JPH0355003B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0355003B2 JPH0355003B2 JP59267004A JP26700484A JPH0355003B2 JP H0355003 B2 JPH0355003 B2 JP H0355003B2 JP 59267004 A JP59267004 A JP 59267004A JP 26700484 A JP26700484 A JP 26700484A JP H0355003 B2 JPH0355003 B2 JP H0355003B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mol
- component
- sample
- composition
- sio
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 37
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 claims description 6
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 21
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 15
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 13
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 10
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 9
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 9
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 8
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 7
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 3
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 3
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020220 Pb—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005396 acrylic acid ester group Chemical group 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000001089 mineralizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000012257 stirred material Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012856 weighed raw material Substances 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
- C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
- C04B35/465—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
- C04B35/468—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates
- C04B35/4682—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates based on BaTiO3 perovskite phase
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
- H01B3/02—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances
- H01B3/12—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances ceramics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1236—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on zirconium oxides or zirconates
- H01G4/1245—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on zirconium oxides or zirconates containing also titanates
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ニツケル等の卑金属を内部電極とす
る積層磁器コンデンサを提供することが出来る誘
電体磁器組成物に関する。 〔従来の技術〕 特開昭59−138003号公報に、 ｛（BaxCaySrz）Ｏ｝k（TioZr1-o）O2 から成る主成分と、Li2oとMO（但し、MOは
BaO、CaO及びSrOの内の少なくとも１種の金属
酸化物）から成る副成分とを含む誘電体磁器組成
物が開示されている。この磁器組成物は非酸化性
雰囲気中で焼結可能であるので、これを使用して
ニツケル等の卑金属を内部電極とする積層磁器コ
ンデンサを提供することが出来る。 〔発明が解決しようとする問題点〕 ところが、上記従来の磁器組成物の125℃にお
ける単位厚さ（1μｍ）当りの直流破壊電圧（耐
電圧）が比較的低い13〜18V／μｍである。従つ
て、車載用の積層磁器コンデンサに要求される使
用温度範囲−50℃〜＋125℃を満足させ且つ比較
的高い定格電圧にするためには、一対の電極間の
磁器の厚さを大にして破壊電圧を高めなければな
らず、必然的に積層磁器コンデンサの外形寸法が
大きくなつた。 そこで、本発明の目的は125℃における単位厚
さ（1μｍ）当りの直流破壊電圧（BDV）が
25V／μｍ以上の誘電体磁器組成物を提供するこ
とにある。 〔問題点を解決するための手段〕 上記目的を達成するための本発明は、
｛（Ba1-x-yCaxSry）Ｏ｝k（Ti1-zZrz）O2（但し、
ｘ、ｙ、ｚ、ｋ及び１−ｘ−ｙは、0.02≦ｘ≦
0.27、０＜ｙ≦0.37、０＜ｚ≦0.26、1.00≦ｋ≦
1.04、0.60≦（１−ｘ−ｙ）＜0.98を満足する数値）
の組成の第１成分100重量部と、B2O2（酸化ホウ
素）、SiO2（酸化けい素）及びMO（但し、MOは
BaO、SrO、CaOの内の少なくとも１種の金属酸
化物）から成り、これ等の組成範囲がモル％で示
す三角図において、前記B2O3が15モル％、前記
SiO2が25モル％、前記MOが60モル％の点(A)と、
前記B2O3が30モル％、前記SiO2が１モル％、前
