JPH0355051B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0355051B2 JPH0355051B2 JP60251504A JP25150485A JPH0355051B2 JP H0355051 B2 JPH0355051 B2 JP H0355051B2 JP 60251504 A JP60251504 A JP 60251504A JP 25150485 A JP25150485 A JP 25150485A JP H0355051 B2 JPH0355051 B2 JP H0355051B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- address
- latch
- delay
- clock
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Pulse Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
[概要]
遅延回路と、それに対応したラツチ回路群とア
ドレス発生回路が設けられたクロツク発生LSIを
有し、且つ、個々のラツチ回路にセツトするに必
要なデータをアドレスに対応させて記憶しておく
記憶回路と、電源変動時に書込み禁止信号を発生
する電源電圧検出回路とを具備して、入力する同
期信号によりアドレスが発生して、アドレスに対
応する記憶回路内のデータが自動的にラツチ回路
群へローデイングされ、かくして、遅延回路から
複数のクロツクを発生させる。
ドレス発生回路が設けられたクロツク発生LSIを
有し、且つ、個々のラツチ回路にセツトするに必
要なデータをアドレスに対応させて記憶しておく
記憶回路と、電源変動時に書込み禁止信号を発生
する電源電圧検出回路とを具備して、入力する同
期信号によりアドレスが発生して、アドレスに対
応する記憶回路内のデータが自動的にラツチ回路
群へローデイングされ、かくして、遅延回路から
複数のクロツクを発生させる。
[産業上の利用分野]
本発明はクロツク発生方式に係り、クロツクジ
エネレータ(クロツク発生装置)の改善方式に関
する。
エネレータ(クロツク発生装置)の改善方式に関
する。
周知のように、コンピユータにとつてクロツク
発生器は必須のものであつて、その高信頼化につ
いては十分に配慮されなければならない。
発生器は必須のものであつて、その高信頼化につ
いては十分に配慮されなければならない。
[従来の技術と発明が解決しようとする問題点]
コンピユータは高度に発達して、必要なクロツ
クの種類も著しく増加しているが、クロツク発生
装置は通常、1個のICで厚生する遅延回路(デ
イレイライン回路)を20〜30個程度使用し、それ
と組み合わせる短絡回路(シヨートサーキツト)
も同数が必要になつて、それらの半田付け作業と
調整とが大きな作業量になつている。
クの種類も著しく増加しているが、クロツク発生
装置は通常、1個のICで厚生する遅延回路(デ
イレイライン回路)を20〜30個程度使用し、それ
と組み合わせる短絡回路(シヨートサーキツト)
も同数が必要になつて、それらの半田付け作業と
調整とが大きな作業量になつている。
即ち、従来のクロツク発生装置は、4〜5個の
デイレイラインを内蔵した1個のICからなる遅
延回路(デイレイライン回路)と、それと対応さ
せた短絡回路(シヨートサーキツト)とを一対に
して、必要なクロツク波形をチエツクしながら選
択的に端子に半田付けして、作成している。しか
し、これらの回路素子は個々に特性が異なるため
に、これらの一対の遅延回路と短絡回路とをチエ
ツクして半田付けし、これを多段に配置するとな
ると、その調整は複雑であり、且つ、手作業によ
る半田付けで接続するために、その数が20〜30個
にも及ぶと、複雑な上に作業量が多くて、ミスが
発生しやすい欠点がある。
デイレイラインを内蔵した1個のICからなる遅
延回路(デイレイライン回路)と、それと対応さ
せた短絡回路(シヨートサーキツト)とを一対に
して、必要なクロツク波形をチエツクしながら選
択的に端子に半田付けして、作成している。しか
し、これらの回路素子は個々に特性が異なるため
に、これらの一対の遅延回路と短絡回路とをチエ
ツクして半田付けし、これを多段に配置するとな
ると、その調整は複雑であり、且つ、手作業によ
る半田付けで接続するために、その数が20〜30個
にも及ぶと、複雑な上に作業量が多くて、ミスが
発生しやすい欠点がある。
更に、このような来往方式のクロツク発生装置
は実装スペースが大きくなると云う問題点があ
る。それに加えて、一旦、クロツク発生回路を半
田付けして作成すると、その回路を変更すること
は容易なことではない。
は実装スペースが大きくなると云う問題点があ
る。それに加えて、一旦、クロツク発生回路を半
田付けして作成すると、その回路を変更すること
は容易なことではない。
本発明は、このような問題の多いクロツク発生
