JPH0357407B2 - - Google Patents
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- JPH0357407B2 JPH0357407B2 JP3018185A JP3018185A JPH0357407B2 JP H0357407 B2 JPH0357407 B2 JP H0357407B2 JP 3018185 A JP3018185 A JP 3018185A JP 3018185 A JP3018185 A JP 3018185A JP H0357407 B2 JPH0357407 B2 JP H0357407B2
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- Japan
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- wavelength
- curve
- film thickness
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- measured
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
- G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
- G01B11/0616—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
膜厚測定装置であつて、基板上に作成された透
明薄膜を光の干渉を利用して干渉波形を測定し、
任意の２つのピークの波長とその間のピーク数を
求め、その測定値から膜厚を求める計算をマイク
ロコンピユータを用いて行うことにより膜厚測定
の全自動化を可能とする。
明薄膜を光の干渉を利用して干渉波形を測定し、
任意の２つのピークの波長とその間のピーク数を
求め、その測定値から膜厚を求める計算をマイク
ロコンピユータを用いて行うことにより膜厚測定
の全自動化を可能とする。
本発明は膜厚測定装置に関するものであり、特
に基板上に形成された透明膜厚を全自動で測定す
る自動膜厚測定装置に関するものである。
に基板上に形成された透明膜厚を全自動で測定す
る自動膜厚測定装置に関するものである。
最近の半導体装置、例えば磁気バブルメモリ装
置においては、情報量の増加に伴つて記憶密度が
高度化されて来ている。このため磁気バブルメモ
リ素子において基板上に形成される磁性ガーネツ
ト膜の厚さも次第に薄く（1μm以下）なり、その
厚さも精密にコントロールする必要が生じ、その
膜厚測定を正確に行う装置が要求される。
置においては、情報量の増加に伴つて記憶密度が
高度化されて来ている。このため磁気バブルメモ
リ素子において基板上に形成される磁性ガーネツ
ト膜の厚さも次第に薄く（1μm以下）なり、その
厚さも精密にコントロールする必要が生じ、その
膜厚測定を正確に行う装置が要求される。
第６図の如く基板１の上に形成された透明な薄
膜２の膜厚測定は、光源３よりの光を入射角θで
入射し、薄膜２の表面及び裏面から反射した光
L1，L2の干渉を利用して干渉波形を測定し、任
意の２つのピークの波長λiとその間のピークの数
を求め、以下の計算式によつて膜厚ｈを求めるこ
とができる。
膜２の膜厚測定は、光源３よりの光を入射角θで
入射し、薄膜２の表面及び裏面から反射した光
L1，L2の干渉を利用して干渉波形を測定し、任
意の２つのピークの波長λiとその間のピークの数
を求め、以下の計算式によつて膜厚ｈを求めるこ
とができる。
Fi＝√n2 i−sin2θ／λi θ＝45゜
ｈ＝Ｎ／２｜F1−F2｜Ｎ＝（ピークの数）−１
ここで薄膜の屈折率niは
ni＝ａ＋ｂ／λ2 i＋ｃ／λ4 i（コーシーの式）
で求められる。
第７図は従来の膜厚測定装置であり、４は光
源、５はピンホール、６は対物レンズ、７は試
料、８はコンデンサレンズ、９は分光器、１０は
ホトマル（光電子増倍管）、１１はＸ−Ｙレコー
