JPH0357554B2

JPH0357554B2 -

Info

Publication number: JPH0357554B2
Application number: JP21813287A
Authority: JP
Inventors: Naohisa Kosaka
Original assignee: Hamamatsu Photonics KK
Current assignee: Hamamatsu Photonics KK
Priority date: 1987-06-10
Filing date: 1987-09-01
Publication date: 1991-09-02
Also published as: JPS6478491A

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は連想記憶装置に関するものである。

〔従来の技術〕

一般に、電子計算機等で使用されている通常の
メモリにおいては、アドレスを指定してそこに記
憶されている情報にアクセスする方式が採用され
ている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

このような従来の記憶装置では、アドレスの内
容が壊されてしまつた場合、記憶データの内容は
全く分からなくなつてしまうという問題があり、
また記憶内容に関係なくアドレスのみでしかアク
セスできない。

本発明は上記問題点を解決するためのもので、
記憶内容の一部が壊れてしまつても読み出しが不
可能となることがなく、また記憶内容に関連した
アクセスが可能となる連想記憶装置を提供するこ
とを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

そのために本発明の連想記憶装置は、入力また
はフイードバツク信号を多重化させて出力する多
重化系と、入力またはフイードバツク信号を拡大
化させて出力する拡大化系と、多重化系の出力と
拡大化系の出力を乗算し出力する第１の演算器
と、２次元の情報を記憶し、必要に応じてその内
容に加減算を行うと共に、記憶内容を出力するメ
モリと、多重化系出力とメモリの出力を乗算する
第２の演算器と、第２の乗算器の出力を逆多重化
させて出力する逆多重化系と、逆多重化系からの
出力に閾値操作を行いながら記憶し、必要に応じ
て読み出すことの可能な閾値メモリと、出力結果
を入力へ戻すフイードバツク系とからなる記銘想
起部を有することを特徴とする。

〔作用〕

本発明の連想記憶装置は、入力の多重化像と拡
大化像を得てこれらを処理して乗算し記憶させる
ことにより記銘し、また記憶内容と参照データと
の乗算結果を逆多重化させることにより想起する
ようにして連想記憶装置を実現することが可能と
なる。

〔実施例〕

以下、実施例を図面に基づき説明する。

まず、本発明による連想記憶装置の原理を説明
する。

連想記憶を実現する方法として、本発明は自己
相関行列を用いており、記憶したい内容の自己相
関により記憶行列を形成する。

記銘時の演算処理は式で表わすと次のようにな
る。

Ｍ＝Σχ・χ′ ……(1) ここでχは記憶したい内容を表す入力ベクト
ル、χはχの転置ベクトル、Ｍは記憶行列であ
る。即ち、記憶したい内容の自己相関をとに、こ
れを何回も加え合わせて形成する。

想起の時には、この記憶行列との演算により、
一部分から全体を想起することができる。想起時
の演算処理は式で表わすと次のようになる。

ｙ＝φ（Ｍ・χ） ……(2) ここで、ｙは出力ベクトル、χは入力データ、
φは閾値操作を表わす。Ｍ・χの操作により、χ
が一部欠けたしして不完全なデータであつたとし
ても、(1)式の演算処理により記憶行列Ｍができて
いれば、想起データｙとしては欠けた部分が補わ
れた元のデータχに近いデータが得られる。な
お、φの閾値操作により所定レベル以上のデータ
を検出するようにしてノイズ部分をカツトしてい
る。

次に、上記(1)式における記憶行列による想起で
は分離が不十分である場合の方法として、より分
離度の上がる記憶行列を形成する逐次計算法を説
明する。

M_o+1＝M_o＋α〔χ−φ｛Σ（M_o＋χ）｝〕χ′
……(3) ここで、αは学習ゲイン、ΣはM_o・χについ
て部分和をとることによりχ′と次数を合わせるた
めの演算子である。ｎ＋１回目の記憶行列M_o+1
は、ｎ回目のM_oによつて想起した結果であるφ
｛Σ（M_o・χ）｝とχの差により示される想起時の
誤差成分と、χ′との相関に学習ゲインαを掛けた
ものによつてM_oを修正することで得られる。な
お、学習ゲインαは、M_oが収束するような値を
選ぶ。

こうして(3)式の演算処理をM_oが収束するまで
行うと分離度の向上した相関行列Ｍが求められ、
記憶したい内容の自己相関により記憶行列を形成
し、連想の時にはこの記憶行列の記憶行列との相
関をとると一部分から全体を想起することができ
る。

第６図は本発明による連想記憶装置の一実施例
における基本的な構成要素である空間光変調管の
構成と動作を説明するための図で、１は入力像、
２はレンズ、３は光電陰極、４はマイクロチヤン
ネルプレート、５はメツシユ電極、６は結晶、６
１は電荷蓄積面、７はハーフミラー、８は単色
光、９は検光子、１０は出力像である。

図において、空間光変調管の光電陰極３にレン
ズ２を介して入射した入力像１は光電子像に変換
される。この光電子像はマイクロチヤンネルプレ
ート４で増倍された後、結晶６の電荷蓄積面６１
に電荷パターンを形成する。その電荷パターンに
応じて結晶６を横切る電界が変化し、ポツケルス
効果によつて結晶６の屈折率が変化する。

ここで、直線偏光の単色光８を結晶６に照射す
ると、電荷蓄積面６１からの反射光は、結晶６の
複屈折性により偏光状態が変化しているので、検
光子９を通過させれば入力像１の光強度に対応し
た光強度をもつ出力像１０が得られる。

次にこのような空間光変調管について、本発明
と関連する主要な機能を説明する。

(イ) 記憶機能空間光変調管は、電気光学結晶の表面の電荷
分布を長い時間保持する記憶機能を持つてい
る。結晶６は非常に高い電気抵抗値を有してい
るので、結晶表面６１の電荷分布を数日以上保
持することができる。

(ロ) 減算機能空間光変調管は電気光学結晶の表面に正また
は負の電荷分布を選択的に形成することができ
る。第７図Ａは電気光学結晶の２次電子放出特
性を示すグラフである。

図に示すように電荷蓄積面６１へ入射する１
次電子エネルギーＥが第１クロスオーバー点Ｅ
１よりも小さいか、または第２クロスオーバー
点Ｅ２より大きい場合には、１次電子数が結晶
表面で放出される２次電子数よりも大きいので
（δ＜１）、結晶表面は負に帯電する。１次電子
のエネルギーがＥ１とＥ２の間では、２次電子
数が１次電子数よりも多くなるので（δ＞１）、
結晶表面は正に帯電する。

