JPS61124565A - テルルまたはテルル合金タ−ゲツト材の製造方法 - Google Patents
テルルまたはテルル合金タ−ゲツト材の製造方法Info
- Publication number
- JPS61124565A JPS61124565A JP24564384A JP24564384A JPS61124565A JP S61124565 A JPS61124565 A JP S61124565A JP 24564384 A JP24564384 A JP 24564384A JP 24564384 A JP24564384 A JP 24564384A JP S61124565 A JPS61124565 A JP S61124565A
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- JP
- Japan
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- tellurium
- alloy
- target material
- powder
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F3/00—Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the manner of compacting or sintering; Apparatus specially adapted therefor ; Presses and furnaces
- B22F3/12—Both compacting and sintering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「型巣上の利用分野」
この発明は、光ディスクの配録媒体となるテルルまたは
テルル合金薄膜層をスパッタリング法により形成する場
合に使用されるテルルまたはテルル合金ターゲット材の
ａ遣方法に関するものである。
テルル合金薄膜層をスパッタリング法により形成する場
合に使用されるテルルまたはテルル合金ターゲット材の
ａ遣方法に関するものである。
「従来の技術」
周知のように、テルルまたはテルル合金は、光ディスク
の記録媒体薄膜層に好適な素材として実用化されており
、同薄膜層は、一般にスパッタリング法によシ製造され
ている。このスパッタリング法で使われるターゲット材
は、円形あるいは角形の板とそれにロク付けされたバン
キングプレート（冷却板）とからなっている。従来、と
のよ、う°なスパッタリング用のテルル１七はテルル合
金製のターゲット材の製造方法としては、溶解ｖｄ造法
または粉末焼結法か採用されている。
の記録媒体薄膜層に好適な素材として実用化されており
、同薄膜層は、一般にスパッタリング法によシ製造され
ている。このスパッタリング法で使われるターゲット材
は、円形あるいは角形の板とそれにロク付けされたバン
キングプレート（冷却板）とからなっている。従来、と
のよ、う°なスパッタリング用のテルル１七はテルル合
金製のターゲット材の製造方法としては、溶解ｖｄ造法
または粉末焼結法か採用されている。
「発明か解決しようとする問題点」
上記従来の製造方法のうち、一方の溶解鋳造法において
は、周知のようにテルルそのものか非常に脆いため合金
も含めて割れやすく、そのため製品への個数歩留シがた
いへん悪い。ま九、円形製品で１００瓢φ（角形良品は
７０Ｘ１００．）を越えた製品を製造することはほとん
ど不可能であった。
は、周知のようにテルルそのものか非常に脆いため合金
も含めて割れやすく、そのため製品への個数歩留シがた
いへん悪い。ま九、円形製品で１００瓢φ（角形良品は
７０Ｘ１００．）を越えた製品を製造することはほとん
ど不可能であった。
ｔ＋、他方の粉末焼結法は、ホットプレス法によシ粉体
な焼結体ＫＬ、この焼結体をターゲット材とする方法に
よっている。一般的に、従来のホントプレス法では原料
粉体は一方向から加圧され、かつ高温に晒らされるので
、得られた焼結体はホットプレスの形状によち比較的小
さく、かつプレス容器からの汚染や吸着ガスの揮発によ
る＠度の不均一、化合物組成からのずれ等を免れかたい
。
な焼結体ＫＬ、この焼結体をターゲット材とする方法に
よっている。一般的に、従来のホントプレス法では原料
粉体は一方向から加圧され、かつ高温に晒らされるので
、得られた焼結体はホットプレスの形状によち比較的小
さく、かつプレス容器からの汚染や吸着ガスの揮発によ
る＠度の不均一、化合物組成からのずれ等を免れかたい
。
従って、このような焼結体からは一時に多数個の同一形
状と同一の性能を有するターゲット材を生産することは
不可能であシ、得られたターゲット材によるスパッタリ
ング膜は膜厚の均一性、表面平滑性、電気的特性にバラ