方式を改善するため、すべて電気的に調整制御さ
れ、且つ、高密度実装した発生装置が得られるク
ロツク発生方式を提案するものである。
方式を改善するため、すべて電気的に調整制御さ
れ、且つ、高密度実装した発生装置が得られるク
ロツク発生方式を提案するものである。
[問題点を解決するための手段]
その目的は、ゲート手段の差によつて異なる遅
延時間を出力する遅延回路と、遅延時間を選択す
るデータを保持するラツチ回路群と、各ラツチ回
路に対応するアドレスを外部信号に同期して発生
するアドレス発生回路とが設けられたクロツク発
生LSIを有し、且つ、各ラツチ回路をセツトする
に必要なデータをアドレスに対応させて記憶して
おく記憶回路と、上記クロツク発生LSIおよび記
憶回路と同一電源供給系に接続して、電源変動時
に電源電圧を検出して、記憶回路への書込み禁止
信号を発生する電源電圧検出回路を具備して、上
記クロツク発生LSIへ入力する同期信号によりア
ドレスが発生して、該アドレスに対する記憶回路
内のデータが自動的にラツチ回路群へローデイン
グされ、遅延回路から複数のクロツクが順次に発
生されるようにしたクロツク発生方式によつて達
成される。
延時間を出力する遅延回路と、遅延時間を選択す
るデータを保持するラツチ回路群と、各ラツチ回
路に対応するアドレスを外部信号に同期して発生
するアドレス発生回路とが設けられたクロツク発
生LSIを有し、且つ、各ラツチ回路をセツトする
に必要なデータをアドレスに対応させて記憶して
おく記憶回路と、上記クロツク発生LSIおよび記
憶回路と同一電源供給系に接続して、電源変動時
に電源電圧を検出して、記憶回路への書込み禁止
信号を発生する電源電圧検出回路を具備して、上
記クロツク発生LSIへ入力する同期信号によりア
ドレスが発生して、該アドレスに対する記憶回路
内のデータが自動的にラツチ回路群へローデイン
グされ、遅延回路から複数のクロツクが順次に発
生されるようにしたクロツク発生方式によつて達
成される。
[作用]
即ち、本発明は、遅延回路と、それに対応した
ラツチ回路群とアドレス発生回路が設けられたク
ロツク発生LSIを有し、且つ、ラツチデータをア
ドレスに対応させて記憶しておく記憶回路と、電
源変動時に書込み禁止信号を発生する電源電圧検
出回路とを備え、外部からの同期信号によりアド
レスが発生して、アドレスに対応する記憶回路内
のデータが自動的にラツチ回路群へローデイング
されて、遅延回路から複数のクロツクを順次に発
生させる方式である。
ラツチ回路群とアドレス発生回路が設けられたク
ロツク発生LSIを有し、且つ、ラツチデータをア
ドレスに対応させて記憶しておく記憶回路と、電
源変動時に書込み禁止信号を発生する電源電圧検
出回路とを備え、外部からの同期信号によりアド
レスが発生して、アドレスに対応する記憶回路内
のデータが自動的にラツチ回路群へローデイング
されて、遅延回路から複数のクロツクを順次に発
生させる方式である。
このような方式は、誤りなく容易に作成でき
て、しかも、電気的に自動調整でき、且つ高密度
化できる。
て、しかも、電気的に自動調整でき、且つ高密度
化できる。
[実施例]
以下、図面を参照して実施例によつて詳細に説
明する。
明する。
第1図は本発明にかかるクロツク発生方式のブ
ロツク図を示しており、Aはクロツク発生LSI
で、このクロツク発生LSIを含むクロツク発生器
全体はプリント基板Bに搭載されている構造であ
る。
ロツク図を示しており、Aはクロツク発生LSI
で、このクロツク発生LSIを含むクロツク発生器
全体はプリント基板Bに搭載されている構造であ
る。
クロツク発生LSIには、内部ゲート段数の差に
よつて異なる遅延時間を出力する遅延回路1と、
該遅延時間を選択するデータを保持するラツチ回
路群2と、それぞれのラツチ回路に対応するアド
レスを外部信号に同期して発生するアドレス発生
回路3と、発振器に接続する位相回路4とが設け
られている。
よつて異なる遅延時間を出力する遅延回路1と、
該遅延時間を選択するデータを保持するラツチ回
路群2と、それぞれのラツチ回路に対応するアド
レスを外部信号に同期して発生するアドレス発生
回路3と、発振器に接続する位相回路4とが設け
られている。
プリント基板Bにはクロツク発生LSIの他に、
上記のラツチ回路群2にセツトするに必要なデー
タをアドレスに対応させて記憶しておく記憶回路
5と、クロツク発生LSIおよび記憶回路と同一電
源供給系に接続して、電源変動時には電源電圧を
検出して、上記記憶回路への書込み禁止信号を発
生する電源電圧検出回路6と、発振器7とが搭載
されている。なお、記憶回路5は、最初にクロツ
ク発生器を作成する時点で調整が必要であるか
ら、電気的に書込み・消去の可能なEEPROMが
用いられる。
上記のラツチ回路群2にセツトするに必要なデー
タをアドレスに対応させて記憶しておく記憶回路
5と、クロツク発生LSIおよび記憶回路と同一電
源供給系に接続して、電源変動時には電源電圧を
検出して、上記記憶回路への書込み禁止信号を発
