JPH0355293A - 光記録媒体およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 本発明は、光あるいは熱等のエネルギービームの照射に
より基板上の記録膜にビットを形或してｔ，’ｆ報を記
録するようにした光記録媒体およびその製造方法に関す
る。

発明の技術的背景ならびにその問題点 光記録媒体には、エネルギービームの照射により、記録
膜の一部に穴もしくは凹郎等の物理的変化部を形或する
方式のものと、記録膜の一部に光学的特性（屈折率、反
射率など）を変化させた光学特性変化部を形戊する方式
のものとがある。

いずれの方式の光記録媒体における記録膜としても、テ
ルル（Ｔθ）等の低融点金属を主成分とする記録膜が従
来から知られている（特開昭５８−７１１９５号公報、
特開昭５８−９２３４号公報）。低融点金属膜として代
表的なＴｅｌｌ［は、非常に低いエネルギーで所望の物
理的変化部もしくは光学特性変化部（以下、総称して、
ｒビット」と称す）を形或でき、高感度材料として極め
て有望である。ここで感度とは単位面積当りのビット形
或に要するエネルギー（ｓＪ／ｃｊ）で定義される。

しかしながら、Ｔｏは大気中に放置された場合、酸素あ
るいは水分により酸化され、光透過率が上昇して透明に
なってしまう。このようなＴｅを紀録膜として使用する
場合、膜厚は数百λ程度と極めて薄いため、膜の酸化に
よって光透過率が上昇すると感度が著しく低下してしま
う。すなわち、膜が酸化されると融解温度および蒸発温
度が上昇するとともに、透明化により光等のエネルギー
の吸収が少なくなるため、ビット形或に要するエネルギ
ーが大きくなり、感度の著しい低下を来たす。

たとえばＴｅ膜を温度７０℃、相対湿度８５％の雰囲気
に放置した場合、約５時間で感度が約２０％低下し、約
１５時間で約５０％低下してしまう。

このような問題点を解決するため、Ｔ　ｅ　膜の酸化防
止のために種々の対策がとられている。その１つとして
安定無機物質でＴｅｌｌ％をコーティングする方法が知
られているが、この方広は、Ｔθ膜の酸化防止には有効
であるが、感度を低下させてしまい、また高価であるた
め、実用化されていない。一方、Ｔｅ＠をプラスチック
コーティングする方法も知られているが、この方法はプ
ラスチックの熱伝導率が小さいことから感度を損なう度
合が小さく有利であるが、酸素や水を比較的容易に透過
させるため、Ｔｅｌｌ［の酸化防止にはあまり役立たな
い。

また、Ｔｅ膜中にＣおよびＨを含ませる（特公昭５９−
３３３２０号公報）ことにより、記録層としてのＴｅｌ
ｌｊｌの酸化を防止するようにした技術も提案されてい
るが、この技術ではＣの含有量が少ないときには耐酸化
性がいまだ不充分であり、耐酸化性を向上させるために
、Ｃの含有量を多くすると、情報再生時におけるＣ／Ｎ
比が低下するという不都合を有している。

また上記のような問題点を解決するため、特開昭５９−
６３，０３８号公報には、Ｔｅを主成分としてＣｒを含
有する記録膜を具備する光記録媒体が開示されている。

この公報に開示されているように、Ｔｅを主成分とする
記録膜中にＣｒを含有させると、その含有量に対応して
記録膜の耐酸化性が向上し、光記録媒体の長寿命化が図
られることが知られている。

しかしながら、Ｔｏを主成分としてＣｒを含有する記録
膜を具備する光記録媒体にあっては、Ｃｒが多量に含ま
れると、記録感度が低下するという不都合を有している
。そこで、Ｔｅを主成分とする記録膜中に含まれるＣｒ
の含有量は、耐酸化性向上および記録感度向上の観点か
ら、特開昭５９−６３．０．３８号公報に示すように、
記録膜１１のＴｅに対してＣｒが５〜１５重量％となる
ように決定されるのが一般的であった。

