JPH0355547B2 - - Google Patents
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- JPH0355547B2 JPH0355547B2 JP59245643A JP24564384A JPH0355547B2 JP H0355547 B2 JPH0355547 B2 JP H0355547B2 JP 59245643 A JP59245643 A JP 59245643A JP 24564384 A JP24564384 A JP 24564384A JP H0355547 B2 JPH0355547 B2 JP H0355547B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tellurium
- target material
- container
- powder
- alloy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F3/00—Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the manner of compacting or sintering; Apparatus specially adapted therefor ; Presses and furnaces
- B22F3/12—Both compacting and sintering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
Description
「産業上の利用分野」
この発明は、光デイスクの記録媒体となるテル
ルまたはテルル合金薄膜層をスパツタリング法に
より形成する場合に使用されるテルルまたはテル
ル合金ターゲツト材の製造方法に関するものであ
る。 「従来の技術」 周知のように、テルルまたはテルル合金は、光
デイスクの記録媒体薄膜層に好適な素材として実
用化されており、同薄膜層は、一般にスパツタリ
ング法により製造されている。このスパツタリン
グ法で使われるターゲツト材は、円形あるいは角
形の板とそれにロウ付けされたパツキングプレー
ト(冷却板)とからなつている。従来、このよう
なスパツタリング用のテルルまたはテルル合金製
のターゲツト材の製造方法としては、溶解鋳造法
または粉末焼結法が採用されている。 「発明が解決しようとする課題」 上記従来の製造方法のうち、一方の溶解鋳造法
においては、周知のようにテルルそのものが非常
に脆いため合金も含めて割れやすく、そのため製
品への個数歩留りがたいへん悪い。特にテルルを
50重量%以上含むテルル合金は製造が困難であ
り、円形製品で100mmφ(角形製品は70×100mm)
を越えた製品を製造することはほとんど不可能で
あつた。従つて、ターゲツトが小径となり、スパ
ツタリングの能率が低下し、またターゲツトの使
用効率も低下していた。添付図面の実線はTe(テ
ルル)とSe(セレン)を種々の成分配合として溶
解鋳造法により製造したものの抗折力を示すもの
であるが、Teの抗折力が非常に小さいこと、及
びTeの含有量が50重量%以上である場合には、
合金の抗折力も低いことが判る。そして、このよ
うに強度が低いから、スパツタリングにおける熱
応力により早期に割れを生じ、ターゲツトの寿命
が短くなり一層使用効率が低下していた。 また、他方の粉末焼結法は、ホツトプレス法に
より粉体を焼結体にし、この焼結体をターゲツト
材とする方法によつている。一般的に、従来のホ
ツトプレス法では原料粉体は2方向から加圧さ
れ、かつ高温に晒らされるので、得られた焼結体
はホツトプレスの形状により比較的小さく、かつ
プレス容器からの汚染や吸着ガスの揮発による密
度の不均一、化合物組成からのずれ等を免れがた
い。従つて、このような焼結体からは一時に多数
個の同一形状と同一の性能を有するターゲツト材
を生産することは不可能であり、得られたターゲ
ツト材によるスパツタリング膜は膜厚の均一性、
表面平滑性、電気的特性にバラツキが生じるなど
の欠点がある。 この発明は上記事情に鑑みてなされたもので、
高密度、均一で大きな寸法のテルルまたはテルル
合金ターゲツト材を効率よく、低コストに製造す
ることのできる方法を提供することを目的とする
ものである。 「課題を解決するための手段」 本発明方法は、テルルまたはテルル合金の塊を
ボールミルなどの粉砕機により粉末化し、この粉
体をふるい分けして粒度を所定範囲内にそろえ、
得られた粉体を弾性物質製容器に詰めて真空に封
じ、冷間静水圧プレスに入れて加圧し、得られた
