JPH0369032A - 光ヘッド - Google Patents
光ヘッドInfo
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- JPH0369032A JPH0369032A JP1204394A JP20439489A JPH0369032A JP H0369032 A JPH0369032 A JP H0369032A JP 1204394 A JP1204394 A JP 1204394A JP 20439489 A JP20439489 A JP 20439489A JP H0369032 A JPH0369032 A JP H0369032A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光ディスク等の情報記録媒体から情報を読み
取るための光ヘッド、該情報記録媒体のアクセス方法及
び光ディスク装置に関する。
取るための光ヘッド、該情報記録媒体のアクセス方法及
び光ディスク装置に関する。
一般に、大容量記憶装置である光ディスク等の情報記録
媒体のアクセス時間は、光ピツクアップをリニアモータ
でいかに速く移動させることができるかで決定され、そ
の速さは光ヘッドの重量によって支配される。浮上型光
ヘッドは光ヘッドの小型化によって重量を軽減してアク
セス時間を短縮することができる。
媒体のアクセス時間は、光ピツクアップをリニアモータ
でいかに速く移動させることができるかで決定され、そ
の速さは光ヘッドの重量によって支配される。浮上型光
ヘッドは光ヘッドの小型化によって重量を軽減してアク
セス時間を短縮することができる。
従来の浮上型光ヘッドとして第2図(a)〜(c)に0
ptica Q Data S toraga
l 989TechnicanDigest 5er
ies voQ 1 、 pp、51−54に記載さ
れているものを示す。
ptica Q Data S toraga
l 989TechnicanDigest 5er
ies voQ 1 、 pp、51−54に記載さ
れているものを示す。
光ヘッドはエア・スライダに装着されており。
光ディスク上に近接浮上している。光ディスクに記録さ
れている情報の再生は特開昭63−74128号公報に
記載されているように、光源として半導体レーザを用い
、半導体レーザの駆動電流を発振しきい値以下にしてレ
ーザ非発振状態において出射光を光ディスクに照射し、
その反射光を半導体レーザに帰還して光出力(複合共振
信号出力)を光検出器で受光する。この結果、光ディス
クの反射率の変化(情報ビットの有無)に対応したデー
タ信号を得ることができる。
れている情報の再生は特開昭63−74128号公報に
記載されているように、光源として半導体レーザを用い
、半導体レーザの駆動電流を発振しきい値以下にしてレ
ーザ非発振状態において出射光を光ディスクに照射し、
その反射光を半導体レーザに帰還して光出力(複合共振
信号出力)を光検出器で受光する。この結果、光ディス
クの反射率の変化(情報ビットの有無)に対応したデー
タ信号を得ることができる。
ところが、従来の浮上型光ヘッドは光源の光を光ディス
ク上に合焦する2次元的な集光光学素子を備えていない
ためスポットが楕円形になり情報の記録密度が高められ
ないという欠点があった。
ク上に合焦する2次元的な集光光学素子を備えていない
ためスポットが楕円形になり情報の記録密度が高められ
ないという欠点があった。
また、光ヘッドの半径方向のアクチュエーションに関し
ては、アームごと光ヘッドを移動して所望のトラックに
アクセスする粗動アクチュエーション(応答〈数十Hz
、ストローク〉数mm) 、及び光ビームを非機械的に
微小に動かして指定したトラックに追従する微動アクチ
ュエーション(応答〉数十KHz、ストロークく数+μ
m)の2つがあることが望ましい、このような光ヘッド
として例えば光メモリシンポジウム′88論文集、pp
67に示されているものがある。しかし、従来の浮上型
光ヘッドでは高速の微動アクチュエーション機構をもた
ないためトラックの追従性が悪く。
ては、アームごと光ヘッドを移動して所望のトラックに
アクセスする粗動アクチュエーション(応答〈数十Hz
、ストローク〉数mm) 、及び光ビームを非機械的に
微小に動かして指定したトラックに追従する微動アクチ
ュエーション(応答〉数十KHz、ストロークく数+μ
m)の2つがあることが望ましい、このような光ヘッド
として例えば光メモリシンポジウム′88論文集、pp
67に示されているものがある。しかし、従来の浮上型
光ヘッドでは高速の微動アクチュエーション機構をもた
ないためトラックの追従性が悪く。
トラック密度を高め、同時にアクセス時間をさらに短縮
することができなかった。
することができなかった。
上記した従来の浮上型光ヘッドでは2次元的な集光光学
素子を備えていないため光ビームを回折限界の円形スポ
ットに集光できず、また光ビームの微動アクチュエーシ
ョン機構をもたないため。
素子を備えていないため光ビームを回折限界の円形スポ
ットに集光できず、また光ビームの微動アクチュエーシ
ョン機構をもたないため。
記録トラックの密度を高めることができなかった。
本発明の目的は、上記従来の問題に鑑み、光ビームを回
折限界まで集光し、かつ微動アクチュエーション機構を
設けて記録密度を高めアクセス時間を短縮した浮上型の
光ヘッド及びそれを備えた光ディスク装置、更には光学
的情報記録媒体のアクセス方法を提供することにある。
折限界まで集光し、かつ微動アクチュエーション機構を
設けて記録密度を高めアクセス時間を短縮した浮上型の
光ヘッド及びそれを備えた光ディスク装置、更には光学
的情報記録媒体のアクセス方法を提供することにある。
本発明は、上記目的を達成するために従来光ディスクに
近接していた光源を光ディスクから離して取り付け、間
にマイクロフレネルレンズ等の2次元的な集光機能のあ
る光学素子を配置して光ディスク上に回折限界の円形ス
ポットを得る。同時に、光源と光ディスクとの間に光ビ
ームの微動アクチュエーション機構としてAOモジュレ
ータ等の光偏向器を装備して、電気信号によって光ビー
ムをディスクの半径方向に高速に振ることによって、ト
ラックの追従性を高めて、トラック密度を高めアクセス
時間を短縮する。
近接していた光源を光ディスクから離して取り付け、間
にマイクロフレネルレンズ等の2次元的な集光機能のあ
る光学素子を配置して光ディスク上に回折限界の円形ス