生する電源電圧検出回路6と、発振器7とが搭載
されている。なお、記憶回路5は、最初にクロツ
ク発生器を作成する時点で調整が必要であるか
ら、電気的に書込み・消去の可能なEEPROMが
用いられる。
プリント基板Bの外部接続端子のうち、端子T
1はクロツク信号を各装置へ送り出す端子で、実
際には多数個が設けられている。端子T2はクロ
ツク発生器の動作時にアドレス発生回路3を動か
すためのクロツク信号入力端子である。その他の
端子T3,T4,T5はクロツク発生LSIの各ラ
ツチ回路にセツトするデータ作成時にのみ使用す
る端子で、端子T3はラツチ回路群2に外部から
ラツチのデータを入力するための端子、端子T4
はラツチ回路群2にアドレスを入力するための端
子、端子T5は作成時の記憶装置5へのメモリ書
込み信号を入力する端子である。
1はクロツク信号を各装置へ送り出す端子で、実
際には多数個が設けられている。端子T2はクロ
ツク発生器の動作時にアドレス発生回路3を動か
すためのクロツク信号入力端子である。その他の
端子T3,T4,T5はクロツク発生LSIの各ラ
ツチ回路にセツトするデータ作成時にのみ使用す
る端子で、端子T3はラツチ回路群2に外部から
ラツチのデータを入力するための端子、端子T4
はラツチ回路群2にアドレスを入力するための端
子、端子T5は作成時の記憶装置5へのメモリ書
込み信号を入力する端子である。
本クロツク発生方式の動作概要は、遅延回路1
の中のデイレイラインの1つと、1つのラツチ回
路(1つのラツチ回路は2ビツトで構成さてれい
る)とが一対で対応させてあり、且つ、ラツチ回
路とアドレス発生回路とも対応させてある。そし
て、ラツチ回路群2に与えるデータを記憶回路5
に記憶させておいて、外部のクロツク信号に同期
してアドレス発生回路3が作用して、それによつ
て記憶回路5のデータがラツチ回路に入力され、
対応する遅延回路から順次にクロツク信号が端子
T1を通じて送り出される。
の中のデイレイラインの1つと、1つのラツチ回
路(1つのラツチ回路は2ビツトで構成さてれい
る)とが一対で対応させてあり、且つ、ラツチ回
路とアドレス発生回路とも対応させてある。そし
て、ラツチ回路群2に与えるデータを記憶回路5
に記憶させておいて、外部のクロツク信号に同期
してアドレス発生回路3が作用して、それによつ
て記憶回路5のデータがラツチ回路に入力され、
対応する遅延回路から順次にクロツク信号が端子
T1を通じて送り出される。
ところで、従来、遅延回路と短絡回路を手作業
で半田付けしていたものが、上記の本発明にかか
るクロツク発生装置では、既に遅延回路1とラツ
チ回路群2、アドレス発生回路3とを対応させて
LSI(大規模集積回路)として作成しているため、
半田付け作業が不要になる。
で半田付けしていたものが、上記の本発明にかか
るクロツク発生装置では、既に遅延回路1とラツ
チ回路群2、アドレス発生回路3とを対応させて
LSI(大規模集積回路)として作成しているため、
半田付け作業が不要になる。
且つ、このクロツク波形の調整は次のようにし
ておこなう。即ち、ラツチ回路群2にはラツチの
データを端子T3から入力し、端子T4からアド
レスデータを入力して、調整後、ラツチデータに
よつて所望のクロツク波形が得られれば、端子T
5から書込み信号を送つて、前記回路5に書込み
をおこなう。このような操作を繰り換えして、す
べての調整したラツチデータを記憶装置に記憶さ
せる。
ておこなう。即ち、ラツチ回路群2にはラツチの
データを端子T3から入力し、端子T4からアド
レスデータを入力して、調整後、ラツチデータに
よつて所望のクロツク波形が得られれば、端子T
5から書込み信号を送つて、前記回路5に書込み
をおこなう。このような操作を繰り換えして、す
べての調整したラツチデータを記憶装置に記憶さ
せる。
しかし、一方、このようなクロツク作成時(調
整時)に、電圧変動があると、EEPROMでは折
角の記憶データが破壊される恐れがある。それは
EEPROMの書込み電圧が低いことに原因があ
り、従つて、電源投入時などは電源電圧検出回路
6によつて電圧の立上り・立下りを検出して、書
込み禁止信号を発生させ、記憶装置5内の記憶デ
ータを保護する。このように、電源電圧検出回路
6は主として電源投入時に電圧変動から記憶デー
タを保護する役目を与えた回路である。
整時)に、電圧変動があると、EEPROMでは折
角の記憶データが破壊される恐れがある。それは
EEPROMの書込み電圧が低いことに原因があ
り、従つて、電源投入時などは電源電圧検出回路
6によつて電圧の立上り・立下りを検出して、書
込み禁止信号を発生させ、記憶装置5内の記憶デ
ータを保護する。このように、電源電圧検出回路
6は主として電源投入時に電圧変動から記憶デー
タを保護する役目を与えた回路である。
このようなクロツク発生装置を設ければ、遅延
回路と短絡回路がLSI化されて、実装スペースが
小さく高密度化される。且つ、上記のように調整
はすべて電気的に制御されるから、ミスがなくな
