JPH0355859A

JPH0355859A - 半導体ダイボンディング方法

Info

Publication number: JPH0355859A
Application number: JP2186962A
Authority: JP
Inventors: Jon M Long; ジョン・エム・ロング; Michael J Steidl; マイケル・ジェイ・ステイドゥル
Original assignee: LSI Corp; LSI Logic Corp
Current assignee: LSI Corp
Priority date: 1989-07-14
Filing date: 1990-07-13
Publication date: 1991-03-11
Anticipated expiration: 2015-07-24
Also published as: EP0408101A2; JP3068162B2; US5023202A; EP0408101A3

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［発明の目的］〈産業上の利用分野〉本発明は集積回路のパッケージングの分野に関し、特に
テープパッケージ式集積回路の製造方法及び装置に関す
る。

〈従来の技術〉テープ自動ボンデｆング（ＴＡＢ）は集積回路ダイをそ
の電気的リードに取付けるための周知方法である。ＴＡ
Ｂは、その上に銅トレース（ｔｒａｃｅ）（通常は金め
つきまたははんだめっき）を形成したカブトン（　Ｋａ
ｐｔｏｎ）のフレキシブルテープからなるストリップに
個々のダイを（一般にエボキシ系接着剤で）取付ける過
程を含む。前記ダイ上のボンディングバッドは、直接に
（Ｂ−ＴＡＢと称する）またはボンディングパッド上に
金のバンプ（ｂｕｍｐ）を用いることによって（ＴＡＢ
）銅トレースに接着される。次に、前記ダイをカプセル
封じ（即ちパッケージ化）し、前記テープ上のトレース
が後で集積回路の使用者が電気的に連絡するためのリー
ドとして機能するように、前記ダイをカプセル封じ（即
ちパッケージ化）し、前記テープから切取る。従って、
一般的なＤＩＰパッケージと異なり、硬い金属リードは
全く設けられない。

このテープは、一般にその上に厚さ０．００４ｍａ＋　
（１．　　５ｍｉｌ　）の銅トレースを有する厚さ０．
１　３ｎ＋ｍ　（５ｇｍｉｌ　）のカプトンである。こ
のテープは非常に柔軟で構造的な強度を全く持たない。

このテープは一般にリール上に設けられており、かつリ
ール上にある状態からそのような形状（即ちカール状）
になってしまうので、該テープを平坦にしてダイを適当
に接着することが困難である。

このため、ダイに割れが生じ易く、または前記カール状
のためにダイか「飛び出す」ことになる。

リードの数が２０本またはそれ以下の少ない簡単な集積
回路については、前記テープが後の処理に於てダイを取
付けた状態でオープンリール式に扱われている。このよ
うな手法は、より多くのリードを有する大型のより複雑
なダイについては、周知の方法を用いて前記テープを十
分平坦にかつ真直に保持することができないので適当で
はない。

従って、リードの数が多いダイについては、従来″技術
では、一般に前記カブトンテープをそれぞれに３個また
は４個のダイのみを収容するのに十分な程度の短い長さ
のストリップに切断する。

〈発明が解決しようとする課題〉別の従来方法では、前記テープをそれぞれに１個のダイ
のみに十分な程度の非常に短いストリップに切断し、か
つ後の取扱い（即ちテープをダイに接着する）のための
小さいプラスチック製フレームである単一のスライド式
キャリアに前記テープの短いストリップを取付ける。こ
の方法の第１の問題は、前記プラスチック製フレームが
導電性でなく、それによってずでにダイに接着されてい
るテープ上のリードが互いに短絡されず、静電気が容易
にダイを損傷するという意味でＥＳＤ　（静電放電）の
問題を生じる。

このスライド式キャリアは更に、使用者がはんだ付け可
能であるようにリードをはんだ電気めつき浴内でめっき
しなければならないが、プラスチック製スライド式キャ
リアは電気めっき浴に暴露されることによって軟化しか
つ損傷するという欠点がある。

