JPH035566B2 - - Google Patents
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- JPH035566B2 JPH035566B2 JP55133203A JP13320380A JPH035566B2 JP H035566 B2 JPH035566 B2 JP H035566B2 JP 55133203 A JP55133203 A JP 55133203A JP 13320380 A JP13320380 A JP 13320380A JP H035566 B2 JPH035566 B2 JP H035566B2
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/002—Recording, reproducing or erasing systems characterised by the shape or form of the carrier
- G11B7/003—Recording, reproducing or erasing systems characterised by the shape or form of the carrier with webs, filaments or wires, e.g. belts, spooled tapes or films of quasi-infinite extent
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/12004—Combinations of two or more optical elements
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/08—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/123—Integrated head arrangements, e.g. with source and detectors mounted on the same substrate
- G11B7/124—Integrated head arrangements, e.g. with source and detectors mounted on the same substrate the integrated head arrangements including waveguides
- G11B7/1245—Integrated head arrangements, e.g. with source and detectors mounted on the same substrate the integrated head arrangements including waveguides the waveguides including means for electro-optical or acousto-optical deflection
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- Facsimile Heads (AREA)
- Fax Reproducing Arrangements (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Optical Head (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、薄膜導波路を利用して記録体に対す
る記録又は再生用のヘツドとして用いる薄膜導波
路型ヘツドに関す。
る記録又は再生用のヘツドとして用いる薄膜導波
路型ヘツドに関す。
従来、輝点走査装置としては、レーザービーム
を利用したものがあり、それらはレーザービーム
を偏向する為のポリゴン回転境や偏向光束を集光
し線形な輝点運動に変換する為のｆ−θレンズ等
から構成されている。しかしながらこれら従来の
装置は、各作用部が個々独立してかつ相互に一定