ツキか生じるなどの欠点がある。
状と同一の性能を有するターゲット材を生産することは
不可能であシ、得られたターゲット材によるスパッタリ
ング膜は膜厚の均一性、表面平滑性、電気的特性にバラ
ツキか生じるなどの欠点がある。
この発明は上記事情に鑑みてなされたもので、高密度、
均一で大きな寸法のテルルまたはテルル合金ターゲット
材を効率よく、低コストに製造することのできる方法を
提供することを目的とするものである。
均一で大きな寸法のテルルまたはテルル合金ターゲット
材を効率よく、低コストに製造することのできる方法を
提供することを目的とするものである。
「問題点を解決する九めの手段」
本発明方法は、テルルまたはテルル合金の塊をボールミ
ルなどの粉砕機により粉末化し、この粉体な望ましくは
ふるい分けして粒度な所定範囲内にそろえ、得られた粉
体な弾性物質製容器に詰めて真空に封じ、冷間静水圧プ
レスに入れて加圧し、得られな高密度均一成形体を機械
加工してターゲット材とする方法である。さらに本発明
の詳細な説明する。
ルなどの粉砕機により粉末化し、この粉体な望ましくは
ふるい分けして粒度な所定範囲内にそろえ、得られた粉
体な弾性物質製容器に詰めて真空に封じ、冷間静水圧プ
レスに入れて加圧し、得られな高密度均一成形体を機械
加工してターゲット材とする方法である。さらに本発明
の詳細な説明する。
まず、本発明方法において、原料として使用されるテル
ル合金は、テルルを１ｏｚｌ＜４以上含有する合金であ
シ、使用するテルルまたはテルル合金は６０〜６３ｊメ
ツシユ、望ましくは１００〜６３１メツシュの粉体とす
る。これは、粉体か６０メツシュ以上で６つ−ｈｈ、６
ａメツシュ以上の粗い粒子が混入していると、得られる
プレス成形体の強度か上がらず、加工中に割れたり、ス
パッタ中に割れｆｃシ、また密度むらが起き、その結果
、スパツメ速度のバラツキ、スパッタ中の異常放電か生
じたシするからである。また、逆に４Ｊｒメツシユ以下
に粒子か細かくなりすぎると、成形体の密度は低くな〕
、成形しにくく脆くなシ、そのため加工中の割れやスパ
ッタ中の割れか発生してしまうからである。
ル合金は、テルルを１ｏｚｌ＜４以上含有する合金であ
シ、使用するテルルまたはテルル合金は６０〜６３ｊメ
ツシユ、望ましくは１００〜６３１メツシュの粉体とす
る。これは、粉体か６０メツシュ以上で６つ−ｈｈ、６
ａメツシュ以上の粗い粒子が混入していると、得られる
プレス成形体の強度か上がらず、加工中に割れたり、ス
パッタ中に割れｆｃシ、また密度むらが起き、その結果
、スパツメ速度のバラツキ、スパッタ中の異常放電か生
じたシするからである。また、逆に４Ｊｒメツシユ以下
に粒子か細かくなりすぎると、成形体の密度は低くな〕
、成形しにくく脆くなシ、そのため加工中の割れやスパ
ッタ中の割れか発生してしまうからである。
また、１００〜６３ｊメツシュの粉体な原料とすると、
一定の条件下では密度比のバラツキがロフト内、ロフト
間、面内で士Ｊ％に抑えることかでき、さらに強度の高
い均一なプレス成形体を得ることかできる。
一定の条件下では密度比のバラツキがロフト内、ロフト
間、面内で士Ｊ％に抑えることかでき、さらに強度の高
い均一なプレス成形体を得ることかできる。
上記のような粉体調整につづいて、本発明方法では、上
記粉体原料をゴムやフレタン尋の弾性物ｊｌｔ容器ＶＣ
Ｐｊめて真空に封じ、これを冷間静水圧プレスに入れて
、常温で全方向からプレス成形体を得る１、そのため、
このプレス成形体は従来のホツドブレス法で得られｔ成
形体よ〕はるかに均一で高密度である。また、上記弾性
物質製容器は６０信φＸ／ ００眞程度の大容積のもの
か可能であるので、得られる上記プレス成形体は従来の
ホットプレス法の場合よシ大容量のものか製造可能とな
る。
記粉体原料をゴムやフレタン尋の弾性物ｊｌｔ容器ＶＣ
Ｐｊめて真空に封じ、これを冷間静水圧プレスに入れて
、常温で全方向からプレス成形体を得る１、そのため、
このプレス成形体は従来のホツドブレス法で得られｔ成
形体よ〕はるかに均一で高密度である。また、上記弾性
物質製容器は６０信φＸ／ ００眞程度の大容積のもの
か可能であるので、得られる上記プレス成形体は従来の
ホットプレス法の場合よシ大容量のものか製造可能とな
る。
また、上記原料粉体は、表面積かたいへん大きく、ガス
吸着性か大きいので、冷間静水圧プレスの前処理として
真空脱ガス沃塩な行なうことが望ましい。この真空脱ガ
ス処理によって冷間静水圧プレスのみの場合よ〕さらに
高密度かつ均一なターゲット材を提供することができる
。なお、この真を脱ガス処理条件としては、温度はｉｏ
ａ℃以上から粉体そのものの蒸気圧が／ Ｔｏｒｒ以下
である温度までの範囲が最適で、真空度はｉ ’Ｉ’ｏ
ｒｒ以下とし、７〜５時間の処理でよい。この真空脱ガ
ス処理は、場合によってはスパッタリング前のターゲッ
ト材に施すこともある。