ダをそれぞれ示している。この装置を用いた膜厚
測定は、分光器９内の回折格子を回転させること
により波長掃引を行い波形１２を得、この波形１
２からバツクグラウンドを補正した後、（この操
作を自動的に行うものである。）波形曲線のピー
ク形状を判定してデータとして採用するかどうか
を決定し、この曲線の最初と最後のピークの波長
を読み取つてこれらの波長の間にあるピークの個
数から膜厚を計算していた。
源、５はピンホール、６は対物レンズ、７は試
料、８はコンデンサレンズ、９は分光器、１０は
ホトマル（光電子増倍管）、１１はＸ−Ｙレコー
ダをそれぞれ示している。この装置を用いた膜厚
測定は、分光器９内の回折格子を回転させること
により波長掃引を行い波形１２を得、この波形１
２からバツクグラウンドを補正した後、（この操
作を自動的に行うものである。）波形曲線のピー
ク形状を判定してデータとして採用するかどうか
を決定し、この曲線の最初と最後のピークの波長
を読み取つてこれらの波長の間にあるピークの個
数から膜厚を計算していた。
従来、上記の作業は全て測定者が行うために、
波形がノイズ等により変形した場合、ピークの位
置決定が不正確になり、波長の読み取りの際に誤
りが発生し、解析の時間が長くなるという欠点が
あつた。
波形がノイズ等により変形した場合、ピークの位
置決定が不正確になり、波長の読み取りの際に誤
りが発生し、解析の時間が長くなるという欠点が
あつた。
本発明はこのような点にかんがみ全自動で高信
頼且つ短時間で処理できる自動膜厚測定装置を提
供することを目的としている。
頼且つ短時間で処理できる自動膜厚測定装置を提
供することを目的としている。
上記問題点を解決するため、本発明において
は、被測定試料をセツトした分光器の光の掃引波
長を一定の間隔毎に検出する手段と、波長の信号
を受信した際にその波長での光の電気信号を読み
取る手段と、各波長−光強度の値を組にして記憶
する手段と、あらかじめ記憶してある基板等で測
定した波長−光強度の値の組で前記各波長−光強
度の値を補正し、補正値の平均位置に基準線を引
く手段と前記補正値を記憶する手段と、補正値に
よる光の干渉波形曲線の基準線の正側又は負側の
曲線の一つ一つについてその形状を調べ、データ
として採用するかどうかを判定する手段と、該手
段で採用された曲線のデータから最小２乗法によ
り２次曲線（放物線）に回帰する手段と、前記放
物線の根を求め、その1/2を曲線のピーク波長と
する手段と、正側曲線の最初と最後のピークの波
長およびピークの数より１を減じた値から膜厚を
求め、さらに負側の曲線からも同様にして膜厚を
求め、双方を平均してこれを薄膜の膜厚とする手
段から成ることを特徴としている。
は、被測定試料をセツトした分光器の光の掃引波
長を一定の間隔毎に検出する手段と、波長の信号
を受信した際にその波長での光の電気信号を読み
取る手段と、各波長−光強度の値を組にして記憶
する手段と、あらかじめ記憶してある基板等で測
定した波長−光強度の値の組で前記各波長−光強
度の値を補正し、補正値の平均位置に基準線を引
く手段と前記補正値を記憶する手段と、補正値に
よる光の干渉波形曲線の基準線の正側又は負側の
曲線の一つ一つについてその形状を調べ、データ
として採用するかどうかを判定する手段と、該手
段で採用された曲線のデータから最小２乗法によ
り２次曲線（放物線）に回帰する手段と、前記放
物線の根を求め、その1/2を曲線のピーク波長と
する手段と、正側曲線の最初と最後のピークの波
長およびピークの数より１を減じた値から膜厚を
求め、さらに負側の曲線からも同様にして膜厚を
求め、双方を平均してこれを薄膜の膜厚とする手
段から成ることを特徴としている。
まず補正のためのホトマル（光電子増倍管）の
感度曲線を得るために薄膜の形成されていない基
板を装置にセツトし、波長−出力信号のデータの
組Ａ（）を測定して各波長−光強度の値を組に
して記憶する手段に記憶させ、次に被測定薄膜を
セツトし、同様にして波長−出力信号のデータＢ
（）を取り、このＢ（）をＡ（）で補正し各
