力の作用によって達成される。
そのような活性化剤の基体表面への固定を達成するのに
特に適当な官能基はカルボン酸基、カルボン酸ハライド
基、カルボン酸アンハイドライド基、カルボン酸エステ
ル基、カルボキシアミド基及びカルボキシイミド基、ア
ルデヒド及びケトン基、エーテル基、スルホンアミド基
、スルホM及びスルホネート基、スルホニルハライド基
、スルホン酸エステル基、ハロダン含有複素環基、例え
ばクロロ−トリアジニル、−ピラジニル、−ピリミジル
または−キノキサリニル基、ビニルスルホン酸誘導体ま
たはアクリル酸誘導体における如き活性化された二重結
合、アミノ基、ヒドロキシル基、イソシアナト基、オレ
フィン基及びアセチレン基、メルカプト基及びエポキサ
イド基、及びC原子8個またはそれ以上を含む比較的長
鎖のアルキルまたはアルケニル基、特にオレイル、リル
イル、ステアリルまたはパルミチル基である。
特に非常に適当な基はカルボン酸基、カルボン酸アンハ
イドライド基、アミド基、カルボン酸イミド基、ケト基
、アルデヒド基及びエステル基の如き官能基である。
それぞれ特定の基体に対し吸着を生成させる官能基を適
合させるのが有利である。例えば、活性化側分子中の長
鎖アルキルまたはアルケニル基はポリエチレンまたはポ
リプロピレンより成る基体への付着を改善する。他方で
は、例えば追加的にカルボニルまたはスルホニル基を含
む活性化剤はポリアミドまたはポリエステルに基づく物
品の金属化に特に有利である。
好ましい活性化剤は、例えばドイツ特許出願公開第3,
148,280号に記載の如く、元素Pd。
Ax、ptまたはAQの有機金属π化合物である。
特に好ましい化合物は、それらの成るものは同じぐ公知
であるかまたはそれ自体公知の方法によって得られるも
のであるが、周期律表の亜族lまたは■の酸化段階1〜
4にある元素(特に1価のパラジウム)と、式 式中、 R1及びR4はC1〜C2o−アルキル、好ましくはC
l−06−アルキルをあられし、そして R1及びR1は水素または01〜C2−アルキル、好ま
しくはメチルをあられす、 の不飽和ケトンとの錯化合物である。
例として次のものを挙げることができる:メシチルオキ
サイド、n−ブドー3−エン−2−オン、n−ヘプト−
3−エン−2−オン、n−へキス−3−エン−2−オン
、n−デス−4−エン−3−オン、5−クロロ−ベント
−3−エン−2−オン、エチルビニルケトン、3−メチ
ル−オクト−5−エン−4−オン、3−メチル−ベント
−3−エン−2−オン及び7−メトキシ−ヘプトー3−
エン−2−オン。
その他の好ましい錯化合物形成体の例はブタジェン、4
−シクロヘキセン−1,2−ジカルボン酸アンハイドラ
イド及び4−シクロヘキセン−1゜2−ジカルボキシイ
ミドである。これらのノ々ラジウム錯化合物は特に好ま
しい。
本発明による新規方法は基体材料が上述の有機金属化合
物で濡れているようにして有利に行なわれる。これは主
として上記活性化剤の易揮発性有機溶液を噴霧するか、
またはこれらの媒体中に浸漬することによって行なうこ
とができる。この操作において、活性化剤の濃度は溶剤
lllクシ、019〜1(lであるべきである。好まし
い溶剤は11CCI、 、CCl4.C1l、C1,ま
たはCI CH=CCl。
の如き塩素化炭化水素、C,H,ORまたはCH30H
の如きアルコール、及びこれら相互の混合物である。
このように処理された基体材料は、もし適当なら続いて
スクリーン状のマスクで部分的に被われ、そしてもし必
要なら溶剤中で部分的に膨潤され、そして増感され、然
る後還元性金属化浴中で部分的に金属化される。
殆どの場合、“レジスト・フィルム“ (感光性レジス
ト、フォトレジスト)、即ち“ネガ・レジスト1または
“4ジ・レジスト1は基体材料を部分的に被うために用
いることができ、これらレジストは良く知られている〔
例えばGhntheデB#デーmann、” Lett
grplattan、 Herstellung xn
dVorbahandlwng ’″ (プリント回路
板、製造及び予備処理)、98〜103頁及び125〜
127頁参照〕。
第一の場合、露出後露出されなかった部分を適当な溶剤
で除去し、然るに第二の場合は露出された部分を除去す
る。数多くの特別のレジスト系がエレクトロエックスセ
クターまたはミクローエレクトロエックスセクター用の
レリーフを製造するのに用いることができる。これに関
してはUV照射、エレクトロンビーム及びレーザービー
ムの助けで硬化させることのできるレジスト系が挙げら
れる(ドイツ特許出願公開第zoo7,2e7号、同第
2.454.879号及び同第2.507.874号参
照)。
レリーフマスクはスクリーン印刷、被覆または押印によ
って施すことができる。
本発明の方法に適当な基体は板、好ましくは標準の孔を
備えそしてガラス繊維−強化もしくはガラスマット−強
化ニブキシ樹脂〔例えばKuns t −atoffh
andbwch、 prof、R,Vieweg 、 
XI、 p、 180〜246 、 Carl Han
ser Verlag、 hhbnicん(1971)