光路間隔を必要とする為装置の組立及び精密な調
整が非常に複雑であり、また組み立てた装置は大
型になる等の欠点を有していた。
を利用したものがあり、それらはレーザービーム
を偏向する為のポリゴン回転境や偏向光束を集光
し線形な輝点運動に変換する為のｆ−θレンズ等
から構成されている。しかしながらこれら従来の
装置は、各作用部が個々独立してかつ相互に一定
光路間隔を必要とする為装置の組立及び精密な調
整が非常に複雑であり、また組み立てた装置は大
型になる等の欠点を有していた。
それに対し、本出願人より上記欠点を解決した
新規な輝点走査素子が、特願昭55−12939号とし
て出願されており、その内容は、最近開発されつ
つある光集積回路技術を利用して基盤上に形成さ
れた薄膜導波路に薄膜レンズやＡ／Ｏ偏向器、
Ｅ／Ｏ変調器等を一体的に形成して輝点走査素子
を作成し従来の大型で精密調整を必要とする輝点
走査装置にとつてかわつたコンパクトで組立調整
の不要な装置を得るものである。このような薄膜
導波路を利用した光学素子は、従来にない特性を
もつており、特に上述の輝点走査素子は、小型で
ある上に高速走査が可能である。
新規な輝点走査素子が、特願昭55−12939号とし
て出願されており、その内容は、最近開発されつ
つある光集積回路技術を利用して基盤上に形成さ
れた薄膜導波路に薄膜レンズやＡ／Ｏ偏向器、
Ｅ／Ｏ変調器等を一体的に形成して輝点走査素子
を作成し従来の大型で精密調整を必要とする輝点
走査装置にとつてかわつたコンパクトで組立調整
の不要な装置を得るものである。このような薄膜
導波路を利用した光学素子は、従来にない特性を
もつており、特に上述の輝点走査素子は、小型で
ある上に高速走査が可能である。
従つて薄膜導波路を用いた光学素子は種々の応
用が期待されており、その応用例の１つとしてビ
デオ信号等の光熱磁気記録あるいは再生用のヘツ
ドへの適用が考えられる。
用が期待されており、その応用例の１つとしてビ
デオ信号等の光熱磁気記録あるいは再生用のヘツ
ドへの適用が考えられる。
しかしながら薄膜導波路の端面で輝点を形成す
る素子をヘツドとして用いて、その端面を記録体
に接触又は近接させて相対的に移動させ、輝点の
強度を記録用信号で変調して信号の記録を行なう
場合、又、一方では再生をする場合には以下のよ
うな不都合を生じる。
る素子をヘツドとして用いて、その端面を記録体
に接触又は近接させて相対的に移動させ、輝点の
強度を記録用信号で変調して信号の記録を行なう
場合、又、一方では再生をする場合には以下のよ
うな不都合を生じる。
即ち、これらのヘツドの導波路の出射端面は高
出射効率を得る為にシヤープカツトの光学研摩が
なされており、その綾は非常に鋭くなつている。
このままの形状の端面をテープ状等の形態の記録
体に接触させ、走査の為相対移動させる場合に端
面の鋭い綾辺で記録体表面を損傷させる危険性あ
る。また、一方、フロツピーデイスク等のデイス
ク状の記録体に対してヘツドをわずかに浮上させ
て走査する場合は、ヘツドの浮上中は記録体損傷
の恐れはないが、その前後の降下時に損傷を招く
可能性があり、更に、導波路端面の上述の如き形
状は、空気抵抗を考慮した場合にヘツドの浮上を
妨げる形状と言える。
出射効率を得る為にシヤープカツトの光学研摩が
なされており、その綾は非常に鋭くなつている。
このままの形状の端面をテープ状等の形態の記録
体に接触させ、走査の為相対移動させる場合に端
面の鋭い綾辺で記録体表面を損傷させる危険性あ
る。また、一方、フロツピーデイスク等のデイス
ク状の記録体に対してヘツドをわずかに浮上させ
て走査する場合は、ヘツドの浮上中は記録体損傷
の恐れはないが、その前後の降下時に損傷を招く
可能性があり、更に、導波路端面の上述の如き形
状は、空気抵抗を考慮した場合にヘツドの浮上を
妨げる形状と言える。
本発明の目的は、上記欠点を解消し、記録体に
損傷を与える事なく、また、浮上ヘツドとして用
いる際に浮上を妨げる空気抵抗を緩和する事が可
能な形状の記録又は再生用ヘツドとして良好な薄
膜導波路を利用した新規なヘツドを提供する事で
ある。
損傷を与える事なく、また、浮上ヘツドとして用