ポットを得る。同時に、光源と光ディスクとの間に光ビ
ームの微動アクチュエーション機構としてAOモジュレ
ータ等の光偏向器を装備して、電気信号によって光ビー
ムをディスクの半径方向に高速に振ることによって、ト
ラックの追従性を高めて、トラック密度を高めアクセス
時間を短縮する。
すなわち、本発明に係る光ヘッドは、光学的情報記録媒
体に対して光を照射する光源と、前記光学的情報記録媒
体からの反射光を検知する光検出器と、前記光源及び光
検出器を前記光学的情報記録媒体上に近接して浮上させ
るエア・スライダと。
体に対して光を照射する光源と、前記光学的情報記録媒
体からの反射光を検知する光検出器と、前記光源及び光
検出器を前記光学的情報記録媒体上に近接して浮上させ
るエア・スライダと。
を備えた光ヘッドにおいて、前記エア・スライダの、前
記光源と前記光学的情報記録媒体との間の光路上に、前
記光源からの出射光を集光して前記光学的情報記録媒体
上に円形のスポットを結ぶ2次元集光素子を設けたもの
である。
記光源と前記光学的情報記録媒体との間の光路上に、前
記光源からの出射光を集光して前記光学的情報記録媒体
上に円形のスポットを結ぶ2次元集光素子を設けたもの
である。
また、本発明に係る光ヘッドは、光学的情報記録媒体に
対して光を照射する光源と、前記光学的情報記録媒体か
らの反射光を検知する光検出器と。
対して光を照射する光源と、前記光学的情報記録媒体か
らの反射光を検知する光検出器と。
前記光源及び光検出器を前記光学的情報記録媒体上に近
接して浮上させるエア・スライダと、を備えた光ヘッド
において、前記エア・スライダの、前記光源と前記光学
的情報記録媒体との間の光路上に、前記光源からの出射
光を集光して前記光学的情報記録媒体上に円形のスポッ
トを結ぶ2次元集光素子を設けると共に、前記光源と前
記光学的情報記録媒体との間の光路上に前記スポットを
前記光学的情報記録媒体の半径方向に振る光偏向手段を
設けたものである。
接して浮上させるエア・スライダと、を備えた光ヘッド
において、前記エア・スライダの、前記光源と前記光学
的情報記録媒体との間の光路上に、前記光源からの出射
光を集光して前記光学的情報記録媒体上に円形のスポッ
トを結ぶ2次元集光素子を設けると共に、前記光源と前
記光学的情報記録媒体との間の光路上に前記スポットを
前記光学的情報記録媒体の半径方向に振る光偏向手段を
設けたものである。
前記光ヘッドにおいて、前記光偏向手段は光学的非線形
媒質と、電気光学効果あるいは音響光学効果によって該
光学的非線形媒質内の屈折率の空間分布の形状を制御す
るための電極とからなるものがある。又は、前記光偏向
手段は多重量子井戸層を導波層とし、該多重量子井戸層
より小さな屈折率を有する第1.第2の半導体層をクラ
ッド層として、それぞれ該多重量子井戸層の積層方向に
上下に接して設け、前記第1の半導体層上にゲート電極
、ソース電極、及びドレイン電極を形成し。
媒質と、電気光学効果あるいは音響光学効果によって該
光学的非線形媒質内の屈折率の空間分布の形状を制御す
るための電極とからなるものがある。又は、前記光偏向
手段は多重量子井戸層を導波層とし、該多重量子井戸層
より小さな屈折率を有する第1.第2の半導体層をクラ
ッド層として、それぞれ該多重量子井戸層の積層方向に
上下に接して設け、前記第1の半導体層上にゲート電極
、ソース電極、及びドレイン電極を形成し。
前記多重量子井戸層をチャネルとした電界効果トランジ
スタであるものが挙げられる。
スタであるものが挙げられる。
また、前記光ヘッドにおいて、前記光源から前記光学的
情報記録媒体へ向かう光路と、該光学的情報記録媒体か
ら前記光検出器に向かう光路を分離する手段を有するも
のがよい。また、前記2次元集光素子は少なくとも1枚
以上の回折型レンズであるものが挙げられる。
情報記録媒体へ向かう光路と、該光学的情報記録媒体か
ら前記光検出器に向かう光路を分離する手段を有するも
のがよい。また、前記2次元集光素子は少なくとも1枚
以上の回折型レンズであるものが挙げられる。
また前記光ヘッドにおいて、前記光源は半導体レーザで
あり、該半導体レーザは少なくとも2つ以上の活性層と
、この活性層の積層方向に平行な少なくとも2つ以上の
電極を有し、前記2つの電極に流す電流の大きさを変え
ることによって光ビームを偏向し得るものであってもよ
い。また、前記光源に発光部位の温度を一定に保持する
ヒートシンクを設けるのがよい、また、前記光源、光検
出器、光偏向手段及び2次元集光素子は導波路内に一体
形成されているものもある。
あり、該半導体レーザは少なくとも2つ以上の活性層と
、この活性層の積層方向に平行な少なくとも2つ以上の
電極を有し、前記2つの電極に流す電流の大きさを変え
ることによって光ビームを偏向し得るものであってもよ
い。また、前記光源に発光部位の温度を一定に保持する
ヒートシンクを設けるのがよい、また、前記光源、光検
出器、光偏向手段及び2次元集光素子は導波路内に一体
形成されているものもある。
また、本発明に係る光学的情報記録媒体のアクセス方法
は、2次元集光素子により光源から照射された光を集光
して光学的情報記録媒体上に円形のスポットを結ぶ工程
と、光偏向手段により前記スポットを所望のデータエリ
アにアクセスする工程と、光検出器により前記所望のデ
ータエリアから反射光を検知する工程と、を含むもので
ある。
は、2次元集光素子により光源から照射された光を集光
して光学的情報記録媒体上に円形のスポットを結ぶ工程
と、光偏向手段により前記スポットを所望のデータエリ
アにアクセスする工程と、光検出器により前記所望のデ
ータエリアから反射光を検知する工程と、を含むもので
ある。
また1本発明に係る光ディスク装置は、光ディスク、該
ディスクの回転手段、前記光ディスクに対して情報の書
き込み、消去或は再生を行う光ヘッド及び該光ヘッドの
制御手段を具備する光ディスフ装置において、その光ヘ
ッドは前記光ヘッドのいずれかであるものである。
ディスクの回転手段、前記光ディスクに対して情報の書
き込み、消去或は再生を行う光ヘッド及び該光ヘッドの
制御手段を具備する光ディスフ装置において、その光ヘ
ッドは前記光ヘッドのいずれかであるものである。
上記構成における2次元集光光学素子としては、小型・
軽量なマイクロフレネルレンズ等の薄膜レンズが適して
いる。一般のバルクのレンズが屈折を利用して光を集光
するのに対してマイクロフレネルレンズは光の回折を利
用するので薄膜化が可能である。マイクロフレネルレン