従来技術の別の欠点は、上述したように、前記テープが
通常はんだめっきまたは金めっきされたトレースを有す
る状態で供給されることである。

金めっきリードは一般にワイヤボンディングまたは熱圧
着に使用される。はんだ（即ち錫と鉛）めっきリードは
一般にダイへの金共晶接着に使用される。はんだめっき
型テープの上に金がある場合には、はんだの中で好まし
くない金の脆化が生じ、後の処理に於ける熱サイクルに
よって脆化による接着し損いが生じる。

比較的簡単なＩＣについてリードの数が少ないパッケー
ジに使用されているような従来のＴＡＢボンディングで
は、テープ上の銅トレースの内端部が前記ダイ上の各ボ
ンディングパッドにある金めつき「バンプ」に直接接着
される。銅トレースは、熱圧着または金一錫（即ちはん
だ）共品方法によって前記バンプに接着される。銅トレ
ース上の銀めっきによってダイ上の金めつきバンプへの
接着が強化される。

ＶＬＳ　Ｉを目的とする（即ちリードの数の多いパッケ
ージ）別の周知のボンディング方法は、上述したのと同
じ種類のテープを使用するが、ダイ結合パッドを銅トレ
ースに直接ではなくワイヤボンドによって取付ける。こ
の方法では、非常に短いアルミニウムまたは金のワイヤ
を、一端に於て前記ダイ上の結合パッドに、かつその他
端に於て前記テープ上の銅トレースの内端に取付ける。

このワイヤは、通常熱圧着、超音波溶接、または、熱音
波溶接によって取付けられる。

また、従来技術では、リードフレームが知られている。

リードフレームは、半導体パッケージングのカプセル封
じ段階に於て金属リードを所定位置に保持する犠牲金属
部材である。このリードフレームは、パッケージングの
終了後に切断されて廃棄されるが、パッケージングの際
の取扱い性を向上させる機能をもつ。リードフレームは
、従来よりテープパッケージングと共に用いられてはい
ないが、これはテープ自体がトレースを所定位置に保持
するものだからである。

［発明の構成コ〈課題を解決するための手段〉本発明は、半導体ダイのテープパッテージングのための
改良された方法である。この方法は、各工程に於てダイ
ーテーブアセンブリに機械的な支持と電気的な接地との
双方を提供するように、リードフレームと類似の材料で
形或されたストリップキャリアと呼ばれる金属ストリッ
プを使用する。

本発明の好適実施例による方法は、以下の各工程を有す
る。

（１）一般に４個乃至６個のダイのための大きさを有し
、２０．３ｃｍ（８インチ）の長さを有するＴＡＢテー
プのストリップを提供し、かつ前記テープ上の特に設け
られた銅領域をストリップキャリアにスポット溶接する
。前記ストリップキャリアは、好適には前記テープより
僅かに長くかつ幅広の薄い矩形の銅であり、かつ幾つか
の矩形切抜き部（１個の切抜きが各ダイに対応する）を
有する。

（２）本発明のワイヤボンディングの実施例では、エボ
キシ系接着剤のような従来手段を用いて、既に前記スト
リップキャリアにスポット溶接されている前記テープに
前記ダイを取付ける。

（３）このようなアセンブリ全体をオーブン内に配置し
て、前記ダイを前記テープに取付けるために使用された
前記エポキシ系接着剤を硬化させる。

（４）従来のワイヤボンディング手段を川いて前記ダイ
のボンディングパッドを各ダイ毎に前記テープ上の前記
トレースにワイヤボンデイングする。

（５）各ダイ毎に前記テープ上のパッケージ（即ちハウ
ジング）を組立て、かつ該プラスチックパッケージを硬
化させる。

（６）アセンブリ全体をはんだ電気めつき浴内に配置す
ることによって、前記テープのトレース上にはんだをめ
っきする。

（７）各パッケージダイを前記ストリップキャリアから
切り取る。

（８）各パッケッージダイを従来手段によって試験する
。

これに代えて、従来のＴＡＢアセンブリの実施例では、
上記過程（２）〜（４）を省略し、かつダイ上のボンデ
ィングパッドを被覆する金バンプにテープのトレースを
接着する過程に置き換える。