吸着性か大きいので、冷間静水圧プレスの前処理として
真空脱ガス沃塩な行なうことが望ましい。この真空脱ガ
ス処理によって冷間静水圧プレスのみの場合よ〕さらに
高密度かつ均一なターゲット材を提供することができる
。なお、この真を脱ガス処理条件としては、温度はｉｏ
ａ℃以上から粉体そのものの蒸気圧が／ Ｔｏｒｒ以下
である温度までの範囲が最適で、真空度はｉ ’Ｉ’ｏ
ｒｒ以下とし、７〜５時間の処理でよい。この真空脱ガ
ス処理は、場合によってはスパッタリング前のターゲッ
ト材に施すこともある。
また、本発明方法では冷間静水圧プレスによって得られ
たプレス成形体を焼結させろことによシ、さらに得られ
る成形体の密度を数−〜１Ｏａｃｓ向上させることかで
きる。
たプレス成形体を焼結させろことによシ、さらに得られ
る成形体の密度を数−〜１Ｏａｃｓ向上させることかで
きる。
この上うに１本発明方法はターゲット材の素材であるプ
レス成形体を製造するのに冷間静水圧プレス法を採用す
るものであシ、必要に応じてこの冷間静水圧プレス法に
真空脱ガス処理と熱処理とを適宜組み合わせるものであ
る。
レス成形体を製造するのに冷間静水圧プレス法を採用す
るものであシ、必要に応じてこの冷間静水圧プレス法に
真空脱ガス処理と熱処理とを適宜組み合わせるものであ
る。
「作用」
上記本発明方法によれば、下肥のような作用効果を得る
ことができる。
ことができる。
中 冷間静水圧プレスは常温で行なうので、プレス中忙
粉体原料からの吸着ガスの揮発はなく、かつ静水圧によ
る全方向プレスであるので、得られたプレス成形体は従
来の方法で得られた成形体に比べてはるかに均一で、か
つよシ高い密度と強度を有し、そのため通常の機械加工
によって所望の形状に高い寸法精度で加工することかで
きる。すなわち、本発明のプレス成形体くは平滑度を出
すための平面７ライス加工、真円度を出すための円筒研
削、一定の厚みのものな多数細切シだす大めのダイヤモ
ンドカッターやハンドソーなどほとんどの機械加工を適
用できる。
粉体原料からの吸着ガスの揮発はなく、かつ静水圧によ
る全方向プレスであるので、得られたプレス成形体は従
来の方法で得られた成形体に比べてはるかに均一で、か
つよシ高い密度と強度を有し、そのため通常の機械加工
によって所望の形状に高い寸法精度で加工することかで
きる。すなわち、本発明のプレス成形体くは平滑度を出
すための平面７ライス加工、真円度を出すための円筒研
削、一定の厚みのものな多数細切シだす大めのダイヤモ
ンドカッターやハンドソーなどほとんどの機械加工を適
用できる。
これに対し、従来のホットプレス法による焼結体は、プ
レス中に粉体原料の吸着ガスか揮発し、その影響で得ら
れた焼結体は不均一な密度を有し脆いものとなってしま
う。
レス中に粉体原料の吸着ガスか揮発し、その影響で得ら
れた焼結体は不均一な密度を有し脆いものとなってしま
う。
（１１）冷間静水圧プレスは常温で行なうか、蒸気圧の
高い粉体でもプレスすることかできる。そのｔめ化合物
の場合も出発材料である粉体の時の組成比がそのまま冷
間静水圧プレス後の成形体に残存、保持される。これに
対し、従来のホットプレス法では、粉体そのものの蒸気
圧が高いものはプレス中に高温のｔめ揮発し、特に合金
の場合は組成がずれるので、ターゲット材としては不適
なものとなってしまう。
高い粉体でもプレスすることかできる。そのｔめ化合物
の場合も出発材料である粉体の時の組成比がそのまま冷
間静水圧プレス後の成形体に残存、保持される。これに
対し、従来のホットプレス法では、粉体そのものの蒸気
圧が高いものはプレス中に高温のｔめ揮発し、特に合金
の場合は組成がずれるので、ターゲット材としては不適
なものとなってしまう。
４１１）冷間静水圧プレスは常温で行なうので、プレス
容器からの汚染か少なく、たとえ汚染があってもプレス
成形体の表面層のみに限定される。
容器からの汚染か少なく、たとえ汚染があってもプレス
成形体の表面層のみに限定される。
そのため、後工程における機械加工や脱脂、酸洗などの
後処理によシ汚染され上表面を容易に取除くことができ
、従来方法では得られないきわめて純度の高いターゲッ
ト材か得られる。
後処理によシ汚染され上表面を容易に取除くことができ
、従来方法では得られないきわめて純度の高いターゲッ
ト材か得られる。
（ＩＶ） 上記（１）〜４ｉＤの記述から明らかなよ
うに、大容量のプレス成形体から機械加工によシ同一の
形状で、均一、高密度かつ高強度でしかも高い寸法ｆｌ
ｉ１度のターゲット材を一時に多数個生産することかで
きる。そのなめ、これらターゲット材は、取扱いが容易
であシ、スパッタリング条件もターゲット材毎に設定し
なおす必要もなく、バラツキのない高品質の光記鍮媒体
薄膜層を効率的忙提供することかできる。これに対し、
従来のホットプレス法による場合は、得られ九焼結体は