高密度均一成形体を機械加工してターゲツト材と
する骨子とするもので、必要に応じて、粉末を真
空脱ガス処理する工程、冷間静水圧プレス成形の
後に焼結を行う工程を付加する。 さらに本発明を詳しく説明する。まず、本発明
方法において、原料として使用されるテルル合金
は、テルルを50重量%以上含有する合金であり、
使用するテルルまたはテルル合金は60〜635メツ
シユ、望ましくは100〜635メツシユの粉体とす
る。これは、粉体が60メツシユ以上であつたり、
60メツシユ以上の粗い粒子が混入していると、得
られるプレス成形体の強度が上がらず、加工中に
割れたり、スパツタ中に割れたり、また密度むら
が起き、その結果、スパツタ速度のバラツキ、ス
パツタ中の異常放電が生じたりするからである。
また、逆に635メツシユ以下に粒子が細かくなり
すぎると、成形体の密度は低くなり、成形しにく
く脆くなり、そのため加工中の割れやスパツタ中
の割れが発生してしまうからである。 また、100〜635メツシユの粉体を原料とする
と、一定の条件下では密度比のバラツキがロツト
内、ロツト間、面内で±3%に抑えることがで
き、さらに強度の高い均一なプレス成形体を得る
ことができる。 上記のような粉体調整につづいて、本発明方法
では、上記粉体原料をゴムやウレタン等の弾性物
質容器に詰めて真空に封じ、これを冷間静水圧プ
レスに入れて、常温で全方向からプレス成形体を
得る。そのため、このプレス成形体は従来のホツ
トプレス法で得られた成形体よりはるかに均一で
高密度である。また、上記弾性物質製容器は60cm
φ×100cm程度の大容量のものが可能であるので、
得られる上記プレス成形体は従来のホツトプレス
法の場合より大容量のものが製造可能となる。 また、上記原料粉体は、表面積がたいへん大き
く、ガス吸着性が大きいので、冷間静水圧プレス
の前処理として真空脱ガス処理を行なうことが望
ましい。この真空脱ガス処理によつて冷間静水圧
プレスのみの場合よりさらに高密度かつ均一なタ
ーゲツト材を提供することができる。なお、この
真空脱ガス処理条件としては、温度は100℃以上
から粉体そのものの蒸気圧が1Torr以下である温
度までの範囲が最適で、真空度は1Torr以下と
し、1〜5時間の処理でよい。この真空脱ガス処
理は、場合によつてはスパツタリング前のターゲ
ツト材に施すこともある。 また、本発明方法では冷間静水圧プレスによつ
て得られたプレス成形体を焼結させることによ
り、さらに得られる成形体の密度を数%〜10数%
向上させることができる。ターゲツト材として酸
化が望ましくない場合は、焼結時の雰囲気を不活
性ガス雰囲気とする。 このように、本発明方法はターゲツト材の素材
であるプレス成形体を製造するのに、粉体を一定
範囲の粒径に調整した後冷間静水圧プレス法を適
用するものであり、必要に応じて真空脱ガス処理
と熱処理とを適宜組み合わせるものである。 「作用」 上記本発明方法によれば、下記のような作用効
果を得ることができる。 () 冷間静水圧プレスは常温で行なうので、プ
レス中に粉体原料からの吸着ガスの揮発はな
く、かつ静水圧による全方向プレスであるの
で、得られたプレス成形体は従来の方法で得ら
れた成形体に比べてはるかに均一で、かつより
高い密度と強度を有し、そのため通常の機械加
工によつて所望の形状に高い寸法精度で加工す
ることができる。すなわち、本発明のプレス成
形体には平滑度を出すための平面フライス加
工、真円度を出すための円筒研削、一定の厚み
のものを多数個切りだすためのダイヤモンドカ
ツターやハンドソーなどほとんどの機械加工を
適用できる。 これに対し、従来のホツトプレス法による焼
結体は、プレス中に粉体原料の吸着ガスが揮発
し、その影響で得られた焼結体は不均一な密度
を有し脆いものとなつてしまう。 () 冷間静水圧プレスは常温で行なうが、蒸気
圧の高い粉体でもプレスすることができる。そ
のため化合物の場合も出発材料である粉体の時
の組成比がそのまま冷間静水圧プレス後の成形
体に残存、保持される。これに対し、従来のホ
ツトプレス法では、粉体そのものの蒸気圧が高
いものはプレス中に高温のため揮発し、特に合
金の場合は組成がずれるので、ターゲツト材と
しては不適なものとなつてしまう。 () 冷間静水圧プレスは常温で行なうので、プ
レス容器からの汚染が少なく、たとえ汚染があ
つてもプレス成形体の表面層のみに限定され
る。そのため、後工程における機械加工や脱
脂、酸洗などの後処理により汚染された表面を
容易に取除くことができ、従来方法では得られ
ないきわめて純度の高いターゲツト材が得られ
る。 () 上記()〜()の記述から明らかなよ
うに、大容量のプレス成形体から機械加工によ