次に前記過程（５）以下の各工程を続ける。

〈実施例〉本発明の好適な実施例に於けるストリップキャリアは、
一般に（必然的ではないが）従来のリードフレームマガ
ジンに容易に保持し得るような長さである約１８〜２３
ｃｍ（約７〜９インチ）の長さを有し、かつ一般的な４
８１１１幅のＴＡＢテープより僅かに幅広であるように
、一般に約６０ｍｍの幅を有する第１図に示されるよう
なストリップ１０である。この幅は、３５ｍｍ，　７０
ｍｍ，または１０５ｍｍのＴＡＢテープの幅よりも幅広
に（約１０＋＋＋ｎ＋）することができ、または他の適
当な幅とすることができる。これらの寸法は本発明にと
って本質的な要素ではない。

前記ストリップキャリア１０は、一般的に金属でありか
つ銅であると好適な導電性材料によって、好適には約０
．　　１　５ｇ＋＋ｓ〜０．　　３８＋＋＋ｍ　（６　
〜１　５ｍｌ！）の厚さで形成される。この厚さは良好
な機械的剛性を得るのに十分である。

この好適実施例では、ストリップキャリア１０が、以下
に説明するようにパッケージダイを切り取ることができ
るように、それぞれに約．３８ｃｍ角（約１・／２イン
チ角）のような適当な寸法を有する幾つかの矩形切抜き
１２Ａ，１２Ｂを有する。

本実施例では、４個乃至６個の切抜き領域１２Ａ，１２
Ｂが設けられ（第１図には４個が示されている）、それ
と同数のダイを収容するようになっている。

ストリップキャリア１０の側辺部１３Ａ，１３Ｂは、切
抜き領域１２Ａ、１２Ｂを越えて延在し、かつ取扱い時
に前記側辺部に沿ってストリップキャリア１５を把持す
るための余裕を設け、かつ後でストリップキャリア１０
自体と接触するような切断ブレード無しに前記テープを
切り取ることができるように十分な幅を有する。

ストリップキャリア１０は、好適には側辺部１３Ａ，１
３Ｂに孔１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃを有すると好都合であ
る。孔１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃは、自動装置による取扱
い及び処理に使用される様々な部品と整合させるために
様々に配置されている。

これらの孔のパターンは使用される部品及び装置に従っ
て決定される。

本発明に・よる方法の第１ステップでは、ＴＡＢテープ
のストリップを上述したストリップキャリア１０にスポ
ット溶接する。ＴＡＢテープ２０（第２図に示されるス
トリップ）は、ポリイミド製のテープ支持体上に押着さ
れた銅トレース（リードと称される）からなる繰り返し
パターン２１Ａ，２１Ｂを有する従来技術に於て使用さ
れるものに類似しているが、従来技術とは、前記トレー
スの各パターン２１Ａ，２１Ｂ間に、好適には各パター
ン２２Ａ，２２Ｂの全幅に亘って延在しかつテープの厚
さを貫通して延びる銅の幅広のストライプ２２Ａ、２２
Ｂが追加して設けられている点が異なる。この幅広スト
ライプ２２Ａ，２２Ｂは、前記トレースのパターン２１
Ａ，２１Ｂがテ−ブ２０上に押着される際にテープの製
造者によって設けられる。