いる際に浮上を妨げる空気抵抗を緩和する事が可
能な形状の記録又は再生用ヘツドとして良好な薄
膜導波路を利用した新規なヘツドを提供する事で
ある。
以下図面を用いて本発明の実施例を説明する。
最初に第１，２図を用いて薄報導波路を利用し
た輝点走査素子について説明する。
た輝点走査素子について説明する。
この輝点走査素子では、基盤１上に形成された
導波路２に半導体レーザー２を接合し導波路表面
に歯状電極７及び薄膜レンズ５，６が設けられて
いる。今レーザー平行光束４が導波路２中に導か
れる。そして導波路が伝わる光束４は薄膜レンズ
５によつて平行光束５となり、導波路２の１部に
設けられた櫛の歯状電極７によつて励起される所
の超音波表面弾性波８により回折作用をおこし偏
向される。更にこの偏向光束１５は薄膜レンズ９
により薄膜導波路の端面１０に輝点１１を形成す
るように集光される。即ち端面１０は、ｘ−ｙ面
（図示）内でパワーを有する薄膜レンズ９の焦点
面とほぼ一致した位置に形成されており、集光光
束は端面１０又はその近傍にｘ方向において集光
し、射出する。またｘ−ｙ面と垂直なｚ方向には
導波路の厚みｄ（通常数μｍ）で限定されている。
このような構成において、本実施例の輝点走査素
子では前記櫛の歯状電極７に印加する高周波電圧
の周波数を変化させて、導波路上の超音波表面弾
性波の波長を変える事により偏向角を制御し、射
出端面上で輝点走査を行なう。
導波路２に半導体レーザー２を接合し導波路表面
に歯状電極７及び薄膜レンズ５，６が設けられて
いる。今レーザー平行光束４が導波路２中に導か
れる。そして導波路が伝わる光束４は薄膜レンズ
５によつて平行光束５となり、導波路２の１部に
設けられた櫛の歯状電極７によつて励起される所
の超音波表面弾性波８により回折作用をおこし偏
向される。更にこの偏向光束１５は薄膜レンズ９
により薄膜導波路の端面１０に輝点１１を形成す
るように集光される。即ち端面１０は、ｘ−ｙ面
（図示）内でパワーを有する薄膜レンズ９の焦点
面とほぼ一致した位置に形成されており、集光光
束は端面１０又はその近傍にｘ方向において集光
し、射出する。またｘ−ｙ面と垂直なｚ方向には
導波路の厚みｄ（通常数μｍ）で限定されている。
このような構成において、本実施例の輝点走査素
子では前記櫛の歯状電極７に印加する高周波電圧
の周波数を変化させて、導波路上の超音波表面弾
性波の波長を変える事により偏向角を制御し、射
出端面上で輝点走査を行なう。
このように第１図示の輝点走査素子は、光偏向
器及び集光レンズを同一基盤上に設け、その導波
路の射出端面又はその近傍に輝点を形成し走査す
る為、非常にコンパクトであるとともに精密な調
整が不要である等の利点を有している。
器及び集光レンズを同一基盤上に設け、その導波
路の射出端面又はその近傍に輝点を形成し走査す
る為、非常にコンパクトであるとともに精密な調
整が不要である等の利点を有している。
上記輝点走査素子の各構成部分について更に詳
しく説明すると、 基盤１は圧電効果を有し、高周波の超音波が能
率良く伝播される材料が適しており、LiNbO3、
LiTaO3、ZnO等が望ましい。また導波路２は、
LiNbO3基盤の場合はTiを高温（約1000℃）下で
in−diffuseして基盤上に数μｍの厚さで形成す
る。また、LiTaO3基盤の場合は、Nb又はTiをin
−diffuseして得られる。導波路は高屈折率でか
つ基盤との屈折率差が大きく導波路を薄くしても
光が伝播される材料で形成される事が望ましい。
また導波路の屈折率が高い為、集光レンズで形成
される端面上の輝点は非常にスポツト径の小さ
い、つまりシヤープなものを得る事ができる。
しく説明すると、 基盤１は圧電効果を有し、高周波の超音波が能
率良く伝播される材料が適しており、LiNbO3、
LiTaO3、ZnO等が望ましい。また導波路２は、
LiNbO3基盤の場合はTiを高温（約1000℃）下で
in−diffuseして基盤上に数μｍの厚さで形成す
る。また、LiTaO3基盤の場合は、Nb又はTiをin
−diffuseして得られる。導波路は高屈折率でか
つ基盤との屈折率差が大きく導波路を薄くしても
