JPH0355110Y2 - - Google Patents
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- JPH0355110Y2 JPH0355110Y2 JP9737182U JP9737182U JPH0355110Y2 JP H0355110 Y2 JPH0355110 Y2 JP H0355110Y2 JP 9737182 U JP9737182 U JP 9737182U JP 9737182 U JP9737182 U JP 9737182U JP H0355110 Y2 JPH0355110 Y2 JP H0355110Y2
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- Japan
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- capacitor
- circuit
- voltage source
- current
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 47
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims description 2
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims 1
- 241000723573 Tobacco rattle virus Species 0.000 description 27
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は電圧用しや断器の大電流しや断性能を
検証するための合成等価試験回路、とくに、4パ
ラメータ過渡回復電圧(以下、TRV)を発生す
る試験回路に関する。
検証するための合成等価試験回路、とくに、4パ
ラメータ過渡回復電圧(以下、TRV)を発生す
る試験回路に関する。
大容量電力用しや断器の進歩はめざましく、最
近では300kV1点切り、550kV2点切りしや断器も
製作し得る段階に達している。一方、しや断器規
格では系統に発生するTRVに即して4パラメー
タTRVが採用され、多数の回路案が発表されて
いる。第1図は4パラメータTRV波形図である。
ここでt1,t2,u1,ueは、それぞれ、初期波高時
間、波高時間、波期波高値及び波高値と呼ばれ
る。一般に、定格電圧の高いしや断器用のTRV
ではt2が長い。波高時間t2の長い4パラメータ
TRVを経済的に発生することが困難で、しや断
試験に実用されている回路は比較的少ない。
近では300kV1点切り、550kV2点切りしや断器も
製作し得る段階に達している。一方、しや断器規
格では系統に発生するTRVに即して4パラメー
タTRVが採用され、多数の回路案が発表されて
いる。第1図は4パラメータTRV波形図である。
ここでt1,t2,u1,ueは、それぞれ、初期波高時
間、波高時間、波期波高値及び波高値と呼ばれ
る。一般に、定格電圧の高いしや断器用のTRV
ではt2が長い。波高時間t2の長い4パラメータ
TRVを経済的に発生することが困難で、しや断
試験に実用されている回路は比較的少ない。
第2図はすでに提案中の4パラメータTRV発
生回路であつて、電流源と電圧源とからなり、電
圧源コンデンサの一部がTRV波高値の発生のた
めに再び利用される方式の回路を示す。
生回路であつて、電流源と電圧源とからなり、電
圧源コンデンサの一部がTRV波高値の発生のた
めに再び利用される方式の回路を示す。
低電圧の大電流源1から電流調整用リアクトル
2、補助しや断器(ACB)3、供試しや断器
TCB4を通して電流源電流ieを供給する。通常、
電源保護用のコンデンサ5が図示の位置に接続さ
れる。ACB3,TCB4をほぼ同時に開き、電流
源電流icの最終零点直前で、放電制御ギヤツプ6
を放電させることにより、あらかじめ同極性に充
電してあるコンデンサ7,8からリアクトル9、
第2の補助しや断器(ACB)10を通してTCB
4に、電圧源電流ivを供給する。以後の説明は第
3図も参照しながら説明する。TCB4がivのしや
断に成功すると、その時点では、初期の充電々圧
とは逆極性にコンデンサ7,8に充電されていた
電荷は、抵抗11−コンデンサ12及び抵抗13
−コンデンサ14−コンデンサ15の回路に電流
i1,i2が図示のように流れる。コンデンサ14の
静電容量をコンデンサ12及びコンデンサ15に
くらべて十分小さく選び、抵抗13を適切に選ぶ
と、第3図に示すi2の次の電流零点を、i1の零点
より早く発生することが可能である。TCB4でiv
しや断後、i2の通電期間中に、抵抗13−コンデ