ところが、Ｃｒが５〜１５重量％の量で含まれるＴｅ系
の記録膜を具備する光記録媒体の記録感度は、Ｔｅｌｌ
ｌ単独の記録膜に比較して依然として低いことが本発明
者等によって見出された。本発明者等は、このようなＴ
ｅを主成分としてＣｒを含む記録膜を具備する光記録媒
体について鋭意検討したところ、特定量のＣｒを含有す
ると共にＣおよびＨを含ませたＴｅを主成分とする記録
膜を具備する光記録媒体は、耐酸化性が向上するにもか
かわらず、記録感度が、Ｃｒを多量に含有するＴｏ系記
録膜と比較して著しく向上すると共に、記録マージンが
広がることを見出した。また、本発明者等は、このよう
にＣｒ，ＣおよびＨを含有し、Ｔｅを主成分とする記録
膜を基坂上に成膜した後に、熱処理を行なえば、さらに
記録感度が向上し、しかも記録マージンが広がることを
見出した。

発明の目的 本発明は、このような新たな知見に基づきなされたもの
であり、特に高温高湿下での記録膜の耐酸化性を向上さ
せ、光記録膜の長寿命化を図ると共に、小さいエネルギ
ーで情報の記録が可能であり、しかも高感度で記録マー
ジンの広い光記録媒体およびその製造方法を提供するこ
とを目的とする。

発明の概要 このような目的を達成するために、本発明に係る光記録
媒体は、基板と、この基板上に形成された記録膜とから
なり、この記録膜にエネルギービームを照射することに
より、この記録膜にビットを形戊して情報を記録するよ
うにした光記録媒体において、 前記記録膜は、Ｔｅを主成分としてＣｒＳＣおよびＨを
含む薄膜であり、 前記記録膜に含まれるＣｒおよびＣの含有割合が、記録
膜を溝戊する全原子数に対して、Ｃｒについては０．１
〜４０原子％の範囲にあり、Ｃについては５〜４０原子
％の範囲にあることを特徴としている。

また、本発明に係る光記録媒体は、基板と、この基板上
に形成された記録膜とからなり、この記録膜にエネルギ
ービームを照射することにより、この記録漠にビットを
形戊して情報を記録するようにした光記録媒体において
、 前記記録膜は、Ｔｏを主成分としてＣｒ，ＣおよびＨを
含む薄膜であり、 前記記録膜に含まれるＣｒの含有割合が、記録膜中のＴ
ｏおよびＣｒの合計原子数に対して、０．１〜４０原子
％の範囲にあり、前記記録膜に含まれるＣの含有割合が
、記録膜中のＴｅ，ＣｒおよびＣの合計原子数に対して
、５〜４０原子％の範囲にあることを特徴としている。

このような本発明に係る光記録媒体によれば、Ｔｅを主
成分とする記録膜にＣｒＳＣおよびＨを含有させるよう
にしているので、記録膜の耐酸化性が向上し、光記録媒
体の長寿命化が期待できる。

しかも、本発明では、Ｃの含有量を、記録膜の全原子数
または記録膜中のＴｅ，ＣｒおよびＣの合｛１原子数に
対して、５〜４０原子％の範囲にしてあるため、特に高
温高湿下での耐酸化性を著しく向上させることができる
。また、本発明で、記録膜中におけるＣｒの含有量を、
記録膜の全原子数または記録膜中のＴｅおよびＣｒの合
計原子数に対して、０．１〜４０原子％、特に０，５〜
１０原子％と、従来に比較して低い値に設定すると、従
来のＣｒ含有量が多いＴＯ膜に比較して優れた記録感度
を有することになる。

また、前記目的を達成するために、本発明に係る光記録
媒体の製造方法は、前述した記録膜を前記基板上に戊膜
した後に、この記録膜を熱処理することを特徴としてい
る。

前記熱処理は、７０〜３００℃の温度で５秒以上行なう
ことが好ましい。

このような本発明に係る光記録媒体の製造方法によれば
、成膜された記録膜を熱処理しているので、記録用エネ
ルギー出力の微小変動によっても記録膜に形成されるビ
ット形状を均一なものとすることができ、記録マージン
が広がると共にＣ／Ｎ比が向上し、また得られる光記録
媒体の記録感度が向上する。