光が伝播される材料で形成される事が望ましい。
また導波路の屈折率が高い為、集光レンズで形成
される端面上の輝点は非常にスポツト径の小さ
い、つまりシヤープなものを得る事ができる。
偏向器は、超音波表面弾性波を利用するものが
望ましく、第２図に示した如く、圧電性の導波路
面上に形成された櫛の歯状電極（以下SAW電極
と称す。）７により超音波を励起する。SAW電極
のピツチａは励起する超音波の中心波長の1/2に
設定する。例えばLiNbO3基頒で電極ピツチａ＝
16.5μｍに設定すれば200MHzの高周波電圧を印加
した時、波長33μｍの超音波が励起可能である。
（超音波の速度は約6.6×106mm／secである。）こ
の一つの電極で得られる偏向器の帯域は、励起さ
れた超音波が作るブラツグ型回折格子の角度選択
幅と、この圧電材と電極からなるトランデユーサ
ー自身がもつ帯域により制限される。
望ましく、第２図に示した如く、圧電性の導波路
面上に形成された櫛の歯状電極（以下SAW電極
と称す。）７により超音波を励起する。SAW電極
のピツチａは励起する超音波の中心波長の1/2に
設定する。例えばLiNbO3基頒で電極ピツチａ＝
16.5μｍに設定すれば200MHzの高周波電圧を印加
した時、波長33μｍの超音波が励起可能である。
（超音波の速度は約6.6×106mm／secである。）こ
の一つの電極で得られる偏向器の帯域は、励起さ
れた超音波が作るブラツグ型回折格子の角度選択
幅と、この圧電材と電極からなるトランデユーサ
ー自身がもつ帯域により制限される。
SAW電極７は第２図に示す如く、平行光束６
の進行方向に対してθoだけ傾けて設けられてお
り、SAW電極７に周波数ｆの高周波電圧が印加
されると、超音波弾性表面波８が励起され、それ
により回折格子構造が形成される事により平行光
束６はブラツク回折を受け回折光束１５と零次回
折光束１６になる。この時回折光束１５と零次回
折光束１６とのなす回折角2θは、次式で与えられ
る。
の進行方向に対してθoだけ傾けて設けられてお
り、SAW電極７に周波数ｆの高周波電圧が印加
されると、超音波弾性表面波８が励起され、それ
により回折格子構造が形成される事により平行光
束６はブラツク回折を受け回折光束１５と零次回
折光束１６になる。この時回折光束１５と零次回
折光束１６とのなす回折角2θは、次式で与えられ
る。
2θ＝2sin-1（λf／2vn） (1)
ここで、ｖは媒質中での超音波の速度、ｆは
SAW電極７への印加周波数、λは入射光束の真
空中での波長ｎは媒質の屈折率である。SAW電
圧７への印加周波数ｆを変化する事により、前記
2θを変化する事ができるが、この偏向角2θの最大
振り角はブラツグ回折の角度選択幅で決まり、あ
る周波数範囲外では、回折格子構造の結合条件よ
りはずれてしまい、回折効率は低下する。前記角
度θ0は、前記周波数範囲の中心周波数f0に対応す
るブラツグ角と等しく取るのが一般的で、θ0は、 θ0＝sin-1（λf0／2vn） (2) で与えられる。第１図で前記回折光束１５及び零
次回積光束１６は、結像レンズ９の作用で導波路
２の端面１０にそれぞれ点像１１及び１４として
集光する。この時零次の点像１４の付近には遮光
材１７が設けられている。
SAW電極７への印加周波数、λは入射光束の真
空中での波長ｎは媒質の屈折率である。SAW電
圧７への印加周波数ｆを変化する事により、前記
2θを変化する事ができるが、この偏向角2θの最大
振り角はブラツグ回折の角度選択幅で決まり、あ
る周波数範囲外では、回折格子構造の結合条件よ
りはずれてしまい、回折効率は低下する。前記角
度θ0は、前記周波数範囲の中心周波数f0に対応す
るブラツグ角と等しく取るのが一般的で、θ0は、 θ0＝sin-1（λf0／2vn） (2) で与えられる。第１図で前記回折光束１５及び零
次回積光束１６は、結像レンズ９の作用で導波路
２の端面１０にそれぞれ点像１１及び１４として
集光する。この時零次の点像１４の付近には遮光
材１７が設けられている。
この場合にレンズ９は導波路と垂直なｚ方向に
は結像作用を持たないので、点像のｚ方向のスポ
ツトサイズは導波路の厚みにほぼ等しくなる。こ