ズの理論的取扱いに関しては例えば西原浩著「光集積回
路」等に説明されている。
軽量なマイクロフレネルレンズ等の薄膜レンズが適して
いる。一般のバルクのレンズが屈折を利用して光を集光
するのに対してマイクロフレネルレンズは光の回折を利
用するので薄膜化が可能である。マイクロフレネルレン
ズの理論的取扱いに関しては例えば西原浩著「光集積回
路」等に説明されている。
非機械的な光偏向の手段として、導波路内に屈折率の空
間分布を作って導波する光を曲げることができる。その
原理を第3図と第4図を用いて説明する。
間分布を作って導波する光を曲げることができる。その
原理を第3図と第4図を用いて説明する。
第3図(a)は−様な屈折率の導波路内を光が伝搬する
場合を示す。図中、100は光ビーム、400は導波路
、410及び420は電極をそれぞれ示し、2つの電極
間に電位差を設けていないので導波路410内の屈折率
は−様な分布である。
場合を示す。図中、100は光ビーム、400は導波路
、410及び420は電極をそれぞれ示し、2つの電極
間に電位差を設けていないので導波路410内の屈折率
は−様な分布である。
このとき光ビーム100は直進する。一方、第3図(b
)は電極420及び電極430に電位差を生じさせた場
合であり、電気光学効果によって2つの電極間に屈折率
の勾配ができ、光ビーム100は屈折率の大きい側へ曲
がる。
)は電極420及び電極430に電位差を生じさせた場
合であり、電気光学効果によって2つの電極間に屈折率
の勾配ができ、光ビーム100は屈折率の大きい側へ曲
がる。
第4図は−様な屈折率勾配のある導波路内に入射した拡
散ビームの伝播の過程を計算した結果である。二次元導
波路の光の伝搬方向を2軸にとり、そのZ軸と垂直な導
波路横方向をX軸にとる。光の波長は0.83μmとす
る。第4図(b)に示すように、導波路横方向屈折率分
布を、2=0〜50μmにおいて等側屈折率N=3.5
一定とし、2250〜400μmにおいてN=3.5〜
3.6の線形な分布を仮定する。このときの光ビーム伝
搬現象を解析した。第4図(a)の曲線は伝搬路115
0μmごとの光の振幅分布を示す、この図からZ=50
μmすぎから徐々に屈折率の高い右側に光ビームが偏向
されてゆくのがわかる。Z=400μmにおいて振幅ピ
ーク位置が13.5μm右側にシフトしており、この偏
向量は屈折率変化量によって制御できる。
散ビームの伝播の過程を計算した結果である。二次元導
波路の光の伝搬方向を2軸にとり、そのZ軸と垂直な導
波路横方向をX軸にとる。光の波長は0.83μmとす
る。第4図(b)に示すように、導波路横方向屈折率分
布を、2=0〜50μmにおいて等側屈折率N=3.5
一定とし、2250〜400μmにおいてN=3.5〜
3.6の線形な分布を仮定する。このときの光ビーム伝
搬現象を解析した。第4図(a)の曲線は伝搬路115
0μmごとの光の振幅分布を示す、この図からZ=50
μmすぎから徐々に屈折率の高い右側に光ビームが偏向
されてゆくのがわかる。Z=400μmにおいて振幅ピ
ーク位置が13.5μm右側にシフトしており、この偏
向量は屈折率変化量によって制御できる。
このような光偏向器を用いれば光ビームの集光スポット
を光ディスクの半径方向に高速に移動することが可能と
なる。
を光ディスクの半径方向に高速に移動することが可能と
なる。
また、ここに述べた以外の光偏向器としては、例7えば
LiNb0.基板上にTi拡散導波路と櫛型電極を形成
したものである。櫛型電極に高周波交流電圧を印加して
導波路に表面弾性波を発生させると音響光学効果によっ
て光の進行方向を変えることができる。この種の光偏向
器も同様に光ヘッドに用いることができる。
LiNb0.基板上にTi拡散導波路と櫛型電極を形成
したものである。櫛型電極に高周波交流電圧を印加して
導波路に表面弾性波を発生させると音響光学効果によっ
て光の進行方向を変えることができる。この種の光偏向
器も同様に光ヘッドに用いることができる。
以下本発明の実施例について、図面を参照しながら説明
する。
する。
第1図は本発明の一実施例に係る光学系を示す概略構成
図である。図中、10は光源である半導体レーザ、20
は光検出器、30は2次元集光素子としてのマイクロフ
レネルレンズ、40はエア・スライダ、50は光ディス
ク、60はアーム、100は光ビーム、110は光ヘッ
ドをそれぞれ示す、光ディスク装置は第1図(a)及び
(b)に示すように、光ディスク50、光ヘツド110
、光ヘッドを支えるアーム60から構成されている。
図である。図中、10は光源である半導体レーザ、20
は光検出器、30は2次元集光素子としてのマイクロフ
レネルレンズ、40はエア・スライダ、50は光ディス
ク、60はアーム、100は光ビーム、110は光ヘッ
ドをそれぞれ示す、光ディスク装置は第1図(a)及び
(b)に示すように、光ディスク50、光ヘツド110
、光ヘッドを支えるアーム60から構成されている。
この光ヘッドは、第1図(C)に示すように、エア・ス
ライダ40、半導体レーザ10、光検出器20、マイク
ロフレネルレンズ30から構成されている。マイクロフ
レネルレンズを集光素子として用いることによって光ヘ
ッドが重くなることを防いでいる。エア・スライダ40
は光ディスク50上に近接して浮上するが、その浮上量
は光ディスク50の回転数とエア・スライダ40の形状
によって定まり、約0.2〜5μm程度の範囲で設定で
きる。
ライダ40、半導体レーザ10、光検出器20、マイク
ロフレネルレンズ30から構成されている。マイクロフ
レネルレンズを集光素子として用いることによって光ヘ
ッドが重くなることを防いでいる。エア・スライダ40
は光ディスク50上に近接して浮上するが、その浮上量
は光ディスク50の回転数とエア・スライダ40の形状
によって定まり、約0.2〜5μm程度の範囲で設定で
きる。
次に本発明の光ヘッドの信号再生動作について説明する
。光源である半導体レーザ10の駆動電流は発振しきい
値以下にしてレーザ非発振状態において出射光を光ディ
スク50に照射する。その反射光を半導体レーザ10に
帰還して光出力(複合共振信号出力)を光検出器20で
受光する。この結果、光ディスク50の反射率の変化(
情報ビットの有無)に対応したデータ信号を得ることが
できる。本発明の光ヘッドの信号再生性能を高めるには
光源10の光ディスク50例の出射面に無反射コーティ
ング(Anti RefQection Coati
ng)をすることが挙げられる。これにより、光源10