記MOが69モル％の点(B)と、前記B2O3が90モル
％、前記SiO2が１モル％、前記MOが９モル％の
点(C)と、前記B2O3が89モル％、前記SiO2が10モ
ル％、前記MOが１モル％の点(D)と、前記B2O3
が24モル％、前記SiO2が75モル％、前記MOが１
モル％の点(E)とを順に結ぶ５本と直線で囲まれた
領域内である第２成分0.2〜10.0重量部とから成
る誘電体磁器組成物に係わるものである。 〔作用〕 誘電体磁器組成物を本発明の組成にすれば、各
成分の相互作用で、125℃における単位厚さ当り
の破壊電圧が25V／μｍ以上になる。従つて、磁
器コンデンサの小型化が出来る。なお、前記MO
成分は、焼結中に発生する液相の融点を下げると
共に粘性を下げる効果がある。 〔実施例〕 次に、第１表〜第４表を参照して本発明に係わ
る実施例、及び本発明を明確にするための比較例
について説明する。 第１表に示す試料No.１の１−ｘ−ｙ＝0.81、ｘ
＝0.17、ｙ＝0.02、ｋ＝1.01、１−ｚ＝0.82、ｚ
＝0.18の第１成分、即ち ｛（Ba0.81Ca0.17Sr0.02）Ｏ｝1.01 （Ti0.82Zr0.18）O2 を得るために、純度99％以上のBaCO3、CaCO3、
SrCO3、TiO2及びZrO2を出発原料として準備し、 BaCO3 598.99ｇ（81.8モル部相当） CaCO3 64.14ｇ（17.2モル部相当） SrCO3 10.98ｇ（2.0モル部相当） TiO2 243.59ｇ（82モル部相当） ZrO2 82.30ｇ（18モル部相当） をそれぞれ秤量した。なお、この秤量において、
不純物は目方に入れないで秤量した。次に、これ
らの秤量された原料をポツトミルに入れ、更にア
ルミナボールと水2.5とを入れ、15時間湿式撹
拌した後、撹拌物をステンレスバツトに入れて熱
風式乾燥機で150℃、４時間乾燥した。次にこの
乾燥物を粗粉砕し、この粗粉砕物を深底の鞘に入
れ、トンネル炉にて大気中で1200℃、２時間の焼
成を行い、上記組成式の第１成分を得た。 一方、試料No.１の第２成分を得るために、 B2O3 28.49ｇ（35モル％）、 SiO2 14.05ｇ（20モル％）、 BaO 32.26ｇ（18モル％）、 SrO 16.35ｇ（13.5モル％）、 CaO 8.85ｇ（13.5モル％） を秤量した。なお、BaOとSrOとCaOは第１表に
おけるMO成分であり、これ等の合計は45モル％
である。BaO、SrO、CaOの割合は、第１表の
MOの内容の欄に示す如く、BaO40モル％、
SrO30モル％、CaO30モル％である。次に、上述
の如く秤量した原料を混合し、この混合物と300
c.c.のアルコールをポリエチレンポツトに入れ、ア
ルミナボールで15時間粉砕した。これにより、
B2O335モル％、SiO220モル％、MO45モル％の
組成の第２成分の粉末が得られた。 次に、第１成分の粉末1000ｇ（100重量部）に
対して上記第２成分の粉末30ｇ（３重量部）を加
え、更に、アクリル酸エステルポリマー、グリセ
リン、縮合リン酸塩の水溶液から成る有機バイン
ダの第１成分と第２成分との合計重量に対して15
重量％添加し、更に、50重量％の水を加え、これ
等をボールミルに入れて粉砕及び混合して磁器原
料のスラリーを作製した。 次に、上記スラリーを真空脱泡機に入れて脱泡
し、このスラリーをリバースロールコーターに入
れ、ここから得られる薄膜成形物を長尺なポリエ
ステルフイルム上に連続して受け取ると共に、同
フイルム上でこれを100℃に加熱して乾燥させ、
厚さ約25μの未焼結磁器シートを得た。このシー
トは、長尺なものであるが、これを10cm角の正方
形に裁断し、第１図に示す７枚の未焼結磁器シー
ト１，２，３，４，５，６，７を得た。 一方、内部電極用の導電ペーストは、粒径平均
1.5μｍのニツケル粉末10ｇと、エチルセルローズ
0.9ｇをブチルカルビトール9.1ｇに溶解させたも
のとを撹拌機に入れ、10時間撹拌することにより
得た。次に、この導電ペーストを、第１図に示す
６枚の未焼結磁器シート１〜６の上に、長さ７
mm、幅2.5mmの短冊状パターンにスクリーン印刷
機で印刷し、内部電極用ペースト層８を設け、50
℃で30分間乾燥させた。なお、第１図の第１、第
３及び第５の未焼結磁器シート１，３，５のペー
スト層８は第２、第４及び第６の未焼結磁器シー
ト２，４，６のペースト層８に対してその長さの
約1/2だけずれた位置に設けられている。 次に、ペースト層８を設けた６枚の未焼結磁器
シート１〜６を積層し、更に最上部にペースト層
を設けない未焼結磁器シート７を積層した。次い
で、この積層物に約50℃の温度で厚さ方向に約40
トンの圧力を加えて圧着積層体を得、これを第１
図の鎖線で示す位置に対応させて格子状に裁断
し、約400個の積層体を得た。 次に、この積層体を雰囲気焼成が可能な炉に入
れ、大気雰囲気中で100℃／ｈの速度で600℃まで
昇温して、有機バインダを燃焼させた。しかる
後、炉の雰囲気を大気からH22体積％＋N298体
積％の雰囲気に変えた。そして、炉を上述の如き
還元性雰囲気とした状態を保つて、積層体加熱温
度を600℃から焼結温度の1090℃まで100℃／ｈの
速度で昇温して1090℃（最高温度）を３時間保持
した後、100℃／ｈの速度で600℃まで降温し、雰
囲気を大気雰囲気（酸化性雰囲気）に置き換え
て、600℃を30分間保持して酸化処理を行い、そ
の後、室温まで冷却して第２図に示す如き積層焼
結体チツプ９を得た。即ち、７つの誘電体磁器層
１０間に６つの内部電極１１を有し、６つの内部
電極１１の内の３つが一方の側面に露出し、残り
の３つが他方の側面に露出している積層焼結体チ
ツプ９を得た。なお、磁器層１０の一層の厚さは
0.02mm、内部電極１１の対向面積は1.93mm×2.60
mm≒５mm2であり、６つの内部電極８の合計の対向
面積は25mm2である。 上述の如き非酸化性雰囲気での焼成及び酸化性
雰囲気での熱処理によつて得られる焼結後の磁器
層１０の組成は、焼結前の第１成分と第２成分と
の混合組成と実質的に同じであり、複合プロブス
カイト（perovskite）型構造の第１成分
｛（Ba0.81Ca0.17Sr0.02）Ｏ｝1.01（Ti0.82Zr0.18）O2
の
結晶粒子間に、B2O335モル％、SiO220モル％、
MO45モル％とから成る第２成分が均一に分布し
たものであると考えられる。更に詳しく説明する
と、この複合プロブスカイト型磁器は、（Ba、
Ca、Sr）（Ti、Zr）O3系磁器と呼ぶことも可能
なものであり、BaTiO3、BaZrO3、CaTiO3、
CaZrO3、SrTiO3、SrZrO3を含み、且つ第１成
分の組成式に於けるｋが１よりも大きい場合には
BaO、CaO、SrOがプロブスカイト型結晶に対し
て過剰に含み、更に結晶粒子間に第２成分を含む
ものである。 次に、電極が露出する焼結体チツプ９の一対の
側面に亜鉛とガラスフリツトとビヒクルとから成
る導電性ペーストを塗布して乾燥し、これを大気
中で550℃の温度で15分間焼付け、亜鉛電極層１
２を形成し、更にこの上に無電解メツキ法で銅被
着層１３を設け、更にこの上に電気メツキ法で
Pb−Sn半田層１４を設けて、一対の外部電極１
５を形成し、積層磁器コンデンサ１６を得た。 次に、400個の積層磁器コンデンサから任意に
選択した10個のコンデンサ１６の電気特性を測定
し、その平均値を求めたところ、第２表の試料No.