の例ではこの厚みは2μｍ程度にしてある。平行
光束６を通過した超音波弾性表面波１２は、超音
波吸収体１３により吸収される。
は結像作用を持たないので、点像のｚ方向のスポ
ツトサイズは導波路の厚みにほぼ等しくなる。こ
の例ではこの厚みは2μｍ程度にしてある。平行
光束６を通過した超音波弾性表面波１２は、超音
波吸収体１３により吸収される。
SAW電極７に印加する高周波信号として、前
記高周波数f0を中心とするチヤープト信号を用い
る事により、点線１１を移動させ輝点走査が行わ
れる。
記高周波数f0を中心とするチヤープト信号を用い
る事により、点線１１を移動させ輝点走査が行わ
れる。
一方半導体レーザー３へ印加する電流を記録用
信号に対応して変化させる事で点像１１の輝度を
変調する事が可能である。従つて、この輝点走査
素子は、そのままで一次元的走査ヘツドとして記
録再生に適用できる。例えば、磁気記録ヘツドと
して適用する場合は、この輝点走査素子の導波路
射出端面１０にテープ状に光熱磁気記録媒体１８
を端面に接触させながら矢印方向に移動させ、そ
れと同期して半導体レーザー３の印加電流をビデ
オ信号等で変調する事により高速走査記録ができ
る。
信号に対応して変化させる事で点像１１の輝度を
変調する事が可能である。従つて、この輝点走査
素子は、そのままで一次元的走査ヘツドとして記
録再生に適用できる。例えば、磁気記録ヘツドと
して適用する場合は、この輝点走査素子の導波路
射出端面１０にテープ状に光熱磁気記録媒体１８
を端面に接触させながら矢印方向に移動させ、そ
れと同期して半導体レーザー３の印加電流をビデ
オ信号等で変調する事により高速走査記録ができ
る。
しかしながら、この場合最初に述べたように出
射端面に接触している記録媒体が導波路面端面の
鋭い綾辺で損傷する恐れが十分にある。
射端面に接触している記録媒体が導波路面端面の
鋭い綾辺で損傷する恐れが十分にある。
また以上の説明では輝点走査型の素子を説明し
たが複数の導波路をモノリシツクに形成してマル
チヤンネルヘツドとして用いる素子についても同
様である。
たが複数の導波路をモノリシツクに形成してマル
チヤンネルヘツドとして用いる素子についても同
様である。
また、記録媒体がテープ状のものの場合につい
て説明したが、記録媒体としてデイスク状のもの
を用いた場合は、１トラツクごとにヘツドを次の
トラツクに移動する事により同様に高速走査記録
が行える。なお、ヘツドはデイスク表面よりわず
かに浮上させて用いるのが一般的である。そして
この場合においても前述の特に導波路端面１０の
綾辺によりヘツドの浮上の前後でデイスクを傷つ
ける恐れがあり、更に綾による大きな空気抵抗の
為、ヘツドの浮上特性を損う可能性がある。
て説明したが、記録媒体としてデイスク状のもの
を用いた場合は、１トラツクごとにヘツドを次の
トラツクに移動する事により同様に高速走査記録
が行える。なお、ヘツドはデイスク表面よりわず
かに浮上させて用いるのが一般的である。そして
この場合においても前述の特に導波路端面１０の
綾辺によりヘツドの浮上の前後でデイスクを傷つ
ける恐れがあり、更に綾による大きな空気抵抗の
為、ヘツドの浮上特性を損う可能性がある。
以上の不都合を解消した本発明の第１実施例を
第３図に示す。この実施例は、テープ状の記録媒
体に対する記録ヘツドに適用したものである。
第３図に示す。この実施例は、テープ状の記録媒
体に対する記録ヘツドに適用したものである。
輝点走査素子としての原理は、前述の第１図に
示した例と同様であるので、重複する部分の説明
は省略する。
示した例と同様であるので、重複する部分の説明
は省略する。
第３図において、１９は薄膜導波路２の表面
に、スペーサー２０を介して設けられたカバー部
材で磨耗強度が基板１とほぼ等しい強度を持つ材
料により形成されたものが望ましい。スペーサー
２０は、カバー層１９が超音波弾性表面８及び薄
膜導波路２を伝搬する光束に影響を与えない為に
薄膜導波路２とカバー部材１９との間にある間隙
を得る為に用いており、その厚みは、薄膜レンズ
５及び９にジオデジツクレンズを用いた場合は、
SAW電極７の表面より、また、ルネブルクレン