り同一の形状で、均一、高密度かつ高強度でし
かも高い寸法精度のターゲツト材を一時に多数
個生産することができる。そのため、これらタ
ーゲツト材は、取扱いが容易であり、スパツタ
リング条件もターゲツト材毎に設定しなおす必
要もなく、バラツキのない高品質の光記録媒体
薄膜層を効率的に提供することができる。これ
に対し、従来のホツトプレス法による場合は、
得られた焼結体は、前記したように、形状にお
いて比較的小さく、しかもプレス容器からの汚
染や吸着ガスの揮発による密度の不均一、そし
て化合物組成からのずれがあり、さらに加工性
が悪いので、同一の形状および性能を有するタ
ーゲツト材を一時に多数個生産することは不可
能で、しかも得られたターゲツト材は慎重な取
扱いを必要とし、スパツタリング条件もターゲ
ツト材ごとに設定しなおす必要がある。 次に本発明方法の実施例を示す。 「実施例」 各々表1に示すように、8種類(実施例1〜
8)の組成および粒度の原料粉体を調整し、その
うち実施例1、6、7は真空脱ガス処理を施こさ
ず、実
ルまたはテルル合金薄膜層をスパツタリング法に
より形成する場合に使用されるテルルまたはテル
ル合金ターゲツト材の製造方法に関するものであ
る。 「従来の技術」 周知のように、テルルまたはテルル合金は、光
デイスクの記録媒体薄膜層に好適な素材として実
用化されており、同薄膜層は、一般にスパツタリ
ング法により製造されている。このスパツタリン
グ法で使われるターゲツト材は、円形あるいは角
形の板とそれにロウ付けされたパツキングプレー
ト(冷却板)とからなつている。従来、このよう
なスパツタリング用のテルルまたはテルル合金製
のターゲツト材の製造方法としては、溶解鋳造法
または粉末焼結法が採用されている。 「発明が解決しようとする課題」 上記従来の製造方法のうち、一方の溶解鋳造法
においては、周知のようにテルルそのものが非常
に脆いため合金も含めて割れやすく、そのため製
品への個数歩留りがたいへん悪い。特にテルルを
50重量%以上含むテルル合金は製造が困難であ
り、円形製品で100mmφ(角形製品は70×100mm)
を越えた製品を製造することはほとんど不可能で
あつた。従つて、ターゲツトが小径となり、スパ
ツタリングの能率が低下し、またターゲツトの使
用効率も低下していた。添付図面の実線はTe(テ
ルル)とSe(セレン)を種々の成分配合として溶
解鋳造法により製造したものの抗折力を示すもの
であるが、Teの抗折力が非常に小さいこと、及
びTeの含有量が50重量%以上である場合には、
合金の抗折力も低いことが判る。そして、このよ
うに強度が低いから、スパツタリングにおける熱
応力により早期に割れを生じ、ターゲツトの寿命
が短くなり一層使用効率が低下していた。 また、他方の粉末焼結法は、ホツトプレス法に
より粉体を焼結体にし、この焼結体をターゲツト
材とする方法によつている。一般的に、従来のホ
ツトプレス法では原料粉体は2方向から加圧さ
れ、かつ高温に晒らされるので、得られた焼結体
はホツトプレスの形状により比較的小さく、かつ
プレス容器からの汚染や吸着ガスの揮発による密
度の不均一、化合物組成からのずれ等を免れがた
い。従つて、このような焼結体からは一時に多数
個の同一形状と同一の性能を有するターゲツト材
を生産することは不可能であり、得られたターゲ
ツト材によるスパツタリング膜は膜厚の均一性、
表面平滑性、電気的特性にバラツキが生じるなど
の欠点がある。 この発明は上記事情に鑑みてなされたもので、
高密度、均一で大きな寸法のテルルまたはテルル
合金ターゲツト材を効率よく、低コストに製造す
ることのできる方法を提供することを目的とする
ものである。 「課題を解決するための手段」 本発明方法は、テルルまたはテルル合金の塊を
ボールミルなどの粉砕機により粉末化し、この粉
体をふるい分けして粒度を所定範囲内にそろえ、
得られた粉体を弾性物質製容器に詰めて真空に封
じ、冷間静水圧プレスに入れて加圧し、得られた
高密度均一成形体を機械加工してターゲツト材と
する骨子とするもので、必要に応じて、粉末を真
空脱ガス処理する工程、冷間静水圧プレス成形の
後に焼結を行う工程を付加する。 さらに本発明を詳しく説明する。まず、本発明
方法において、原料として使用されるテルル合金
は、テルルを50重量%以上含有する合金であり、
使用するテルルまたはテルル合金は60〜635メツ
シユ、望ましくは100〜635メツシユの粉体とす
る。これは、粉体が60メツシユ以上であつたり、
60メツシユ以上の粗い粒子が混入していると、得
られるプレス成形体の強度が上がらず、加工中に
割れたり、スパツタ中に割れたり、また密度むら