また、ＴＡＢテープ２０上の銅パターン２１Ａ１２１Ｂ
は、テープ２０がストリップキャリア１０にスポット溶
接されると、各トレース２３Ａ、２３Ｂが図示されない
ストリップキャリアに電気的に短絡される（即ち接続さ
れる）という点に於て従来技術のものと異なる。この電
気的短絡は、トレース２３Ａ，２３Ｂがテープ２０上の
一方の幅広銅ストライブ２２Ａに直接に、またはストラ
イブ２２Ａ，２２Ｂと接触する狭輻の側部ストライプ２
４Ａ，２４Ｂによって接触するように、テープ２０上の
トレース２３Ａ，２３Ｂをパターン形成することによっ
て達成される。狭幅側部ストライプ２４Ａ，２４Ｂは、
テーブ２４を貫通させる必要がない。この電気的短絡に
よって、テープ２０に取付けられるべきダイがＥＳＤか
ら保護される。テープ２０上の銅トレースのパターンは
、通常金めっきまたははんだめっきされている。テープ
２０はダイ領域２５Ａ，．２５Ｂを有する。

スポット溶接処理に於ては、ストリップキャリア１０よ
り僅かに短いテープのストリップがス１・リップキャリ
アの上に配置される。このストリップキャリアは、好適
には幾つかの位置決めピン３ＩＡ，３１Ｂをその縁部に
有する部品３０（第３図参照）に保持される。これのビ
ン３１Ａ，３１Ｂは、第１図に示されるようなストリッ
プキャリア１０の側辺部のアライメント孔に適合する。

次に、半導体の製造に於てリードフレーム２の溶接に一
般に使用されているスポット溶接機をテープ２０上の広
幅銅ストライプ２２Ａ、２２Ｂ（第２図参照）に使用し
、前記溶接機からの熱によって広幅銅ストライプ領域を
銅ストリップキャリアに溶接する。

この銅テープは、スポット溶接によってストリップキャ
リアに確実に固定されている眼り、第２図に示されるよ
りも広幅ストリップ２２Ａ，２２Ｂの数を少なくするこ
とができることに注意すべきである。スポット溶接以外
の取付け手段（即ち、小形リベットまたは適当な導電性
接着剤若しくは他の適当な手段）を代わりに用いて、前
記テープを前記ストリップキャリアに取り付けることが
できる。しかしながら、銅を銅に溶接するスポット溶接
の利点は、これによってテープのトＬノース（テープ上
の広幅ストライプに電気的に接続されている）とストリ
ップキャリアとの間にＥＳＤを目的として良好な電気的
接続が得られることである。

本発明のワイヤボンディングの実施例に於ける次のステ
ップでは、第４図に示されるような半導体４０Ａ．、４
０Ｂを、導電性エボキシ系接着剤のような通常の手段に
よってストリップキャリア１０に取り付けられているテ
ープ２０上に設けられているダイ領域２５Ａ、２５Ｂに
取り付ける。

次に、第４図に示されるアセンブリ全体を、エボキシ系
接着剤の従来の熱硬化用オーブン内に配置する。この時
点に於て、一般のリール上に供給されるテープは巻き上
がる傾向はあり、かつこれが生じると従来の硬化過程に
於てダイ４０Ａ，４０Ｂが飛び出すことになるので、こ
のストリップキャリア１０の１９の利点が最初に作用す
る。ストリップキャリア１０はテープ２０を概ね平坦に
維持し、かつダイか飛び出すのを防止する。

次のステップは、ダイ４ＯＡ，４０Ｂ上のコンタクトパ
ッドをテープ２０の前記トレースにワイヤボンディング
することである。従来のワイヤボンディング装置及び方
法が、リードフレームへのダイの従来のワイヤボンディ
ングと同様に使用される。ワイヤボンドが第４図に符号
２６を付して例示されでいる。

ストリップキャリア１０は、或る範囲の幅のテープ２０
に取付けることができるので、１９の幅のストリップキ
ャリア１０を取扱うように設定される１９の従来のボン
ディング装置によって、或る範囲の幅を有するテープ２
０をダイ４０Ａ，４０Ｂにワイヤボンディングすること
ができる。これは、異なるリードフレームの幅について
は異なるワイヤボンディング装置の設定が必要である従
来のワイヤボンディングに対する重大な改良点である。

従って、本発明は、従来技術と対照的にストリップキャ
リアがワイヤボンディング設備を処理のために設定する
機構の一部分であることから、異なる数のリードを有す
る或る範囲のパッケージをワイヤボンディング装置によ
って処理できるようになる。