結晶に電荷を蓄積する際に正の電荷で書き込
むか負の電荷で書き込むかは、第６図に示す
VcとVbの電圧を制御することにより実行され
る。ここで最初に負の電圧を書込み、次に正に
帯電させるか、或いは最初に正に帯電させ、次
に負の電荷を書込むかの２つの方法により減算
機能を持たすことができる。減算の量は次の３
つの方法により制御できる。

即ち、減算時の入射光強度を変化させる方
法、マイクロチヤンネルプレート４に加える電
圧の持続時間を変化させる方法、及びマイクロ
チヤンネルプレート４に加える電圧を変化させ
る方法である。

書き込み、消去の方法は周知であるが、第７
図Ａ，Ｂにより正電荷像を例にとつて説明す
る。なお、二次電子捕集電極に印加する電圧
Vcは、第７図Ａの第２クロスオーバーE₂に設
定する。

〔消去動作〕

結晶背面電圧Vbを第２クロスオーバー点E₂
に相当する電位に設定すると、結晶表面電位
Vsは、電位E₂に書き込みによつて生じた正電
荷の電位上昇分が加わつた値になる。この表面
電位の場合、入射する一次電子のエネルギは
E₂以上あるので二次電子放出比δ＜１となり、
表面電位がE₂に達するまで負電荷が蓄積され
る。電位がE₂に達するとδ＝１となつて平衡
状態になり、かつ表面の帯電は零となる。

〔書き込み動作〕

結晶背面電圧Vbを第１クロスオーバー点E₁
と第２クロスオーバー点E₂との間でダイナミ
ツクレンジが十分にとれる電圧E′に設定する。
このとき結晶表面電位VsもほぼE′となるから、
入射する一次電子のエネルギはE₁とE₂の間で
ある。従つて二次電子放出比δ＞１となるから
正電荷像が形成される。放出された二次電子は
Vsよりも高い電位Vcにある二次電子捕集電極
に捕集される。

(ハ) 実時間閾値動作機能空間光変調管は、第６図に示すVc及びVbの
設定条件により、実時間閾値動作を実行させる
ことができる。メツシユ電極５は結晶表面の近
傍に設けられており、これを所定の電位に設定
すると、結晶表面に十分な電子が供給されてい
る場合には結晶表面電位はメツシユ電極の電位
となり、この電位がクロスオーバー点となる。
すなわち、結晶表面電位がメツシユ電極よりも
低いと結晶表面から放出される二次電子がメツ
シユ電極に捕集されるため入射電子に対して二
次電子放出が増加して結晶表面の電位は上昇
し、逆に結晶表面電位がメツシユ電極電位より
も高いと入射電子が二次電子よりも多くなつて
結晶表面電位が下がり、結局結晶表面電位がメ
ツシユ電極電位に等しくなつたところで電位は
一定となる。いま、メツシユ電極５の電圧Vc
を0.1KV程度と低くしておき、Vbをステツプ
状に0.1KVより下げると、結晶表面もステツプ
状に電位が下がつて結晶６の電荷蓄積面６１は
負電位となり、電子が到達しなくなつて、いわ
ゆるロツクアウト状態となる。しかし、Vbを
ゆつくりとランプ状に下げていくと、入射する
光の強度が大きくて多量の電子が供給される部
分では電子が結晶表面に供給され、二次電子放
出が大きくなつて負電位とならず、入射する光
の強度が小さくて供給される電子の量が少ない
部分では電位降下に電子の供給が追いつかず、
そのため負電位となつて電子が結晶表面に到達
しなくなる。したがつて、光電陰極３に入射す
る光の強度に対応して結晶表面が負電位となつ
て書き込みが行われない部分と、結晶表面に電
子が到達し、表面が負電位とならずに書き込み
が行われる部分とができ、その結果、入射する
光の強度により閾値操作が実行されることにな
る。」 (ニ) 実時間閾値動作によるAND演算機能空間光変調管は、前述のとおり、実時間閾値
動作機能を有する。これを利用して次のように
AND演算を実行することができる。即ち、第
８図に示すように、２つの入力を重ね合わせる
と、入力光強度は０、１、２の３レベルとな
る。このうちのレベル２のところで実時間閾値
動作を行うと、結果は第９図の通りとなり、
AND演算が実行されたことになる。

次に本発明に必要なその他の構成要素について
説明する。なお、入力像は２×２のパターンとい
うことにする。

拡大化系第１０図に示すように２×２の入力像を４×
４に拡大投影させる。実際にはレンズ等により
行われる。

多重化系第１１図Ａに示すように２×２の入力像を繰
返し投影させ、第１１図Ｂに示すようなパター
ンを得る。実際には、レンズアレイ等により実
現される。

逆多重化系第１２図に示すように４×４の入力像を２×
２に重ね合わせるように投影する。実際にはレ
ンズアレイ等により実現する。

次に、前述の拡大化像、多重化像、逆多重化像
を用いて２次元データに適したコーデイングを行
うコーデイング法について２×２の画像として説
明する。

本出願人が別途出願した記銘、想起の方法につ
いて説明する。

ベクトルχと、その転置ベクトルχ′を次のよう
に表す。

χ＝x₁ x₂ x₃ x₄，χ′＝（x₁，x₂，x₃，x₄）このとき記銘は、Ｍ＝χ・χ′＝x₁ x₂ x₃ x₄・（x₁，x₂，x₃，x₄）＝x₁x₁ x₁x₂ x₁x₃ x₁x₄ x₂x₁ x₂x₂ x₂x₃ x₂x₄ x₃x₁ x₃x₂ x₃x₃ x₃x₄ x₄x₁ x₄x₂ x₄x₃ x₄x₄ と表され、一方想起は、 z′＝Ｍ×ｙ＝x₁x₁ x₁x₂ x₁x₃ x₁x₄ x₂x₁ x₂x₂ x₂x₃ x₂x₄ x₃x₁ x₃x₂ x₃x₃ x₃x₄ x₄x₁ x₄x₂ x₄x₃ x₄x₄ y₁ y₂ y₃ y₄ ＝x₁x₁y₁ x₁x₂y₂ x₁x₃y₃ x₁x₄y₄ x₂x₁y₁ x₂x₂y₂ x₂x₃y₃ x₂x₄y₄ x₃x₁y₁ x₃x₂y₂ x₃x₃y₃ x₃x₄y₄ x₄x₁y₁ x₄x₂y₂ x₄x₃y₃ x₄x₄y₄ と表される。