なお本発明において記録マージンが狭いとは記録用エネ
ルギー出力の変動に応じてＣ／Ｎ比が変化することをい
う（以下同様の意味に用いる）。

すなわち記録マージンが狭いとは記録用エネルギー出力
を大きくした際にＣ／Ｎ比の低下がみられ、一定のＣ／
Ｎ比を示す記録用エネルギー出力の範囲が狭いことをい
う。また、Ｃ／Ｎ比とは、情報再生時における雑音の少
なさを示し、これが高い程良い。

発明の具体的説明 以下、本発明を図面に示す実施例に基づき詳細に説明す
る。

第１図は本発明の一実施例に係る光記録媒体の概略断面
図である。

第１図に示すように、本発明に係る光記録媒体１０は、
基板１１と、この基板の表面に形成された記録＠１２と
から構威されている。

基板１１としては、たとえばガラスあるいはアルミニウ
ム等の無機材料の他に、ポリメチルメタクリレート、ボ
リカーボネート、ポリカーボネートとポリスチレンのボ
リマーアロイ、たとえばエチレンと１．４，５．８−ジ
メタノーｔ，２，！１，４．４ａ．５，８．８ａ−オク
タヒド口ナフタレン（テトラシク口ドデセン）との共重
合体、エチレンと２−メチル−１．４．５．８−ジメタ
ノ−１．２．３．４．４ａ，５．８．８ａ−オクタヒド
ロナフタレン（メチルテトラシク口ドデセン）との共重
合体、エチレンと２−エチル−１．４，５．８−ジメタ
ノ−ｌ，２．３，４，４ａ．５，８．８ａ−オクタヒド
ロナフタレンとの共重合体などの米国特許第４６１４７
７８号明細書に示されるような非晶質ポリオレフィン、
ポリ４ーメチル−１−ベンテン、エボキシ樹脂、ポリエ
ーテルサルフオン、ポリサルフオン、ポリエーテルイミ
ド、エチレン・テトラシクロドデセン共重合体等の有機
材料を用いることができる。この基板１１の厚みは、記
録媒体１０全体に適度な剛性を付与するのに十分な厚さ
であれば良く、好ましくは０　．　　５　〜２　．　　
５　ｍｍ　，特に好ましくは１〜１．５關程度である。

本発明に係る記録膜１２は、Ｔｅを主成分としてＣｒ、
ＣおよびＨを少なくとも含む薄膜であり、Ｔｅ以外の低
融点元素、ないしはその他の成分を含んでも良い。紀録
膜１２中に含ませることが可能なＴｅ以外の元素として
は、ＴＩ，Ｍｎ．．ＮｉＺｒ，Ｎｂ，ＴａｓＡｆｉＳＰ
ｔＳＳｍ，　　ＢｉＩｎ．Ｓｅ，Ｐｂ．ＣＯ％　Ｓ［　
　　Ｐｄ，Ｓｎ，Ｚｎ等が例示される。

このような記録膜１２に含まれるＣｒの含有割合は、記
録膜中に含まれる全原子数に対して、０．１〜４０原子
％、好ましくは０．５〜１０原子％、特に好ましくは１
〜４原子％の範囲にあるか、または記録膜中のＴｅおよ
びＣｒの合計原子数に対してのＣｒの含有割合が、０，
１〜６ｏ原子％、好ましくは０．５〜１５原子％，，特
に好ましくは１〜６原子％の範囲にあることが好ましい
。

このような範囲でＣｒを含ませることによって、記録膜
１２の耐酸化性を向上させるにもかかわらず、記録感度
が低下せず、場合によっては記録感度を向上させること
ができるからである。