参照〕、フッ素−含有ポリマー(例えば上記文献p、6
73〜674参照)例えばPTFE (ポリテトラフル
オロエチレン)、熱硬化性プラスチック例えとフェノー
ル−ホルマリン及び/またはメラミン樹脂(例えばpr
ol、Ryittweg“Kunststoff−Ha
ndbwch” 、 X 、 p 、 19〜59及び
p、63〜128参照)、ポリプロピレン、ポリエチレ
ン、ABS(アクリロニトリル/プタジエ//スチレン
)コポリマーまたはグラフトコポリマー及び重縮合体(
例えばポリカーボネート、芳香族及び/または脂肪族ポ
リアミド、ポリエステル、芳香族及び/または脂肪族ポ
リアミド及びポリアミド−イミド及びそれらの混合縮合
体または共縮合体)より成る板である。
レジスト層の架橋されなかった部分を溶解し去るのに適
当な溶剤はその中にレジスト層のブレポリマーが容易に
溶ける普通の有機溶剤である。有利には、えらばれる溶
剤系は同時に基体に対して膨潤剤であるものでおる。
例えば、ポリアミド縮合体に基づく基体の処理のために
は、周期律表の主族1及び/または2の元素のハライド
と、無機弱塩基と無機強酸との塩と、の混合物の溶液が
用いられる。
主族1及び2の元素の適当なハライドは、特にクロ2イ
ドであり、好ましくはLiC1,BeCL、。
xgct、及びCact、である。
適当な弱塩基と強酸との塩は、主族及び亜族3及び4の
金属及び亜族6〜8の非貴金属の硫酸塩、硝酸塩及び特
に塩化物である。FttCl、 、FeC1,。
T1Cl、、TiC1,、BCl3及び特にALCL、
が好ましい。
適当な膨潤剤及び溶剤はポリアミドに関する普通のハン
ドブックに記載されているようなものである〔例えば“
Die Polyamide ’″、 Hopff 。
MhlLer、FP’egner 、Springgr
−Verlag (t s s4)及び“polyme
r Handbook 、 Brandrupら。
New York、 vol、W (1975)及び“
Kunst−stoffhandbxch ”、 Vi
eweg Mhller、 vol、Pi(1966)
参照〕。例として次のものが挙けられる:低級脂肪族及
び芳香・脂肪族(αraliphα−tic )アルコ
ール、例えばメタノール、エタノール、イソフロパノー
ル、n−フロパノール、九−フタノール、ベンジルアル
コール及びフェニルエチルアルコール。メタノールが特
に好ましい。ジメチルスルホキサイド及びアミド基を含
む溶剤例えばホルムアミド及びジメチルホルムアミドも
また適当である。これら溶剤の混合物もまたもちろん使
用できる。゛ 所望によシ、普通のポリアミド可塑剤(液全量に関して
0.2〜lO重量%またはα5〜5重量%)も添加する
ことができる。その例としてベンゼンスルホン酸モノエ
チルアミド、p−トルエンスルホン酸アミド、ジオキシ
ジツェニルスルホン及びジベンジルアルコールが挙げら
れる。
溶剤処理後、得られる“半一仕上げ製品゛は、これもま
た本発明の一主題をなすものであるが、付着している溶
剤が除去される。
これは一般に蒸発によって、もし適当なら減圧下に、行
なわれる。比較的高沸点の溶剤は、有利には、低沸点溶
剤を用いて抽出するかフラッジすることによって除去さ
れる。
基体としてフッ素含有ポリマーを用いるときは、好まし
いこの変形法は、これらポリマーを、有機の、好ましく
は無水の、溶液例えばTHF (テトラヒドロフラン)
、ベンゼン及びトルエン溶液であって、その他にカルブ
アニオンまたはカルブカチオン會形成しうるローンエレ
クトロンペア含有する有機アルカリ金属化合物をも含有
する溶液中に浸漬することによって処理することから成
る。
これに関連して次の引用文献が参照される:N、D。
5cottら、Am、Soc、58.2443 (19
36);N、D、5cott 、米国特許第2,181
,771号;M。
Szwarc、NatureIT8.1168 (19
56);及びM、 Szwarc、Am、Soc、’l
 8 、2656 (1956)。ナフタレン−ナトリ
ウム、ナフタレン−リチウム、ベンゼン−リチウム、ベ
ンゼン−ナトリウム、及びビフェニル−、トリフェニル
−及びブチル−リチウム及び−ナトリウムが特に好まし
い。有機アルカリ金属化合物の濃度は溶剤11当シ0.
O1〜250Iであるべきであり、好ましくは25〜1
00.9.特に好ましくは5〜75gである。
このように処理され九半−仕上げ板は乾燥されそして次
にH,0または低級アルコールで洗浄される。次いでそ
れらは活性化され、商業的レジストで複機され、そして
湿式−化学的方法による部分的金属化のために準備され
る。
本発明による半一仕上げ製品、例えば特に好ましいフッ
素含有ポリマーは、上記有機金属活性化剤、商業的レジ
ストまたはスクリーン印刷層に対して驚くべき程すぐれ
た付着力を有し、そしてまた部分に対し非常に良好な付
着をあられす金属層を備えることができる。
同じく本発明による基体材料の製造に好ましく用いられ
そしてフェノール樹脂、エポキシ樹脂及びメラミン樹脂
に基づく熱硬化性プラスチックもまたもちろん、ニジス