ここでz′を一次元化してｚとすると、ｚ＝x₁x₁y₁＋x₁x₂y₂＋x₁x₃y₃＋x₁x₄y₄ x₂x₁y₁＋x₂x₂y₂＋x₂x₃y₃＋x₂x₄y₄ x₃x₁y₁＋x₃x₂y₂＋x₃x₃y₃＋x₃x₄y₄ x₄x₁y₁＋x₄x₂y₂＋x₄x₃y₃＋x₄x₄y₄ となる。

しかしながら、この方法では画像処理を行うた
めには、画像の２次元データを、１次元化する必
要がある。

これに対して本発明では次のような演算により
記銘、想起を行う。今、記憶させたい内容をχと
し、 χ＝x₁ x₂ x₃ x₄ とする。

ここで、拡大化系により、ｘ mag＝x₁ x₁ x₂ x₂ x₁ x₁ x₂ x₂ x₃ x₃ x₄ x₄ x₃ x₃ x₄ x₄ 多重化系により、ｘ mlt＝x₁ x₂ x₁ x₂ x₃ x₄ x₃ x₄ x₁ x₂ x₁ x₂ x₃ x₄ x₃ x₄ を得る。このときｘ magとｘ mltの要素同志
の乗算ｘ mag・ｘ mltをＭとすると、Ｍ＝ｘ mag・ｘ mlt＝x₁x₁ x₁x₂ x₂x₁ x
₂x₂ x₁x₃ x₁x₄ x₂x₃ x₂x₄ x₃x₁ x₃x₂ x₄x₁ x₄x₂ x₃x₃ x₃x₄ x₄x₃ x₄x₄ （・……要素同士の乗算でHadamard積と呼ばれ
る。）となり、前述の行列演算により得られた結果と同
じ一結果が得られ（但し配列は異なつている）、
ｘ mag・ｘ mltにより記銘を行うことが可能
であることが分かる。

また、ｙ mlt＝y₁ y₂ y₁ y₂ y₃ y₄ y₃ y₄ y₁ y₂ y₁ y₂ y₃ y₄ y₃ y₄ とし、Ｍとｙ mltの要素同志の乗算Ｍ・ｙ
mltをz′とすると、 z′＝Ｍ・ｙ mlt ＝x₁x₁ x₁x₂ x₂x₁ x₂x₂ x₁x₃ x₁x₄ x₂x₃ x₂x₄ x₃x₁ x₃x₂ x₄x₁ x₄x₂ x₃x₃ x₃x₄ x₄x₃ x₄x₄ y₁ y₂ y₁ y₂ y₃ y₄ y₃ y₄ y₁ y₂ y₁ y₂ y₃ y₄ y₃ y₄ ＝x₁x₁y₁ x₁x₂y₂ x₂x₁y₁ x₂x₂y₂ x₁x₃y₃ x₁x₄y₄ x₂x₃y₃ x₂x₄y₄ x₃x₁y₁ x₃x₂y₂ x₄x₁y₁ x₄x₂y₂ x₃x₃y₃ x₃x₄y₄ x₄x₃y₃ x₄x₄y₄ となる。ここでz′の逆多重化をｚとすると、ｚ＝x₁x₁y₁＋x₁x₂y₂＋x₁x₃y₃＋x₁x₄y₄ x₂x₁y₁
＋x₂x₂y₂＋x₂x₃y₃＋x₂x₄y₄ ｚ＝x₁x₁y₁＋x₁x₂y₂＋x₁x₃y₃＋x₁x₄y₄ x₂x₁y₁
＋x₂x₂y₂＋x₂x₃y₃＋x₂x₄y₄ x₃x₁y₁＋x₃x₂y₂＋x₃x₃y₃＋x₃x₄y₄ x₄x₁y₁＋x₄x₂y₂＋x₄x
₃y₃＋x₄x₄y₄ となり、前述の行列演算で得られた結果と同一内
容（但し配列は異なつている）であり、Ｍ・ｙ
mltの逆多重化像により想起パターンが得られる
ことが分かる。

このように、多重化系と拡大化系を用いて記銘
を行い、さらに逆多重化系を用いて想起を行うこ
とができるので、全て２次元的処理により連想記
憶を実現することが可能となる。

次に、具体的に本発明による連想記憶について
説明する。なお、計算は前述の(3)式と同様の次式
により行う。

M_o+1＝M_o＋α〔ｘ mag−〔φ｛Σ（M_o・ｘ mlt）
｝〕mag〕ｘ mlt……(4) ここで、αは学習ゲイン、ｘ magはｘの拡大
化像、ｘ mltはｘの多重化像、Σは逆多重化像
を示す。ｎ＋１回目の記憶行列M_o+1は、ｎ回目
のM_oによつて想起した結果である〔φ｛Σ（M_o・
ｘ mlt）｝magとｘ magとの差により示され
る想起時の誤差成分と、ｘ maltの積に学習ゲ
インαを掛けたものによつて、M_oを修正するこ
とで得られる。前述と同様、学習ゲインαはM_o
が収束するような値を選び、この演算処理をM_o
が収束するまで行うと分離度の向上したM_oが求
められる。

第１図は本発明による連想記憶装置の構成を示
すブロツク図で、図中、１０１は拡大化系、１０
２は多重化系、１０３は第１の演算器、１０４は
メモリ、１０５は第２の演算器、１０６は逆多重
化系、１０７は閾値メモリである。

図において、拡大化系１０１は前述したよう
に、例えば４×４の入力ｘから16×16のｘ mag
を作成し、多重化系１０２は同様に４×４の入力
ｘから16×16のｘ mltを作成する。第１の演算
器１０３はｘ magとｘ mltの要素同士の乗算
を行う。第１のメモリ１０４は、ｘ mag・ｘ
mltの加算、フイードバツク値の減算を行うメモ
リである。第２の演算器１０５はメモリ１０４の
内容とｘ mltの乗算を行つて想起データを作成
する。逆多重化系１０６は16×16のデータを４×
４のデータに変換するためのものである。閾値メ
モリ１０７は閾値操作を行い所定レベル以上のデ
ータを検出してノイズをカツトするメモリであ
る。この閾値メモリの出力ｙはフイードバツク系
を通して入力側にフイードバツクされる。