ンサ14−コンデンサ15の電圧降下として
TCB4にTRV1を印加できる。第2の補助しや
断器10は微少なしや断性能を持ち、TRV1発生
後あるいはivの通電期間中に開く。iv通電期間中
に開いても、しや断性能がTCB4にくらべて十
分小さければ、TRV1の立上り部分では続弧し、
i2は図示のように流れる。i2の次の電流零点付近、
例えば、i2しや断後、微少時間ΔT起過後に、第
2の放電制御ギヤツプ16を放電させて、リアク
トル17、抵抗18を通してコンデンサ8からコ
ンデンサ15を充電する。コンデンサ14の静電
容量をコンデンサ15のそれにくらべて十分小さ
く選んであるために、この時点のコンデンサ15
の対地電圧は十分小さい。また、コンデンサ8
は、実際には多段直列の電圧源コンデンサの適当
な対地電圧を有する段数を選ぶ。ギヤツプ16放
電後のコンデンサ15の対地電圧変化分をTRV2
として示す。結局、TCB4には図示のように、
4パラメータTRV表示に適した(TRV1+
TRV2)の波形が印加される。
2、補助しや断器(ACB)3、供試しや断器
TCB4を通して電流源電流ieを供給する。通常、
電源保護用のコンデンサ5が図示の位置に接続さ
れる。ACB3,TCB4をほぼ同時に開き、電流
源電流icの最終零点直前で、放電制御ギヤツプ6
を放電させることにより、あらかじめ同極性に充
電してあるコンデンサ7,8からリアクトル9、
第2の補助しや断器(ACB)10を通してTCB
4に、電圧源電流ivを供給する。以後の説明は第
3図も参照しながら説明する。TCB4がivのしや
断に成功すると、その時点では、初期の充電々圧
とは逆極性にコンデンサ7,8に充電されていた
電荷は、抵抗11−コンデンサ12及び抵抗13
−コンデンサ14−コンデンサ15の回路に電流
i1,i2が図示のように流れる。コンデンサ14の
静電容量をコンデンサ12及びコンデンサ15に
くらべて十分小さく選び、抵抗13を適切に選ぶ
と、第3図に示すi2の次の電流零点を、i1の零点
より早く発生することが可能である。TCB4でiv
しや断後、i2の通電期間中に、抵抗13−コンデ
ンサ14−コンデンサ15の電圧降下として
TCB4にTRV1を印加できる。第2の補助しや
断器10は微少なしや断性能を持ち、TRV1発生
後あるいはivの通電期間中に開く。iv通電期間中
に開いても、しや断性能がTCB4にくらべて十
分小さければ、TRV1の立上り部分では続弧し、
i2は図示のように流れる。i2の次の電流零点付近、
例えば、i2しや断後、微少時間ΔT起過後に、第
2の放電制御ギヤツプ16を放電させて、リアク
トル17、抵抗18を通してコンデンサ8からコ
ンデンサ15を充電する。コンデンサ14の静電
容量をコンデンサ15のそれにくらべて十分小さ
く選んであるために、この時点のコンデンサ15
の対地電圧は十分小さい。また、コンデンサ8
は、実際には多段直列の電圧源コンデンサの適当
な対地電圧を有する段数を選ぶ。ギヤツプ16放
電後のコンデンサ15の対地電圧変化分をTRV2
として示す。結局、TCB4には図示のように、
4パラメータTRV表示に適した(TRV1+
TRV2)の波形が印加される。
最近は、点A,B間の試験配線の電圧降下分の
往復反射によつて、TRV初期部分に早い周波数
の振動が重畳するのを防ぐため、抵抗13、コン
デンサ14,15はTCB4の近くに設置される
のに対して、敷地面積が狭いために電圧源コンデ
ンサ7,8はTCBから相当遠くに設置されるこ
とが多い。このような場合には、インダクタンス
9,17に接続される配線は互に長い絶縁距離を
保ちながら、長距離にわたつて設置する必要があ
り、試験中に大風等で配線がゆれることを考える
と、狭い空間では絶縁距離を保ちにくい。また、
ギヤツプ16は多段に直列接続された電圧源コン
デンサの適当な段数のところに接続されるが、従
来、一般に電圧源コンデンサ7,8は12と比較
して一段当りの耐圧も高いものが直列段数の少な
い状態で使われることが多かつたため、TRV波
高値の微調整が困難になることもあり、その改善
が望まれていた。
往復反射によつて、TRV初期部分に早い周波数
の振動が重畳するのを防ぐため、抵抗13、コン
デンサ14,15はTCB4の近くに設置される
のに対して、敷地面積が狭いために電圧源コンデ
ンサ7,8はTCBから相当遠くに設置されるこ
とが多い。このような場合には、インダクタンス
9,17に接続される配線は互に長い絶縁距離を
保ちながら、長距離にわたつて設置する必要があ
り、試験中に大風等で配線がゆれることを考える
と、狭い空間では絶縁距離を保ちにくい。また、
ギヤツプ16は多段に直列接続された電圧源コン
デンサの適当な段数のところに接続されるが、従
来、一般に電圧源コンデンサ7,8は12と比較
して一段当りの耐圧も高いものが直列段数の少な