、前記したように１形状において比較的小さく、シかも
プレス容器からの汚染中吸看ガスの揮発による密度の不
均一、そして化合物組成からのずれかあシ、さらに加工
性か悪いので、同一の形状および性能を有するターゲッ
ト材を一時忙多数個生産することは不可能で、しかも得
られたターゲット材は慎重な取扱いを必要とし、スパッ
タリング条件もターゲット材ととに設定しなおす必要が
ある。
うに、大容量のプレス成形体から機械加工によシ同一の
形状で、均一、高密度かつ高強度でしかも高い寸法ｆｌ
ｉ１度のターゲット材を一時に多数個生産することかで
きる。そのなめ、これらターゲット材は、取扱いが容易
であシ、スパッタリング条件もターゲット材毎に設定し
なおす必要もなく、バラツキのない高品質の光記鍮媒体
薄膜層を効率的忙提供することかできる。これに対し、
従来のホットプレス法による場合は、得られ九焼結体は
、前記したように１形状において比較的小さく、シかも
プレス容器からの汚染中吸看ガスの揮発による密度の不
均一、そして化合物組成からのずれかあシ、さらに加工
性か悪いので、同一の形状および性能を有するターゲッ
ト材を一時忙多数個生産することは不可能で、しかも得
られたターゲット材は慎重な取扱いを必要とし、スパッ
タリング条件もターゲット材ととに設定しなおす必要が
ある。
次に本発明方法の実施例を示す。
「実施例」
各々表１に示すように、７種類（実施例）〜７）の組成
および粒度の原料粉体を調整し、そのうち実施例ノと７
は真窒脱ガス処理を施こさず、実施例２〜≦は各々／
Ｔｏｒｒ以下で、かつ同表に示す各温度、時間で真窒脱
ガス処理を施こした。この後、各原料粉体な各々表１に
示した容量のゴム製容器に同表に示し上置を話めて、各
プレス圧にてｊ分間冷間静水圧プレスして成形体を得た
。
および粒度の原料粉体を調整し、そのうち実施例ノと７
は真窒脱ガス処理を施こさず、実施例２〜≦は各々／
Ｔｏｒｒ以下で、かつ同表に示す各温度、時間で真窒脱
ガス処理を施こした。この後、各原料粉体な各々表１に
示した容量のゴム製容器に同表に示し上置を話めて、各
プレス圧にてｊ分間冷間静水圧プレスして成形体を得た
。
上記のようにして得九実施例俤、！の成形体は、そのま
まで同じく表ＩＫ示した寸法に機械加工し、他の実施例
の成形体は同表に示した温度、時間で焼結させ、各焼結
体を同表に示し七寸法に機械加工し七。各々機械加工前
の成形体から表１に示す個数のターゲット材が得られた
。得られなターゲット材には、機械加工による割れはな
かつ九。また、各ターゲット材をスパッタリングしなと
ころ割れは生じなかった。
まで同じく表ＩＫ示した寸法に機械加工し、他の実施例
の成形体は同表に示した温度、時間で焼結させ、各焼結
体を同表に示し七寸法に機械加工し七。各々機械加工前
の成形体から表１に示す個数のターゲット材が得られた
。得られなターゲット材には、機械加工による割れはな
かつ九。また、各ターゲット材をスパッタリングしなと
ころ割れは生じなかった。
これに対し１表２に示す製造法および条件、組成、粒度
、機械加工寸法で比較例を作ｍｌ−なところ、同表に示
したように機械およびスパッタリングによる割れが発生
した。
、機械加工寸法で比較例を作ｍｌ−なところ、同表に示
したように機械およびスパッタリングによる割れが発生
した。
「発明の効果」
以上説明し虎ように、本発明方法によれは、均一、高密
度で、比較的大容量で、高い性能を有し、かつ取扱いの
容易なスパッタリング用のテルルまたはテルル合金ター
ゲット材を多数個一時に能率よく生産することができ、
その結果、バラツキのない高品質の光記録媒体薄膜を大
量に提供することができる。
度で、比較的大容量で、高い性能を有し、かつ取扱いの
容易なスパッタリング用のテルルまたはテルル合金ター
ゲット材を多数個一時に能率よく生産することができ、
その結果、バラツキのない高品質の光記録媒体薄膜を大
量に提供することができる。
手続補正書（自発〕
Claims (6)
- （１）テルルまたはテルルを含む合金の粉体を弾性物質
製の容器に詰めて、これを真空に封じ、この容器を冷間
静水圧プレスにより均一加圧し、得られた高密度均一成
形体を機械加工してスパッタ用ターゲット材とすること
を特徴とするテルルまたはテルル合金ターゲット材の製
造方法。 - （２）テルルまたはテルルを含む合金の粉体を真空脱ガ
ス処理した後、この粉体を弾性物質製の容器に詰めて、
これを真空に封じ、この容器を冷間静水圧プレスにより
均一加圧し、得られた高密度均一成形体を機械加工して
スパッタ用ターゲット材とすることを特徴とするテルル
またはテルル合金ターゲット材の製造方法。 - （３）テルルまたはテルルを含む合金の粉体を弾性物質
製の容器に詰めて、これを封じ、この容器を冷間静水圧
プレスにより均一加圧し、得られた高密度均一成形体を
焼結させた後、機械加圧してスパッタ用ターゲット材と