また、記録膜１２中のＣの含有量は、記録膜の寿命及び
記録感度の向上の点から、記録膜全体の原子数に対し、
５〜４０原子％、好ましくは５〜２０原子％、さらに好
ましくは５〜１０原子％または記録膜中のＴｅ，Ｃｒお
よびＣの合計原子数に対して、５〜４０原子％、好まし
くは５〜２０原子％、さらに好ましくは５〜１０原子％
であることが望ましい。このような範囲でＣを含有させ
ることにより、記録感度および記録マージンをそれ程低
下させずに、特に高温高湿下での耐酸化性を向上させる
ことができる。

また、記録膜１２中のＨの含有量は、寿命等の点から全
体に対して５〜４０原子％好ましくは５〜２５原子％で
あることが望ましい。なお、紀録膜１２中に含まれる各
元素の含有量は、本発明においては金属元素（Ｔｏ，Ｃ
ｒなど）についてはＩＣＰ発光分析注（誘導結合型プラ
ズマ発光分析法）によって、またＣについてはＸ線光電
子分光法（ＸＰＳ）、（ＥＳＣＡ）　、Ｈについては有
機元素分析法によって測定される。

上記のような組成を有する記録膜１２に情報を書込むに
は、記録すべき情報に応じて変調（オン●オフ）された
レーザビーム等のエネルギービームを該記録１８１１２
に照射することにより、その照１．１部分にビットを形
成すればよい。このピッ１・は、穴や凹部等のような物
理的変化部であっても良いし、屈折率や反射率等の光学
的特性を変化させた光学特性変化部であっても良い。

このような記録ＩＩ！Ｉ１２の膜厚は、十分な光反射率
を得る程度に厚く、かつ感度を損なわない程度に薄いこ
とが必要である。具体的には、記録膜１２に穴などの物
理的変化部を形成する場合には、紀録膜の膜厚は１００
λ〜１μｍ好ましくは１００〜５０００入さらに好まし
くは１５０〜５００λ程度である。また記録＠１２に反
射率または屈折率などの光学的特性変化部を形成する場
合には、記録膜の膜厚は１００λ〜１μｍ好ましくは１
００〜５０００人さら１こ好ましくは２００〜２０００
λ程度である。

このような記録膜１２を基板１１の表面に威膜するには
、たとえば次のようにして行なうことができる。

まず、ＴｅおよびＣｒをそれぞれ別々のターゲットとし
て、もしくはＴｅ−Ｃｒ合金をターゲットとし、Ｃおよ
びＨを含む有機ガス、たとえばＣＨ　　やＣ２Ｈ２ガス
と、Ａｒガスとの混合ガス４ 中で、マグネトロンスパッタリング法により、基板１１
，上に、ＣおよびＨを含むＴｅ−Ｃｒ合金薄膜から成る
紀録膜１２を成膜する。また、スパッタリング法を用い
ることなく、ＣＨ４とＴｅ−Ｃｒ合金の蒸気とをプラズ
マ状にして基板にＣおよびＨを含むＴｅ−Ｃｒ合金薄膜
からなる記録膜１２を成膜することも可能である。また
、気相成長またはプラズマ気相成長によっても、同様の
記録膜１２を形戊することが可能である。さらに他の方
法としてＴｅＳＣｒ，Ｃ，Ｈ原子の一部または全部をイ
オン化してビーム状として基板上に積もらせるようにし
てもよい。

このようなＣおよびＨを含むＴｅ−Ｃｒ合金薄膜から成
る記録膜１２中のＴｅおよびＣｒの含有原子数比は、Ｔ
ｅとＣｒとを同時スパッタする際には、それぞれの印加
電圧によって、合金ターゲットを用いる場合には合金組
成によって自由に制御される。また、Ｔｅ−Ｃｒ合金薄
膜から成る記録膜１２中のＣおよびＨの含有量は、ＣＨ
４とＡｒとの混合比および印加高周波電力により自由に
制御できる。この場合、膜が化学的に最も安定するＨの
含有量はＣの含有量によって決まる。ここでは膜中に水
素ガス（Ｈ２）が発生するほど多量に含有させない限り
、Ｈ含有量は任意に選ぶことができる。さらに膜厚はス
パッタリング時間に比例するので、自由に制御できる。