ズを用いた場合は、ルネブルクレンズの最上面よ
り、それぞれ数μｍ程度の位置に、カバー層１９
の裏面がくるように配置出来る厚さで十分であ
る。
に、スペーサー２０を介して設けられたカバー部
材で磨耗強度が基板１とほぼ等しい強度を持つ材
料により形成されたものが望ましい。スペーサー
２０は、カバー層１９が超音波弾性表面８及び薄
膜導波路２を伝搬する光束に影響を与えない為に
薄膜導波路２とカバー部材１９との間にある間隙
を得る為に用いており、その厚みは、薄膜レンズ
５及び９にジオデジツクレンズを用いた場合は、
SAW電極７の表面より、また、ルネブルクレン
ズを用いた場合は、ルネブルクレンズの最上面よ
り、それぞれ数μｍ程度の位置に、カバー層１９
の裏面がくるように配置出来る厚さで十分であ
る。
このような厚さのスペーサー２０は、金属又は
誘電体等の蒸着により、あるいはマイラーフイル
ムりんせい銅又はアルミ箔等の非常に薄いシート
状の物体を薄膜導波路２上に接着する事により形
成する。
誘電体等の蒸着により、あるいはマイラーフイル
ムりんせい銅又はアルミ箔等の非常に薄いシート
状の物体を薄膜導波路２上に接着する事により形
成する。
カバー部材１９は薄膜導波路の表面を、全て覆
つているとともにその１つの端面が導波路２の出
射端面と略同一平面内にあり、共に記録ヘツドの
ヘツド面を形成している。これによつて導波路２
の鋭い綾辺は露出しない。
つているとともにその１つの端面が導波路２の出
射端面と略同一平面内にあり、共に記録ヘツドの
ヘツド面を形成している。これによつて導波路２
の鋭い綾辺は露出しない。
このヘツド面の綾辺の少なくとも一部、即ち基
板１及びカバー部材１９の記録媒体１８に対向す
る綾が面取りあるいは第４図に示す如く丸めがな
されている。
板１及びカバー部材１９の記録媒体１８に対向す
る綾が面取りあるいは第４図に示す如く丸めがな
されている。
以上示したような構成により、本実施例の輝点
走査型ヘツドは、記録媒体１８に損傷を与える事
なく、また薄膜導波路２の表面上にゴム、ホコ
リ、よごれ等による輝点走査性能の劣化を防ぐ事
ができる。
走査型ヘツドは、記録媒体１８に損傷を与える事
なく、また薄膜導波路２の表面上にゴム、ホコ
リ、よごれ等による輝点走査性能の劣化を防ぐ事
ができる。
以上は、テープ状記録媒体用の固定ヘツドに適
用した場合であるが、デイスク状記録媒体用の浮
動ヘツドに適用した場合は、面取りあるいは丸め
を行う事により、綾による浮上時の空気抵抗を軽
減でき、良好な浮上特性を得る事が可能となる。
用した場合であるが、デイスク状記録媒体用の浮
動ヘツドに適用した場合は、面取りあるいは丸め
を行う事により、綾による浮上時の空気抵抗を軽
減でき、良好な浮上特性を得る事が可能となる。
尚、ゴミ、ホコリ等より導波路全面を保護する
必要のない場合は第５図に示す如く、導波路の１
部を覆い記録媒体に対向する面を導波路の出射端
面と一致させ、綾を丸めにカバー部材１９′を設
けても本発明の目的は達成できる。
必要のない場合は第５図に示す如く、導波路の１
部を覆い記録媒体に対向する面を導波路の出射端
面と一致させ、綾を丸めにカバー部材１９′を設
けても本発明の目的は達成できる。
第６図は、同一基板上に構成したテープ状記録
媒体用の薄膜導波路型４チヤンネル記録マルチヘ
ツドに本発明を適用した実施例である。
媒体用の薄膜導波路型４チヤンネル記録マルチヘ
ツドに本発明を適用した実施例である。
第６図において２１に半導体基板であり、その
上に４個の半導体レーザー２２〜２５が構成され
ている。２６〜２９はそれぞれ、半導体レーザー
２２〜２５からの光束を伝搬する薄膜導波路であ
り、これ等は、モノリシツクな構成となつてい
る。
上に４個の半導体レーザー２２〜２５が構成され
ている。２６〜２９はそれぞれ、半導体レーザー
２２〜２５からの光束を伝搬する薄膜導波路であ
り、これ等は、モノリシツクな構成となつてい
る。
この様に同一基板上の複数個の半導体レーザー
及び薄膜導波路をモノリシツクに構成した例は、
文献IEEE Journal of Quntum Electronics vol.