することを特徴とするテルルまたはテルル合金ターゲッ
ト材の製造方法。 - （４）テルルまたはテルルを含む合金の粉体を真空脱ガ
ス処理した後、この粉体を弾性物質製の容器に詰めて、
これを真空に封じ、この容器を冷間静水圧プレスにより
均一加圧し、得られた高密度均一成形体を焼結させた後
、機械加工してスパッタ用ターゲット材とすることを特
徴とするテルルまたはテルル合金ターゲット材の製造方
法。 - （５）テルルを含む合金が１０重量％以上のテルルを含
む合金である特許請求の範囲第１項ないし第４項のいず
れかに記載のテルルまたはテルル合金ターゲット材の製
造方法。 - （６）テルルまたはテルルを含む合金の粉体が６０ない
し６３５メッシュ、望ましくは１００ないし６３５メッ
シュの粒径である特許請求の範囲第１項ないし第４項の
いずれかに記載のテルルまたはテルル合金ターゲット材
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24564384A JPS61124565A (ja) | 1984-11-20 | 1984-11-20 | テルルまたはテルル合金タ−ゲツト材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24564384A JPS61124565A (ja) | 1984-11-20 | 1984-11-20 | テルルまたはテルル合金タ−ゲツト材の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61124565A true JPS61124565A (ja) | 1986-06-12 |
| JPH0355547B2 JPH0355547B2 (ja) | 1991-08-23 |
Family
ID=17136701
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24564384A Granted JPS61124565A (ja) | 1984-11-20 | 1984-11-20 | テルルまたはテルル合金タ−ゲツト材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61124565A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02115364A (ja) * | 1988-10-22 | 1990-04-27 | Dowa Mining Co Ltd | テルルターゲット及びその製法 |
| US5244623A (en) * | 1991-05-10 | 1993-09-14 | Ferro Corporation | Method for isostatic pressing of formed powder, porous powder compact, and composite intermediates |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57203771A (en) * | 1981-06-10 | 1982-12-14 | Mitsubishi Metal Corp | Manufacture of target for vapor-deposition |
-
1984
- 1984-11-20 JP JP24564384A patent/JPS61124565A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57203771A (en) * | 1981-06-10 | 1982-12-14 | Mitsubishi Metal Corp | Manufacture of target for vapor-deposition |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02115364A (ja) * | 1988-10-22 | 1990-04-27 | Dowa Mining Co Ltd | テルルターゲット及びその製法 |
| US5244623A (en) * | 1991-05-10 | 1993-09-14 | Ferro Corporation | Method for isostatic pressing of formed powder, porous powder compact, and composite intermediates |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0355547B2 (ja) | 1991-08-23 |
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