このようにして形成されるＣおよびＨを含有するＴｅ−
Ｃｒ合金薄膜から成る記録膜１２における反射率あるい
は消衰係数などの光学特性は、ＣとＨとの含有量によっ
て異なり、情報記録用とじて利用するには、上記のよう
な光学特性に応じて膜厚が決定される。

なお、記録膜を成膜する際に薄膜製造装置内に導入され
る炭化水素としては、前述のメタンやアセチレンの他に
エタンなども用いられるがメタンが最も好ましい。この
ような炭化水素は、通常、不活性ガスとともに薄膜製造
装置内に導入されるが、この際用いられる不活性ガスと
し゜Ｃは、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリブトンな
どが挙げられるが、このうち特にアルゴンが好ましい。

上記のような条件で形成した記録膜１２は、Ｔｏなどの
低融点金属単体で形成した膜に比べて著しく耐酸化性お
よび記録感度が向上している。

たとえば、Ｃｒ．ＣおよびＨを含有するＴｅ記録膜では
、７０℃、８５％ＲＨ（相対湿度）の条件下で１００時
間経過後の反射率の変化は、Ｃｒの含有量が多い程少な
く、Ｔｏ単独の記録膜に比較して、本発明に係る記録膜
の耐酸化性が向上していることが実験により確認された
。

また、たとえば本発明に係る記録膜によれば、記録用エ
ネルギー出力が比較的小さ＜、記録感度が向上している
ことが実験により確認された。

さらに、第２図に示すように、本発明に係る光記録媒体
（図中、曲線Ａ）は、従来のＣおよびＨを含むＴｅ膜を
有する光記録媒体（図中、ＩＩＩＩ線Ｂ）に比較して、
記録用エネルギー出力の微小変動Ｖに対してＣ／Ｎ比が
ほとんど変化せず、記録マージンが広いことが確認され
た。

さらにまた、第３図に示すように、本発明に係る光記録
媒体（図中、曲線Ａ）は、従来のＣおよびＨを含むＴｅ
膜を有する光記録媒体（図中、曲線Ｂ）に比較して、反
射率の経時的変化がほとんどなく、耐久性が向上するこ
とも確認された。このことは表２からも明らかである。

また本発明では、上述したように基板１１上に記録膜１
２を成膜した後、必要に応じて、この記録膜１２または
紀録膜１２と基板１１を、不活性ガス、還元性ガス、も
しくは酸素を含んだガス雰囲気中で、熱処理することも
できる。熱処理温度は、紀録膜中に含まれるＴｅの融点
以下であることが必要であり、好ましくは７０〜３００
℃特に９０〜１５０℃の温度範囲が良い。また熱処理時
間は好ましくは５秒以上、特に好ましくは５秒〜１０時
間、最も好ましくは５分〜２時間である。

このように、記録ＩＩ！１２を基板１１上に形成した後
に記録膜１２または記録膜１２と基板１１を熱処理する
ことで、紀録膜における記録感度が向上すると共に、記
録マージンが広がる。

なお、本発明は、第１図に示す実施例に限定されず、本
発明の範囲内で種々に改変することができる。

たとえば、第４図に示すように、基板１１と記録膜１２
この間に、下地層１３を積層させるようにしてもよい。

下地層１３としては、たとえばフッ化マグネシウム（Ｍ
ｇ　Ｆ２）などからなるフッ化物膜、酸化ケイ素（Ｓ１
　０　　，　Ｓｌ　Ｏ）も２ しくは窒化ケイ素（Ｓｌ　３Ｎ，）などからなるケイ素
化合物膜、Ｔｉ　　ＮＩ　　Ｃｒ，ＡＮまたはＮ　１−
Ｃ　ｒなどからなる金属薄膜、ポリテトラフルオ口エチ
レン（ＰＴＦＥ）薄膜などのフッ素置換の炭化水素化合
物および／またはそのボリマーの薄膜、Ｃｒ−Ｃ−Ｈ薄
膜（Ｃｒ，ＣおよびＨを含む膜）などが用いられる。下
地層１３の膜厚は、その材質によっても異なるが、一般
に、１０〜１０００大、好ましくは５０〜５００人であ
る。

