JPH0356133U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0356133U JPH0356133U JP10665390U JP10665390U JPH0356133U JP H0356133 U JPH0356133 U JP H0356133U JP 10665390 U JP10665390 U JP 10665390U JP 10665390 U JP10665390 U JP 10665390U JP H0356133 U JPH0356133 U JP H0356133U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- processing apparatus
- substrate processing
- shaft
- electrode block
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 34
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 claims 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
第１図は本考案の特徴とするウエハホルダー、
公転機構、及び基体冷却機構を含むスパツタ装置
の構成を示す図。第２図は第１図のスパツタ室内
を示す図。第３図はスパツタ室内のウエハ搬送系
と基体冷却機構の平面図。第４図は第３図矢視
−より見た断面図。第５図、第６図、第７図は
ウエハホルダーを構成する部分の図で、第５図は
ウエハ表板を示す烏瞰図、第６図は第５図の矢視
図−における断面図、第７図はウエハホルダ
の水平姿勢と鉛直姿勢のいずれかを選択する機構
を示す図。第８図はウエハホルダと基板バイアス
印加機構の水平断面図、第９図はウエアホルダー
と基板バイアス印加機構の鉛直断面図。第１０図
は本考案の第二の実施例による４個のウエハホル
ダと冷却機構の組合せによるスパツタ室内部を示
す図。 １０……ロードロツク室、２０……バツフア室
、３０……スパツタエツチング室、４０……スパ
ツタ室、Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆ，Ｇ，Ｈ，Ｊ…
…ウエハ、４２……加熱ランプ、４３，４４……
カソード、４５……基体着脱ステージ、４６……
加熱ステージ、４７……第１膜付ステージ、４８
……第２膜付ステージ、５０，５０′，５０Ａ，
５０Ｂ，５０Ｃ，５０Ｄ……ウエハホルダ、６０
，６１……ベルト搬送系、７０……公転機構、７
３……絶縁性公転ベースプレート、８０ａ，８０
ｂ……アーム機構、９０ａ，９０ｂ……押しつけ
アーム、５１１……土手、５１３ａ，５１３ｂ…
…チヤキングバネ、５１……ホルダ表板、５３ａ
，５３ｂ……板柱、５４ａ，５４ｂ……イヤリン
グ、５６……ホルダ固定具、５６３ａ，５６３ｂ
…ねじれコイルバネ、２００……基板バイアス印
加機構、２１０……エアシリンダ、２２０……連
結体、２３０……電極ブロツク、２４０……ベロ
ーズ包囲体、２５０……支柱。
公転機構、及び基体冷却機構を含むスパツタ装置
の構成を示す図。第２図は第１図のスパツタ室内
を示す図。第３図はスパツタ室内のウエハ搬送系
と基体冷却機構の平面図。第４図は第３図矢視
−より見た断面図。第５図、第６図、第７図は
ウエハホルダーを構成する部分の図で、第５図は
ウエハ表板を示す烏瞰図、第６図は第５図の矢視
図−における断面図、第７図はウエハホルダ
の水平姿勢と鉛直姿勢のいずれかを選択する機構
を示す図。第８図はウエハホルダと基板バイアス
印加機構の水平断面図、第９図はウエアホルダー
と基板バイアス印加機構の鉛直断面図。第１０図
は本考案の第二の実施例による４個のウエハホル
ダと冷却機構の組合せによるスパツタ室内部を示
す図。 １０……ロードロツク室、２０……バツフア室
、３０……スパツタエツチング室、４０……スパ
ツタ室、Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆ，Ｇ，Ｈ，Ｊ…
…ウエハ、４２……加熱ランプ、４３，４４……
カソード、４５……基体着脱ステージ、４６……
加熱ステージ、４７……第１膜付ステージ、４８
……第２膜付ステージ、５０，５０′，５０Ａ，
５０Ｂ，５０Ｃ，５０Ｄ……ウエハホルダ、６０
，６１……ベルト搬送系、７０……公転機構、７
３……絶縁性公転ベースプレート、８０ａ，８０
ｂ……アーム機構、９０ａ，９０ｂ……押しつけ
アーム、５１１……土手、５１３ａ，５１３ｂ…
…チヤキングバネ、５１……ホルダ表板、５３ａ
，５３ｂ……板柱、５４ａ，５４ｂ……イヤリン
グ、５６……ホルダ固定具、５６３ａ，５６３ｂ