と光ディスク50のカップリングが強まり、信号再生感
度が高まる。
。光源である半導体レーザ10の駆動電流は発振しきい
値以下にしてレーザ非発振状態において出射光を光ディ
スク50に照射する。その反射光を半導体レーザ10に
帰還して光出力(複合共振信号出力)を光検出器20で
受光する。この結果、光ディスク50の反射率の変化(
情報ビットの有無)に対応したデータ信号を得ることが
できる。本発明の光ヘッドの信号再生性能を高めるには
光源10の光ディスク50例の出射面に無反射コーティ
ング(Anti RefQection Coati
ng)をすることが挙げられる。これにより、光源10
と光ディスク50のカップリングが強まり、信号再生感
度が高まる。
光源10、集光素子30、及び光ディスク50の位置関
係に関しては、光ディスク上のスポット径が小さいほど
情報の記録密度が高くなるので望ましい。光ディスク5
0と光素子30の間の距離をL工、集光素子30と光源
10の間の距離をL2とすると、集光素子30の直径が
一定の場合には次の関係がある。
係に関しては、光ディスク上のスポット径が小さいほど
情報の記録密度が高くなるので望ましい。光ディスク5
0と光素子30の間の距離をL工、集光素子30と光源
10の間の距離をL2とすると、集光素子30の直径が
一定の場合には次の関係がある。
(1)L工を小さくすると、レンズの開口数が大きくな
り、スポットサイズを小さくできる。
り、スポットサイズを小さくできる。
(2) LXを小さくすると、光源の出射光の利用効
率が高まる。
率が高まる。
第5図は光源の波長変動に対して焦点位置変動の少ない
薄膜レンズを用いた光ヘッドの構成図を示す。同図にお
いて10は光源、20は光検出器、30は画面グレーテ
ィングレンズ、31と32は両面グレーティングレンズ
30の2つのグレーテイング面、40はエア・スライダ
、50は光ディスクをそれぞれ示す。光の回折を利用し
たグレーティングレンズは光の屈折を利用したバルクの
レンズに比較して色収差が大きいので、光源の波長が設
計値からずれると回折限界まで光ビームを集光できなく
なる。ところが、光メモリシンポジウム′ 88論文集
、Pp33に示されている様に、2つのグレーテイング
面を組合せることで色収差の小さな集光光学系を構成で
きる。そこで、本発明では浮上型光ヘッドにこの技術を
応用する。
薄膜レンズを用いた光ヘッドの構成図を示す。同図にお
いて10は光源、20は光検出器、30は画面グレーテ
ィングレンズ、31と32は両面グレーティングレンズ
30の2つのグレーテイング面、40はエア・スライダ
、50は光ディスクをそれぞれ示す。光の回折を利用し
たグレーティングレンズは光の屈折を利用したバルクの
レンズに比較して色収差が大きいので、光源の波長が設
計値からずれると回折限界まで光ビームを集光できなく
なる。ところが、光メモリシンポジウム′ 88論文集
、Pp33に示されている様に、2つのグレーテイング
面を組合せることで色収差の小さな集光光学系を構成で
きる。そこで、本発明では浮上型光ヘッドにこの技術を
応用する。
第5図に示す両面グレーティングレンズ30の特性につ
いて以下に説明する。光源10から出射して、グレーテ
イング面31の最外周R工に入射する波長λ1の光線が
回折された後に、グレーテイング面32の中心r□に達
し、更に回折されて光軸に沿って進むように、R工、r
□におけるグレーティングのピッチPtyPtを決める
ことができる。スポットは光ディスク上の点Pで、波長
がλ、からλ2(λ2〉λ、)に変化したと想定する。
いて以下に説明する。光源10から出射して、グレーテ
イング面31の最外周R工に入射する波長λ1の光線が
回折された後に、グレーテイング面32の中心r□に達
し、更に回折されて光軸に沿って進むように、R工、r
□におけるグレーティングのピッチPtyPtを決める
ことができる。スポットは光ディスク上の点Pで、波長
がλ、からλ2(λ2〉λ、)に変化したと想定する。
波長が長くなったことにより、R8で回折した光線はグ
レーテイング面32のrlとは異なる点r2に達する(
波線)。波長が変化しても、スポットPに集束するよう
なr2のピッチP2が計算される。
レーテイング面32のrlとは異なる点r2に達する(
波線)。波長が変化しても、スポットPに集束するよう
なr2のピッチP2が計算される。
再び波長をλ、に戻して、r2でPに向けて回折する光
線のグレーテイング面31上の出射点R2を求める。R
2で回折する光線は点Oから来ることからR2のピッチ
P2が求められる。以上の過程をn回繰り返すことによ
り、2枚のグレーティングのピッチ分布を求めることが
できる。ここでrnの値がグレーティングの半径を表す
ことになる。
線のグレーテイング面31上の出射点R2を求める。R
2で回折する光線は点Oから来ることからR2のピッチ
P2が求められる。以上の過程をn回繰り返すことによ
り、2枚のグレーティングのピッチ分布を求めることが
できる。ここでrnの値がグレーティングの半径を表す
ことになる。
以上述べた光線の軌跡を光軸の回りに回転すると、軸対
称で、2つの波長λ4.λ2に対して無収差のグレーテ
ィングレンズが実現する。
称で、2つの波長λ4.λ2に対して無収差のグレーテ
ィングレンズが実現する。
第6図(a)、(b)はトラッキング手段に光偏向器を
用いた場合の実施例を示す。同図において10は光源、
20は光検出器、30は集光素子。
用いた場合の実施例を示す。同図において10は光源、
20は光検出器、30は集光素子。
40はエア・スライダ、50は光ディスク、60はアー
ム、70は光偏向器をそれぞれ示す。光源10とレンズ
30との間の光軸上に光偏向器70を設けることにより
、光源10からの光ビームを所望の角度だけ変化させて
レンズ30に照射させることができる。これにより、光
ディスク50上をトラッキング方向に集光しながら走査
させることができる。
ム、70は光偏向器をそれぞれ示す。光源10とレンズ
30との間の光軸上に光偏向器70を設けることにより
、光源10からの光ビームを所望の角度だけ変化させて
レンズ30に照射させることができる。これにより、光
ディスク50上をトラッキング方向に集光しながら走査
させることができる。
第7図は本発明の光ヘッドの光偏向器に好適な音響光学
素子の構成を示す。同図において73は電極、74は、
75は音響吸収体、101と102は光ビームをそれぞ
れ表す。電極73に加えられた高周波信号によってピエ
ゾ効果を有する音響光学結晶74内に弾性波が生じる。