トマー成分を含有する付着−促進表面複機を備えること
ができる〔例えば、G、Herman 、 Leite
rpLatten 、 Eerstellungand
 Vorbereitung、 p、164〜168 
+Euden G、 Lenze Verlag 、 
Saw1gau/1Vhrtt 。
(1978)参照〕。最終段階で析出された金属層の引
剥がし強さを増すためには、それらは、活性化された後
に、ABSポリマーに通常用いられる溶剤または膨潤剤
中で〔例えば“polymer−11andbook”
 、 Brandrupら、 New York、 v
ol 、 IV(1975)参照〕、或いは酸化媒体中
で、処理することができる。
プリント回路板製造用の本発明の半一仕上げ基体材料は
次の性質を有すべきでおる: 1、活性化された状態において、それらは空気中で湿気
に対し安定であるべきである。
! ツレらの活性化剤層はフォトレジスト層の施用また
は現像の過程で表面から除かれたシまたは脱活性化され
たシすべきではない。
3、それらの活性化剤層は膨潤または酸化工程の間に表
面から除かれたりまだは脱活性化されたりずべきではな
い。
4、更に、レリーフ層は膨潤または現像工程の間に材料
表面から7ラツシされるべきではない。
5、金属化または増感浴を毒するリガンドが増感または
雀属化過程で遊離されてはならない。
不発明による半一仕上は製品は次いで還元にょシ増感さ
れなければならない。これは好ましくはヒドラジンヒト
ラード、ホルムアルデヒド、ハイポホスファイトまたは
ボランの如き通常電気メッキで使用される還元剤を用い
て行なわれる。もちろんその他の還元剤を用いることも
できる。還元は好ましくは水性溶液中で行なわれる。し
かしながら、他の溶剤例えばアルコール、エーテルまた
は炭化水素も用いることができる。還元剤の懸濁液また
はペーストもまたもちろん用いることができる。
このようにして増感された表面は電流の不在下に直接金
属化のために使用することができる。しかしながら、残
留している還元剤を光面から濯いで除くことも必要であ
ろう。
本発明方法の特に非常に好ましい態様は、還元を金属化
浴中で、電流の不在下で金属化を行なうのに用いられる
還元剤を用いて、直接実施することから成る。この態様
は電流の不在下における金属化の簡易化を構成するもの
でアシ、従来はこの簡易化は不可能であった。
この態様はアミノボラン−含有ニッケル番′またはホル
マリン−含有銅浴に対し特に非常に適する。
本発明方法で好ましく用いられる金属化浴は、ニッケル
塩、コバルト塩、銅塩、金塩及び銀塩またはこれら相互
間もしくは鉄塩との混合物を含有する浴である。この種
の金桃化浴は電流不在下の金鵬化技術において知られて
いる。
これら化学的方法で析出された金橋層はもちろん電解的
金属化浴中で銅メッキ、鉄メッキ、錫メッキまたは亜鉛
メッキすることができる。
実施例1 ナイロン6よ構成るガラス繊維−強化された200X2
00X1mのポリマー板に0.5 wx (7)孔を複
数個おけ、C11IC1,1l及び4−シクロヘキセン
−1,2−ジカルボン酸アンハイドライド−パラジウム
(II)クロライド1.09よ構成る浴中で冨温におい
て5分間かけて活性化し、そして乾燥する。このように
してつくられた活性の半一仕上は基体I料を7日後に、
スチレン/ブタジェンコポリマーに基づき幅約500μ
mの櫛状自由通路を有する市販のスクリーン印桐マスク
で被い、次いでメタノール1400mX(1’αCL、
12011、AlCl32.O,P及び11,0400
m1より成る浴中で5分間後処理する。次にこの板をエ
タノール1200d、NM、溶液(25%濃度)24ゴ
及び2n、nmAB(ジメチルアミノボラン)溶液50
0ゴよ構成る浴中で5分間増感し、洗浄し、次いで商業
用銅メツキ浴中で化学的方法によって銅メッキする。
約1分後、自由通路は色が黒くなシ、そして25分後に
電気伝導性のCx層が析出され、この層の厚さは電気メ
ッキによる析出鋼で40μmに増大される。
幅500μ憎及び厚さ40μmの回路通路を有するメッ
キされた、孔を通じてプリントされた回路板が得られる
。金属層は基体表面に十分よく付着しており、そのため
商業用はんだ浴中265℃で1分間後処理してもポリマ
ー表面から金属層は除去されない。
実施例2 商業用ラバー−グラフトナイロン6の200×250X
Imの板に0.2mの孔をおけ、CM、CL。
11及びメシチルオキサイド−パラジウムクロライド0
.9gより成る浴中で4分間18℃で活性化し、乾燥し
、そして1.4−ポリイソゾレンのオリゴマー(キシレ
ン中5重量%濃度)とAGFA−GEVAERT AG
の感光性ジアゾ開始剤に基づくUV−硬化性の表面核種
を噴霧し、そしてこの表面被機層を物理的に硬化させる
。1週間後、この半一仕上げ製品の活性表面をフォトマ
スクで被いそしてUV照射によって部分的に架橋する。
試料からマスクを除去した後架橋されなかったゾシポリ
マー区域をメタノール′(“高純度)中で除く。
次いで基体材料をメタノール700d、i−ブタノール
50ml、CaC1,8011及びTiCL429より