波長−光強度の値を組にして記憶する手段に記憶
させ、これらの値からマイクロコンピユータによ
り膜厚計算を行うことができる。
感度曲線を得るために薄膜の形成されていない基
板を装置にセツトし、波長−出力信号のデータの
組Ａ（）を測定して各波長−光強度の値を組に
して記憶する手段に記憶させ、次に被測定薄膜を
セツトし、同様にして波長−出力信号のデータＢ
（）を取り、このＢ（）をＡ（）で補正し各
波長−光強度の値を組にして記憶する手段に記憶
させ、これらの値からマイクロコンピユータによ
り膜厚計算を行うことができる。
本発明では波長−出力信号の補正と膜厚計算を
マイクロコンピユータに行わせることにより全自
動で高信頼及び高速な薄膜測定が可能となる。
マイクロコンピユータに行わせることにより全自
動で高信頼及び高速な薄膜測定が可能となる。
第１図は本発明の実施例を示す構成図である。
本実施例は図に示す如く、光の掃引波長を一定
間隔毎に検出する手段としての波長マーカー２０
１を有する分光器２０と、分光器からの波長の信
号を受信した際、その波長での光の電気信号を読
み取る手段としてのホトマル（光電子増倍管）２
０２と、該ホトマル２０２及び波長マーカー２０
１の信号をＡ／Ｄ変換するＡ／Ｄコンバータ２
１，２２と、該Ａ／Ｄコンバータ２１，２２にイ
ンターフエイス２３を介して接続したマイクロコ
ンピユータ２４と、該マイクロコンピユータに接
続したデイスプレイ２５及びプリンタ２６とを具
備して構成されている。そしてマイクロコンピユ
ータ２４はCPU２４１とRAM２４２とROM２
４３とを有し、RAM２４２は試料を測定した各
波長−光強度の値を組にして記憶する手段を有
し、CPU２４１は、あらかじめ記憶してある基
板等で測定した波長−光強度の値の組で前記の試
料の各波長−光強度の値を補正し、補正値の平均
位置に基準線を引く手段と、該補正値による光の
干渉波形曲線の一つ一つについてその形状を調
べ、データとして採用するかどうかを判定する手
段と、基準線の正側、負側の曲線のデータから最
小２乗法により２次曲線（放物線）に回帰する手
段と、該放物線の根を求めその1/2を曲線のピー
ク波長とする手段と、正側曲線の最初と最後のピ
ークの波長およびピークの数より１を減じた値か
ら膜厚を求め、さらに負側の曲線からも同様にし
て膜厚を求め、双方を平均してこれを薄膜の膜厚
とする手段とを有している。
間隔毎に検出する手段としての波長マーカー２０
１を有する分光器２０と、分光器からの波長の信
号を受信した際、その波長での光の電気信号を読
み取る手段としてのホトマル（光電子増倍管）２
０２と、該ホトマル２０２及び波長マーカー２０
１の信号をＡ／Ｄ変換するＡ／Ｄコンバータ２
１，２２と、該Ａ／Ｄコンバータ２１，２２にイ
ンターフエイス２３を介して接続したマイクロコ
ンピユータ２４と、該マイクロコンピユータに接
続したデイスプレイ２５及びプリンタ２６とを具
備して構成されている。そしてマイクロコンピユ
ータ２４はCPU２４１とRAM２４２とROM２
４３とを有し、RAM２４２は試料を測定した各
波長−光強度の値を組にして記憶する手段を有
し、CPU２４１は、あらかじめ記憶してある基
板等で測定した波長−光強度の値の組で前記の試
料の各波長−光強度の値を補正し、補正値の平均
位置に基準線を引く手段と、該補正値による光の
干渉波形曲線の一つ一つについてその形状を調
べ、データとして採用するかどうかを判定する手
段と、基準線の正側、負側の曲線のデータから最
小２乗法により２次曲線（放物線）に回帰する手
段と、該放物線の根を求めその1/2を曲線のピー
ク波長とする手段と、正側曲線の最初と最後のピ
ークの波長およびピークの数より１を減じた値か
ら膜厚を求め、さらに負側の曲線からも同様にし
て膜厚を求め、双方を平均してこれを薄膜の膜厚
とする手段とを有している。
このように構成された本実施例の膜厚測定手順
を次に説明する。
を次に説明する。
まず補正のためのホトマル感度曲線を得るため
に薄膜の形成されていない基板を装置にセツトし