１の欄に示す如く、比誘電率εが13150、tanδが
1.1％、抵抗率ρが3.24×106MΩ・cm、20μｍの磁
器層１０の単位厚さ1μｍ当りの125℃における直
流破壊電圧（BDV）が33.7V／μｍ（20μｍで
674V）であつた。 なお、上記電気特性は、次の要領で測定した。 (A) 比誘電率εは、温度20℃、周波数1kHz、電
圧〔実効値〕0.5Vの条件で静電容量を測定し、
この測定値とすべての内部電極１１の対向面積
25mm2と磁器層１０の厚さ0.02mmから計算で求め
た。 (B) 誘電正接tanδ（％）は比誘電率と同一条件で
測定した。 (C) 抵抗率ρ（MΩ・cm）は、温度20℃において
DC50Vを１分間印加した後に一対の外部電極
１５間の抵抗値を測定し、この測定値と寸法と
に基づいて計算で求めた。 (D) 125℃における直流破壊電圧（BDV）即ち耐
電圧は、恒温槽の中に試料を入れて、125℃の
温度に30分間保持した後、そのままの状態で直
流電圧を100V／秒の速さで昇圧させ、破壊し
た時の電圧を測定し、この測定値を磁器層１０
の厚み0.02mm（20μｍ）で除して求めた。なお、
積層コンデンサのJIS規格（JIS Ｃ 6429）に
おいては、積層コンデンサの使用温度範囲が、
−55℃〜＋125℃と−25℃〜＋85℃の２種類に
分けられている。そこで本実施例では、直流破
壊電圧をJIS規格における最も高い使用温度で
ある125℃で測定した。 以上、試料No.１の作製方法及びその特性につい
て述べたが、その他の試料No.２〜114についても、
第１成分及び第２成分の組成、これ等の割合、及
び還元性雰囲気（非酸化性雰囲気）での焼成温度
を第１表及び第２表に示すように変えた他は、試
料No.１と全く同一の方法で積層磁器コンデンサを
作製し、同一方法で電気的特性を測定した。 第１表は、それぞれの試料の第１成分
｛（Ba1-x-yCaxSry）Ｏ｝k（Ti1-zZrz）O2と第２成
分との組成を示し、第２表はそれぞれの試料の還
元性雰囲気における焼結のための焼成温度（最高
温度）、及び電気的特性を示す。なお、第１表の
第１成分の欄の１−ｘ−ｙ、ｘ、ｙ、ｋ、１−
ｚ、ｚは組成式の各元素の割合を示す数値であ
る。第２成分の添加量は第１成分100重量部に対
する重量部で示した。
る積層磁器コンデンサを提供することが出来る誘
電体磁器組成物に関する。 〔従来の技術〕 特開昭59−138003号公報に、 ｛（BaxCaySrz）Ｏ｝k（TioZr1-o）O2 から成る主成分と、Li2oとMO（但し、MOは
BaO、CaO及びSrOの内の少なくとも１種の金属
酸化物）から成る副成分とを含む誘電体磁器組成
物が開示されている。この磁器組成物は非酸化性
雰囲気中で焼結可能であるので、これを使用して
ニツケル等の卑金属を内部電極とする積層磁器コ
ンデンサを提供することが出来る。 〔発明が解決しようとする問題点〕 ところが、上記従来の磁器組成物の125℃にお
ける単位厚さ（1μｍ）当りの直流破壊電圧（耐
電圧）が比較的低い13〜18V／μｍである。従つ
て、車載用の積層磁器コンデンサに要求される使
用温度範囲−50℃〜＋125℃を満足させ且つ比較
的高い定格電圧にするためには、一対の電極間の
磁器の厚さを大にして破壊電圧を高めなければな
らず、必然的に積層磁器コンデンサの外形寸法が
大きくなつた。 そこで、本発明の目的は125℃における単位厚
さ（1μｍ）当りの直流破壊電圧（BDV）が
25V／μｍ以上の誘電体磁器組成物を提供するこ
とにある。 〔問題点を解決するための手段〕 上記目的を達成するための本発明は、
｛（Ba1-x-yCaxSry）Ｏ｝k（Ti1-zZrz）O2（但し、
ｘ、ｙ、ｚ、ｋ及び１−ｘ−ｙは、0.02≦ｘ≦
0.27、０＜ｙ≦0.37、０＜ｚ≦0.26、1.00≦ｋ≦
1.04、0.60≦（１−ｘ−ｙ）＜0.98を満足する数値）
の組成の第１成分100重量部と、B2O2（酸化ホウ
素）、SiO2（酸化けい素）及びMO（但し、MOは
BaO、SrO、CaOの内の少なくとも１種の金属酸
化物）から成り、これ等の組成範囲がモル％で示
す三角図において、前記B2O3が15モル％、前記
SiO2が25モル％、前記MOが60モル％の点(A)と、
前記B2O3が30モル％、前記SiO2が１モル％、前
記MOが69モル％の点(B)と、前記B2O3が90モル
％、前記SiO2が１モル％、前記MOが９モル％の
点(C)と、前記B2O3が89モル％、前記SiO2が10モ
ル％、前記MOが１モル％の点(D)と、前記B2O3
が24モル％、前記SiO2が75モル％、前記MOが１
モル％の点(E)とを順に結ぶ５本と直線で囲まれた
領域内である第２成分0.2〜10.0重量部とから成
る誘電体磁器組成物に係わるものである。 〔作用〕 誘電体磁器組成物を本発明の組成にすれば、各
成分の相互作用で、125℃における単位厚さ当り
の破壊電圧が25V／μｍ以上になる。従つて、磁
器コンデンサの小型化が出来る。なお、前記MO
成分は、焼結中に発生する液相の融点を下げると
共に粘性を下げる効果がある。 〔実施例〕 次に、第１表〜第４表を参照して本発明に係わ
る実施例、及び本発明を明確にするための比較例
について説明する。 第１表に示す試料No.１の１−ｘ−ｙ＝0.81、ｘ
＝0.17、ｙ＝0.02、ｋ＝1.01、１−ｚ＝0.82、ｚ
＝0.18の第１成分、即ち ｛（Ba0.81Ca0.17Sr0.02）Ｏ｝1.01 （Ti0.82Zr0.18）O2 を得るために、純度99％以上のBaCO3、CaCO3、
SrCO3、TiO2及びZrO2を出発原料として準備し、 BaCO3 598.99ｇ（81.8モル部相当） CaCO3 64.14ｇ（17.2モル部相当） SrCO3 10.98ｇ（2.0モル部相当） TiO2 243.59ｇ（82モル部相当） ZrO2 82.30ｇ（18モル部相当） をそれぞれ秤量した。なお、この秤量において、