成る浴中で8分間室温で後処理し、実施例1に従って増
感し、乾燥し、そして次に商業用ニッケルメッキ浴中で
ニッケルメッキする。約2分後に自由通路は色が銀灰色
になシ、そして約20分後には良好な電導性をあられす
Ni層が析出し、この層の厚さを電解的に析出された銀
によって40μmに増大する。
幅30μm1厚さ40μmの回路通路を有するメッキさ
れた、孔を通じプリントされた回路板が得られる。金属
層の引剥がし強さはDIIV53,494により測定し
て約60#/25mであシ、そして255℃の2分間は
んだ浴試験に合格する。
実施例3 鉱物繊維40%で強化されたナイロン6よシ成るポリマ
ーの1100X100X1板を4−シクロヘキセン−1
,2−ジカルボン酸イミド−パラジウム(II)クロラ
イド0.8g及びCE、C1,11よシ成る浴中で35
℃で3分間活性化し、乾燥し、そして次にMund T
 Chemicals GmbH,Stuttgart
からのUV−硬化性レジストで被覆する。14日後、半
一仕上げ製品の活性化された表面をフォトマスクで被い
、そしてUV照射によ多部分的に架橋する。基体材料か
らマスクを除いた後、架橋されなかったポリマー区域を
商業的現像液中で除去する。試料を次いでEtOE15
00ml、CaC1゜120JF、p−)ルエンスルホ
ンアミド2〇−及びAlCl、39よシ成る浴中で5分
間室温で処理し、実施例1に従って増感し、幅約150
μmの櫛状自由通路を有する画業用スクリーン印刷マス
クで被い、洗浄し、そして次に商業用鋼−メッキ浴中で
化学的方法によシ銅メッキする。
約数分の後、自由通路は色が黒くなシ、そして約30分
後には電導性のCs層が析出される。
金属層はポリマー表面に十分良好に付着しておF)、D
INS &436による熱衝撃試験に合格する。
実施例4 商業用ポリテトラフルオロエチレンの200×200X
1mフィルムをナトリウム1モル、ナフタレン1モル及
びTHF (高純度)1ノよシ成る浴中で5分間前処理
する。その後、板をメタノールで中性になるまで洗浄し
、次いでn−ヘプト−3−エン−2−オン−パラジウム
クロライ)”1.29及びCCI、 =CHC1100
0rnlよシ成る浴中で30℃で6分間処理し、その後
乾燥する。このようにしてつくった活性板にマスクをつ
け、増感し、次に銅メッキし、これらの段階は実施例1
に従って行なう。金属層はポリマー表面に十分良く付着
しておシ、商業用はんだ浴中265℃で5分間後処理し
ても金属層はポリマー表面から除去することができない
。
実施例5 概略30重量−の鉱物繊維で強化されたポリフッ化ビニ
ルの200x200x1mフイルムヲベンゼンーリチウ
ム90.9及びTIIF(高純度)900111gよシ
成る浴中で室温で5分間処理しそして実施例1に従って
活性化し、そして1ケ月の貯蔵期間後、実施例2に従い
レジストマスクを施し、実施例1に従い増感し、そして
次に部分的にニッケルメッキし、この通路の厚さを電解
的に析出させた銀で40μmに増大させ、これら終りの
二つの段階は実施例2に従って実施する。
幅30μ質、厚さ40μmの回路通路を有する、メッキ
された、孔を通じプリントされた回路板が得られる。金
属層の引剥がし強さはDINS&494によシ測定して
概略50〜60N725mであシ、そして250℃にお
ける5分間のはんだ浴試験に合格する。
実施例6 芳香族ポリアミド〔ピロメリット酸ジアンノ・イドライ
ド(pMDA)と4,4′−ジアミノジフェニルエーテ
ルとの縮合生成物〕よ9成る200×300鶴フイルム
に0.25mの孔をあけ、実施例3に従い活性化し、ま
たは貯蔵し、そして実施例3に従い、Mgrck A 
GからのUV−感光性表面被覆で被覆する。このように
してつくられた活性半一仕上げ製品を3日後にUV照射
を用いて部分的に架橋する。試料から架橋されなかった
プレポリマー区域を商業的現像浴中で除去する。試料を
次いで実施例1に従い増感しそして金属化する。
金属化されたプリント回路板が得られる。金属層は基体
表面に十分良く付着しておシ、商業用はんだ浴中、高温
(約240℃)における1分間の後処理にも拘らず金属
層はポリマー表面から除かれない。
実施例7 商業用のガラスマット−強化され化学的に粗面化された
エポキシ樹脂の1100X200s矩形板に貫通孔をあ
け、実施例1に従って活性化する。
9日の貯蔵期間の後、幅80μmの櫛状通路を有するス
クリーン印刷マスクで板を被い、メタノール1000m
、ヒドラジン4〇−及びNil、溶液(濃度25%)1
2−よ9成る浴中で5分間室温で増感し、洗浄し、次い
で実施例2に従いニッケルメッキし、そして次に通路の
厚さを電解的に析出させた金によシ40μ情に増大する
。よく付着した金属層を有する、メッキされた、孔を通
じプリントされた回路板が得られる。
実施例8 商業用フェノール樹脂/硬質紙の100 X 200諺
矩形板であって、貫通孔を有し、その表面はラバーラテ
ックス30チが加えられた厚さ20μ常の商業用付着−
促進層を含む板を、実施例3に従い活性化しそしてMe