ボンディングの後の次のステップは、各ダイ４０、４０
Ｂのパッケージングである。本発明は、従来のトランス
ファ成形パッヶージング及び従来の予備成形バッケージ
ングの双方に適合する。トランスファ成形では、通常の
プラスチックパッケージが直接ダイの上に溶融プラスチ
ックから成形される。予備成形バッケージングでは、パ
ッケージが別個に成形されかっダイに当てがわれ、液状
エポキシを用いてダイの周囲をシールする。両成形方法
は、従来技術に於て周知である。本発明によれば、ダイ
か未だストリップキャリア１ｏ上にある間に成形パッケ
ージ（どのように成形されていても）をダイに適用する
。パッケージ後のダイか第５図に示されており、ストリ
ップキャリア１０及びテープ２　０　１に於て、プラス
チック成形パッケージ５０Ａ．５０Ｂがダイ（図示せず
）とワイヤボンドと端部とを除くトレース２３Ａ、２３
Ｂの全体を被覆している。

次のステップは、依然としてストリップキャリア１０上
に溶接されているテープ２０上の露出トレース２３Ａ，
２３Ｂのはんだめっきである。本発明によれば、本発明
の方法に於’ｃｉ−・−プ２０がストリップキャリア１
０に取付けられていることによりテープ２０の剛性が強
化されたことによって、パッケージングの後にトレ・−
ス２３Ａ，２３Ｂのはんだめっきが可能となっでいる。

このパッケ・−〉ング後にめっき処理することによって
、めっき処理によってダイを損傷することがない。

このめっき処理は、従来の浸漬めっき法によって第５図
のストリップキャリアダイアセンブリの１二に約１０μ
ｍの厚さの銀層を設ける。銀は、テープの１・レース上
にある金の上にではなく、ストリップキャリア１０の銅
の上にのみ選択的にめっきされる。次に、約４０μｍ乃
至約１００μｍのニッケル層を前記アセンブリの全露出
導電要素部分上に電気めっきする。従って、銅ストリッ
プキャリア１０は、その上にニッケル層を有する銀層を
有し、かつテープ１０の露出トレースが金の上にニッケ
ル層を有する。これら２層（銀とニッケル）の目的は、
上述したように後でめっきを除去できるようにすること
である。

銀及びニッケルめっきの後、次に前記アセンブリ全体に
従来方法によってはんだを電気めっきする。はんだめっ
きの目的はテープ２０上のトレース２３Ａ，２３Ｂの外
側露出端部をはんだめっきすることであり、それによっ
て上述したように使用者がリード２３Ａ、２３Ｂを容易
にはんだ付けすることができる。

前記アセンブリ全体が、それぞれに腐食性を有するめっ
き浴を有する前記めっき工程に暴露されているので、ダ
イパッケージ５０Ａ，５０Ｂは、前記ダイをめっき浴の
暴露から完全に保護されるように適当にシールされかつ
十分に頑丈でなければならない。

これに対する別の方法は、銀めっきする前に前記テープ
から金層から剥離し、次に銀をめっきし、かつはんだを
めっきすることである。

次に、パッケージダイ及びその周囲にあるテープ領域を
従来のＴＡＢ切断装置によって萌記ストリップキャリア
から切り取る。上述したように、ストリップキャリア１
０内の矩形の切抜き１２Ａ１１２Ｂ（第１図参照）は、
切断ブレードが第５図に於けるテーブ２０のみを切断し
てストリップキャリア１０に接触しないように十分に大
きい。各矩形切抜きの縁部と切断ブレードとの間には、
約０．７６關（０．０３０インチ■）の十分な間隙があ
る。前記切断装置は、切断操作の際にストリップキャリ
ア１０を固定し得るようにその縁部を把持する。