次に、記銘時の動作について式(4)に従つて説明
する。なお、記銘時の流れは図の細線で示してあ
る。

先ず、記銘したい２次元の入力データｘから
拡大化系１０１でｘ magを作成し、同時に多
重化系１０２でｘ mltを作成する。

第２の演算器１０５で、メモリ１０４からの
M_oと、多重化系１０２からのｘ mltとで、
M_o・ｘ mltを計算し、逆多重化系１０６を介
し、閾値メモリ１０７で閾値操作した後、メモ
リする。ここで、M_oは最初、例えば“０”に
セツトされていることとする。もちろん、“０”
以外の値にセツトするようにしてもよい。

作成したｘ magと、ｘ mltを入力データ
として第１の演算器１０３で同士の乗算ｘ
mag・ｘ mltを行い、α倍してメモリ１０４
に記憶されているM_oに加算する。

の結果をフイードバツク系により入力に戻
し、拡大化系１０１で拡大結像させてφ｛Σ
（M_o・ｘ）｝とする。

第１の演算器１０３でφ｛Σ（M_o・ｘ）｝・ｘ
mltを計算し、α倍してメモリ１０４のM_oよ
り減算する。

によりM_oにｘ mag・ｘ mltをα倍して加
算し、続いてによりφ｛Σ（M_o・ｘ）｝・ｘ mlt
をα倍してM_oより減算した結果のM_oがM_o+1と
なる。

以上の動作をM_oが収束するまでおこなうこと
により、入力データの記銘が行われる。期待する
M_oが得られるとその値に基づいて処理が行われ
る。

次に想起時について説明する。

この場合、記憶行列Ｍはすでに計算され、記銘
されているものとする。想起時の流れは図の太線
で示されている。

先ず、想起させようとする２次元の入力デー
タｘより多重化系１０２によつてｘ mltを作
成する。

第２の演算器１０５において、メモリ１０４
から読み出したＭとの乗算、Ｍ・ｘ mltを計
算し、結果を逆多重化系１０６で逆多重化さ
せ、閾値メモリ１０７で閾値操作して記憶す
る。

閾値メモリ１０７より出力を読み出し、一回
の想起では不十分な場合、またその出力をフイ
ードバツク系により入力に戻し、再想起を行
い、所望のデータを読み出す。

こうして、記銘、想起を行うことができる。

次に、第１図の連想記憶装置を空間光変調管を
使用して構成した実施例について説明する。

第２図Ａは空間光変調管４本を用いた完全光学
システムによる光学的連想記憶装置の一実施例を
示す図、第２図Ｂは記銘時のタイムチヤート、第
２図Ｃは想起時のタイムチヤートである。図中、
２０１〜２０４は空間光変調管、２１１は拡大結
像系、２１２は多重結像系、２１３は逆多重結像
系、２２１〜２２８はハーフミラー、２３１〜２
３８は反射鏡、Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３はシヤツタ、
Vb₁〜Vb₄はそれぞれ空間光変調管２０１〜２０
４の結晶背面電圧、Vm₁〜Vm₄は空間光変調管
２０１〜２０４のマイクロチヤンネルプレート
（MCP）の電圧である。これらの装置は第１図に
対応する装置として機能するために配置されてお
り、第１図の演算器１０３，１０５は空間光変調
管２０１を読み出した結果によつて空間光変調管
２０２の読み出しを行うことにより実現し、メモ
リ１０４は空間光変調管２０３で構成し、閾値メ
モリ１０７は空間光変調管２０４で構成してい
る。なお、計算は第１図と同様に(4)式に基づいて
行われ、式中の学習ゲインαはMCPの電圧を適
宜設定することにより与えられる。また、第２図
Ｂ、Ｃにおける〜の表示は以下における処理
プロセス〜に対応している。

先ず、記銘時の動作について第２図Ａ，Ｂを参
照して説明する。

ｘを入力してハーフミラー２２８、反射鏡２
３８を介してそれぞれ拡大結像系２１１、多重
結像２１２へ導き、それぞれｘ mag、ｘ
mltを作成し、そして入力ONと同時に空間光
変調管２０１，２０２の結晶背面電圧Vb₁，
Vb₂を書き込み電圧に、マイクロチヤンネルプ
レート（MCP）電圧Vm₁，Vm₂を所定時間
ONして空間光変調管２０１，２０２へそれぞ
れｘ mag、ｘ mltを書き込む。

次にシヤツタＳ１を開き、ハーフミラー２２
１，２２２、反射鏡２３１、ハーフミラー２２
３，２２４を介して単色光により空間光変調管
２０２を読み出し続け、その結果でハーフミラ
ー２２４，２２５を介してメモリを構成してい
る空間光変調管２０３を読み出す。すまり空間
光変調管２０２の続み出し結果ｘ magと空間
光変調管２０３の記憶内容Mnを続けて読み出
すことによりM_o・ｘ mltが計算される。計算
結果をハーフミラー２２５を介し、逆多重結像
系２１３により逆多重化してΣ（M_o・ｘ mlt）
を作成し、実時間ハードクリツプ動作により閾
値操作しながら空間光変調管２０４へ書き込
む。この閾値処理は、空間光変調管２０４の結
晶背面電圧Vb₄をゆつくりと下げるとともに、
その間MCP電圧Vm₄をONすることにより行
われ、空間光変調管には閾値処理されたデジタ
ル量φ｛Σ（M_o・ｘ mlt）｝が記憶される。

シヤツタＳ２のみを開き、同様に単色光によ
りハーフミラー２２１，２２２、反射鏡２３
２、ハーフミラー２２３を介して空間光変調管
２０１を読み出し、その結果でハーフミラー２
２４を介して空間光変調管２０２を続けて読み
出すことによりｘ mag・ｘ mltを計算す
る。シヤツタＳ２をONすると同時に空間光変
調管２０３の結晶背面電圧Vb₃を加算に切り換
えるとともに、MCP電圧Vm₃をONし、読み
出したｘ mag・ｘ mltをハーフミラー２２
５、反射鏡２３３，２３４，２３５を介して空
間光変調管２０３へ加算する。