rck AG 、 DarmstadtからのUVレジ
ストで被覆する。14日後、活性板を実施例3に従って
現像し、実施例7に従って増感し、洗浄し、そして実施
例3に従って金属化する。
約数分後、表面は黒くなシ初め、そして約25分径金属
光沢及び良好な付着をあられす金属層が析出された。
4−シクロヘキセン−1,2−ジカルボキシイミド10
gを5倍量の1)MF (ジメチルホルムアミド)の中
に溶かし、そして当モル量のアセトニトリル−パラジウ
ムジクロライドを3時間の間に45℃で加える。DMF
及びアセトニトリルを45°G/25mbarで蒸留除
去する。融点:102℃の褐黄色固体が95%収率で得
られる。
第1頁の続き 0発 明 者 ルドルフ・メルテン ドイツ連邦共和国
デフオンーズットナー −5090レーフエルクーゼン会ベルター−シュトラー
セ、55

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 L 添加物法または準−添加物法に従い、基板を電流の
    不在下に有機金属活性化剤の助けによシ部分的に湿式−
    化学的に金属化することによってプリント回路板を製造
    する方法において、(α)基板を、少くとも一つの付着
    −促進官能基を含ム周期律表の亜族Iまたは■の元素の
    錯化合物を含有する活性化剤系で処理し、 (b) 溶剤を蒸発させた後、レジスト層を施し、そし
    てレジストのツクターンに従って部分的に露出せしめ、 (C) 被われ、従って架橋されなかったレジスト層部
    分を、同時に基板表面の膨潤剤であることもできる、適
    当な溶剤で溶解し去シ、そして(イ)このようにして裸
    にされた部分を−もし適当なら増感浴に移した後に一電
    流の不在下に通常の湿式−化学的金属化浴中で金属化し
    、そして、所望によシ、金属化された部分の厚さを電気
    メッキによって増大させる、 ことを特徴とするプリント回路板の製造方法。 2 用いられる錯化合物が、オレフィン、共役ジエン及
    びα、β−不飽和ケトンのπ−錯化合物、ならびにニト
    リル、アミノ、カルボキシル、ヒドロキシル、スルホ及
    びスルホンアミド基を含ム化合物のキレート錯化合物で
    あって、金属錯化合物の形成に必要な基の他に更に活性
    化剤の基体表面への付着を改善する少くとも一つの官能
    基を含有するものであることを特徴とする特許請求の範
    囲第1項記載の方法。 ふ 用いられる錯化合物が、官能基としてカルボン酸基
    、無水カルボン酸基、アミド基、カルポン酸イミド基、
    ケト基、アルデヒド基及びエステル基を含有するもので
    あることを特徴とする特許請求の範囲第1項または第2
    項記載の方法。 4、用いられる錯化合物が、メシチルオキサイド−パラ
    ジウムクロライド、ヘプト−3−エン−2−オンーノぐ
    ラジウムクロライド、ブタジエンーノぐラジウムクロラ
    イド、4−シクロヘキセン−1゜2−ジカルボン酸アン
    ハイドライドーノぐラジウム(II)クロライド及び4
    −シクロヘキセン−1゜2−ジカルボン酸イミド−パラ
    ジウム(1)クロライドであることを特徴とする特許請
    求の範囲第1項記載の方法。 5、用いられる錯化合物が、4−シクロヘキセン−1,
    2−ジカルボン酸イミドーノぐラジウムクロライドであ
    ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の方法。 6、用いられる基板が、随時ガラス繊維−強化された及
    び/または鉱物繊維−強化された及び/またはラバー−
    グラフトされたナイロン6、ナイロン6.6、ナイロン
    11またはナイロン12またはそれらの縮合物または混
    合縮合物、またはポリテトラフルオロエチレン、ポリフ
    ッ化ビニルまたはポリフッ化ビニリデンまたはそれら相
    互の混合物または補強されたエポキシ樹脂、フェノール
    /ホルマリン樹脂またはメラミン樹脂またはそれらの混
    合物よシ成るものであることを特徴とする特許請求の範
    囲第1項記載の方法。 7、基板が膨潤剤で処理されることを特徴とする特許請
    求の範囲第1項記載の方法。 & 特許請求の範囲第1〜7項のいずれかに記載の方法
    に従って得られたプリント回路板。 9、(α)基板を、少くとも一つの付着−促進官能基を
    含む、周期律表の亜族lまたは■の元素の錯化合物に基
    づく活性化側溶液で処理し、そして(b)溶剤を蒸発さ
    せた後、レジスト層を施し、そしてレジスト法に従い部
    分的に露出せしめる、ことを特徴とする、プリント回路
    板へと更に加工するための半一仕上げ製品の製造法。 10、特許請求の範囲第9項記載の方法に従って得られ
    た、プリント回路板製作用の半一仕上げ製品。