QE−13、No.４、pp220「Ａ Freguency−
Multiplexing Light Source With
Monolithically Integrated Distributed−
Feedback Diode Laser」byK.AiKi etal.に述べ
られている。
及び薄膜導波路をモノリシツクに構成した例は、
文献IEEE Journal of Quntum Electronics vol.
QE−13、No.４、pp220「Ａ Freguency−
Multiplexing Light Source With
Monolithically Integrated Distributed−
Feedback Diode Laser」byK.AiKi etal.に述べ
られている。
半導体レーザー２２〜２５からの出射光はそれ
ぞれ薄膜導波路２６〜２９を伝搬し、出射端面３
０に導かれるが、この時、半導体レーザー２２〜
２５の駆動電流を記録用信号により変調し、素子
端面３０に接してテープ状の記録媒体３１を第６
図の矢印の方向に移動する事により、信号の記録
媒体３１への記録が可能である。
ぞれ薄膜導波路２６〜２９を伝搬し、出射端面３
０に導かれるが、この時、半導体レーザー２２〜
２５の駆動電流を記録用信号により変調し、素子
端面３０に接してテープ状の記録媒体３１を第６
図の矢印の方向に移動する事により、信号の記録
媒体３１への記録が可能である。
３２は薄膜導波路２６〜２９より低屈折率の接
着材層であり、カバー部材３３を薄膜導波路２６
〜２９の表面に固定するとともに、薄膜導波路２
６〜２９のカバー層として役目もはたしている。
基板２１及びカバー部材３３の記録媒体３１に接
触あるいは近接する面の綾は、面取りあるいは丸
めがなされている。
着材層であり、カバー部材３３を薄膜導波路２６
〜２９の表面に固定するとともに、薄膜導波路２
６〜２９のカバー層として役目もはたしている。
基板２１及びカバー部材３３の記録媒体３１に接
触あるいは近接する面の綾は、面取りあるいは丸
めがなされている。
このような構成により導波路の綾による記録媒
体の損傷を防ぐ事が可能である。また、本実施例
の薄膜導波路型ヘツドは、ほぼ完全密封に近い状
態である為、導波路表面上に付着した、ゴミ、ホ
コリ、よごれ等による特性劣下に対する防止効果
は第３図示の実施例に比べて高くなる。
体の損傷を防ぐ事が可能である。また、本実施例
の薄膜導波路型ヘツドは、ほぼ完全密封に近い状
態である為、導波路表面上に付着した、ゴミ、ホ
コリ、よごれ等による特性劣下に対する防止効果
は第３図示の実施例に比べて高くなる。
以上、記録ヘツドに対する実施例を用いて説明
したが、本発明は、ヘツドの形状に関するもので
あり、記録ヘツドに限らず、再生ヘツドにもその
まま適用できる事は言うまでもない。
したが、本発明は、ヘツドの形状に関するもので
あり、記録ヘツドに限らず、再生ヘツドにもその
まま適用できる事は言うまでもない。
以上説明したように、本発明は薄膜導波路型の
記録あるいは再生ヘツドにおいて薄膜導波路の表
面に直接又は近接させてカバー部材を設けた事に
より以下の様な利点を有するものである。
記録あるいは再生ヘツドにおいて薄膜導波路の表
面に直接又は近接させてカバー部材を設けた事に
より以下の様な利点を有するものである。
(1) テープ状又はデイスク状の記録媒体用の固定
ヘツドの場合、媒体に対向するる薄膜導波路の
綾による記録媒体の損傷を防ぐ事が出きる。
ヘツドの場合、媒体に対向するる薄膜導波路の
綾による記録媒体の損傷を防ぐ事が出きる。
(2) デイスク状の記録媒体用の浮動ヘツドの場
合、浮上及び降下時において(1)の利点を有する
とともに、空気抵抗をおさえる事により、浮上
時の浮上特性を良好なものとする事ができる。
合、浮上及び降下時において(1)の利点を有する
とともに、空気抵抗をおさえる事により、浮上
時の浮上特性を良好なものとする事ができる。
またカバー部材を導波路の全面に設けた場合
は、薄膜導波路上に付着した、ゴミ、ホコリ、よ
ごれ等により生ずる素子特性の劣化を防止する事
ができるといつた利点も有する。
は、薄膜導波路上に付着した、ゴミ、ホコリ、よ
ごれ等により生ずる素子特性の劣化を防止する事
ができるといつた利点も有する。
第１、２図は薄膜導波路型Ａ／Ｏ偏向器を用い
た輝点走査素子を用いた記録ヘツドを示す図。第
３、４図は、本発明を薄膜導波路型Ａ／Ｏ偏向器
を用いた、テープ状記録媒体用の固定記録ヘツド
に適用した第１実施例を示す図。第５図は、第２
実施例のヘツドの断面図。第６図は、本発明を同
一基板上に薄膜導波路をモノリシツクに構成した
記録ヘツドに適用した第３実施例を示す図であ
る。 図中、２，２６，２７，２８，２９……薄膜導
波路、３，２２，２３，２４，２５……半導体レ
ーザー、５，９……薄膜レンズ、７……SAW電
極、１５……回折光束、１６……零次回折光束、
１８……テープ状記録媒体、１９……カバー部
材。
た輝点走査素子を用いた記録ヘツドを示す図。第
３、４図は、本発明を薄膜導波路型Ａ／Ｏ偏向器
を用いた、テープ状記録媒体用の固定記録ヘツド