不純物は目方に入れないで秤量した。次に、これ
らの秤量された原料をポツトミルに入れ、更にア
ルミナボールと水2.5とを入れ、15時間湿式撹
拌した後、撹拌物をステンレスバツトに入れて熱
風式乾燥機で150℃、４時間乾燥した。次にこの
乾燥物を粗粉砕し、この粗粉砕物を深底の鞘に入
れ、トンネル炉にて大気中で1200℃、２時間の焼
成を行い、上記組成式の第１成分を得た。 一方、試料No.１の第２成分を得るために、 B2O3 28.49ｇ（35モル％）、 SiO2 14.05ｇ（20モル％）、 BaO 32.26ｇ（18モル％）、 SrO 16.35ｇ（13.5モル％）、 CaO 8.85ｇ（13.5モル％） を秤量した。なお、BaOとSrOとCaOは第１表に
おけるMO成分であり、これ等の合計は45モル％
である。BaO、SrO、CaOの割合は、第１表の
MOの内容の欄に示す如く、BaO40モル％、
SrO30モル％、CaO30モル％である。次に、上述
の如く秤量した原料を混合し、この混合物と300
c.c.のアルコールをポリエチレンポツトに入れ、ア
ルミナボールで15時間粉砕した。これにより、
B2O335モル％、SiO220モル％、MO45モル％の
組成の第２成分の粉末が得られた。 次に、第１成分の粉末1000ｇ（100重量部）に
対して上記第２成分の粉末30ｇ（３重量部）を加
え、更に、アクリル酸エステルポリマー、グリセ
リン、縮合リン酸塩の水溶液から成る有機バイン
ダの第１成分と第２成分との合計重量に対して15
重量％添加し、更に、50重量％の水を加え、これ
等をボールミルに入れて粉砕及び混合して磁器原
料のスラリーを作製した。 次に、上記スラリーを真空脱泡機に入れて脱泡
し、このスラリーをリバースロールコーターに入
れ、ここから得られる薄膜成形物を長尺なポリエ
ステルフイルム上に連続して受け取ると共に、同
フイルム上でこれを100℃に加熱して乾燥させ、
厚さ約25μの未焼結磁器シートを得た。このシー
トは、長尺なものであるが、これを10cm角の正方
形に裁断し、第１図に示す７枚の未焼結磁器シー
ト１，２，３，４，５，６，７を得た。 一方、内部電極用の導電ペーストは、粒径平均
1.5μｍのニツケル粉末10ｇと、エチルセルローズ
0.9ｇをブチルカルビトール9.1ｇに溶解させたも
のとを撹拌機に入れ、10時間撹拌することにより
得た。次に、この導電ペーストを、第１図に示す
６枚の未焼結磁器シート１〜６の上に、長さ７
mm、幅2.5mmの短冊状パターンにスクリーン印刷
機で印刷し、内部電極用ペースト層８を設け、50
℃で30分間乾燥させた。なお、第１図の第１、第
３及び第５の未焼結磁器シート１，３，５のペー
スト層８は第２、第４及び第６の未焼結磁器シー
ト２，４，６のペースト層８に対してその長さの
約1/2だけずれた位置に設けられている。 次に、ペースト層８を設けた６枚の未焼結磁器
シート１〜６を積層し、更に最上部にペースト層
を設けない未焼結磁器シート７を積層した。次い
で、この積層物に約50℃の温度で厚さ方向に約40
トンの圧力を加えて圧着積層体を得、これを第１
図の鎖線で示す位置に対応させて格子状に裁断
し、約400個の積層体を得た。 次に、この積層体を雰囲気焼成が可能な炉に入
れ、大気雰囲気中で100℃／ｈの速度で600℃まで
昇温して、有機バインダを燃焼させた。しかる
後、炉の雰囲気を大気からH22体積％＋N298体
積％の雰囲気に変えた。そして、炉を上述の如き
還元性雰囲気とした状態を保つて、積層体加熱温
度を600℃から焼結温度の1090℃まで100℃／ｈの
速度で昇温して1090℃（最高温度）を３時間保持
した後、100℃／ｈの速度で600℃まで降温し、雰
囲気を大気雰囲気（酸化性雰囲気）に置き換え
て、600℃を30分間保持して酸化処理を行い、そ
の後、室温まで冷却して第２図に示す如き積層焼
結体チツプ９を得た。即ち、７つの誘電体磁器層
１０間に６つの内部電極１１を有し、６つの内部
電極１１の内の３つが一方の側面に露出し、残り
の３つが他方の側面に露出している積層焼結体チ
ツプ９を得た。なお、磁器層１０の一層の厚さは
0.02mm、内部電極１１の対向面積は1.93mm×2.60
mm≒５mm2であり、６つの内部電極８の合計の対向
面積は25mm2である。 上述の如き非酸化性雰囲気での焼成及び酸化性
雰囲気での熱処理によつて得られる焼結後の磁器
層１０の組成は、焼結前の第１成分と第２成分と
の混合組成と実質的に同じであり、複合プロブス
カイト（perovskite）型構造の第１成分
｛（Ba0.81Ca0.17Sr0.02）Ｏ｝1.01（Ti0.82Zr0.18）O2
の
結晶粒子間に、B2O335モル％、SiO220モル％、
MO45モル％とから成る第２成分が均一に分布し
たものであると考えられる。更に詳しく説明する
と、この複合プロブスカイト型磁器は、（Ba、
Ca、Sr）（Ti、Zr）O3系磁器と呼ぶことも可能
なものであり、BaTiO3、BaZrO3、CaTiO3、
CaZrO3、SrTiO3、SrZrO3を含み、且つ第１成
分の組成式に於けるｋが１よりも大きい場合には
BaO、CaO、SrOがプロブスカイト型結晶に対し
て過剰に含み、更に結晶粒子間に第２成分を含む
ものである。 次に、電極が露出する焼結体チツプ９の一対の
側面に亜鉛とガラスフリツトとビヒクルとから成
る導電性ペーストを塗布して乾燥し、これを大気
中で550℃の温度で15分間焼付け、亜鉛電極層１
２を形成し、更にこの上に無電解メツキ法で銅被
着層１３を設け、更にこの上に電気メツキ法で
Pb−Sn半田層１４を設けて、一対の外部電極１
５を形成し、積層磁器コンデンサ１６を得た。 次に、400個の積層磁器コンデンサから任意に
選択した10個のコンデンサ１６の電気特性を測定
し、その平均値を求めたところ、第２表の試料No.