空間光変調管２０１の結晶背面電圧Vb₁を消
去に切り換えるとともに、MCP電圧Vm₁を
ONして空間光変調管２０１を消去後、シヤツ
タＳ３のみを開き、単色光によりハーフミラー
２２１、反射鏡２３６、ハーフミラー２２６を
介して空間光変調管２０４からφ（Σ（M_o・ｘ
mlt）｝を読み出し、ハーフミラー２２７、
反射鏡２３７、ハーフミラー２２８、反射鏡２
３８を介して拡大結像系２１１で拡大結像さ
せ、空間光変調管２０１へ〔φ｛Σ（M_o・ｘ
mlt）｝〕magを書き込む。

シヤツタＳ２のみを開き、空間光変調管２０
１を読み出し、その結果でハーフミラー２２
３，２２４を介して空間光変調管２０２を読み
出して〔φ｛Σ（M_o・ｘ mlt）｝〕mag・ｘ
mltを計算する。シヤツタＳ２ONと同時に空
間光変調管２０３の結晶背面電圧Vb₃を減算に
切り換えるとともに、MCP電圧Vm₃を所定時
間ONし、空間光変調管２０３から〔φ｛Σ
（M_o・ｘ mlt）｝〕mag・ｘ mltを減算する。
この時、結果は空間光変調管２０３のメツシユ
電極（第６図参照）の効果により０より小さく
はならない。

空間光変調管２０１，２０２及び２０４の結
晶背面電圧Vb₁，Vb₂，Vb₄を消去に切り換え
るとともに、MCP電圧Vm₁，Vm₂，Vm₄を
ONしてそれぞれ消去する。

以上の動作を、各入力パターンについて収束す
るまで行うことにより記銘が完了する。

次に想起の動作について第２図Ａ，Ｃを参照し
て説明する。

入力をONし、同時に空間光変調管２０２の
結晶背面電圧Vb₂を書き込みに切り換えるとと
もに、MCP電圧Vm₂をONし、ハーフミラー
２２８、多重結像系２１２を介して空間光変調
管２０２へｘ mltを書き込む。

シヤツタＳ１のみを開き、単色光によりハー
フミラー２２１，２２２、反射鏡２３１、ハー
フミラー２２３，２２４を介して空間光変調管
２０２を読み出し、その結果でハーフミラー２
２４，２２５を介して空間光変調管２０３を読
み出し、M_o・ｘ mltを計算する。計算結果を
逆多重結像系２１３により逆多重化してΣ
（M_o・ｘ mlt）を作成する。空間光変調管２
０４の結晶背面電圧Vb₂をゆつくり下げるとと
もに、MCP電圧Vm₄をONし、実時間ハード
クリツプ動作をしながら空間光変調管２０４へ
φ｛Σ（M_o・ｘ mlt）｝を書き込む。

単色光によりハーフミラー２２１、反射鏡２
３６、ハーフミラー２２６を介して空間光変調
管２０４を読み出し、ハーフミラー２２７より
出力φ｛Σ（M_o・ｘ mlt）｝を得る。

空間光変調管２０２の結晶背面電圧Vb₂を消
去に切り換えるとともに、MCP電圧Vm₂を
ONして空間光変調管２０２を消去後、シヤツ
タＳ３のみをONする。単色光によりハーフミ
ラー２２１、反射鏡２３６、ハーフミラー２２
６，２２７、反射鏡２７からなるフイードバツ
クループにより空間光変調管２０４から想起し
た内容を、ハーフミラー２２８と多重結像系２
１２を通してｘ mltとして空間光変調管２０
２へ書き込む。

空間光変調管２０４の結晶背面電圧Vb₄を消
去に切り換え、MCP電圧Vm₄をONして消去
し、プロセスへ戻ることが可能である。

第３図Ａは第２図の完全光学システムによる光
学的連想記憶装置の一部を電子回路に置き換えた
ハイブリツド光学的連想記憶装置の一実施例を示
す図、第３図Ｂは記銘時のタイムチヤート、第３
図Ｃは想起時のタイムチヤートである。図中、３
０１〜３０３は空間光変調管、３１１は拡大結像
系、３１２は多重結像系、３１３は逆多重結像
系、３２１〜３２４はハーフミラー、３３１〜３
３５は反射鏡、３４１は受光マトリツクス、３５
１はCPU、３６１，３６２はパターン表示装置、
Ｓ１，Ｓ２はシヤツタである。

この実施例では、入力部分、フイードバツク部
分をCPUに置き換えたことにより電子回路との
インターフエースを容易にしている。また、使用
する空間光変調管の数が３本となり、より簡単に
実現できるシステムとなる。

第３図Ａ，Ｂを参照して記銘の動作について説
明する。

表示装置３６１，３６２をONし、CPU３５
１より入力ｘがパターン表示装置３６１，３６
２へ供給されて表示される。表示されたパター
ンは拡大結像系３１１によつて拡大され、また
多重結像系３１２によつて多重化され、それぞ
れｘ mag、ｘ mltを発生する。同時に空間
光変調管３０１，３０２の結晶背面電圧Vb₁，
Vb₂を書込みに切り換えるとともに、MCP電
圧Vm₁，Vm₂を所定時間ONして空間光変調管
３０１，３０２へそれぞれｘ mag、ｘ mlt
を書き込む。

シヤツタＳ１のみと、受光マトリツクス３４
１をONする。そして単色光によりハーフミラ
ー３２１、反射鏡３３１、ハーフミラー３２
２，３２３を通して空間光変調管３０２を読み
出し、その結果でハーフミラー３２３，３２４
を通して空間光変調管３０３を続けて読み出し
Mn・ｘ mltを計算する。計算結果を逆多重
結像系３１３により逆多重化してΣ（Mn・ｘ
mlt）を得、これを受光マトリツクス３４１
で電気信号に変換してCPU３５１に供給する。
CPU３５１においては閾値処理により〔φ｛Σ
（Mn・ｘ mlt）｝〕が得られる。

シヤツタＳ２のみを開くと同時に、空間光変
調管３０３の結晶背面電圧Vb₃を加算に切り換
えるとともに、MCP電圧Vm₃をONにする。
その結果、単色光によりハーフミラー３２１、
反射鏡３３２、ハーフミラー３２２を介して空
間光変調管３０１の内容が読み出され、その結
果でハーフミラー３２２，３２３を通して空間
光変調管３０２が読み出され、ｘ mag・ｘ
mltが計算され、計算結果はハーフミラー３２
３，３２４、反射鏡３３３，３３４，３３５を
介して空間光変調管３０３に加算される。