分光器２０を作動させる。分光器２０の作動によ
り波長マーカー２０１から掃引波長の一定間隔毎
に信号が出力される。この信号はＡ／Ｄコンバー
タ２２に入力されデイジタル値に変換され、イン
ターフエイス２３よりマイクロコンピユータ２４
のCPU２４１に出力される。これを受信した
CPU２４１はその時のホトマル２０２の出力信
号をＡ／Ｄコンバータ２１、インターフエイス２
３を介して読み取る。波長の掃引に伴いこの動作
を繰返し、波長−出力信号のデータの組Ａ（）
をRAM２４２に記憶してゆく。この場合第２図
の如き補正曲線Ａ（）が得られる。
に薄膜の形成されていない基板を装置にセツトし
分光器２０を作動させる。分光器２０の作動によ
り波長マーカー２０１から掃引波長の一定間隔毎
に信号が出力される。この信号はＡ／Ｄコンバー
タ２２に入力されデイジタル値に変換され、イン
ターフエイス２３よりマイクロコンピユータ２４
のCPU２４１に出力される。これを受信した
CPU２４１はその時のホトマル２０２の出力信
号をＡ／Ｄコンバータ２１、インターフエイス２
３を介して読み取る。波長の掃引に伴いこの動作
を繰返し、波長−出力信号のデータの組Ａ（）
をRAM２４２に記憶してゆく。この場合第２図
の如き補正曲線Ａ（）が得られる。
次に被測定薄膜試料をセツトし、同様にして波
長−出力信号のデータＢ（）を取る。この場合
は例えば第３図の如き曲線Ｂ（）が得られる。
ここで〔Ｂ（）／｛Ａ（）×（１＋Ｃ×）｝〕×
ｄ（但しｃ，ｄは定数）としてＢ（）をＡ（）
で補正し、これをRAM２４２に記憶する。なお
定数Ｃは、Ｂ（）の波形をＡ（）で補正したと
き、基準線に対して右上がり又は右下がりの曲線
となる場合があり、これを補正するために用い
る。例えば右上がりの場合はＣを正のある値にと
ればが大きくなるほど補正が強く働き、Ｂ（）
の値を小さくする。従つてが大になるに伴つて
増大するＢ（）を引き下げる。またＢ（）が右
下がりの場合はＣを負のある値にとればが大に
なるほど補正強度が弱くなり、共に基準線に対す
る傾きが補正される。そしてＣの値の大きさは測
定値から実験的に求める。またｄは倍率で上記の
ように補正した値を計算処理しやすい値に拡大す
るもので、その値の大きさは経験的に定める。
長−出力信号のデータＢ（）を取る。この場合
は例えば第３図の如き曲線Ｂ（）が得られる。
ここで〔Ｂ（）／｛Ａ（）×（１＋Ｃ×）｝〕×
ｄ（但しｃ，ｄは定数）としてＢ（）をＡ（）
で補正し、これをRAM２４２に記憶する。なお
定数Ｃは、Ｂ（）の波形をＡ（）で補正したと
き、基準線に対して右上がり又は右下がりの曲線
となる場合があり、これを補正するために用い
る。例えば右上がりの場合はＣを正のある値にと
ればが大きくなるほど補正が強く働き、Ｂ（）
の値を小さくする。従つてが大になるに伴つて
増大するＢ（）を引き下げる。またＢ（）が右
下がりの場合はＣを負のある値にとればが大に
なるほど補正強度が弱くなり、共に基準線に対す
る傾きが補正される。そしてＣの値の大きさは測
定値から実験的に求める。またｄは倍率で上記の
ように補正した値を計算処理しやすい値に拡大す
るもので、その値の大きさは経験的に定める。
次に、Ｂ（）の総和を測定点数（Ｎ点）で割
つた波形の平均値をＢ（）から差引いて 〔B′()＝Ｂ()−｛N 〓I=1 Ｂ（）｝／Ｎ〕 補正値の平均位置に基準線を引く。この場合第４
図の如き曲線B′（）が得られる。これをRAM
２４２に記憶する。このデータからCPU２４１
において膜厚ｈが計算される。その計算手順を第
５図のフローチヤートに示す。
つた波形の平均値をＢ（）から差引いて 〔B′()＝Ｂ()−｛N 〓I=1 Ｂ（）｝／Ｎ〕 補正値の平均位置に基準線を引く。この場合第４
図の如き曲線B′（）が得られる。これをRAM
２４２に記憶する。このデータからCPU２４１
において膜厚ｈが計算される。その計算手順を第
５図のフローチヤートに示す。
第５図において補正されたデータB′（）は波
形のほぼ中央にくるように基準線が引かれる（ａ
図）。次にＲ＝０とし、負の部分を切りすてる