１の欄に示す如く、比誘電率εが13150、tanδが
1.1％、抵抗率ρが3.24×106MΩ・cm、20μｍの磁
器層１０の単位厚さ1μｍ当りの125℃における直
流破壊電圧（BDV）が33.7V／μｍ（20μｍで
674V）であつた。 なお、上記電気特性は、次の要領で測定した。 (A) 比誘電率εは、温度20℃、周波数1kHz、電
圧〔実効値〕0.5Vの条件で静電容量を測定し、
この測定値とすべての内部電極１１の対向面積
25mm2と磁器層１０の厚さ0.02mmから計算で求め
た。 (B) 誘電正接tanδ（％）は比誘電率と同一条件で
測定した。 (C) 抵抗率ρ（MΩ・cm）は、温度20℃において
DC50Vを１分間印加した後に一対の外部電極
１５間の抵抗値を測定し、この測定値と寸法と
に基づいて計算で求めた。 (D) 125℃における直流破壊電圧（BDV）即ち耐
電圧は、恒温槽の中に試料を入れて、125℃の
温度に30分間保持した後、そのままの状態で直
流電圧を100V／秒の速さで昇圧させ、破壊し
た時の電圧を測定し、この測定値を磁器層１０
の厚み0.02mm（20μｍ）で除して求めた。なお、
積層コンデンサのJIS規格（JIS Ｃ 6429）に
おいては、積層コンデンサの使用温度範囲が、
−55℃〜＋125℃と−25℃〜＋85℃の２種類に
分けられている。そこで本実施例では、直流破
壊電圧をJIS規格における最も高い使用温度で
ある125℃で測定した。 以上、試料No.１の作製方法及びその特性につい
て述べたが、その他の試料No.２〜114についても、
第１成分及び第２成分の組成、これ等の割合、及
び還元性雰囲気（非酸化性雰囲気）での焼成温度
を第１表及び第２表に示すように変えた他は、試
料No.１と全く同一の方法で積層磁器コンデンサを
作製し、同一方法で電気的特性を測定した。 第１表は、それぞれの試料の第１成分
｛（Ba1-x-yCaxSry）Ｏ｝k（Ti1-zZrz）O2と第２成
分との組成を示し、第２表はそれぞれの試料の還
元性雰囲気における焼結のための焼成温度（最高
温度）、及び電気的特性を示す。なお、第１表の
第１成分の欄の１−ｘ−ｙ、ｘ、ｙ、ｋ、１−
ｚ、ｚは組成式の各元素の割合を示す数値であ
る。第２成分の添加量は第１成分100重量部に対
する重量部で示した。
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
本発明では、比誘電率εが5000以上、誘電正接
tanδが2.5％以下、抵抗率ρが１×104MΩ・cm以
上、単位厚さ当りの破壊電圧BDVが25V／μｍ
以上の電気的特性を目標としている。第１表及び
第２表の試料No.７、８、17、37、44、56、57、
65、69、73、77、81、82、86、87、98、106、
107、108、114では、上記目標を電気的特性を得
ることが出来ない。従つて、これ等は本発明の範
囲外のものである。一方、上記試料以外の本発明
に従う試料は、本発明で目標とする電気的特性を
満足している。 次に、組成の限定理由について述べる。 第２成分の添加されない場合には、試料No.８か
ら明らかな如く焼結のための焼成温度が1350℃と
高く且つtanδが5.6％と大きく、125℃のBDVも
2.9V／μｍと非常に低い。これに対して、試料
No.２及び13に示す如く、第２成分を100重量部の
第１成分に対して0.2重量部添加した場合には、
1190℃、1180℃の焼成で目標の電気的特性を満足
する焼結体が得られる。従つて、第２成分の下限
は0.2重量部である。一方、試料No.７、17に示す
如く、第２成分の添加量が12重量部の場合はtanδ
が4.8％、4.5％となり、目標特性よりも悪くなる
が、試料No.６、12、16に示す如く添加量が10重量
部の場合には目標の特性を得ることができる。従
つて、第２成分の添加量の上限は10重量部であ
る。 試料No.18から76までは、主に第２成分の組成比
を変化させたものである。これ等の試料と、第３
図のB2O3、SiO2、MOの組成を示す三角図との
関係を説明すると、三角図の点(A)は試料No.18及び
68のB2O315モル％、SiO225モル％、MO60モル
％の組成を示し、点(B)は試料No.47及び58の
B2O330モル％、SiO21モル％、MO69モル％の組
成を示し、点(C)は試料No.40及び75のB2O390モル
％、SiO21モル％、MO9モル％の組成を示し、点
(D)は試料No.43のB2O389モル％、SiO210モル％、
MO1モル％の組成を示し、点(E)は試料No.41及び
64のB2O324モル％、SiO275モル％、MO1モル％
の組成を示す。本発明の範囲に属する試料の第２
成分の組成は三角図の５つの点(A)〜(E)を順に結ぶ
５本の直線で囲まれた領域内に含まれている。こ
の領域内の組成のものは目標の電気的特性を有す
る。一方、試料No.37、44、56、57、65、69、73の
ように、第２成分の組成が本発明で特定した範囲
外となれば、緻密な焼結体を得ることが出来な
い。なお、MO成分は例えば試料No.18、25、26に
示す如くBaO、SrO、CaOのいずれか一つであつ
てもよいし、又は他の試料で示すように適当な比
率で複数種を組み合せたものでもよい。 試料No.77〜86は主として第１成分中のｋの値の
変化と特性の関係を示す。試料No.77及び82から明
らかなようにｋが0.99の場合は、tanδ、ρ及び
BDVが目標とする電気的特性よりも極端に悪く
なる。又、試料No.81及び86に示す様にｋの値が
1.05になると、緻密な焼結体が得られない。これ
に対し、試料No.78〜80、83〜85に示す様にｋの値
が1.00から1.04の範囲にあれば、目標の電気的特
性が得られる。従つて、ｋの好ましい範囲は1.00
〜1.04である。 試料No.87〜114は主に第１成分のBa（バリウ
ム）、Ca（カルシウム）、Sr（ストロンチウム）、Ti
（チタン）及びZr（ジルコニウム）の割合を種々
変化させたものである。試料No.87に示す如く第１
成分にCa及びSrを含有させないｘ＝０、ｙ＝０
の場合には、600℃の熱処理で酸化され難くなり、
tanδ、ρ及びBDVが目標の電気的特性に達しな
い。これに対し、試料No.88〜92に示す如く、ｘ＝
0.02となるようにCaを含有するものは目標の電気
的特性を有する。一方、試料No.98に示すようにｘ
が0.28となるようにCaを含むものは、εが目標よ
り低くなる。これに対し、例えば試料No.97に示す
如く、ｘ＝0.27となるようにCaを含有するもの
は、目標の電気的特性を満足する。従つて、Ca
の割合即ちｘの好ましい範囲は0.02〜0.27であ
る。 試料No.107に示す如くSrの割合即ちｙが0.39の
磁器のεの値は目標値より低いが、試料No.93及び
92に示す如く、ｙが0.001及び0.37の磁器は目標
の電気的特性を有している。従つて、ｙの好まし
い範囲は0.37以下である。なお、ｙの値が0.001
よりも小さい場合でも、ｙの値が零の場合よりは
特性の良いものが得られる。 試料No.105から明らかな如く、Baの割合即ち１
−ｘ−ｙが0.60の磁器は目標の電気的特性を有す
る。一方、試料No.106に示す如く、１−ｘ−ｙが
0.58になるとεが目標値より小さくなる。従つ
て、１−ｘ−ｙの下限は0.60である。なお、１−
ｘ−ｙの上限はｘとｙの上限値から必然的に0.98
となる。 試料No.108から明らかな如く、Zrの割合即ちｚ
が０の磁器のε、tanδ、BDVは目標特性よりも
悪い。また、試料No.114に示す如く、ｚが0.28の
磁器のεは目標値よりも低い。一方、試料No.109
〜113に示す如く、ｚが0.26以下の磁器は目標と
する電気的特性を有する。従つて、ｚの好ましい
範囲は0.26以下である。なお、ｚを0.01より少な
くしても、ｚが零の場合より特性の良いものが得
られる。 Tiの割合即ち１−ｚの好ましい範囲は、必然
的に074≦１−ｚ＜１になる。 本発明の作用効果を明確にするために、前述の
特開昭59−138003号公報に開示されている磁器組
成に基づく積層磁器コンデンサを、試料No.１と同
一の方法で同一寸法に作製し、その電気的特性を
調べた。次の第３表は、この磁器組成を示し、第
４表は焼成温度と電気的特性を示す。
tanδが2.5％以下、抵抗率ρが１×104MΩ・cm以
上、単位厚さ当りの破壊電圧BDVが25V／μｍ