い状態で使われることが多かつたため、TRV波
高値の微調整が困難になることもあり、その改善
が望まれていた。
本考案の目的は、経済的に波高時間の長い4パ
ラメータTRVを発生し得る試験回路を提供する
にある。
ラメータTRVを発生し得る試験回路を提供する
にある。
本考案の要点は、TRV波高値の発生用の充電
されたコンデンサとして、電圧源コンデンサ8で
はなく、多段直列されたコンデンサ12の一部を
利用することにある。
されたコンデンサとして、電圧源コンデンサ8で
はなく、多段直列されたコンデンサ12の一部を
利用することにある。
第4図に本考案の一実施例を示す。この実施例
では放電制御ギヤツプ16は電圧源コンデンサ7
の一部ではなく、TRV調節用のコンデンサ12
の一部である12bに接続する。TRV発生後、
第2の補助しや断器10が電流をしや断するまで
は、C点はB点と同じ変化をし、しや断後はC点
の電位は若干の振動成分は含まれるがコンデンサ
12にはコンデンサ7の初期充電々圧とは逆極性
で、ほぼ同等の電圧が充電されている。したがつ
て、多段直列コンデンサ12の一部の適当な段数
を選んで、放電制御ギヤツプ16を図示のように
あらかじめ接続し、第2の補助しや断器10で電
流しや断する時点付近で、第2の放電制御ギヤツ
プ16に放電指令を送ることにより第3図と同様
な現象を発生し、4パラメータTRVを発生する
ことができる。
では放電制御ギヤツプ16は電圧源コンデンサ7
の一部ではなく、TRV調節用のコンデンサ12
の一部である12bに接続する。TRV発生後、
第2の補助しや断器10が電流をしや断するまで
は、C点はB点と同じ変化をし、しや断後はC点
の電位は若干の振動成分は含まれるがコンデンサ
12にはコンデンサ7の初期充電々圧とは逆極性
で、ほぼ同等の電圧が充電されている。したがつ
て、多段直列コンデンサ12の一部の適当な段数
を選んで、放電制御ギヤツプ16を図示のように
あらかじめ接続し、第2の補助しや断器10で電
流しや断する時点付近で、第2の放電制御ギヤツ
プ16に放電指令を送ることにより第3図と同様
な現象を発生し、4パラメータTRVを発生する
ことができる。
本考案によれば、TRV調整回路13−14−
15とコンデンサ7の設置場所の距離が離れてい
ても、それとは無関係で近接した位置に設けられ
たコンデンサ12の一部を利用してTRV波高値
を発生するので、放電制御ギヤツプ16への配線
を短かくでき、絶縁に関して大風時の影響を受け
ない設備をすることができる。また、コンデンサ
7に比較して、コンデンサ12の直列段数が多い
ため、TRV波高値の大きさの微調整が容易にな
る。
15とコンデンサ7の設置場所の距離が離れてい
ても、それとは無関係で近接した位置に設けられ
たコンデンサ12の一部を利用してTRV波高値
を発生するので、放電制御ギヤツプ16への配線
を短かくでき、絶縁に関して大風時の影響を受け
ない設備をすることができる。また、コンデンサ
7に比較して、コンデンサ12の直列段数が多い
ため、TRV波高値の大きさの微調整が容易にな
る。
第5図に本考案の変形例を示す。第5図では第
4図に示した第2の補助しや断器10の代りに、
放電制御機能付のガスギヤツプ19を使用してい
る。ガスギヤツプ19と放電制御ギヤツプ6をほ
ぼ同時、または、ギヤツプ6に対して19を若干
遅れて放電させて、電圧源電流ivをTCB4に供給
する。
4図に示した第2の補助しや断器10の代りに、
放電制御機能付のガスギヤツプ19を使用してい
る。ガスギヤツプ19と放電制御ギヤツプ6をほ
ぼ同時、または、ギヤツプ6に対して19を若干
遅れて放電させて、電圧源電流ivをTCB4に供給
する。
放電制御機能付のガス・ギヤツプ19は微弱な
しや断性能を持つていて、商用周波数への換算し
や断電流が数10kA通電直後は導電性があるが、
第3図のi2のような微少電流はしや断可能なよう
に、ガス圧力やギヤツプ長が選定されているもの
とする。このような条件を満たすガス・ギヤツプ
を使用すれば、第5図の構成は第4図のそれと同
様な目的を達成できるのは明らかである。
しや断性能を持つていて、商用周波数への換算し
や断電流が数10kA通電直後は導電性があるが、
第3図のi2のような微少電流はしや断可能なよう
に、ガス圧力やギヤツプ長が選定されているもの
とする。このような条件を満たすガス・ギヤツプ
を使用すれば、第5図の構成は第4図のそれと同
様な目的を達成できるのは明らかである。
第6図は本考案のさらに他の実施例を示し、第
5図の放電制御ギヤツプ6を省略したものであ
る。電圧源電流ivの初期部分の形が若干変るが、
しや断性能検証には何ら問題がない。この実施例
では第5図に比例して、放電制御ギヤツプ6が不
要になるので、設備の取扱いにも便利であり、ま
た、より経済的になる。
