JPH0356066Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0356066Y2 JPH0356066Y2 JP10073685U JP10073685U JPH0356066Y2 JP H0356066 Y2 JPH0356066 Y2 JP H0356066Y2 JP 10073685 U JP10073685 U JP 10073685U JP 10073685 U JP10073685 U JP 10073685U JP H0356066 Y2 JPH0356066 Y2 JP H0356066Y2
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- JP
- Japan
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- layer
- dyne
- substrate
- stress
- wrapping
- Prior art date
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- Expired
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 claims 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
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Description
【考案の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本考案は半導体レーザに関する。
(ロ) 従来の技術
第３図は従来の半導体レーザを示し、１はＰ型
GaAsからなる層厚100μmの基板、２はｎ型
GaAsからなる層厚1.2μmの電流狭窄層であり、
該狭窄層にはその表面より基板１に達するＶ字型
の溝が形成される。３〜６は上記電流狭窄層２上
に順次積層されたｐ型Ga0.5Al0.5Asからなる第１
クラツド層、ノンドープGa0.8Al0.2Asからなる活
性層、Ga0.5Al0.5Asからなる第２クラツド層及び
ｎ型GaAsからなるキヤツプ層であり、上記各層
は夫々0.2μm、0.1μm、1.5μm及び2μmの層厚を
有する。７，８は夫々基板１裏面及びキヤツプ層
６表面に形成された第１、第２電極である。
GaAsからなる層厚100μmの基板、２はｎ型
GaAsからなる層厚1.2μmの電流狭窄層であり、
該狭窄層にはその表面より基板１に達するＶ字型
の溝が形成される。３〜６は上記電流狭窄層２上
に順次積層されたｐ型Ga0.5Al0.5Asからなる第１
クラツド層、ノンドープGa0.8Al0.2Asからなる活
性層、Ga0.5Al0.5Asからなる第２クラツド層及び
ｎ型GaAsからなるキヤツプ層であり、上記各層
は夫々0.2μm、0.1μm、1.5μm及び2μmの層厚を
有する。７，８は夫々基板１裏面及びキヤツプ層
６表面に形成された第１、第２電極である。
(ハ) 考案が解決しようとする問題点
然るに、このような半導体レーザではアイイー
イーイー，ジヤーナル・オブ・カンタム・エレク
トロニクス（IEEE，Journal of Qumtum
Electronics），Vol.QE−17，No.5，ppr763
（1981）に報告されているように各層の組成の違
いにより内部応力が発生し、劣化の原因となる。
具体的には、上記活性層４等の積層層、第１電極
７及び第２電極８には夫々、5.0×107Dyne／cm2
の圧縮応力、1.5×107Dyne／cm2の圧縮応力及び
3.0×107Dyne／cm2のの引張応力が発生し、全体
として図中矢印でしめすような応力が生じること
となるため、活性層４が湾曲して歪を発生するこ
ととなる。
イーイー，ジヤーナル・オブ・カンタム・エレク
トロニクス（IEEE，Journal of Qumtum
Electronics），Vol.QE−17，No.5，ppr763
（1981）に報告されているように各層の組成の違
いにより内部応力が発生し、劣化の原因となる。
具体的には、上記活性層４等の積層層、第１電極
７及び第２電極８には夫々、5.0×107Dyne／cm2
の圧縮応力、1.5×107Dyne／cm2の圧縮応力及び
3.0×107Dyne／cm2のの引張応力が発生し、全体
として図中矢印でしめすような応力が生じること
となるため、活性層４が湾曲して歪を発生するこ
ととなる。
(ニ) 問題点を解決するための手段
本考案は斯る問題点に鑑みてなされたもので、
その構成的特徴は一主面にダブルヘテロ構造を有
する基板の他主面側にはラツピングにより形成さ
れた緩和層を有することにある。
その構成的特徴は一主面にダブルヘテロ構造を有
する基板の他主面側にはラツピングにより形成さ
れた緩和層を有することにある。
(ホ) 作用
上記緩和層において生じる応力は引張応力とな
り、かつその大きさはラツピングの程度により決
定される。
り、かつその大きさはラツピングの程度により決
定される。
(ヘ) 実施例
第１図は本考案の実施例を示し、第３図に示し
た従来の装置との相違点は基板１裏面にラツピン
グにより監和層９を形成したことである。尚第１
図中、第３図と同一箇所には同一番号を符して説
明を省略する。
た従来の装置との相違点は基板１裏面にラツピン
グにより監和層９を形成したことである。尚第１
図中、第３図と同一箇所には同一番号を符して説
明を省略する。
具体的には、上記緩和層９は回動するアルミナ