以上の電気的特性を目標としている。第１表及び
第２表の試料No.７、８、17、37、44、56、57、
65、69、73、77、81、82、86、87、98、106、
107、108、114では、上記目標を電気的特性を得
ることが出来ない。従つて、これ等は本発明の範
囲外のものである。一方、上記試料以外の本発明
に従う試料は、本発明で目標とする電気的特性を
満足している。 次に、組成の限定理由について述べる。 第２成分の添加されない場合には、試料No.８か
ら明らかな如く焼結のための焼成温度が1350℃と
高く且つtanδが5.6％と大きく、125℃のBDVも
2.9V／μｍと非常に低い。これに対して、試料
No.２及び13に示す如く、第２成分を100重量部の
第１成分に対して0.2重量部添加した場合には、
1190℃、1180℃の焼成で目標の電気的特性を満足
する焼結体が得られる。従つて、第２成分の下限
は0.2重量部である。一方、試料No.７、17に示す
如く、第２成分の添加量が12重量部の場合はtanδ
が4.8％、4.5％となり、目標特性よりも悪くなる
が、試料No.６、12、16に示す如く添加量が10重量
部の場合には目標の特性を得ることができる。従
つて、第２成分の添加量の上限は10重量部であ
る。 試料No.18から76までは、主に第２成分の組成比
を変化させたものである。これ等の試料と、第３
図のB2O3、SiO2、MOの組成を示す三角図との
関係を説明すると、三角図の点(A)は試料No.18及び
68のB2O315モル％、SiO225モル％、MO60モル
％の組成を示し、点(B)は試料No.47及び58の
B2O330モル％、SiO21モル％、MO69モル％の組
成を示し、点(C)は試料No.40及び75のB2O390モル
％、SiO21モル％、MO9モル％の組成を示し、点
(D)は試料No.43のB2O389モル％、SiO210モル％、
MO1モル％の組成を示し、点(E)は試料No.41及び
64のB2O324モル％、SiO275モル％、MO1モル％
の組成を示す。本発明の範囲に属する試料の第２
成分の組成は三角図の５つの点(A)〜(E)を順に結ぶ
５本の直線で囲まれた領域内に含まれている。こ
の領域内の組成のものは目標の電気的特性を有す
る。一方、試料No.37、44、56、57、65、69、73の
ように、第２成分の組成が本発明で特定した範囲
外となれば、緻密な焼結体を得ることが出来な
い。なお、MO成分は例えば試料No.18、25、26に
示す如くBaO、SrO、CaOのいずれか一つであつ
てもよいし、又は他の試料で示すように適当な比
率で複数種を組み合せたものでもよい。 試料No.77〜86は主として第１成分中のｋの値の
変化と特性の関係を示す。試料No.77及び82から明
らかなようにｋが0.99の場合は、tanδ、ρ及び
BDVが目標とする電気的特性よりも極端に悪く
なる。又、試料No.81及び86に示す様にｋの値が
1.05になると、緻密な焼結体が得られない。これ
に対し、試料No.78〜80、83〜85に示す様にｋの値
が1.00から1.04の範囲にあれば、目標の電気的特
性が得られる。従つて、ｋの好ましい範囲は1.00
〜1.04である。 試料No.87〜114は主に第１成分のBa（バリウ
ム）、Ca（カルシウム）、Sr（ストロンチウム）、Ti
（チタン）及びZr（ジルコニウム）の割合を種々
変化させたものである。試料No.87に示す如く第１
成分にCa及びSrを含有させないｘ＝０、ｙ＝０
の場合には、600℃の熱処理で酸化され難くなり、
tanδ、ρ及びBDVが目標の電気的特性に達しな
い。これに対し、試料No.88〜92に示す如く、ｘ＝
0.02となるようにCaを含有するものは目標の電気
的特性を有する。一方、試料No.98に示すようにｘ
が0.28となるようにCaを含むものは、εが目標よ
り低くなる。これに対し、例えば試料No.97に示す
如く、ｘ＝0.27となるようにCaを含有するもの
は、目標の電気的特性を満足する。従つて、Ca
の割合即ちｘの好ましい範囲は0.02〜0.27であ
る。 試料No.107に示す如くSrの割合即ちｙが0.39の
磁器のεの値は目標値より低いが、試料No.93及び
92に示す如く、ｙが0.001及び0.37の磁器は目標
の電気的特性を有している。従つて、ｙの好まし
い範囲は0.37以下である。なお、ｙの値が0.001
よりも小さい場合でも、ｙの値が零の場合よりは
特性の良いものが得られる。 試料No.105から明らかな如く、Baの割合即ち１
−ｘ−ｙが0.60の磁器は目標の電気的特性を有す
る。一方、試料No.106に示す如く、１−ｘ−ｙが
0.58になるとεが目標値より小さくなる。従つ
て、１−ｘ−ｙの下限は0.60である。なお、１−
ｘ−ｙの上限はｘとｙの上限値から必然的に0.98
となる。 試料No.108から明らかな如く、Zrの割合即ちｚ
が０の磁器のε、tanδ、BDVは目標特性よりも
悪い。また、試料No.114に示す如く、ｚが0.28の
磁器のεは目標値よりも低い。一方、試料No.109
〜113に示す如く、ｚが0.26以下の磁器は目標と
する電気的特性を有する。従つて、ｚの好ましい
範囲は0.26以下である。なお、ｚを0.01より少な
くしても、ｚが零の場合より特性の良いものが得
られる。 Tiの割合即ち１−ｚの好ましい範囲は、必然
的に074≦１−ｚ＜１になる。 本発明の作用効果を明確にするために、前述の
特開昭59−138003号公報に開示されている磁器組
成に基づく積層磁器コンデンサを、試料No.１と同
一の方法で同一寸法に作製し、その電気的特性を
調べた。次の第３表は、この磁器組成を示し、第
４表は焼成温度と電気的特性を示す。
【表】
以上、本発明の実施例について述べたが、本発
明はこれに限定されるものではなく、例えば次の
変形例が可能なものである。 (a) 第１成分の中に、本発明の目的を阻害しない
範囲で微量のMnO2（好ましくは0.05〜0.1重量
％）等の鉱化剤を添加し、焼結性を向上させて
もよい。また、その他の物質を必要に応じて添
加してもよい。 (b) 第１成分を得るための出発原料を、実施例で
示したもの以外の例えば、BaO、SrO、CaO等
の酸化物又は水酸化物又はその他の化合物とし
てもよい。また、２成分の出発原料を酸化物、
水酸化物等の他の化合物としてもよい。 (c) 酸化温度を600℃以外の焼結温度よりも低い
温度（好ましくは500〜1000℃）としてもよい。
即ち、ニツケル等の電極と磁器の酸化とを考慮
して種々変更することが可能である。 (d) 非酸化性雰囲気中の焼成温度を、電極材料を
考慮して種々変えることが出来る。 (e) 焼結を中性雰囲気で行つてもよい。 (f) 積層磁器コンデンサ以外の一般的な磁器コン
デンサにも勿論適用可能である。 〔発明の効果〕 上述から明らかな如く、本発明に係わる誘電体
磁器の125℃における単位厚さ当りの直流破壊電
圧（BDV）は25（Ｖ／μｍ）以上である。従つ
て、使用温度範囲が−50〜＋125℃で、定格電圧
が高い磁器コンデンサを小型にすることが出来
る。また、焼結させるための処理を非酸化性雰囲
気、1000〜1200℃で行うことが出来るので、ニツ
ケル等の卑金属を内部電極とする積層磁器コンデ
ンサを提供することが出来る。なお、1200℃以下
で焼成すれば、ニツケルの溶融凝集及び拡散を制
限することが出来る。
明はこれに限定されるものではなく、例えば次の
変形例が可能なものである。 (a) 第１成分の中に、本発明の目的を阻害しない
範囲で微量のMnO2（好ましくは0.05〜0.1重量
％）等の鉱化剤を添加し、焼結性を向上させて
もよい。また、その他の物質を必要に応じて添
加してもよい。 (b) 第１成分を得るための出発原料を、実施例で
示したもの以外の例えば、BaO、SrO、CaO等
の酸化物又は水酸化物又はその他の化合物とし
てもよい。また、２成分の出発原料を酸化物、
水酸化物等の他の化合物としてもよい。 (c) 酸化温度を600℃以外の焼結温度よりも低い
温度（好ましくは500〜1000℃）としてもよい。
即ち、ニツケル等の電極と磁器の酸化とを考慮
して種々変更することが可能である。 (d) 非酸化性雰囲気中の焼成温度を、電極材料を
考慮して種々変えることが出来る。 (e) 焼結を中性雰囲気で行つてもよい。 (f) 積層磁器コンデンサ以外の一般的な磁器コン
デンサにも勿論適用可能である。 〔発明の効果〕 上述から明らかな如く、本発明に係わる誘電体