が起き、その結果、スパツタ速度のバラツキ、ス
パツタ中の異常放電が生じたりするからである。
また、逆に635メツシユ以下に粒子が細かくなり
すぎると、成形体の密度は低くなり、成形しにく
く脆くなり、そのため加工中の割れやスパツタ中
の割れが発生してしまうからである。 また、100〜635メツシユの粉体を原料とする
と、一定の条件下では密度比のバラツキがロツト
内、ロツト間、面内で±3%に抑えることがで
き、さらに強度の高い均一なプレス成形体を得る
ことができる。 上記のような粉体調整につづいて、本発明方法
では、上記粉体原料をゴムやウレタン等の弾性物
質容器に詰めて真空に封じ、これを冷間静水圧プ
レスに入れて、常温で全方向からプレス成形体を
得る。そのため、このプレス成形体は従来のホツ
トプレス法で得られた成形体よりはるかに均一で
高密度である。また、上記弾性物質製容器は60cm
φ×100cm程度の大容量のものが可能であるので、
得られる上記プレス成形体は従来のホツトプレス
法の場合より大容量のものが製造可能となる。 また、上記原料粉体は、表面積がたいへん大き
く、ガス吸着性が大きいので、冷間静水圧プレス
の前処理として真空脱ガス処理を行なうことが望
ましい。この真空脱ガス処理によつて冷間静水圧
プレスのみの場合よりさらに高密度かつ均一なタ
ーゲツト材を提供することができる。なお、この
真空脱ガス処理条件としては、温度は100℃以上
から粉体そのものの蒸気圧が1Torr以下である温
度までの範囲が最適で、真空度は1Torr以下と
し、1〜5時間の処理でよい。この真空脱ガス処
理は、場合によつてはスパツタリング前のターゲ
ツト材に施すこともある。 また、本発明方法では冷間静水圧プレスによつ
て得られたプレス成形体を焼結させることによ
り、さらに得られる成形体の密度を数%〜10数%
向上させることができる。ターゲツト材として酸
化が望ましくない場合は、焼結時の雰囲気を不活
性ガス雰囲気とする。 このように、本発明方法はターゲツト材の素材
であるプレス成形体を製造するのに、粉体を一定
範囲の粒径に調整した後冷間静水圧プレス法を適
用するものであり、必要に応じて真空脱ガス処理
と熱処理とを適宜組み合わせるものである。 「作用」 上記本発明方法によれば、下記のような作用効
果を得ることができる。 () 冷間静水圧プレスは常温で行なうので、プ
レス中に粉体原料からの吸着ガスの揮発はな
く、かつ静水圧による全方向プレスであるの
で、得られたプレス成形体は従来の方法で得ら
れた成形体に比べてはるかに均一で、かつより
高い密度と強度を有し、そのため通常の機械加
工によつて所望の形状に高い寸法精度で加工す
ることができる。すなわち、本発明のプレス成
形体には平滑度を出すための平面フライス加
工、真円度を出すための円筒研削、一定の厚み
のものを多数個切りだすためのダイヤモンドカ
ツターやハンドソーなどほとんどの機械加工を
適用できる。 これに対し、従来のホツトプレス法による焼
結体は、プレス中に粉体原料の吸着ガスが揮発
し、その影響で得られた焼結体は不均一な密度
を有し脆いものとなつてしまう。 () 冷間静水圧プレスは常温で行なうが、蒸気
圧の高い粉体でもプレスすることができる。そ
のため化合物の場合も出発材料である粉体の時
の組成比がそのまま冷間静水圧プレス後の成形
体に残存、保持される。これに対し、従来のホ
ツトプレス法では、粉体そのものの蒸気圧が高
いものはプレス中に高温のため揮発し、特に合
金の場合は組成がずれるので、ターゲツト材と
しては不適なものとなつてしまう。 () 冷間静水圧プレスは常温で行なうので、プ
レス容器からの汚染が少なく、たとえ汚染があ
つてもプレス成形体の表面層のみに限定され
る。そのため、後工程における機械加工や脱
脂、酸洗などの後処理により汚染された表面を
容易に取除くことができ、従来方法では得られ
ないきわめて純度の高いターゲツト材が得られ
る。 () 上記()〜()の記述から明らかなよ
うに、大容量のプレス成形体から機械加工によ
り同一の形状で、均一、高密度かつ高強度でし
かも高い寸法精度のターゲツト材を一時に多数
個生産することができる。そのため、これらタ
ーゲツト材は、取扱いが容易であり、スパツタ
リング条件もターゲツト材毎に設定しなおす必
要もなく、バラツキのない高品質の光記録媒体
薄膜層を効率的に提供することができる。これ
に対し、従来のホツトプレス法による場合は、
得られた焼結体は、前記したように、形状にお
いて比較的小さく、しかもプレス容器からの汚
染や吸着ガスの揮発による密度の不均一、そし
て化合物組成からのずれがあり、さらに加工性
が悪いので、同一の形状および性能を有するタ