素子の構成を示す。同図において73は電極、74は、
75は音響吸収体、101と102は光ビームをそれぞ
れ表す。電極73に加えられた高周波信号によってピエ
ゾ効果を有する音響光学結晶74内に弾性波が生じる。
弾性波は縦波、つまり粗密波なので、粗密に対応して音
響光学結晶74に屈折率分布が生じる。高周波信号が正
弦波の場合、屈折率分布も正弦波状になり、結晶内に屈
折率分布形のグレーティングが存在することになる。こ
のような状態にある音響光学結晶74の入射面の法線に
対してθ、の傾きをもって光ビーム101を入射すると
回折され、出射面の法線に対してθ2の傾きを持つ光ビ
ーム102となって出射する。ここで、電極に印加した
高周波信号の周波数をf、結晶内の弾性波の速度をvs
、波長をA、光の波長をλとすると次式が戒り立っ。
響光学結晶74に屈折率分布が生じる。高周波信号が正
弦波の場合、屈折率分布も正弦波状になり、結晶内に屈
折率分布形のグレーティングが存在することになる。こ
のような状態にある音響光学結晶74の入射面の法線に
対してθ、の傾きをもって光ビーム101を入射すると
回折され、出射面の法線に対してθ2の傾きを持つ光ビ
ーム102となって出射する。ここで、電極に印加した
高周波信号の周波数をf、結晶内の弾性波の速度をvs
、波長をA、光の波長をλとすると次式が戒り立っ。
ここで、高周波信号の周波数の変化をδfとすると、高
周波の変化に伴い、結晶内に生じる屈折率分布形グレー
ティングのピッチが変化し、回折面が変化する。今、δ
fに伴う回折面の変化をδθ2とすると、次式が成り立
つ。
周波の変化に伴い、結晶内に生じる屈折率分布形グレー
ティングのピッチが変化し、回折面が変化する。今、δ
fに伴う回折面の変化をδθ2とすると、次式が成り立
つ。
すなわち、以上の説明から印加する高周波の周波数を変
えることによってビームを偏向することができることが
解る。
えることによってビームを偏向することができることが
解る。
第8図は本発明の浮上型光ヘッドに好適な多重量子井戸
を利用した光偏向器の断面図である。同において400
はG a A s / A Q G a A s多重量
子井戸を用いた導波層、401と402はAQG a
A s半導体クララド層、403はGaAsバソファ層
、404は半絶縁性GaAs基板、406は不純物拡散
領域、410はソース電極、420はドレイン電極、4
30はゲート電極をそれぞれ示す、同図において、G
a A s / A Q G a A s多重量子井戸
を用いた導波N40oは、GaAs井戸層とA n G
a A s層を交互に積層して形成する。410,4
20、及び430の各電極は真空蒸着法でA u G
eを付け、その上にAuを積層して形成する。不純物拡
散領域406はソース電極410と、ドレイン電極42
0を形成後、熱処理で得られるn型の拡散領域である。
を利用した光偏向器の断面図である。同において400
はG a A s / A Q G a A s多重量
子井戸を用いた導波層、401と402はAQG a
A s半導体クララド層、403はGaAsバソファ層
、404は半絶縁性GaAs基板、406は不純物拡散
領域、410はソース電極、420はドレイン電極、4
30はゲート電極をそれぞれ示す、同図において、G
a A s / A Q G a A s多重量子井戸
を用いた導波N40oは、GaAs井戸層とA n G
a A s層を交互に積層して形成する。410,4
20、及び430の各電極は真空蒸着法でA u G
eを付け、その上にAuを積層して形成する。不純物拡
散領域406はソース電極410と、ドレイン電極42
0を形成後、熱処理で得られるn型の拡散領域である。
次に、この光偏向器の動作について述べる。ゲート電圧
v2をOとし、ソース電極410とドレイン電極420
を等電位にすると多重量子井戸層全体は一様な電子分布
となって屈折率分布も一様となり光は導波層400内を
直進する。ゲート電圧Vgをマイナス電位にし、ソース
電極410とドレイン電極420に電位差を生じさせる
と多重量子井戸層内に電子分布ができる。電子密度の大
きと屈折率も大きいので、例えばソース電極41Oの方
がドレイン電極420よりも低電位にあれば光はソース
電極410側に曲がりなから導波層400内を伝搬する
。
v2をOとし、ソース電極410とドレイン電極420
を等電位にすると多重量子井戸層全体は一様な電子分布
となって屈折率分布も一様となり光は導波層400内を
直進する。ゲート電圧Vgをマイナス電位にし、ソース
電極410とドレイン電極420に電位差を生じさせる
と多重量子井戸層内に電子分布ができる。電子密度の大
きと屈折率も大きいので、例えばソース電極41Oの方
がドレイン電極420よりも低電位にあれば光はソース
電極410側に曲がりなから導波層400内を伝搬する
。
第9図はアプライド・フィジックス・レター33 (1
978年)第702頁(AppQ、Phys、 Let
t、 33 (1978) PP702)に記載されて
いるビーム偏向機能を有するツインストライプ半導体レ
ーザである。第9図(a)の半導体レーザはn −G
a A s活性層、及び電極がそれぞれ2つあり、2つ
の電極に流す電流の大きさを変えることによって、ビー
ムを偏向することができる。第9図(b)はツインスト
ライプ半導体レーザの光放射特性を示す、同図に見られ
るように、2つの電極1.2に流す電料iユt x’a
の大きさの比率を変えることによって光ビームの放射角
θを変えることができる。このツインストライプ半導体
レーザを本発明の浮上型光ヘッドの光源として用いれば
ビーム偏向器を用いる必要がなくなり、部品点数を軽減
して光ヘッドの構成を簡素化することが可能である。
978年)第702頁(AppQ、Phys、 Let
t、 33 (1978) PP702)に記載されて
いるビーム偏向機能を有するツインストライプ半導体レ
ーザである。第9図(a)の半導体レーザはn −G
a A s活性層、及び電極がそれぞれ2つあり、2つ
の電極に流す電流の大きさを変えることによって、ビー
ムを偏向することができる。第9図(b)はツインスト
ライプ半導体レーザの光放射特性を示す、同図に見られ
るように、2つの電極1.2に流す電料iユt x’a
の大きさの比率を変えることによって光ビームの放射角
θを変えることができる。このツインストライプ半導体
レーザを本発明の浮上型光ヘッドの光源として用いれば
ビーム偏向器を用いる必要がなくなり、部品点数を軽減