5図の放電制御ギヤツプ6を省略したものであ
る。電圧源電流ivの初期部分の形が若干変るが、
しや断性能検証には何ら問題がない。この実施例
では第5図に比例して、放電制御ギヤツプ6が不
要になるので、設備の取扱いにも便利であり、ま
た、より経済的になる。
本考案によれば、TRV波高値発生のために、
TRV波形調節用の抵抗13−コンデンサ14−
15に比較的近接して設置されるコンデンサ12
の一部である12bを利用するので、放電制御ギ
ヤツプ16−インダクタンス17−抵抗18間の
配線を短かくできるので、取扱いの便利な信頼性
の高い設備にすることができる。
TRV波形調節用の抵抗13−コンデンサ14−
15に比較的近接して設置されるコンデンサ12
の一部である12bを利用するので、放電制御ギ
ヤツプ16−インダクタンス17−抵抗18間の
配線を短かくできるので、取扱いの便利な信頼性
の高い設備にすることができる。
第1図は説明線図、第2図は従来の回路図、第
3図は現象説明図、第4図は本考案の一実施例の
回路図、第5図は本考案の他の実施例の回路図、
第6図は本考案のさらに他の実施例の回路図であ
る。 3……補助しや断器、4……供試しや断器、
5,7,8,12,14,15……コンデンサ、
6,16……ギヤツプ、9,17……リアクト
ル、13,18……抵抗。
3図は現象説明図、第4図は本考案の一実施例の
回路図、第5図は本考案の他の実施例の回路図、
第6図は本考案のさらに他の実施例の回路図であ
る。 3……補助しや断器、4……供試しや断器、
5,7,8,12,14,15……コンデンサ、
6,16……ギヤツプ、9,17……リアクト
ル、13,18……抵抗。
Claims (1)
- 供試しや断器に補助しや断器を経由して短絡大
電流を供給する電流源回路と、充電装置を備えた
電圧源コンデンサから第1の放電制御ギヤツプと
リアクトルを通して前記供試しや断器に電圧源電
流を供給する電圧源回路とからなるしや断器の合
成等価試験回路において、前記供試しや断器にく
らべてしや断性能が微弱であり、前記電圧源電流
の通電開始から前記電圧源電流のしや断後、微少
時間経過後までは導通状態にある機器を前記供試
しや断器と前記電圧源回路との間に挿入し、前記
機器の両端子と対地間に、それぞれ抵抗と多段の
コンデンサとの直列回路を接続し、前記機器の前
記供試しや断器側に接続される前記多段のコンデ
ンサは、静電容量の比較的小さいコンデンサと静
電容量が大きく、ア−ス側に接続されたコンデン
サとからなり、前記機器がその通過電流をしや断
する時点付近で、前記機器の両端子と大地間に接
続された前記コンデンサのそれぞれ適当な段数
を、第2の放電制御ギヤツプによつて適当なイン
ピーダンスを通して、互に接続することによつて
4パラメータ表示に適した過渡回復電圧を発生す
るよう構成したことを特徴とするしや断器の合成
等価試験回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9737182U JPS593379U (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | しや断器の合成等価試験回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9737182U JPS593379U (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | しや断器の合成等価試験回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS593379U JPS593379U (ja) | 1984-01-10 |
| JPH0355110Y2 true JPH0355110Y2 (ja) | 1991-12-06 |
Family
ID=30231643
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9737182U Granted JPS593379U (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | しや断器の合成等価試験回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS593379U (ja) |
-
1982
- 1982-06-30 JP JP9737182U patent/JPS593379U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS593379U (ja) | 1984-01-10 |
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