この時点に於て、第６図に示されるように取り付けられ
た各パッケージダイ及びテープユニ・ソト６０が集積回
路であり、かつ従来と同様に処理される。各パッケージ
ダイ６０は図示されない従来のスライド式キャリア上に
配置すると好都合である。次に、前記スライドキャリア
との集積回路完成品６０に従来の最終試験を行う。前記
集積回路はこの試験に合格すると、前記スライドキャリ
アから取り外されて従来通りプリント回路基板上に装着
される。

スポット溶接されたテープ２０の部分を有用しかつめっ
きされている第７図に示されるストリップキャリア１０
は再使用することができる。従来手段によってはんだめ
っき、ニッケルめっき、銀めっきが取り除かれる。銀は
、銅と電気化学的結合を有しないので、銀めっき層によ
って摩耗によるストリッピングが容易になる。テープ２
０の残存片は、ピーリングによって銀と共にかえりを除
去しつつストリップキャリア１０から除去される。

このように、ストリップキャリア１０は、十述したよう
に別の集積回路リードボンデイング及びパッケージング
のために再使用される。

第８図に示される本発明の別の実施例は、各トレースの
外側部分８１Ａ，８１Ｂがめつきされない銅のみであり
、かつ内側部分８３Ａ、８３Ｂが従来の銅上にめっきさ
れた金であるような特別なＴＡＢテープ８０を使用する
。この場合、めっき処理に於てトレース上の金を被覆す
る必要がないので、ニッケルめっき工程が削除される。

これは、露出している金が好ましくないはんだの脆化の
原因となるからである。

本発明の別の実施例（図示せず）では、ダイ上の「バン
プ」コンタクトパッドがテープ上の金コンタクトフィン
ガに整列する（即ち、「フィンガーダイーバンプボンデ
ィング」）ような上述したように周知のＴＡＢボンディ
ングを使用する。この型式のボンディングでは、金フィ
ンガーバンプボンディングによってテープのリードがダ
イに接着され、ダイかテープに接着されるので、ダイ取
付けステップがない。キャリアストリップは、次の各ス
テップを用いることによってこの従来のＴＡＢボンディ
ング方法に於て使用される。

（１）上述したようにストリップキャリアにテープをス
ポット溶接する。

（２）金めつきダイボディングパッドによってダイをＴ
ＡＢボンディングの１ステップに於て従来通りテープ上
の金めつきフィンガーリードに取り付ける。

（３）上述したように、各ダイにパッケージを組立て、
かつ上述した実施例と同様に他のステップに従って処理
する。

更に別の実施例では、テープの長いストリップをストリ
ップキャリアにスポット溶接する代わりに、唯１個のダ
イに十分な長さの短いストリップをストリップキャリア
にスポット溶接する。従って、後の処理に於てテープの
巻き上がる性質が一層改善されて．テープがより確実に
平坦な状態に維持される。

上述した実施例は単なる例示であって、本発明の技術的
範囲を制限するちのではない。また、当業者にと・〕で
は、明らかなように、上述した実施例に様々な変形・変
更を加えることができる。

［発明の効果ｊ本発明は従来技術に対１，て次のような利点を有す゜る
。

ａ．ストリップキャリアがテープのストリップに剛性を
持たせることによって、自動化装置によって容易に取扱
い、かつ従来のマガジン取り付けまたは取り外すことが
できるので、より自動化し易くなる。

