JPH0355554A - 大面積回路素子の露光方法 - Google Patents
大面積回路素子の露光方法Info
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- JPH0355554A JPH0355554A JP1193032A JP19303289A JPH0355554A JP H0355554 A JPH0355554 A JP H0355554A JP 1193032 A JP1193032 A JP 1193032A JP 19303289 A JP19303289 A JP 19303289A JP H0355554 A JPH0355554 A JP H0355554A
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- exposed
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Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70458—Mix-and-match, i.e. multiple exposures of the same area using a similar type of exposure apparatus, e.g. multiple exposures using a UV apparatus
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、大面積回路素子、特に、周辺駆動回路部と大
面積画素部とを一体形戒した映像表示装置用大面積回路
素子などを製造する際に用いられる縮小投影型の露光方
法に関するものである。
面積画素部とを一体形戒した映像表示装置用大面積回路
素子などを製造する際に用いられる縮小投影型の露光方
法に関するものである。
薄型映像表示装置などへの応用を目的として、大面積回
路素子の研究開発が盛んである．従来、大面積回路素子
を製造する際には、大面積基板露光用に開発されたレン
ズ・フィールド面積が広いステップ・アンド・リピート
縮小投影型露光機が用いられてきた．しかし、縮小投影
型露光機ではレンズ・フィールド面積を広くすると露光
パターンの解像度が低下する性質を有している．そのた
め、周辺駆動回路部と大面積画素部とを一体形戒した映
像表示装置用高性能大面積回路素子などの製造に必要な
、高解像度と広いレンズ・フィールド面積を現在のレン
ズ加工技術や光源技術を用いて両立させることは不可能
である．周辺駆動回路部と大面積画素部とを一体形戒し
た映像表示装置用高性能大面積回路素子は、その画素部
では高いパターン解像度は必要ないもののその面積が広
く、反対に、その周辺駆動回路部では面積は少ないもの
の高い解像度が必要であるという相反した性質を持って
いる．従来、そのような大面積回路素子のフォトレジス
ト露光工程には、周辺駆動回路の形戒に十分な高解像度
を持った、レンズ・フィールド面積の小さい縮小投影型
露光装置を用いて、分割露光するという露光方法が用い
られてきた。第２図は従来例の縮小投影型露光法を用い
て、周辺駆動回路部１と大面積画素部とを一体形戒した
映像表示装置用高性能大面積回路素子３を露光した例を
示している．１は周辺駆動回路部、２は画素アレイ部、
３は映像表示装置用大面積回路素子、４はレンズ・フィ
ールド面積４００−・パターン解像度１．５μｍの分割
露光領域で”ある．例えば回路全体の面積が４００−で
、その１０％が周辺駆動回路部１、９０％が画素アレイ
部２であるとし、一回の分割露光に０．５秒かかる場合
には、基板全体を露光するには５０秒かかる。
路素子の研究開発が盛んである．従来、大面積回路素子
を製造する際には、大面積基板露光用に開発されたレン
ズ・フィールド面積が広いステップ・アンド・リピート
縮小投影型露光機が用いられてきた．しかし、縮小投影
型露光機ではレンズ・フィールド面積を広くすると露光
パターンの解像度が低下する性質を有している．そのた
め、周辺駆動回路部と大面積画素部とを一体形戒した映
像表示装置用高性能大面積回路素子などの製造に必要な
、高解像度と広いレンズ・フィールド面積を現在のレン
ズ加工技術や光源技術を用いて両立させることは不可能
である．周辺駆動回路部と大面積画素部とを一体形戒し
た映像表示装置用高性能大面積回路素子は、その画素部
では高いパターン解像度は必要ないもののその面積が広
く、反対に、その周辺駆動回路部では面積は少ないもの
の高い解像度が必要であるという相反した性質を持って
いる．従来、そのような大面積回路素子のフォトレジス
ト露光工程には、周辺駆動回路の形戒に十分な高解像度
を持った、レンズ・フィールド面積の小さい縮小投影型
露光装置を用いて、分割露光するという露光方法が用い
られてきた。第２図は従来例の縮小投影型露光法を用い
て、周辺駆動回路部１と大面積画素部とを一体形戒した
映像表示装置用高性能大面積回路素子３を露光した例を
示している．１は周辺駆動回路部、２は画素アレイ部、
３は映像表示装置用大面積回路素子、４はレンズ・フィ
ールド面積４００−・パターン解像度１．５μｍの分割
露光領域で”ある．例えば回路全体の面積が４００−で
、その１０％が周辺駆動回路部１、９０％が画素アレイ
部２であるとし、一回の分割露光に０．５秒かかる場合
には、基板全体を露光するには５０秒かかる。
そのために、第２図に示された従来の露光方法では大面
積回路素子のフォトレジスト露光工程に長時間を要して
いた。
積回路素子のフォトレジスト露光工程に長時間を要して
いた。
本発明は、周辺駆動回路部と大面積画素部とを一体形成
した映像表示装置用高性能大面積回路素子などのフォト
レジスト露光工程を短時間で行なうことを可能にする縮
小投影型露光方法を提供することを目的とする。
した映像表示装置用高性能大面積回路素子などのフォト