ーゲツト材を一時に多数個生産することは不可
能で、しかも得られたターゲツト材は慎重な取
扱いを必要とし、スパツタリング条件もターゲ
ツト材ごとに設定しなおす必要がある。 次に本発明方法の実施例を示す。 「実施例」 各々表1に示すように、8種類(実施例1〜
8)の組成および粒度の原料粉体を調整し、その
うち実施例1、6、7は真空脱ガス処理を施こさ
ず、実
【表】
【表】
施例2、3、4、5、8は各々1Torr以下で、か
つ同表に示す各温度、時間で真空脱ガス処理を施
こした。この後、各原料粉体を各々表1に示した
容量のゴム製容器に同表に示した量を詰めて、各
プレス圧にて5分間冷間静水圧プレスして成形体
を得た。 上記のようにして得た実施例7、8の成形体
は、そのままで同じく表1に示した寸法に機械加
工し、他の実施例の成形体は同表に示した温度、
時間で焼結させ、各焼結体を同表に示した寸法に
機械加工した。各々機械加工前の成形体から表1
に示す個数のターゲツト材が得られた。得られた
ターゲツト材には、機械加工による割れはなかつ
た。また、各ターゲツト材をスパツタリングした
ところ割れは生じなかつた。 これに対し、表2に示す製造法および条件、粗
成、粒度、機械加工寸法で比較例を作製したとこ
ろ、同表に示したように機械およびスパツタリン
グによる割れが発生した。この表で、個数歩留り
とは、機械加工における歩留りを示している。ま
つ同表に示す各温度、時間で真空脱ガス処理を施
こした。この後、各原料粉体を各々表1に示した
容量のゴム製容器に同表に示した量を詰めて、各
プレス圧にて5分間冷間静水圧プレスして成形体
を得た。 上記のようにして得た実施例7、8の成形体
は、そのままで同じく表1に示した寸法に機械加
工し、他の実施例の成形体は同表に示した温度、
時間で焼結させ、各焼結体を同表に示した寸法に
機械加工した。各々機械加工前の成形体から表1
に示す個数のターゲツト材が得られた。得られた
ターゲツト材には、機械加工による割れはなかつ
た。また、各ターゲツト材をスパツタリングした
ところ割れは生じなかつた。 これに対し、表2に示す製造法および条件、粗
成、粒度、機械加工寸法で比較例を作製したとこ
ろ、同表に示したように機械およびスパツタリン
グによる割れが発生した。この表で、個数歩留り
とは、機械加工における歩留りを示している。ま
【表】
た、比較例1〜5(第1グループ)は、本発明の
実施例に相当する成分のものを溶解鋳造法または
ホツトプレス法で製造したもの、比較例6〜9
(第2グループ)はTeとSeの合金を、比較例10〜
13(第3グループ)はSeの合金をそれぞれ溶解鋳
造法またはホツトプレス法で製造したものであ
る。 この結果によれば、Teを含むものは、スパツ
タリング中の割れの発生率が高いだけでなく、
Se合金の場合に比較して個数歩留りが非常に低
い。これは、図面に示すようにSeに比較してTe
の抗折力が非常に低いためであると思われる。 参考として、第2グループの組成のものに、本
発明を適用した場合(製造条件は実施例7と同
じ)の抗折力の値を図面に破線で示すが、抗折力
が大幅に向上している。 「発明の効果」 以上説明したように、本発明方法によれば、均
一、高密度で、比較的大容量で、高い性能を有
し、かつ取扱いの容易なスパツタリング用のテル
ルターゲツト材またはテルルを主組成とする合金
ターゲツト材を多数個一時に能率よく生産するこ
とができ、その結果、バラツキのない高品質の光
記録媒体薄膜を大量に提供することができる。
実施例に相当する成分のものを溶解鋳造法または
ホツトプレス法で製造したもの、比較例6〜9
(第2グループ)はTeとSeの合金を、比較例10〜
13(第3グループ)はSeの合金をそれぞれ溶解鋳
造法またはホツトプレス法で製造したものであ
る。 この結果によれば、Teを含むものは、スパツ
タリング中の割れの発生率が高いだけでなく、
Se合金の場合に比較して個数歩留りが非常に低
い。これは、図面に示すようにSeに比較してTe
の抗折力が非常に低いためであると思われる。 参考として、第2グループの組成のものに、本
発明を適用した場合(製造条件は実施例7と同
じ)の抗折力の値を図面に破線で示すが、抗折力
が大幅に向上している。 「発明の効果」 以上説明したように、本発明方法によれば、均
一、高密度で、比較的大容量で、高い性能を有
し、かつ取扱いの容易なスパツタリング用のテル
ルターゲツト材またはテルルを主組成とする合金
ターゲツト材を多数個一時に能率よく生産するこ
とができ、その結果、バラツキのない高品質の光
記録媒体薄膜を大量に提供することができる。
添付の図面は従来例と実施例の抗折力の値を示
すグラフである。