空間光変調管３０１の結晶背面電圧Vb₁を消
去に切り換えるとともに、MCP電圧Vm₁を
ONにして空間光変調管３０１を消去後、CPU
３５１からの〔φ｛Σ（Mn・ｘ mlt）｝〕が表
示装置３６１に供給されて表示され、拡大結像
系３１１で拡大結像される。同時に空間光変調
管３０１の結晶背面電圧をVb₁を書き込みに切
り換えるとともに、MCP電圧Vm₁をONする
ことにより、拡大結像〔φ｛Σ（Mn・ｘ
mlt）｝〕magが空間光変調管３０１へ書き込ま
れる。

シヤツタＳ２のみを開くと同時に、空間光変
調管３０３の結晶背面電圧Vb₃を減算側に切り
換えるともに、MCP電圧Vm₃を所定時間ON
する。単色光によりハーフミラー３２１、反射
鏡３３２、ハーフミラー３２２を介して空間光
変調管３０１の内容が読み出され、その結果で
ハーフミラー３２２，３２３を通して空間光変
調管３０２が読み出され、〔φ｛Σ（Mn・ｘ
mlt）｝〕mag・ｘ mltが計算され、計算結果
はハーフミラー３２３，３２４、反射鏡３３
３，３３４，３３５を介して空間光変調管３０
３の内容から減算される。この場合、計算結果
はメツシユ効果によつて“０”より低くならな
い。

空間光変調管３０１，３０２の各結晶背面電
圧Vb₁，Vb₂を書込みに切り換えるとともに、
MCP電圧Vm₁，Vm₂を所定時間ONしてそれ
ぞれ消去される。

以後〜の動作は記銘が完全に行われるまで
繰り返し実行される。

次に第２の実施例の想起過程を第３図Ａ，Ｃを
参照して説明する。

表示装置３６２をONし、入力ｘがCPU３５
１より表示装置３６２に供給されて表示され、
多重結像系３１２で多重結像される。空間光変
調管３０２の結晶背面電圧を書き込みに切り換
え、同時にMCP電圧を一定時間ONすることに
より空間光変調管３０２へｘ mltが書き込ま
れる。

シヤツタＳ１のみと、受光マトリツクス３４
１をONし、単色光によりハーフミラー３２
１、反射鏡３３１、ハーフミラー３２３を通し
て空間光変調管３０２からｘ mltを読み出
し、その結果でハーフミラー３２３，３２４を
通して空間光変調管３０３を読み出してMm・
ｘ mltを計算する。計算結果はハーフミラー
３２４を介して逆多重結像系３１３により逆多
重化してΣ（Mn・ｘ mlt）を得、これを受光
マトリツクス３４１で電気信号に変換して
CPU３５１に供給する。CPU３５１において
閾値処理により〔φ｛Σ（Mn・ｘ mlt）｝〕が
得られ、データの想起が実行される。

空間光変調管３０２の結晶背面電圧Vb₂を消
去に切り換え、MCP電圧Vm₂を所定時間ON
して消去した後、表示装置３６２をONし、
CPU３５１から供給された〔φ｛Σ（Mn・ｘ
mlt）｝〕が表示され、多重結像系３１２により
多重化される。空間光変調管３０２の結晶背面
電圧Vb₂を書き込みに切換え、同時にMCP電
圧Vm₂を所定時間ONすることにより空間光変
調管３０２に書き込まれる。この過程からその
後過程へ戻ることも可能である。

以上、２つの実施例におけるシステムにおいて
は、空間光変調管２０１と２０２，３０１，３０
２の２本で乗算を行つているが、実際には｛０，
１｝の２値の乗算であるため、論理演算のAND
動作と同じである。そこで、この部分を実時間閾
値動作を用いたAND演算を用いることにより、
空間光変調管を１本減らすことが可能である。

第４図Ａは実時間閾値動作AND演算を導入す
ることにより、空間光変調管を１本減らし、３本
で実現した完全光学システムによる光学的連想記
憶装置の一実施例を示す図、第４図Ｂは記銘時の
タイムチヤート、第４図Ｃは想起時のタイムチヤ
ートである。図中、４０１〜４０３は空間光変調
管、４１１は拡大結像系、４１２は多重結像系、
４１３は逆多重結像系、４２１〜４３０はハーフ
ミラー、４３１〜４３７は反射鏡、Ｓ１，Ｓ２，
Ｓ３，Ｓ４はシヤツタである。

図において、空間光変調管４０１はAND演算
を行い、空間光変調管４０２はメモリとして機能
し、空間光変調管４０３は閾値メモリとして機能
する。

第４図Ａ，Ｂを参照して記銘について説明す
る。

シヤツタＳ１のみを開いてｘを入力し、多重
結像系４１２で多重結像させて空間光変調管４
０１の結晶背面電圧Vb₁を書き込みに切り換え
るとともに、MCP電圧Vm₁を所定時間ONし
てｘ mltを書き込む。

単色光によりハーフミラー４２１、反射鏡４
３１、ハーフミラー４２２を介して空間光変調
管４０１を読み出し、その結果でハーフミラー
４２２，４２３を介して空間光変調管４０２を
読み出してM_o・ｘ mltを計算し、逆多重結像
系４１３により逆多重化を行つてΣ（M_o・ｘ
mlt）を計算する。空間光変調管４０３の結晶
背面電圧Vb₃をゆつくりと下げるとともに、そ
の間MCP電圧Vm₃をONして実時間閾値動作
により、閾値処理をしながら空間光変調管４０
３へφ｛Σ（M_o・ｘ mlt）｝を書き込む。

空間光変調管４０１の結晶背面電圧Vb₁を消
去に切り換えるとともに、MCP電圧Vm₁を所
定時間ONして消去後、ｘを入力し、シヤツタ
Ｓ１，Ｓ２を開いてハーフミラー４２７，４２
９、多重結像系４１２によりｘ mltを、また
ハーフミラー４２７，４２８，４２９、反射鏡
４３７、拡大結像系４１１により拡大結像ｘ
magを作成する。同時に空間光変調管４０１の
結晶背面電圧Vb₁をゆつくりと下げるととも
に、その間MCP電圧Vm₁をONし、入射光強
度の強いところは書き込み、入射光強度の弱い
ところはロツクアウト状態にする実時間閾値動
作により、ｘ magとｘ mltのAND演算を
実行させｘ mag・ｘ mltを書き込む。