JP60034682A 1984-02-28 1985-02-25 プリント回路板の製造法 Granted JPS60206085A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19843407114 DE3407114A1 (de) 1984-02-28 1984-02-28 Verfahren zur herstellung von leiterplatten
DE3407114.8 1984-02-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS60206085A true JPS60206085A (ja) 1985-10-17
JPH0354872B2 JPH0354872B2 (ja) 1991-08-21

Family

ID=6228986

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60034682A Granted JPS60206085A (ja) 1984-02-28 1985-02-25 プリント回路板の製造法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4830714A (ja)
EP (1) EP0153683B1 (ja)
JP (1) JPS60206085A (ja)
CA (1) CA1277534C (ja)
DE (2) DE3407114A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07122850A (ja) * 1993-10-22 1995-05-12 Totoku Electric Co Ltd 低誘電率プリント基板の製造方法

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4718972A (en) * 1986-01-24 1988-01-12 International Business Machines Corporation Method of removing seed particles from circuit board substrate surface
US5182135A (en) * 1986-08-12 1993-01-26 Bayer Aktiengesellschaft Process for improving the adherency of metallic coatings deposited without current on plastic surfaces
US5238702A (en) * 1988-10-27 1993-08-24 Henning Giesecke Electrically conductive patterns
DE3939676C2 (de) * 1989-11-28 1994-01-27 Schering Ag Metallisierung von Nichtleitern
US5411629A (en) * 1992-02-03 1995-05-02 Motorola, Inc. Method for roughening surface of halocarbon film
DE4209708A1 (de) * 1992-03-25 1993-09-30 Bayer Ag Verfahren zur Verbesserung der Haftfestigkeit von stromlos abgeschiedenen Metallschichten
US5419954A (en) * 1993-02-04 1995-05-30 The Alpha Corporation Composition including a catalytic metal-polymer complex and a method of manufacturing a laminate preform or a laminate which is catalytically effective for subsequent electroless metallization thereof
US5427895A (en) * 1993-12-23 1995-06-27 International Business Machines Corporation Semi-subtractive circuitization
DE4417245A1 (de) * 1994-04-23 1995-10-26 Lpkf Cad Cam Systeme Gmbh Verfahren zur strukturierten Metallisierung der Oberfläche von Substraten
TW312079B (ja) * 1994-06-06 1997-08-01 Ibm
DE4438799A1 (de) * 1994-10-18 1996-04-25 Atotech Deutschland Gmbh Verfahren zum Beschichten elektrisch nichtleitender Oberflächen mit Metallstrukturen