して光ヘッドの構成を簡素化することが可能である。
第10図は光源にヒートシンクを付加した浮上型光ヘッ
ドの構成図である。図中、10は光源。
ドの構成図である。図中、10は光源。
20は光検出器、30はレンズ、40はエア・スライダ
、50は光ディスク、60はアーム、80はヒートシン
クをそれぞれ表す。ヒートシンクとしては、熱伝導率の
大きな金属、放熱フィン、あるいはサーミスタ等の温度
センサとペルチェ素子のような吸発熱作用のある素子と
の組合せでも良い、光源10として半導体レーザを用い
た場合。
、50は光ディスク、60はアーム、80はヒートシン
クをそれぞれ表す。ヒートシンクとしては、熱伝導率の
大きな金属、放熱フィン、あるいはサーミスタ等の温度
センサとペルチェ素子のような吸発熱作用のある素子と
の組合せでも良い、光源10として半導体レーザを用い
た場合。
発振中に自体の温度変化により、バンドギャップ、共振
器長の変化に伴い発振波長が変化してしまう。
器長の変化に伴い発振波長が変化してしまう。
そこで、第10図のようにヒートシンクを設けることに
よって、半導体レーザの温度を一定に保ち、発振波長を
一定に保つことが可能となる。よって、光学系に色収差
の大きなグレーティングレンズが存在しても集光特性の
劣下を防ぐことができる。
よって、半導体レーザの温度を一定に保ち、発振波長を
一定に保つことが可能となる。よって、光学系に色収差
の大きなグレーティングレンズが存在しても集光特性の
劣下を防ぐことができる。
以上のような各光学素子を導波路基板上に一体集積化し
た例を第11図(a)に、浮上型光ヘッドとしての構成
例を第11図(b)に示す。図中、40はエア・スライ
ダ、50は光ディスク、10Oは光ビーム、200は導
波路型光ヘッド、201は2次元の導波器、220はグ
レーティングカプラ、230と231は導波路型の光検
出器、240は導波路内に形成された光源、250は導
波路型の光偏向器をそれぞれ表す。2次元導波路201
中に出射光がカップリングするように光源240を構威
し、その出射光束100を2次元・導波路201を介し
て導波路型光偏向器250に入射させ導波光の伝搬方向
を制御する。その後の光束100はまた二次元導波路2
01を通じて伝搬させ、導波路上に形成されたグレーテ
ィングカプラ220に入射させる。そしてこのグレーテ
ィングカプラ220により、導波モードを導波路外への
放射モードに変換し、光ディスク上に集光する。
た例を第11図(a)に、浮上型光ヘッドとしての構成
例を第11図(b)に示す。図中、40はエア・スライ
ダ、50は光ディスク、10Oは光ビーム、200は導
波路型光ヘッド、201は2次元の導波器、220はグ
レーティングカプラ、230と231は導波路型の光検
出器、240は導波路内に形成された光源、250は導
波路型の光偏向器をそれぞれ表す。2次元導波路201
中に出射光がカップリングするように光源240を構威
し、その出射光束100を2次元・導波路201を介し
て導波路型光偏向器250に入射させ導波光の伝搬方向
を制御する。その後の光束100はまた二次元導波路2
01を通じて伝搬させ、導波路上に形成されたグレーテ
ィングカプラ220に入射させる。そしてこのグレーテ
ィングカプラ220により、導波モードを導波路外への
放射モードに変換し、光ディスク上に集光する。
そして光ディスクからの反射光をグレーティングカプラ
220に戻し、このカプラにより今度は導波路型光検出
器230,231に集光させる。
220に戻し、このカプラにより今度は導波路型光検出
器230,231に集光させる。
以上のように集積化された導波路型光ヘッド200は第
11図(b)に示すようにエア・スライダ40に接着さ
れ、光ディスク50にグレーティングカプラ220から
の放射光が集光される。
11図(b)に示すようにエア・スライダ40に接着さ
れ、光ディスク50にグレーティングカプラ220から
の放射光が集光される。
次に、信号検出方式に関する第1の実施例を第12図に
示す0図中、10は光源、21と22は光検出器、30
はレンズ、40はエア・スライダ、51は光ディスクの
トラック溝、52はトラッキング方向、70は光偏向器
、Zoo、101、及び102は光ビームをそれぞれ示
す。レンズ3゜の機能としてグレーティングパターンの
重ねあわせ、あるいは両面グレーティングの技術を用い
て、集光機能とビームスプリッタの2つの機能をもたせ
る。光偏向器70により伝搬方向を制御された光ビーム
100はレンズ30の集光機能により、トラック1l1
51に集光される。その反射光は入射光路を戻り、レン
ズ30において今度はビームスプリッタの機能により光
ビーム101と102に分割され、それぞれ光検出器2
1.22に集光されて電気信号として読みだされる。2
つの光検出器21.22の出力の和から再生信号が得ら
れ、それらの差からトラッキング誤差が得られる。
示す0図中、10は光源、21と22は光検出器、30
はレンズ、40はエア・スライダ、51は光ディスクの
トラック溝、52はトラッキング方向、70は光偏向器
、Zoo、101、及び102は光ビームをそれぞれ示
す。レンズ3゜の機能としてグレーティングパターンの
重ねあわせ、あるいは両面グレーティングの技術を用い
て、集光機能とビームスプリッタの2つの機能をもたせ
る。光偏向器70により伝搬方向を制御された光ビーム
100はレンズ30の集光機能により、トラック1l1
51に集光される。その反射光は入射光路を戻り、レン
ズ30において今度はビームスプリッタの機能により光
ビーム101と102に分割され、それぞれ光検出器2
1.22に集光されて電気信号として読みだされる。2
つの光検出器21.22の出力の和から再生信号が得ら
れ、それらの差からトラッキング誤差が得られる。
信号検出方式の第2の例を第13図(a)。
(b)に示す。図中、10は光源、20は光検出器、3
0はレンズ、40はエア・スライダ、50は光ディスク
、5・1はトラック溝、52はトラッキング方向、70
は光偏向器、100と101は光ビームをそれぞれ示す
。光偏向器70により伝搬方向を制御された光束100
はレンズ30により光軸をはずされ、光ディスク50上
のトラック溝51に集光される。光軸をはずしているた
め反射光束101は、入射光路を戻らず光検出器20に
到達する。この時トラック溝51による回折光102は
、トラック溝51をはさんでトラッキング方向52の両
側に出射され(第13図(b))、それを二つに分割さ