空間光変調管４０２の結晶背面電圧Vb₂を加
算に切り換えるとともに、所定時間MCP電圧
Vm₂をONし、空間光変調管４０１を読み出し
てｘ mag・ｘ mltを空間光変調管４０２へ
加算する。

空間光変調管４０１の結晶背面電圧Vb₁を消
去に切り換えるとともに、MCP電圧Vm₁を所
定時間ONして消去後、ｘを入力し、シヤツタ
Ｓ１，Ｓ４を開き、ハーフミラー４２９、多重
結像系４１２によりｘ mltを作成し、またハ
ーフミラー４２１、反射鏡４３５、ハーフミラ
ー４２４を介して空間光変調管４０３よりφ
｛Σ（M_o・ｘ mlt）｝を読み出し、ハーフミラ
ー４２４，４２５、反射鏡４３６、ハーフミラ
ー４２６，４２８、反射鏡４３７を介して拡大
結像系４１１により〔φ｛Σ（M_o・ｘ mlt）｝〕
magを作成し、の場合と同様に実時間閾値動
作により〔φ｛Σ（M_o・ｘ mlt）｝〕magとｘ
mltのAND演算を実行させ、〔φ｛Σ（M_o・ｘ
mlt）｝〕mag・ｘ mltを空間光変調管４０１
へ書き込む。

単色光により反射鏡４３１、ハーフミラー４
２２を介して空間光変調管４０１を読み出し、
空間光変調管４０２の結晶背面電圧Vb₂を減算
に切り換えるとともに、MCP電圧Vm₂をON
して空間光変調管４０２より減算する。この
時、結果はメツシユ電極の効果により０より小
さくはならない。

空間光変調管４０１，４０３の結晶背面電圧
Vb₁，Vb₃を消去に切り換えるとともに、MCP
電圧Vm₁，Vm₃を所定時間ONしてそれぞれ消
去する。

以上の動作を各入力パターンについて収束する
まで行うことにより記銘が完了する。

次に、第４図Ａ，Ｃを参照して想起について説
明する。

シヤツタＳ１のみを開き、ｘを入力し、空間
光変調管４０１の結晶背面電圧Vb₁を書き込み
に切り換えるとともに、MCP電圧Vm₁をON
し、ハーフミラー４２７，４２９を介して多重
結像系４１２で作成したｘ mltを空間光変調
管４０１へ書き込む。

単色光により反射鏡４３１、ハーフミラー４
２２を介して空間光変調管４０１を読み出し、
その結果でハーフミラー４２２，４２３を介し
て空間光変調管４０２を読み出し、M_o・ｘ
mltを計算する。計算結果を逆多重結像系４１
３により逆多重してΣ（M_o・ｘ mlt）を作成
し、空間光変調管４０３の結晶背面電圧Vb₃を
ゆつくりと下げるとともに、その時間MCP電
圧Vm₃をONして実時間閾値動作をさせ、空間
光変調管４０３へφ｛Σ（M_o・ｘ mlt）｝を書
き込む。

単色光によりハーフミラー４２１、反射鏡４
３５、ハーフミラー４２４を介して空間光変調
管４０３を読み出してハーフミラー４２５より
φ｛Σ（M_o・ｘ mlt）｝を出力として得る。ま
た、この出力をシヤツタＳ１，Ｓ３を開いてフ
イードバツク系で戻して再想起することもでき
る。

空間光変調管４０１の結晶背面電圧Vb₁を消
去に切り換えるとともに、MCP電圧Vm₁を
ONして消去した後、シヤツタＳ１，Ｓ３を開
き、空間光変調管４０１の結晶背面電圧Vb₁を
書き込みに切り換えるとともに、MCP電圧
Vm₁をONし、多重結像系４１２を通して空間
光変調管４０１へフイードバツクループの出力
を書む。

空間光変調管４０３の結晶背面電圧Vb₃を下
げるとともに、所定時間MCP電圧Vm₃をON
して消去した後、からのプロセスを繰り返す
ことにより想起をが行われる。

第５図Ａは第４図の完全光学システムによる光
学的連想記憶装置の一部を電子回路に置き換えた
ハイブリツド光学的連想記憶装置の一実施例を示
す図、第５図Ｂは記銘時のタイムチヤート、第５
図Ｃは想起時のタイムチヤートである。図中、５
０１，５０２は空間光変調管、５１１は拡大結像
系、５１２は多重結像系、５１３は逆多重結像
系、５２１〜５２３はハーフミラー、５３１〜５
３４は反射鏡、５４１は受光マトリツクス、５５
１はCPU、５６１，５６２はパターン表示装置
である。

この実施例は、第４図の光学的連想記憶装置シ
ステムの入力部分、フイードバツク部分をCPU
に置き換えたことにより、電子回路とのインター
フエースを容易にし、かつ出力部も電子回路に置
き換えることにより、空間光変調管を１本減らし
たハイブリツド光学的連想記憶システムとなる。

第５図Ａ，Ｂを参照して記銘時の動作を説明す
る。

CPU551より入力ｘを表示装置５６１へ供給
して表示し、表示されたデータを多重結像系５
１２でｘ mltに変換し、空間光変調管５０１
の結晶背面電圧Vb₁を書き込みに切り換えると
ともに、MCP電圧Vm₁を所定時間ONしてｘ
mltを書き込む。

受光マトリツクス５４１をONし、単色光に
よりハーフミラー５２１を介して空間光変調管
５０１を読み出し、その結果でハーフミラー５
２１，５２２を介して空間光変調管５０２を読
み出し、M_o・ｘ mltを計算する。計算結果は
ハーフミラー５２２を介して逆多重結像系５１
３で逆多重され、Σ（M_o・ｘ mlt）が作成さ
れて受光マトリツクス５４１により電気信号に
変換される。この電気信号はCPU５５１に取
り込まれ、閾値処理してデータφ｛Σ（M_o・ｘ
mlt）｝が得られる。

空間光変調管５０１の結晶背面電圧Vb₁を書
き込みに切り換えるとともに、MCP電圧Vm₁
を所定時間ONして消去した後、表示装置５６
１，５６２をONし、拡大結像系５１１、多重
結像系５１２によりそれぞれｘ mag、ｘ
mltを作成する。そして空間光変調管５０１の
結晶背面電圧Vb₁をゆつくりと下げるととも
に、MCP電圧Vm₁をその間ONして実時間閾
値動作により、ｘ magとｘ mltのAND演
算を実行しｘ mag・ｘ mltを書き込む。