IE980461A1 (en) * 1998-06-15 2000-05-03 Univ Cork Method for selective activation and metallisation of materials
DE19910482A1 (de) * 1999-03-10 2000-05-04 Stp Elektronische Systeme Gmbh Verfahren zur Herstellung von Leiterplatten-Schaltungsebenen
RU2151475C1 (ru) * 1999-06-15 2000-06-20 Ратников Виктор Иванович Способ изготовления печатных плат
DE102015201562A1 (de) * 2015-01-29 2016-08-04 Helmholtz-Zentrum Dresden - Rossendorf E.V. Verfahren zur Metallisierung von Kunststoffteilen sowie Lösung
EP3181006A1 (fr) * 2015-12-18 2017-06-21 The Swatch Group Research and Development Ltd. Element d'habillage en zircone a coloration selective

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS501424A (ja) * 1973-03-14 1975-01-09
JPS54770A (en) * 1977-06-03 1979-01-06 Asahi Chemical Ind Method of making print circuit board

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1521445C3 (de) * 1965-06-01 1979-11-29 Photocircuits Corp., Glen Cove, N.Y. (V.St.A.) Verfahren zur Herstellung von für die stromlose Metallbeschichtung aktivierten Isolierstoffoberflächen
US3501332A (en) * 1967-04-28 1970-03-17 Shell Oil Co Metal plating of plastics
DE2116389C3 (de) * 1971-03-30 1980-04-03 Schering Ag, 1000 Berlin Und 4619 Bergkamen Lösung zur Aktivierung von Oberflächen für die Metallisierung
US3865623A (en) * 1973-02-02 1975-02-11 Litton Systems Inc Fully additive process for manufacturing printed circuit boards
US4021314A (en) * 1976-03-25 1977-05-03 Western Electric Company, Inc. Method of depositing a metal on a surface
US4042387A (en) * 1976-05-05 1977-08-16 Rockwell International Corp Photolithographic method of making microcircuits using glycerine in photoresist stripping solution
DE2920940A1 (de) * 1979-05-21 1980-12-04 Schering Ag Verfahren zur herstellung von gedruckten schaltungen
JPS5685894A (en) * 1979-12-17 1981-07-13 Tokyo Shibaura Electric Co Method of forming printed circuit
US4281034A (en) * 1980-04-03 1981-07-28 Sunbeam Corporation Plating on plastics by softening with trichloroethylene and methylene chloride bath
DE3148280A1 (de) * 1981-12-05 1983-06-09 Bayer Ag, 5090 Leverkusen Verfahren zur aktivierung von substratoberflaechen fuer die stromlose metallisierung