（ｂ図）。次に波形の形状を読みデータとして採用
するかどうかを判定する（ｃ図）。判定基準は各
データの組の曲線が基準線と２点で交差しない場
合（ｃ図の１番、５番が相当する）、このデータ
の組を不採用とする。次に正の部分を最小２乗法
により放物線に回帰する（ｄ図）。次に２次方程
式の根の和の1/2よりピークの位置を求める（ｅ
図）。次に最初と最後のピークの波長λ1，λ2、Ｎ
＝（λ1，λ2間のピークの数）−１を求める（ｆ図）。
次に膜厚を前述の計算式により計算し、この膜厚
をh1とおく。次に負の部分を計算するためB′（）
＝−B′（）とおきＲ＝１とする。これを前に戻
し正の部分と同様に計算し、この膜圧h2とする。
次いで ｈ＝h1＋h2／２を計算し膜厚ｈを出力するのである。
形のほぼ中央にくるように基準線が引かれる（ａ
図）。次にＲ＝０とし、負の部分を切りすてる
（ｂ図）。次に波形の形状を読みデータとして採用
するかどうかを判定する（ｃ図）。判定基準は各
データの組の曲線が基準線と２点で交差しない場
合（ｃ図の１番、５番が相当する）、このデータ
の組を不採用とする。次に正の部分を最小２乗法
により放物線に回帰する（ｄ図）。次に２次方程
式の根の和の1/2よりピークの位置を求める（ｅ
図）。次に最初と最後のピークの波長λ1，λ2、Ｎ
＝（λ1，λ2間のピークの数）−１を求める（ｆ図）。
次に膜厚を前述の計算式により計算し、この膜厚
をh1とおく。次に負の部分を計算するためB′（）
＝−B′（）とおきＲ＝１とする。これを前に戻
し正の部分と同様に計算し、この膜圧h2とする。
次いで ｈ＝h1＋h2／２を計算し膜厚ｈを出力するのである。
このように本実施例によれば被測定薄膜試料を
セツトして装置をスタートさせれば、後の作業は
全て装置自身が行うために、従来の手作業による
データ解析の際に生ずるミスがなくなり、高信頼
性が得られる。またノイズ等による波形の変形が
あつても２次曲線に回帰する際、誤差を打ち消す
効果があり、従つてくりかえし精度を１％以下
（従来方では３％）に抑えることができ、さらに
測定解析時間が従来の約半分となる。
セツトして装置をスタートさせれば、後の作業は
全て装置自身が行うために、従来の手作業による
データ解析の際に生ずるミスがなくなり、高信頼
性が得られる。またノイズ等による波形の変形が
あつても２次曲線に回帰する際、誤差を打ち消す
効果があり、従つてくりかえし精度を１％以下
（従来方では３％）に抑えることができ、さらに
測定解析時間が従来の約半分となる。
なおホトマル感度曲線は測定条件を一定にして
おけばデータの値はほとんど変化しないので、あ
らかじめこのデータＡ（）をフアイルメモリ
（例えば磁気テープ）に記憶しておき、計算の際
にこれを読み出して処理することもできる。この
ようにすれば毎回基板を測定する操作が省略で
き、測定時間をさらに短縮することができる。
おけばデータの値はほとんど変化しないので、あ
らかじめこのデータＡ（）をフアイルメモリ
（例えば磁気テープ）に記憶しておき、計算の際
にこれを読み出して処理することもできる。この
ようにすれば毎回基板を測定する操作が省略で
き、測定時間をさらに短縮することができる。
以上述べてきたように、本発明によれば、極め
て簡易な構成で薄膜の膜厚を迅速且つ精度良く自
動的に測定することができ、実用的には極めて有
用である。
て簡易な構成で薄膜の膜厚を迅速且つ精度良く自
動的に測定することができ、実用的には極めて有
用である。
第１図は本発明の実施例の構成図、第２図はホ
トマルの感度曲線を示す図、第３図は被測定薄膜
の光干渉波形を示す図、第４図は第３図の波形を
第２図の感度曲線で補正した波形を示す図、第５
図はマイクロコンピユータのソフトウエアを示す
フローチヤート図、第６図は光の干渉の説明図、
第７図は従来の膜厚測定装置を示す図である。 第１図において、２０…分光器、２０１…波長
マーカー、２０２…ホトマル、２１，２２…Ａ／
Ｄコンバータ、２３…インターフエイス、２４…
マイクロコンピユータ、２４１…CPU、２４２