ｂ．ストリップキャリア自体が現在、リードフレームを
取扱うために使用されている既存の設備に対して取扱い
が容易になる。

Ｃ．ストリップキャリアが導電性を有し、テープ上の各
トレースは、ストリップキャリアと電気的に接触する。

従って、各ダイのリードがストリップキャリアに短絡さ
れて、ダイへの静電気による損傷が防止される。

ｄ，リールに取り付けられたダイ付きのテープを取扱う
必要がない代わりに、短いより簡便なストリップが取扱
われる。

ｅ．ストリップキャリアが金属であるのではんだめっき
浴への浸漬によって損傷しない。

ｆ．ストリップキャリアは薄い金属のストリップである
ので、各処理工程の高温サイクルに於て好適に平坦な状
態を保持する。

ｇ．ストリップキャリアは再使用可能であり、従って低
廉である。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の１実施例に於て使用されるストリッ
プキャリア゛を示す平面図である。第２図は、本発明の１実施例に於て使用されるテープの
ストリップを示す平面図である。第３図は、本発明によるスポット溶接用部品を示す概略
斜視図である。第４図は、本発明に従って取り付けられたテープを示す
平聞図である。第５図は、本発明によるテープ」二のパッケージダイを
示す平面図である。第６図は、切り取られたパッケージダイを示す平面図で
ある。第７図は、パッケージダイを切り取った後のストリップ
キャリアを示す平面図である。第８図は、本発明による別の実施例のテープを示す平面
図である。１０・・・ストリップキャリア１２Ａ，１２Ｂ・・・切抜き１３Ａ，１３Ｂ・・・側辺部１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ・・・孔２０・・・ＴＡＢテープ２１Ａ，２１Ｂ・・・トレースパターン２２Ａ，２２Ｂ
・・・ストライプ２３Ａ，２３Ｂ・・・トレース２４Ａ，２Ｂ・・・側部ストライプ２５Ａ，２５Ｃ・・・ダイ領域３０・・・部品３１Ａ，３１Ｂ・・・位置決めピン４ＯＡ，４０Ｂ・・・半導体ダイ２６・・・ワイヤボンド５０Ａ，５０Ｂ・・・ダイパッケージ８０・・・ＴＡＢテープ８１Ａ、８１Ｂ・・・トレース外側部分８３Ａ、８３Ｂ
・・・トレース内側部分（じ１下金白）ＦＩＣ、３