板上にラツピング材として粒径10μmのガーネツ
トが溶解された水溶液をたらした状態で半導体レ
ーザの基板１裏面を荷重5.5×10-2Kg／cm2の力で
上記アルミナ板に押し当てることにより形成され
る。また、この緩和層９は層厚が約8μmで、その
内部応力は約3.5×107Dyne／cm2の引張応力とな
る。
板上にラツピング材として粒径10μmのガーネツ
トが溶解された水溶液をたらした状態で半導体レ
ーザの基板１裏面を荷重5.5×10-2Kg／cm2の力で
上記アルミナ板に押し当てることにより形成され
る。また、この緩和層９は層厚が約8μmで、その
内部応力は約3.5×107Dyne／cm2の引張応力とな
る。
従つて、本実施装置においては活性層４等の積
層層及び第１電極７に夫々5.0×107Dyne／cm2及
び1.5×107Dyne／cm2の圧縮応力が発生し、第２
電極８及び緩和層９に夫々3.0×107Dyne／cm2及
び3.5×107Dyne／cm2の引張応力が発生するため、
全体としては内部応力が完全に相殺されゼロとな
る。ゆえに、活性層４等が湾曲することはない。
層層及び第１電極７に夫々5.0×107Dyne／cm2及
び1.5×107Dyne／cm2の圧縮応力が発生し、第２
電極８及び緩和層９に夫々3.0×107Dyne／cm2及
び3.5×107Dyne／cm2の引張応力が発生するため、
全体としては内部応力が完全に相殺されゼロとな
る。ゆえに、活性層４等が湾曲することはない。
第２図は寿命試験結果を示すもので、図中・印
が本実施例装置の結果を示し、△印が従来装置の
結果を示す。尚、斯る寿命試験は70℃の高温雰囲
気中で出力3mWの連続発振を行なつた際の駆動
電流の変化を調べたものである。
が本実施例装置の結果を示し、△印が従来装置の
結果を示す。尚、斯る寿命試験は70℃の高温雰囲
気中で出力3mWの連続発振を行なつた際の駆動
電流の変化を調べたものである。
第２図より明らかなように本実施例装置では
4000時間の連続発振を行なつた際にもその駆動電
流はほとんど変化しなかつたが、従来装置では数
百時間以上の連続発振を行なうと駆動電流の急激
な立上りが見られた。
4000時間の連続発振を行なつた際にもその駆動電
流はほとんど変化しなかつたが、従来装置では数
百時間以上の連続発振を行なうと駆動電流の急激
な立上りが見られた。
尚、本実施例ではラツピング材としてガーネツ
トを用いたがアルミナを用いても良く、また、ラ
ツピング材の粒径は緩和層９の引張応力を3.5×
107Dyne／cm2とするには約10μmであることが好
ましく、例えば粒径が1μm、4μm、17μmでは緩
和層９の応力は夫々2.0×107Dyne／cm2、3.0×107
Dyne／cm2、4.0×107Dyne／cm2となり内部応力は
相殺不可能となる。
トを用いたがアルミナを用いても良く、また、ラ
ツピング材の粒径は緩和層９の引張応力を3.5×
107Dyne／cm2とするには約10μmであることが好
ましく、例えば粒径が1μm、4μm、17μmでは緩
和層９の応力は夫々2.0×107Dyne／cm2、3.0×107
Dyne／cm2、4.0×107Dyne／cm2となり内部応力は
相殺不可能となる。
(ト) 考案の効果
本考案の半導体レーザでは緩和層の存在により
内部応力を相殺できるので活性層における歪の発
生を防止でき、長寿命化がはかれる。
内部応力を相殺できるので活性層における歪の発
生を防止でき、長寿命化がはかれる。
第１図は本考案の実施例を示す断面図、第２図
は寿命試験結果を示す特性図、第３図は従来例を
示す断面図である。 １……基板、９……緩和層。
は寿命試験結果を示す特性図、第３図は従来例を
示す断面図である。 １……基板、９……緩和層。
Claims (1)
- 一主面にダブルヘテロ構造を有する基板の他主
面側にはラツピングにより形成された緩和層を有
することを特徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10073685U JPH0356066Y2 (ja) | 1985-07-02 | 1985-07-02 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10073685U JPH0356066Y2 (ja) | 1985-07-02 | 1985-07-02 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6210462U JPS6210462U (ja) | 1987-01-22 |
| JPH0356066Y2 true JPH0356066Y2 (ja) | 1991-12-16 |
Family
ID=30970835
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10073685U Expired JPH0356066Y2 (ja) | 1985-07-02 | 1985-07-02 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0356066Y2 (ja) |
-
1985
- 1985-07-02 JP JP10073685U patent/JPH0356066Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6210462U (ja) | 1987-01-22 |
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