れた光検出器20によってそれぞれ受光することにより
、読出し信号及びトラッキング信号を検出する。
0はレンズ、40はエア・スライダ、50は光ディスク
、5・1はトラック溝、52はトラッキング方向、70
は光偏向器、100と101は光ビームをそれぞれ示す
。光偏向器70により伝搬方向を制御された光束100
はレンズ30により光軸をはずされ、光ディスク50上
のトラック溝51に集光される。光軸をはずしているた
め反射光束101は、入射光路を戻らず光検出器20に
到達する。この時トラック溝51による回折光102は
、トラック溝51をはさんでトラッキング方向52の両
側に出射され(第13図(b))、それを二つに分割さ
れた光検出器20によってそれぞれ受光することにより
、読出し信号及びトラッキング信号を検出する。
第14図は本発明の浮上型光ヘッドを応用した光ディス
ク装置の概略構成図である。第14図において50は光
ディスク、300は光ヘッド、310はスピンドルモー
タ、320は制御回路をそれぞれ示す。光ディスク50
はスピンドルモータ310によって回転しており、光ヘ
ツド300は光ディスク50上に近接して浮上する。光
ヘツド300は光ディスク5o上を半径方向に移動して
所定のトラックにアクセスできる。制御回路320は光
ディスクへの信号の記録・再生・消去をするために信号
の符合化及びレーザの強度変調及びトラッキング制御の
ために光ヘツド内の光偏向器に指令信号を送る等のはた
らきをする。これによって、記録密度が高く、アクセス
時間の短い光ディスク装置を実現できる。
ク装置の概略構成図である。第14図において50は光
ディスク、300は光ヘッド、310はスピンドルモー
タ、320は制御回路をそれぞれ示す。光ディスク50
はスピンドルモータ310によって回転しており、光ヘ
ツド300は光ディスク50上に近接して浮上する。光
ヘツド300は光ディスク5o上を半径方向に移動して
所定のトラックにアクセスできる。制御回路320は光
ディスクへの信号の記録・再生・消去をするために信号
の符合化及びレーザの強度変調及びトラッキング制御の
ために光ヘツド内の光偏向器に指令信号を送る等のはた
らきをする。これによって、記録密度が高く、アクセス
時間の短い光ディスク装置を実現できる。
本発明によれば、2次元集光素子を設けたので、光ビー
ムを回折限界の円形スポットにまで集光でき、記録密度
を高めることができる。また、光源のスライダに設けら
れる位置が、スライダ下端ではなくなるため、ディスク
回転の失速時にスライダがディスク上に接触しても光源
自体が破壊される恐れが少ない。
ムを回折限界の円形スポットにまで集光でき、記録密度
を高めることができる。また、光源のスライダに設けら
れる位置が、スライダ下端ではなくなるため、ディスク
回転の失速時にスライダがディスク上に接触しても光源
自体が破壊される恐れが少ない。
また、光偏向手段を設けたのでビームを振るだけで良く
なり、従って、アクセス時間を短縮することができる。
なり、従って、アクセス時間を短縮することができる。
また、本発明に係るアクセス方法によれば、構造簡単に
してアクセス時間を短縮することができる。
してアクセス時間を短縮することができる。
本発明によれば、情報の記録密度を高め、かつアクセス
時間を短縮した光ディスク装置を実現できる。
時間を短縮した光ディスク装置を実現できる。
第1図は本発明の一実施例に係る光学系を示す概略構成
図であり、第1図(a)は要部側面図、同図(b)は要
部平面図、同図(c)は拡大側面図、第2図は従来の浮
上型光ヘッドの構成図であり、第2図(a)は斜視図、
同図(b)は要部拡大側面図、同図(c)は同図(b)
の要部拡大側面図で、第3図は屈折率分布を利用した導
波路型の光偏向器の動作原理図であり、同図(a)は電
位差ない場合、同図(b)は電位差ある場合、第4図は
−様な屈折率勾配のある導波路内に入射した拡散ビーム
の伝播の過程を計算した結果であり。 同図(a)は伝搬距離毎の光の振幅分布、同図(b)は
屈折率分布を示す図、第5図は光源の波長変動に対して
焦点位置変動の少ない薄膜レンズを用いた光ヘッドの構
成図、第6図(a)、(b)はトラッキング手段に光偏
向器を用いた光ヘッドの側面図及び平面図、第7図は本
発明の光ヘッドの光偏向器に好適な音響光学素子の概略
構成図。 第8図は本発明の浮上型光ヘッドに好適な多重量子井戸
構造をもつ光偏向器の断面図、第9図(a)はビーム偏
向機能を有するツインストライプ半導体レーザの斜視図
、第9図(b)はその光放射特性を示す図、第10図は
光源にヒートシンクを付加した浮上型光ヘッドの構成図
、第11図(a)は各光学素子を導波路基板上に一体集
積化した光ヘッドの実施例を表す概略構成図、第11図
(b)はそれをスライダに取り付けた状態の要部側面図
、第12図は信号検出方式に関する第1の実施例を示す
平面図、第13図(a)は信号検出方式に関する第2の
実施例を示す平面図、第13図(b)は同図(a)の要
部拡大図、第14図は本発明の浮上型光ヘッドを応用し
た光ディスク装置の概略斜視図をそれぞれ表す。 10・・・光源、20・・・光検出器、30・・・レン
ズ。 40・・・エア・スライダ、50・・・光ディスク、6
0・・・アーム、70・・・光偏向器、100・・・光
ビーム。 ga 1 図(0)
図であり、第1図(a)は要部側面図、同図(b)は要
部平面図、同図(c)は拡大側面図、第2図は従来の浮
上型光ヘッドの構成図であり、第2図(a)は斜視図、
同図(b)は要部拡大側面図、同図(c)は同図(b)
の要部拡大側面図で、第3図は屈折率分布を利用した導
波路型の光偏向器の動作原理図であり、同図(a)は電
位差ない場合、同図(b)は電位差ある場合、第4図は
−様な屈折率勾配のある導波路内に入射した拡散ビーム
の伝播の過程を計算した結果であり。 同図(a)は伝搬距離毎の光の振幅分布、同図(b)は
屈折率分布を示す図、第5図は光源の波長変動に対して
焦点位置変動の少ない薄膜レンズを用いた光ヘッドの構
成図、第6図(a)、(b)はトラッキング手段に光偏
向器を用いた光ヘッドの側面図及び平面図、第7図は本
発明の光ヘッドの光偏向器に好適な音響光学素子の概略
構成図。 第8図は本発明の浮上型光ヘッドに好適な多重量子井戸
構造をもつ光偏向器の断面図、第9図(a)はビーム偏
向機能を有するツインストライプ半導体レーザの斜視図
、第9図(b)はその光放射特性を示す図、第10図は
光源にヒートシンクを付加した浮上型光ヘッドの構成図