DE3150985A1 (de) * 1981-12-23 1983-06-30 Bayer Ag, 5090 Leverkusen Verfahren zur aktivierung von substratoberflaechen fuer die stromlose metallisierung
JPS5986628A (ja) * 1982-11-10 1984-05-18 Mitsui Petrochem Ind Ltd ポリエステルの被覆方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS501424A (ja) * 1973-03-14 1975-01-09
JPS54770A (en) * 1977-06-03 1979-01-06 Asahi Chemical Ind Method of making print circuit board

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07122850A (ja) * 1993-10-22 1995-05-12 Totoku Electric Co Ltd 低誘電率プリント基板の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CA1277534C (en) 1990-12-11
EP0153683A2 (de) 1985-09-04
EP0153683B1 (de) 1989-04-12
DE3569450D1 (en) 1989-05-18
EP0153683A3 (en) 1987-07-01
DE3407114A1 (de) 1985-09-05
US4830714A (en) 1989-05-16
JPH0354872B2 (ja) 1991-08-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2657423B2 (ja) 新規なスルーホールめっき印刷回路基板およびその製造方法
JP2883445B2 (ja) レジスト付きスルーホールめっき印刷回路基板およびその製造方法
JP2643099B2 (ja) 導電金属の基板への付着方法
US4830714A (en) Process for the production of printed circuit boards
US3481777A (en) Electroless coating method for making printed circuits
US3666549A (en) Method of making additive printed circuit boards and product thereof
JPH047117B2 (ja)
US4782007A (en) Additive method for manufacturing printed circuit boards using aqueous alkaline developable and strippable photoresists
JPH0718454A (ja) 無電解金属付着のために基体をコンディショニングする方法
US4305975A (en) Method of forming printed circuit
US4574031A (en) Additive processing electroless metal plating using aqueous photoresist
US5427895A (en) Semi-subtractive circuitization
US4347304A (en) Process for forming metallic image
JPS6039165A (ja) 担体材料を部分的に直接鍍金する基質表面を活性化する方法
US4431685A (en) Decreasing plated metal defects
EP0163089B1 (en) Process for activating a substrate for electroless deposition of a conductive metal
JPH07336022A (ja) 電気回路基板及びその製造方法
JPS61219195A (ja) 電子回路用プリント基板
US4084968A (en) Method of manufacturing electrically conductive metal layers on substrates
JPS6118195A (ja) プリント回路の製造方法
US4433009A (en) Method of manufacturing printed circuits
US4659592A (en) Process for the production of laminated materials
JPS6323390A (ja) プリント配線板の製造法
JPH04127154A (ja) 導電パターンの形成方法
JPS62296493A (ja) プリント配線板の製造方法