り、調整も容易でなる。更に、初期のクロツク信
号のデータを変更したい時にも、その変更は短時
間におこなうことができる。
回路と短絡回路がLSI化されて、実装スペースが
小さく高密度化される。且つ、上記のように調整
はすべて電気的に制御されるから、ミスがなくな
り、調整も容易でなる。更に、初期のクロツク信
号のデータを変更したい時にも、その変更は短時
間におこなうことができる。
なお、調整用の外部信号はパソコン等で作成が
可能であり、これによつて容易に制御できる。
可能であり、これによつて容易に制御できる。
[発明の効果]
以上の説明から明らかなように、本発明によれ
ば作成が簡単になつて、而も、ミスのない高信頼
化されたクロツク発生装置が得られるものであ
る。
ば作成が簡単になつて、而も、ミスのない高信頼
化されたクロツク発生装置が得られるものであ
る。
第1図は本発明にかかるクロツク発生方式を示
す図である。 図において、Aはクロツク発生LSI、Bはプリ
ント基板、1は遅延回路、2はラツチ回路群、3
はアドレス発生回路、4は位相回路、5は記憶回
路、6は電源電圧検出回路、を示している。
す図である。 図において、Aはクロツク発生LSI、Bはプリ
ント基板、1は遅延回路、2はラツチ回路群、3
はアドレス発生回路、4は位相回路、5は記憶回
路、6は電源電圧検出回路、を示している。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 ゲート段数の差によつて異なる遅延時間を出
力する遅延回路と、遅延時間を選択するデータを
保持するラツチ回路群と、該ラツチ回路群の各ラ
ツチ回路に対応するアドレスを外部信号に同期し
て発生するアドレス発生回路とが設けられたクロ
ツク発生LSIを有し、 且つ、ラツチ回路をセツトするに必要なデータ
をアドレスに対応させて記憶しておく記憶回路
と、電源変動時に記憶回路への書込み禁止信号を
発生する電源電圧検出回路とを具備し、 上記クロツク発生LSIへ入力する外部信号に同
期してアドレスが発生し、アドレスに対応する記
憶回路内のデータが自動的にラツチ回路群へロー
デイングされ、該遅延回路が発生したクロツクを
順次に選択するようにしたことを特徴とするクロ
ツク発生方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60251504A JPS62111517A (ja) | 1985-11-08 | 1985-11-08 | クロツク発生方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60251504A JPS62111517A (ja) | 1985-11-08 | 1985-11-08 | クロツク発生方式 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62111517A JPS62111517A (ja) | 1987-05-22 |
| JPH0355051B2 true JPH0355051B2 (ja) | 1991-08-22 |
Family
ID=17223789
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60251504A Granted JPS62111517A (ja) | 1985-11-08 | 1985-11-08 | クロツク発生方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62111517A (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5647125A (en) * | 1979-09-26 | 1981-04-28 | Toshiba Corp | Delay circuit |
| JPS57154700A (en) * | 1981-03-20 | 1982-09-24 | Hitachi Ltd | Abnormal writing preventive system in case of service interruption |
| JPS595736A (ja) * | 1982-06-30 | 1984-01-12 | Fujitsu Ltd | タイミング作成回路 |
| JPS60138655A (ja) * | 1983-12-27 | 1985-07-23 | Fuji Xerox Co Ltd | 不揮発性メモリの保護方法 |
-
1985
- 1985-11-08 JP JP60251504A patent/JPS62111517A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62111517A (ja) | 1987-05-22 |
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