…ねじれコイルバネ、２００……基板バイアス印
加機構、２１０……エアシリンダ、２２０……連
結体、２３０……電極ブロツク、２４０……ベロ
ーズ包囲体、２５０……支柱。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 真空中において一枚づつ基体表面に薄膜処
理を行うための基体距離装置は、基体を鉛直に保
持した状態で基体処理を施すための基体ホルダー
と、該基体ホルダーに保持された基体の裏面に接
近し基体にバイアス電圧を印加しまた基体より離
遠する運動を繰返すことができる基体バイアス印
加機構とを含む基体処理装置。 (2) 該基体バイアス印加機構の該運動が直線的
往復運動である実用新案登録請求の範囲第１項記
載の基体処理装置。 (3) 該直線運動を行う該基体バイアス印加機構
は、基体裏面に接近して停止しまた離遠して停止
する真空中においてエアシリンダーにより駆動さ
れるシヤフトと、該シヤフトの先端に連結体を介
して取付けられ基板の裏面に接触する電極ブロツ
クと、該電極ブロツクに冷媒を供給する伸縮可能
なように該シヤフトを囲んでコイル状に巻いた冷
媒パイプとを含んで構成されることを特徴とする
実用新案登録請求の範囲第２項記載の基体処理装
置。 (4) 該基体処理装置は、該基体バイアス印加機
構の電極ブロツクに冷媒を供給する伸縮可能な冷
媒パイプをそなえ、かつ、電極ブロツクを駆動す
るシヤフトの一部は該冷却ブロツクと該シヤフト
を駆動するエアシリンダーとの間に設けられた伸
縮可能なベローズ胴管に包囲されて基体処理質内
部の雰囲気と真空的に隔絶され、該ベローズ胴管
に包囲された空間は基体処理室を排気するのとは
別の真空ポンプにより排気されることを特徴とす
る実用新案登録請求の範囲第３項記載の基体処理
装置。 (5) 該基体処理装置は、該電極ブロツクが基体
裏面に接触したときに基体を加熱するためのヒー
ターを該電極ブロツクに内蔵するような構造を特
徴とする実用新案登録請求の範囲第４項記載の基
体処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990106653U JPH0510356Y2 (ja) | 1990-10-11 | 1990-10-11 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990106653U JPH0510356Y2 (ja) | 1990-10-11 | 1990-10-11 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0356133U true JPH0356133U (ja) | 1991-05-30 |
| JPH0510356Y2 JPH0510356Y2 (ja) | 1993-03-15 |
Family
ID=31655381
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1990106653U Expired - Lifetime JPH0510356Y2 (ja) | 1990-10-11 | 1990-10-11 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0510356Y2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58133376A (ja) * | 1982-01-26 | 1983-08-09 | マテリアルズ・リサ−チ・コ−ポレ−シヨン | 反応性膜析出方法及び装置 |
| JPS59148341A (ja) * | 1983-02-14 | 1984-08-25 | Mitsubishi Electric Corp | 絶縁膜形成方法 |
-
1990
- 1990-10-11 JP JP1990106653U patent/JPH0510356Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58133376A (ja) * | 1982-01-26 | 1983-08-09 | マテリアルズ・リサ−チ・コ−ポレ−シヨン | 反応性膜析出方法及び装置 |
| JPS59148341A (ja) * | 1983-02-14 | 1984-08-25 | Mitsubishi Electric Corp | 絶縁膜形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0510356Y2 (ja) | 1993-03-15 |
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