レジスト露光工程を短時間で行なうことを可能にする縮
小投影型露光方法を提供することを目的とする。
上記した問題点を解決するため、本発明では、画素アレ
イ部と周辺駆動回路部とを異なった光学系で露光するこ
とを特徴とする大面積回路素子の縮小投影型露光方法を
用いる。すなわち、高解像度を必要とする領域はレンズ
・フィールド面積が小さくても解像度の高い光学系で露
光し、高解像度を必要としない領域は解像度は劣るがレ
ンズフィールド面積の広い光学系で露光する方法である
。
イ部と周辺駆動回路部とを異なった光学系で露光するこ
とを特徴とする大面積回路素子の縮小投影型露光方法を
用いる。すなわち、高解像度を必要とする領域はレンズ
・フィールド面積が小さくても解像度の高い光学系で露
光し、高解像度を必要としない領域は解像度は劣るがレ
ンズフィールド面積の広い光学系で露光する方法である
。
第１図は本発明による縮小投影型露光方法の実施例を示
したものである．１は周辺駆動回路部、２は画素アレイ
部、３は映像表示装置用大面積回路素子、４は第１の光
学系を用いて露光したレンズ・フィールド面積４００−
・パターン解像度１．５μｍの分割露光領域、５は第２
の光学系を用いて露光したレンズ・フィールド面積６４
００一・パターン解像度４μｍの分割露光領域である。
したものである．１は周辺駆動回路部、２は画素アレイ
部、３は映像表示装置用大面積回路素子、４は第１の光
学系を用いて露光したレンズ・フィールド面積４００−
・パターン解像度１．５μｍの分割露光領域、５は第２
の光学系を用いて露光したレンズ・フィールド面積６４
００一・パターン解像度４μｍの分割露光領域である。
図示の如く、高解像度を必要としない画素アレイ部２は
解像度は劣るがレンズ・フィールド面積の広い光学系で
露光し、高解像度が要求される周辺駆動回路部１はレン
ズ・フィールド面積が小さくても解像度の高い光学系で
露光しているので、第２図に示した従来例での計算と同
じ面積の基板を考え、一つの分割露光に要する時間は二
つの露光光学系で同じで０．５秒であるとすると、本実
施例では８秒で面積４ ０ ０ ｃａｌの基板全体を露
光できる。
解像度は劣るがレンズ・フィールド面積の広い光学系で
露光し、高解像度が要求される周辺駆動回路部１はレン
ズ・フィールド面積が小さくても解像度の高い光学系で
露光しているので、第２図に示した従来例での計算と同
じ面積の基板を考え、一つの分割露光に要する時間は二
つの露光光学系で同じで０．５秒であるとすると、本実
施例では８秒で面積４ ０ ０ ｃａｌの基板全体を露
光できる。
本発明によれば、周辺駆動回路部と大面積画素部とを一
体形成した映像表示装置用高性能大面積回路素子などを
短時間で露光する事が可能になるから、高価格の縮小投
影型露光装置のスループットをあげることができる。そ
のため、低価格で高性能の大面積回路素子を製造するこ
とが可能になる。
体形成した映像表示装置用高性能大面積回路素子などを
短時間で露光する事が可能になるから、高価格の縮小投
影型露光装置のスループットをあげることができる。そ
のため、低価格で高性能の大面積回路素子を製造するこ
とが可能になる。
第１図は本発明による大面積回路素子の縮小投影型露光
方法の実施例を示す図、第２図は従来の方法を示す図で
ある。 １・・・周辺駆動回路部、２・・・画素アレイ部、３・
・・映像表示用大面積回路素子、４・・・第１の分割露
光領域、５・・・第２の分割露光領域。
方法の実施例を示す図、第２図は従来の方法を示す図で
ある。 １・・・周辺駆動回路部、２・・・画素アレイ部、３・
・・映像表示用大面積回路素子、４・・・第１の分割露
光領域、５・・・第２の分割露光領域。
Claims (1)
- 画素アレイ部と周辺駆動回路部とを異なった光学系で
露光することを特徴とする大面積回路素子の露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1193032A JPH0355554A (ja) | 1989-07-25 | 1989-07-25 | 大面積回路素子の露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1193032A JPH0355554A (ja) | 1989-07-25 | 1989-07-25 | 大面積回路素子の露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0355554A true JPH0355554A (ja) | 1991-03-11 |
Family
ID=16301035
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1193032A Pending JPH0355554A (ja) | 1989-07-25 | 1989-07-25 | 大面積回路素子の露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0355554A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012147001A (ja) * | 2012-03-13 | 2012-08-02 | Renesas Electronics Corp | 半導体集積回路の製造方法 |
-
1989
- 1989-07-25 JP JP1193032A patent/JPH0355554A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012147001A (ja) * | 2012-03-13 | 2012-08-02 | Renesas Electronics Corp | 半導体集積回路の製造方法 |
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