に適用した第１実施例を示す図。第５図は、第２
実施例のヘツドの断面図。第６図は、本発明を同
一基板上に薄膜導波路をモノリシツクに構成した
記録ヘツドに適用した第３実施例を示す図であ
る。 図中、２，２６，２７，２８，２９……薄膜導
波路、３，２２，２３，２４，２５……半導体レ
ーザー、５，９……薄膜レンズ、７……SAW電
極、１５……回折光束、１６……零次回折光束、
１８……テープ状記録媒体、１９……カバー部
材。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 薄膜導波路と、該導波路の表面に弾性波を発
生させる手段とから成り、前記導波路を伝搬する
光束を前記表面弾性波によつて偏向し、偏向され
た光束を記録体に対向して配された導波路端面よ
り出射させて、記録又は再生を行なう薄膜導波路
型ヘツドにおいて、 前記導波路上に、スペーサーを介して、前記光
束の出射端面と略同一平面内に端面を有するカバ
ー部材を形成し、前記導波路とカバー部材との間
に間〓を設けたことを特徴とする薄膜導波路型ヘ
ツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55133203A JPS5756807A (en) | 1980-09-24 | 1980-09-24 | Thin film waveguide type head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55133203A JPS5756807A (en) | 1980-09-24 | 1980-09-24 | Thin film waveguide type head |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5756807A JPS5756807A (en) | 1982-04-05 |
| JPH035566B2 true JPH035566B2 (ja) | 1991-01-25 |
Family
ID=15099134
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55133203A Granted JPS5756807A (en) | 1980-09-24 | 1980-09-24 | Thin film waveguide type head |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5756807A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0658744B2 (ja) * | 1984-09-14 | 1994-08-03 | オムロン株式会社 | 光情報処理装置 |
| JPH0619847B2 (ja) * | 1984-09-14 | 1994-03-16 | オムロン株式会社 | 光情報処理装置 |
| JPS6277761A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光走査読取装置 |
| JPS6331033A (ja) * | 1986-07-25 | 1988-02-09 | Asahi Glass Co Ltd | 光ピツクアツプ |
| US4904036A (en) * | 1988-03-03 | 1990-02-27 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Subassemblies for optoelectronic hybrid integrated circuits |
| GB2216710B (en) * | 1988-03-14 | 1992-09-02 | Ici Plc | Optical or magneto-optical data system |
| JPH02103744A (ja) * | 1988-10-12 | 1990-04-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 光学ヘッド装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5017521A (ja) * | 1973-06-15 | 1975-02-24 | ||
| JPS50156311A (ja) * | 1974-06-04 | 1975-12-17 | ||
| JPS5268307A (en) * | 1975-12-05 | 1977-06-07 | Olympus Optical Co Ltd | Lihgt scanner |
-
1980
- 1980-09-24 JP JP55133203A patent/JPS5756807A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5756807A (en) | 1982-04-05 |
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