Claims

【特許請求の範囲】

（１）リードを有するテープに半導体ダイを接着する方
法であって、前記テープをストリップキャリアに取付ける過程と、前記ダイを前記テープのリードに接着する過程とからな
ることを特徴とする半導体ダイボンディング方法。
（２）前記テープ取付け過程が、前記テープ上の金属領
域を前記ストリップキャリア上の金属領域に結合させる
過程からなることを特徴とする第１請求項に記載の半導
体ダイボンディング方法。
（３）前記テープ取付け過程が、前記テープを前記トス
リップキャリアにスポット溶接する過程からなることを
特徴とする第１請求項に記載の半導体ダイボンディング
方法。
（４）前記テープ取付け過程の後に、前記半導体ダイを
前記テープに取付ける過程を更に含むことを特徴とする
第１請求項に記載の半導体ダイボンディング方法。
（５）前記ダイ接着過程の後に、前記ダイをパッケージ
内にカプセル封じする組立て過程を更に含むことを特徴
とする第１請求項に記載の半導体ダイボンディング方法
。
（６）前記パッケージ組立て過程の後に、前記パッケー
ジを硬化させる過程を更に含むことを特徴とする第５請
求項に記載の半導体ダイボンディング方法。
（７）前記パッケージ硬化過程の後に、前記テープのリ
ード上にはんだをめっきする過程を更に含むことを特徴
とする第６請求項に記載の半導体ダイボンディング方法
。
（８）前記はんだめっき過程の後に、前記ストリップキ
ャリアから前記ダイを切り取る過程を更に含むことを特
徴とする第７請求項に記載の半導体ダイボンディング方
法。
（９）前記ストリップキャリアが導電材料からなること
を特徴とする第１請求項に記載の半導体ダイボンディン
グ方法。
（１０）前記ストリップキャリアが実質的に金属からな
ることを特徴とする第１請求項に記載の半導体ダイボン
ディング方法。
（１１）前記ストリップキャリアが実質的に銅からなる
ことを特徴とする第１請求項に記載の半導体ダイボンデ
ィング方法。
（１２）前記ダイ接着過程に於て、前記テープが前記ス
トリップキャリアによって支持されることを特徴とする
第１請求項に記載の半導体ダイボンディング方法。
（１３）前記ストリップキャリアが矩形形状をなし、か
つ前記テープが前記ストリップキャリアの両側部に於て
前記ダイに結合されることを特徴とする第２請求項に記
載の半導体ダイボンディング方法。
（１４）前記テープがその上に導電性材料で形成された
少なくとも２つの取付領域を有し、かつ前記テープが前
記取付領域に於て前記ストリップキャリアに結合される
ことを特徴とする第２請求項に記載の半導体ダイボンデ
ィング方法。
（１５）前記ストリップキャリアが少なくともその一側
部に沿ってアライメント孔を有することを特徴とする第
１請求項に記載の半導体ダイボンディング方法。
（１６）前記ダイ接着過程がテープ自動ボンディングか
らなることを特徴とする第１請求項に記載の半導体ダイ
ボンディング方法。
（１７）前記ダイ接着過程がワイヤボンディングからな
ることを特徴とする第１請求項に記載の半導体ダイボン
ディング方法。
（１８）前記ダイ接着過程がフィンガ対バンプテープ自
動ボンディングからなることを特徴とする第１請求項に
記載の半導体ダイボンディング方法。
（１９）前記ダイ接着過程が、前記ダイを前記テープに
取付ける過程からなることを特徴とする第１請求項に記
載の半導体ダイボンディング方法。
（２０）複数のダイを前記テープのリードに接着する過
程を更に含むことを特徴とする第１請求項に記載の半導
体ダイボンディング方法。
（２１）前記ストリップキャリアが、半導体処理用マガ
ジンに適合し得るような寸法を有することを特徴とする
第１請求項に記載の半導体ダイボンディング方法。
（２２）前記ストリップキャリアが、少なくとも１個の
切抜き部分を有することを特徴とする第１請求項に記載
の半導体ダイボンディング方法。
（２３）前記ストリップキャリアが、約４５ｍｍ乃至約
１１５ｍｍの範囲内の幅を有することを特徴とする第１
請求項に記載の半導体ダイボンディング方法。
（２４）前記ストリップキャリアが、約０．１ｍｍ乃至
約０．４ｍｍの範囲内の厚さを有することを特徴とする
第１請求項に記載の半導体ダイボンディング方法。
（２５）前記ストリップキャリアが、機械的剛性を維持
し得る程度に薄い厚さを有することを特徴とする第１請
求項に記載の半導体ダイボンディング方法。
（２６）前記切取り過程の後に前記ストリップキャリヤ
を再使用し得るように、前記ストリップキャリアから前
記はんだめっき及びテープを除去する過程を更に含むこ
とを特徴とする第８請求項に記載の半導体ダイボンディ
ング方法。
（２７）前記はんだめっき過程の前に、前記ストリップ
キャリア上に銀をめっきし、かつ前記銀めっきの上にニ
ッケルをめっきする過程を更に含むことを特徴とする第
７請求項に記載の半導体ダイボンディング方法。
（２８）前記リードの内側部分のみが金めっきされるこ
とを特徴とする第１請求項に記載の半導体ダイボンディ
ング方法。
（２９）少なくとも１個の集積回路ダイを固定し得るテ
ープを取付けるためのストリップキャリアであって、前記ダイを適合させる少なくとも１個の切抜き領域を郭
定する導電材料の剛性シート材からなることを特徴とす
るテープ取付け用ストリップキャリア。
（３０）前記ストリップキャリアが、複数の幅を有する
テープを取付けることができるような幅を有することを
特徴とする第４請求項に記載の半導体ダイボンディング
方法。
（３１）集積回路ダイのリードと電気的に接触させ得る
導電パターンをその上に形成した集積回路ボンディング
テープであって、テープ基体と、前記テープ基体の第１表面上に形成される前記集積回路
ダイに電気的に接触させるための或るパターンの導電ト
レースと、前記テープ基体の前記第１表面上に形成され、前記導電
トレースと電気的に接触し、かつ前記テープ基体を貫通
して該テープ基体の第２表面まで延長する導電領域とを
有することを特徴とする集積回路ボンディングテープ。