磁器の125℃における単位厚さ当りの直流破壊電
圧（BDV）は25（Ｖ／μｍ）以上である。従つ
て、使用温度範囲が−50〜＋125℃で、定格電圧
が高い磁器コンデンサを小型にすることが出来
る。また、焼結させるための処理を非酸化性雰囲
気、1000〜1200℃で行うことが出来るので、ニツ
ケル等の卑金属を内部電極とする積層磁器コンデ
ンサを提供することが出来る。なお、1200℃以下
で焼成すれば、ニツケルの溶融凝集及び拡散を制
限することが出来る。
第１図は本発明の実施例に係わる積層型磁器コ
ンデンサを作るための未焼結磁器シートを示す断
面図、第２図は積層型磁器コンデンサの断面図、
第３図は第２成分の組成範囲を示す三角図であ
る。 １０……磁器層、１１……内部電極、１５……
外部電極。
ンデンサを作るための未焼結磁器シートを示す断
面図、第２図は積層型磁器コンデンサの断面図、
第３図は第２成分の組成範囲を示す三角図であ
る。 １０……磁器層、１１……内部電極、１５……
外部電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ｛（Ba1-x-yCaxSry）Ｏ｝k（Ti1-zZrz）O2 （但し、ｘ、ｙ、ｚ、ｋ及び１−ｘ−ｙは、 0.02≦ｘ≦0.27 ０＜ｙ≦0.37 ０＜ｚ≦0.26 1.00≦ｋ≦1.04 0.60≦（１−ｘ−ｙ）＜0.98 を満足する数値） の組成の第１成分100重量部と、 B2O3、SiO2及びMO（但しMOはBaO、SrO、
CaOの内の少なくとも１種の金属酸化物）から成
り、これ等の組成範囲がモル％で示す三角図にお
いて、 前記B2O3が15モル％、前記SiO2が25モル％、
前記MOが60モル％の点(A)と、 前記B2O3が30モル％、前記SiO2が１モル％、
前記MOが69モル％の点(B)と、 前記B2O3が90モル％、前記SiO2が１モル％、
前記MOが９モル％の点(C)と、 前記B2O3が89モル％、前記SiO2が10モル％、
前記MOが１モル％の点(D)と、 前記B2O3が24モル％、前記SiO2が75モル％、
前記MOが１モル％の点(E)と を順に結ぶ５本の直線で囲まれた領域内である第
２成分0.2〜10.0重量部と から成る誘電体磁器組成物。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59267004A JPS61147406A (ja) | 1984-12-18 | 1984-12-18 | 誘電体磁器組成物 |
| KR1019850008977A KR890004115B1 (ko) | 1984-12-18 | 1985-11-30 | 자기 콘덴서 |
| US06/805,096 US4607314A (en) | 1984-12-18 | 1985-12-04 | Low temperature sintered ceramic capacitor with high DC breakdown voltage, and method of manufacture |
| DE8585115817T DE3565739D1 (en) | 1984-12-18 | 1985-12-12 | Low temperature sintered ceramic capacitor with high dc breakdown voltage, and method of manufacture |
| EP85115817A EP0191181B1 (en) | 1984-12-18 | 1985-12-12 | Low temperature sintered ceramic capacitor with high dc breakdown voltage, and method of manufacture |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59267004A JPS61147406A (ja) | 1984-12-18 | 1984-12-18 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61147406A JPS61147406A (ja) | 1986-07-05 |
| JPH0355003B2 true JPH0355003B2 (ja) | 1991-08-22 |
Family
ID=17438719
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59267004A Granted JPS61147406A (ja) | 1984-12-18 | 1984-12-18 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4607314A (ja) |
| EP (1) | EP0191181B1 (ja) |
| JP (1) | JPS61147406A (ja) |
| KR (1) | KR890004115B1 (ja) |
| DE (1) | DE3565739D1 (ja) |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62157607A (ja) * | 1985-12-30 | 1987-07-13 | 太陽誘電株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
| DE3774734D1 (de) * | 1986-03-12 | 1992-01-09 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Keramischer mehrschichtkondensator. |
| JPS62210613A (ja) * | 1986-03-12 | 1987-09-16 | 松下電器産業株式会社 | 積層コンデンサ素子 |
| US4766027A (en) * | 1987-01-13 | 1988-08-23 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method for making a ceramic multilayer structure having internal copper conductors |
| JPS63281309A (ja) * | 1987-05-12 | 1988-11-17 | Taiyo Yuden Co Ltd | 磁器コンデンサ |
| US5268006A (en) * | 1989-03-15 | 1993-12-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Ceramic capacitor with a grain boundary-insulated structure |
| DE69024340T2 (de) * | 1989-03-15 | 1996-05-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Halbleiterkeramikkondensator von laminiertem und zwischenkornisolationstyp und verfahren zu seiner herstellung |
| US5266079A (en) * | 1989-04-04 | 1993-11-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for manufacturing a ceramic capacitor having varistor characteristics |
| US4988651A (en) * | 1989-10-27 | 1991-01-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Temperature compensating dielectric ceramic composition |
| JPH0614497B2 (ja) * | 1990-05-16 | 1994-02-23 | 太陽誘電株式会社 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