すグラフである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 テルルまたはテルルを少なくとも50重量%以
上含む合金の粉体を60ないし635メツシユの粒径
に調整した後、弾性物質製の容器に詰めて、これ
を真空に封じ、この容器を冷間静水圧プレスによ
り均一加圧し、得られた高密度均一成形体を機械
加工してスパツタ用ターゲツト材とすることを特
徴とするテルルまたはテルル合金ターゲツト材の
製造方法。 2 テルルまたはテルルを少なくとも50重量%以
上含む合金の粉体を60ないし635メツシユの粒径
に調整した後、真空脱ガス処理し、次いでこの粉
体を弾性物質製の容器に詰めて、これを真空に封
じ、この容器を冷間静水圧プレスにより均一加圧
し、得られた高密度均一成形体を機械加工してス
パツタ用ターゲツト材とすることを特徴とするテ
ルルまたはテルル合金ターゲツト材の製造方法。 3 テルルまたはテルルを少なくとも50重量%以
上含む合金の粉体を60ないし635メツシユの粒径
に調整した後、弾性物質製の容器に詰めて、これ
を封じ、この容器を冷間静水圧プレスにより均一
加圧し、得られた高密度均一成形体を焼結させた
後、機械加工してスパツタ用ターゲツト材とする
ことを特徴とするテルルまたはテルル合金ターゲ
ツト材の製造方法。 4 テルルまたはテルルを少なくとも50重量%以
上含む合金の粉体を60ないし635メツシユの粒径
に調整した後、真空脱ガス処理し、次いでこの粉
体を弾性物質製の容器に詰めて、これを真空に封
じ、この容器を冷間静水圧プレスにより均一加圧
し、得られた高密度均一成形体を焼結させた後、
機械加工してスパツタ用ターゲツト材とすること
を特徴とするテルルまたはテルル合金ターゲツト
材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24564384A JPS61124565A (ja) | 1984-11-20 | 1984-11-20 | テルルまたはテルル合金タ−ゲツト材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24564384A JPS61124565A (ja) | 1984-11-20 | 1984-11-20 | テルルまたはテルル合金タ−ゲツト材の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61124565A JPS61124565A (ja) | 1986-06-12 |
| JPH0355547B2 true JPH0355547B2 (ja) | 1991-08-23 |
Family
ID=17136701
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24564384A Granted JPS61124565A (ja) | 1984-11-20 | 1984-11-20 | テルルまたはテルル合金タ−ゲツト材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61124565A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02115364A (ja) * | 1988-10-22 | 1990-04-27 | Dowa Mining Co Ltd | テルルターゲット及びその製法 |
| US5244623A (en) * | 1991-05-10 | 1993-09-14 | Ferro Corporation | Method for isostatic pressing of formed powder, porous powder compact, and composite intermediates |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57203771A (en) * | 1981-06-10 | 1982-12-14 | Mitsubishi Metal Corp | Manufacture of target for vapor-deposition |
-
1984
- 1984-11-20 JP JP24564384A patent/JPS61124565A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61124565A (ja) | 1986-06-12 |
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