単色光によりハーフミラー５２１を介して空
間光変調管５０１を読み出す。このとき、空間
光変調管５０２の結晶背面電圧Vb₂を加算に切
り換えるとともに、MCP電圧Vm₂を所定時間
ONしてｘ mag・ｘ mltを空間光変調管５
０２に加算する。

空間光変調管５０１の結晶背面電圧Vb₁を消
去に切り換えるとともに、MCP電圧Vm₁を所
定時間ONして消去した後、表示装置５６１，
５６２をONし、OPUから表示装置５６１に入
力ｘを、表示装置５６２にφ｛Σ（M_o・ｘ
mlt）｝を供給して表示させ、拡大結像系５１
１、多重結像系５１２によりそれぞれφ｛Σ
（M_o・ｘ mlt）｝mag、ｘ mltを作成する。
そして、空間光変調管５０１の結晶背面電圧
Vb₁をゆつくりと下げるとともに、MCP電圧
Vm₁をその間ONして実時間閾値動作により、
φ｛Σ（M_o・ｘ mlt）｝magとｘ mltとの
AND演算を実行し、〔φ｛Σ（M_o・ｘ mlt）｝
mag〕・ｘ mltが空間光変調管５０１に書き
込まれる。

空間光変調管５０２の結晶背面電圧Vb₂を減
算に切り換えるとともに、MCP電圧Vm₂を所
定時間ONし、単色光によりハーフミラー５２
１を介して空間光変調管５０１から〔φ｛Σ
（M_o・ｘ mlt）｝mag〕・ｘ mltを読み出し、
その結果をハーフミラー５２２を介して空間光
変調管５０２を書き込み、蓄えられているデー
タから減算される。この場合、結果はメツシユ
電極の効果によつて“０”以下にならない。

空間光変調管５０１の結晶背面電圧Vb₁を消
去に切り換えるとともに、MCP電圧Vm₁を所
定時間ONして消去する。

以上の動作を繰り返すことにより記銘が行われ
る。

第５図Ａ，Ｃを参照して想起の動作について説
明する。

表示装置５６１をONし、入力ｘがCPU５５
１から供給されて表示され、多重結像系５１２
によりｘ mltが作成される。空間光変調管５
０１の結晶背面電圧Vb₁を書き込みに切り換え
るとともに、MCP電圧Vm₁を所定時間ONし
て書き込み状態にしてｘ mltが書き込まれ
る。

受光マトリツクス５４１をONし、単色光よ
りハーフミラー５２１を介して空間光変調管５
０１よりｘ mltを読み出し、その結果でハー
フミラー５２２を介して空間光変調管５０２の
内容を読み出してM_o・ｘ mltを計算する。計
算結果は逆多重結像系５１３で逆多重化されて
Σ（M_o・ｘ mlt）が作成され、受光マトリツ
クス５４１で電気信号に変換されてCPU５５
１に取り込まれる。CPU５５１において閾値
処理されて〔φ｛Σ（M_o・ｘ mlt）｝が得られ
る。この出力は入力側へフイードバツクされて
再想起過程が実行される。

空間光変調管５０１の結晶背面電圧Vb₁を消
去に切り換えるとともに、MCP電圧Vm₁を所
定時間ONして消去後、表示装置５６１をON
すると、〔φ｛Σ（M_o・ｘ mlt）｝は表示装置５
６１に表示される。このとき空間光変調管５０
１の結晶背面電圧Vb₁を書き込みに切り換える
とともに、MCP電圧Vm₁を所定時間ONする
ことにより空間光変調管５０１へ書き込まれ
る。その後、プロセスへ戻る。

以上の過程を繰り返すことにより想起が行われ
る。

〔発明の効果〕

以上のように本発明によれば、外部からの参照
入力と同じか、または一定の条件に合致した情報
を見つけ出して関連する残りの部分を取り出すよ
うにした連想記憶装置により、記憶内容の一部が
壊れても読み出しが完全に不可能とはならず、ま
た記憶内容に関連したアクセスが可能となり情報
検索等に有用である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による連想記憶装置のブロツク
図、第２図、第３図、第４図及び第５図は空間光
変調管を用いた本発明の連想記憶装置の光学系の
各実施例を示す図、第６図は本発明による連想記
憶装置の一実施例における基本的な構成要素であ
る空間光変調管の構成を説明するため図、第７図
は空間光変調間の結晶表面の２次電子放出特性及
び書き込み、消去を説明するための図、第８図及
び第９図は空間変調管の実時間ハードクリツプ機
能によるAND演算を説明するための図、第１０
図は拡大化系を説明するための図、第１１図は多
重化を説明するための図、第１２図は逆多重化系
を説明するための図である。１……像、２……レンズ、３……光電陰極、４
……マイクロチヤンネルプレート、５……メツシ
ユ電極、６……結晶、６１……電荷蓄積面、７…
…ハーフミラー、８……単色光、９……検光子、
１０……出力光、１０１……拡大化系、１０２…
…多重化系、１０３……第１の演算器、１０４…
…メモリ、１０５……第２の演算器、１０６……
逆多重化系、１０７……閾値メモリ、２０１〜２
０４……空間光変調管、２１１……拡大結像系、
２１２……多重結像系、２１３……逆多重結像
系、２２１〜２２８……ハーフミラー、２３１〜
２３８……反射鏡、Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３……シヤツ
タ。

Claims

【特許請求の範囲】

１入力またはフイードバツク信号を多重化させ
て出力する多重化系と、入力またはフイードバツ
ク信号を拡大化させて出力する拡大化系と、多重
化系の出力と拡大化系の出力を乗算して出力する
第１の演算器と、２次元の情報を記憶し、必要に
応じてその内容に加減算を行うと共に、記憶内容
を出力するメモリと、多重化系出力とメモリの出
力を乗算する第２の演算器と、第２の乗算器との
出力を逆多重化させて出力する逆多重化系と、逆
多重化系からの出力に閾値操作を行いながら記憶
し、必要に応じて読み出すことの可能な閾値メモ
リと、出力結果を入力へ戻すフイードバツク系と
からなる記銘想起部を有する連想記憶装置。