| JPH0614500B2 (ja) * | 1990-06-20 | 1994-02-23 | 太陽誘電株式会社 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
| US5396397A (en) * | 1992-09-24 | 1995-03-07 | Hughes Aircraft Company | Field control and stability enhancement in multi-layer, 3-dimensional structures |
| JPH0685751U (ja) * | 1993-05-20 | 1994-12-13 | 村田機械株式会社 | 切削油通路付き工具ホルダ |
| US5433917A (en) * | 1993-09-16 | 1995-07-18 | The Penn State Research Foundation | PZT ceramic compositions having reduced sintering temperatures and process for producing same |
| US5672378A (en) * | 1996-04-22 | 1997-09-30 | Mra Laboratories, Inc. | Method for making a BaTiO3 powder mixture the powder mixture and method for making a Y5V ceramic body therefrom |
| JPH11176642A (ja) * | 1997-12-08 | 1999-07-02 | Taiyo Yuden Co Ltd | 電子部品とその製造方法 |
| JP3376971B2 (ja) * | 1999-09-09 | 2003-02-17 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品 |
| WO2009098918A1 (ja) * | 2008-02-05 | 2009-08-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 誘電体セラミック及び積層セラミックコンデンサ |
| FR2977084B1 (fr) * | 2011-06-21 | 2013-07-05 | Valeo Systemes Dessuyage | Filtre attenuateur de bande |
| US20130127174A1 (en) * | 2013-01-15 | 2013-05-23 | Duncan G. Cumming | Method for Generating Tidal Energy Utilizing the Scalar Gravitational Potential of Celestial Bodies |
| JP7145652B2 (ja) * | 2018-06-01 | 2022-10-03 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
| JP7446705B2 (ja) * | 2018-06-12 | 2024-03-11 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5220259A (en) * | 1975-08-08 | 1977-02-16 | Taiyo Yuden Kk | Cylinderical throughhtype ceramic condenser and its fabrication method |
| US4101952A (en) * | 1976-08-17 | 1978-07-18 | Sprague Electric Company | Monolithic base-metal glass-ceramic capacitor |
| JPS5324600A (en) * | 1976-08-19 | 1978-03-07 | Murata Manufacturing Co | Nonnreducing dielectric ceramic composition |
| JPS5891602A (ja) * | 1981-11-26 | 1983-05-31 | 太陽誘電株式会社 | 電圧非直線磁器組成物 |
| JPS6020851B2 (ja) * | 1983-01-26 | 1985-05-24 | 太陽誘電株式会社 | 誘電体磁器物質 |
| DE3476993D1 (en) * | 1983-11-30 | 1989-04-13 | Taiyo Yuden Kk | Low temperature sintered ceramic materials for use in soliddielectric capacitors or the like, and method of manufacture |
-
1984
- 1984-12-18 JP JP59267004A patent/JPS61147406A/ja active Granted
-
1985
- 1985-11-30 KR KR1019850008977A patent/KR890004115B1/ko not_active Expired
- 1985-12-04 US US06/805,096 patent/US4607314A/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-12-12 DE DE8585115817T patent/DE3565739D1/de not_active Expired
- 1985-12-12 EP EP85115817A patent/EP0191181B1/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3565739D1 (en) | 1988-11-24 |
| KR890004115B1 (ko) | 1989-10-20 |
| JPS61147406A (ja) | 1986-07-05 |
| KR860005407A (ko) | 1986-07-21 |
| EP0191181A1 (en) | 1986-08-20 |
| EP0191181B1 (en) | 1988-10-19 |
| US4607314A (en) | 1986-08-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0355002B2 (ja) | ||
| JPS621595B2 (ja) | ||
| JPH0361963B2 (ja) | ||
| KR930002633B1 (ko) | 자기콘덴서 및 그의 제조방법 | |
| JPH0552604B2 (ja) | ||
| KR930004747B1 (ko) | 자기 콘덴서 및 그 제조방법 | |
| JPH0552602B2 (ja) | ||
| KR930002630B1 (ko) | 자기콘덴서 및 그의 제조방법 | |
| JPH0524655B2 (ja) | ||
| KR930004744B1 (ko) | 자기 콘덴서 및 그 제조방법 | |
| KR930002631B1 (ko) | 자기콘덴서 및 그의 제조방법 | |
| KR930004746B1 (ko) | 자기 콘덴서 및 그 제조방법 | |
| KR930004743B1 (ko) | 자기 콘덴서 및 그 제조방법 | |
| JPH0524652B2 (ja) | ||
| KR930004745B1 (ko) | 자기 콘덴서 및 그 제조방법 | |
| JPH0544764B2 (ja) | ||
| JPS621596B2 (ja) | ||
| JPH0524651B2 (ja) | ||
| JPH0518202B2 (ja) | ||
| JPH0532892B2 (ja) | ||
| JP2954298B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH0525378B2 (ja) | ||
| JPH0574883B2 (ja) | ||
| JPH0526323B2 (ja) | ||
| JPH0525379B2 (ja) |