、第11図(a)は各光学素子を導波路基板上に一体集
積化した光ヘッドの実施例を表す概略構成図、第11図
(b)はそれをスライダに取り付けた状態の要部側面図
、第12図は信号検出方式に関する第1の実施例を示す
平面図、第13図(a)は信号検出方式に関する第2の
実施例を示す平面図、第13図(b)は同図(a)の要
部拡大図、第14図は本発明の浮上型光ヘッドを応用し
た光ディスク装置の概略斜視図をそれぞれ表す。 10・・・光源、20・・・光検出器、30・・・レン
ズ。 40・・・エア・スライダ、50・・・光ディスク、6
0・・・アーム、70・・・光偏向器、100・・・光
ビーム。 ga 1 図(0)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、光学的情報記録媒体に対して光を照射する光源と、
前記光学的情報記録媒体からの反射光を検知する光検出
器と、前記光源及び光検出器を前記光学的情報記録媒体
上に近接して浮上させるエア・スライダと、を備えた光
ヘッドにおいて、前記エア・スライダの、前記光源と前
記光学的情報記録媒体との間の光路上に、前記光源から
の出射光を集光して前記光学的情報記録媒体上に円形の
スポットを結ぶ2次元集光素子を設けたことを特徴とす
る光ヘッド。 2、光学的情報記録媒体に対して光を照射する光源と、
前記光学的情報記録媒体からの反射光を検知する光検出
器と、前記光源及び光検出器を前記光学的情報記録媒体
上に近接して浮上させるエア・スライダと、を備えた光
ヘッドにおいて、前記エア・スライダの、前記光源と前
記光学的情報記録媒体との間の光路上に、前記光源から
の出射光を集光して前記光学的情報記録媒体上に円形の
スポットを結ぶ2次元集光素子を設けると共に、前記光
源と前記光学的情報記録媒体との間の光路上に前記スポ
ットを前記光学的情報記録媒体の半径方向に振る光偏向
手段を設けたことを特徴とする光ヘッド。 3、請求項2において、前記光偏向手段は多重量子井戸
層を導波層とし、該多重量子井戸層より小さな屈折率を
有する第1、第2の半導体層をクラッド層として、それ
ぞれ該多重量子井戸層の積層方向に上下に接して設け、
前記第1の半導体層上にゲート電極、ソース電極、及び
ドレイン電極を形成し、前記多重量子井戸層をチャネル
とした電界効果トランジスタである光ヘッド。 4、請求項1又は2において、前記光源から前記光学的
情報記録媒体へ向かう光路と、該光学的情報記録媒体か
ら前記光検出器に向かう光路を分離する手段を有する光
ヘッド。 5、請求項1又は2において、前記2次元集光素子は少
なくとも1枚以上の回折型レンズである光ヘッド。 6、請求項1において、前記光源は半導体レーザであり
、該半導体レーザは少なくとも2つ以上の活性層と、こ
の活性層の積層方向に平行な少なくとも2つ以上の電極
を有し、前記2つの電極に流す電流の大きさを変えるこ
とによって光ビームを偏向し得るものである光ヘッド。 7、請求項1〜6のいずれかにおいて、前記光源に発光
部位の温度を一定に保持するヒートシンクを設けた光ヘ
ッド。 8、請求項1〜6のいずれかにおいて、前記光源、光検
出器、光偏向手段及び2次元集光素子は導波路内に一体
形成されている光ヘッド。 9、2次元集光素子により光源から照射された光を集光
して光学的情報記録媒体上に円形のスポットを結ぶ工程
と、光偏向手段により前記スポットを所望のデータエリ
アにアクセスする工程と、光検出器により前記所望のデ
ータエリアから反射光を検知する工程と、を含む光学的
情報記録媒体のアクセス方法。 10、光ディスク、該ディスクの回転手段、前記光ディ
スクに対して情報の書き込み、消去或は再生を行う光ヘ
ッド及び該光ヘッドの制御手段を具備する光ディスク装
置において、前記光ヘッドは請求項1〜9のいずれかの
光ヘッドであることを特徴とする光ディスク装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1204394A JPH0369032A (ja) | 1989-08-07 | 1989-08-07 | 光ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1204394A JPH0369032A (ja) | 1989-08-07 | 1989-08-07 | 光ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0369032A true JPH0369032A (ja) | 1991-03-25 |
Family
ID=16489817
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1204394A Pending JPH0369032A (ja) | 1989-08-07 | 1989-08-07 | 光ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0369032A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7069569B2 (en) * | 2000-02-01 | 2006-06-27 | Research Investment Network, Inc. | Near-field optical head system with integrated slider and laser |
| JP2007517194A (ja) * | 2003-12-05 | 2007-06-28 | アルファ イーエックスエックス エービー | 測定装置 |
-
1989
- 1989-08-07 JP JP1204394A patent/JPH0369032A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7069569B2 (en) * | 2000-02-01 | 2006-06-27 | Research Investment Network, Inc. | Near-field optical head system with integrated slider and laser |
| JP2007517194A (ja) * | 2003-12-05 | 2007-06-28 | アルファ イーエックスエックス エービー | 測定装置 |
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