このような膜厚に設定することで、透明性を維持するこ
とができると共に、下地層１４としての種々の特性を発
褌することができる。

このような下地層１３を基板１１の表面に形成するには
、記録層１２を形成する場合と同様に、マグネトロンス
パッタリング法、気相戊長法、プラズマ気相成長法、蒸
着法またはスビンコ−１・法などの塗布によって行なえ
ばよい。

このような下地層１３を、基板１１と記録膜１２との間
に設ければ、記録感度がさらに向上し、場合によっては
記録マージンもさらに広がることになる。

また、本発明によれば、第１図または第４図に示す光記
録媒体１０における記録膜１２の表面に表面層を形成す
るようにしてもよい。表面層を形成する材質としては、
記録膜の元素、Ｓｔ、Ｔ１等の酸化物、窒化物、金属な
どが用いられる。表面層の膜厚は、その材質によっても
異なるが、５〜１００大、好ましくは１０〜５０大であ
る。

発明の効果 本発明では、Ｔｅを主成分とする記録膜にＣｒ，Ｃおよ
びＨを含有させるようにしているので、記録膜の耐酸化
性ないし耐久性が向上し、光記録媒体の長寿命化が期待
できる。しかも、本発明では、Ｃの含有量を、紀録膜を
構成する全原子数または記録膜中のＴｏ、ＣｒおよびＣ
の合計原子数に対して、５〜４０原子％の範囲にしてあ
るため、特に高温高湿下での耐酸化性を著しく向上させ
ることができる。特に記録膜中におけるＣｒの含有量を
、記録膜を構成する全原子数に対して０．１〜４０原子
％、特に０．１〜１０原子％または記録膜中のＴｅおよ
びＣｒの合計原子数に対して、０．１〜６０原子％、特
に０．１〜１５原子％と従来に比較して低い値に設定す
ると優れた記録感度が得られる。

また、本発明に係る光記録媒体の製造方法によれば、記
録膜の成膜後に熱処理するようにしているので、記録膜
に形成されるビット形状を均一かつ小さなものとするこ
とができ、記録用エネルギー出力の範囲を広くとれ（記
録マージンが広がる）、また得られる光記録媒体の記録
感度が向上する等の優れた効果を奏する。

［実施例］ 以下、本発明をさらに具体的な実施例に基づき説明する
が、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。

実施例１ 真空容器を排気後、ＡｒガスおよびＣＨ４ガスを導入し
、内部圧力を６　Ｘ　１　０””’Ｔｎｒｒと（７た（
　Ａ　ｒ　／　Ｃ　Ｈ　４　−　２　／　８　：ガス流
量比）。次に、ＴｏおよびＣｒをターゲットとし、同時
スバッタを行なった。その際、各々のターゲットに与え
る電圧を制御し、かつスバッタ時間を制御することによ
りＴｅ５３Ｃｒ２Ｃ１５Ｈ３ｏの組戊の記録膜を膜厚２
５０入で非品質ポリオレフィン基板上に得た。

実施例２ ガス流量比をＡ　ｒ　／　Ｃ　Ｈ　ｉ，　−　８　／　
２とした以外は、実施例１と同様にしてＴ　（３　ｇｏ
　Ｃ　ｒ　３Ｃ　ｅ　Ｈ　ｔ　ｔ、膜厚２４０大の記録
膜を非晶質ポリオレフィン基板上に得た。

実施例３ ガス流量比をＡｒ　／ＣＨ，−８／２とした以外は、実
施例１と同様にしてＴ　＋３　８２Ｃ　ｒ　ｘ　Ｃ　ｅ
　Ｈ　ｔｔ、膜厚２２０大の記録膜を非晶質ポリオレフ
ィン基板上に得た。