…RAM、２４３…ROM、２５…CRT、２６…
プリンタである。
トマルの感度曲線を示す図、第３図は被測定薄膜
の光干渉波形を示す図、第４図は第３図の波形を
第２図の感度曲線で補正した波形を示す図、第５
図はマイクロコンピユータのソフトウエアを示す
フローチヤート図、第６図は光の干渉の説明図、
第７図は従来の膜厚測定装置を示す図である。 第１図において、２０…分光器、２０１…波長
マーカー、２０２…ホトマル、２１，２２…Ａ／
Ｄコンバータ、２３…インターフエイス、２４…
マイクロコンピユータ、２４１…CPU、２４２
…RAM、２４３…ROM、２５…CRT、２６…
プリンタである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ａ） 被測定試料をセツトした分光器の光の
掃引波長を一定の間隔毎に検出する手段、 ｂ） 波長の信号を受信した際、その波長での光
の電気信号を読み取る手段、 ｃ） 各波長−光強度の値を組にして記憶する手
段、 ｄ） あらかじめ記憶してある基板等で測定した
波長−光強度の値の組で前記ｃ）の値を補正
し、補正値の平均位置に基準線を引く手段、 ｅ） 前記ｄ）で計算した値を記憶する手段、 ｆ） 補正値による光の干渉波形曲線の基準線の
正側又は負側の曲線の一つ一つについてその形
状を調べ、データとして採用するかどうかを判
定する手段、 ｇ） 前記ｆ）で採用された曲線のデータから最
小２乗法により２次曲線（放物線）に回帰する
手段、 ｈ） 前記ｇ）の放物線の根を求めその1/2を曲
線のピーク波長とする手段、 ｉ） 正側曲線の最初と最後のピークの波長およ
びこれらの波長の間にあるピークの数より１を
減じた値から膜厚を求め、さらに負側の曲線か
らも同様にして膜厚を求め、双方を平均してこ
れを薄膜の膜厚とする手段、から成ることを特
徴とする自動膜厚測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3018185A JPS61191906A (ja) | 1985-02-20 | 1985-02-20 | 自動膜厚測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3018185A JPS61191906A (ja) | 1985-02-20 | 1985-02-20 | 自動膜厚測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61191906A JPS61191906A (ja) | 1986-08-26 |
| JPH0357407B2 true JPH0357407B2 (ja) | 1991-09-02 |
Family
ID=12296588
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3018185A Granted JPS61191906A (ja) | 1985-02-20 | 1985-02-20 | 自動膜厚測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61191906A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6085101B2 (ja) * | 2012-06-05 | 2017-02-22 | 株式会社東光高岳 | 膜厚測定装置および膜厚測定方法 |
| CN106706639B (zh) * | 2016-12-19 | 2019-11-22 | 清华大学 | 一种通过扫描形貌测量全场实时氧化速率的方法 |
-
1985
- 1985-02-20 JP JP3018185A patent/JPS61191906A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61191906A (ja) | 1986-08-26 |
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