比較例１ ガス流量比をＡ　ｒ　／　Ｃ　Ｈ　４　−　９　／　１
とし、Ｔ　ｏのターゲットを用いて実施例１と同様にし
てＴｏ　　Ｃ　　Ｈ　　，膜厚２５０大の記録膜を非晶
質８９４７ ポリオレフィン基板上に得た。

参考例１ 導入するガスをＡｒのみとし実施例１と同様にしてＴｅ
　　Ｃｒ　　、膜厚２５０大の記録膜を非晶９７３ 質ポリオレフィン基板上に得た。

実施例１〜３の記録媒体（記録膜）を各々１００℃の温
度でＮ２雰囲気下で２０分間熱処理を施した。

参考例２ ガス流量比をＡ　ｒ　／　Ｃ　Ｈ　ｉ，　−　９　／　
１とした以外は、実施例１と同様にしてＴｅ　８８Ｃｒ
　，Ｃ，Ｈ７、膜厚２２０大の記録膜を非品質ポリオレ
フィン基板上に得て、その記録媒体（記録膜）を実施例
４〜６と同様にして熱処理を施した。

［試験結果］ （１）１８００ｒ叩でディスクを回転させ３．７Ｍｌｌ
ｚの周波数でレーザー光を照射し、記録特性を調べた。

ここでＣ／Ｎｍａｘとはレーザーバワーを変えた際のＣ
／Ｎ比の最大値を示す。記録感度はＣ／Ｎ＞Ｃ／Ｎ　Ｉ
ｌａｘＸＯ．９となるレーザーバワーの最小値を表わし
、マージンとはＣ／Ｎ＞Ｃ／Ｎｍａｘ　Ｘ０．９となる
レーザーパワーの範囲を表わす。結果を表１に示す。

表１ （２）温度７０℃、相対湿度８５％の環境下に５００時
間放置した後の反射ｆ＄Ｒを当初の反射率Ｒｏと比較し
た場合の試験結果を表２に示す。

表 ２

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例に係る光記録媒体の概略断面
図、第２，３図は本発明に係る光記録媒体と従来の光記
録媒体との作用効果上の相違を示すグラフ、第４図は本
発明の他の実施例に係る光記録媒体の概略断面図である
。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）基板と、この基板上に形成された記録膜とからなり
   、この記録膜にエネルギービームを照射することにより
   、この記録膜にピットを形成して情報を記録するように
   した光記録媒体において、前記記録膜は、Ｔｅを主成分
   としてＣｒ、ＣおよびＨを含む薄膜であり、前記記録膜
   に含まれるＣｒおよびＣの含有割合が、記録膜を構成す
   る全原子数に対して、Ｃｒについては０．１〜４０原子
   ％の範囲にあり、Ｃについては５〜４０原子％の範囲に
   あることを特徴とする光記録媒体。 ２）基板と、この基板上に形成された記録膜とからなり
   、この記録膜にエネルギービームを照射することにより
   、この記録膜にピットを形成して情報を記録するように
   した光記録媒体において、前記記録膜は、Ｔｅを主成分
   としてＣｒ、ＣおよびＨを含む薄膜であり、前記記録膜
   に含まれるＣｒの含有割合が、記録膜中のＴｅおよびＣ
   ｒの合計原子数に対して、０．１〜６０原子％の範囲に
   あり、前記記録膜に含まれるＣの含有割合が、記録膜中
   のＴｅ、ＣｒおよびＣの合計原子数に対して、５〜４０
   原子％の範囲にあることを特徴とする光記録媒体。 ３）請求項第１項または第２項に記載の記録膜を前記基
   板上に成膜した後に、この記録膜を熱処理することを特
   徴とする光記録媒体の製造方法。 ４）前記熱処理は、７０〜３００℃の温度で５秒以上行
   なうことを特徴とする請求項第３項に記載の光記録媒体
   の製造方法。