JPH0357601B2 - - Google Patents
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- JPH0357601B2 JPH0357601B2 JP61268768A JP26876886A JPH0357601B2 JP H0357601 B2 JPH0357601 B2 JP H0357601B2 JP 61268768 A JP61268768 A JP 61268768A JP 26876886 A JP26876886 A JP 26876886A JP H0357601 B2 JPH0357601 B2 JP H0357601B2
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/009—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
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- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/51—Metallising, e.g. infiltration of sintered ceramic preforms with molten metal
- C04B41/5116—Ag or Au
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
- C04B41/81—Coating or impregnation
- C04B41/85—Coating or impregnation with inorganic materials
- C04B41/88—Metals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C1/00—Details
- H01C1/14—Terminals or tapping points specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points on resistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/28—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for applying terminals
- H01C17/281—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for applying terminals by thick film techniques
- H01C17/283—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits
- H01C17/286—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits applied to TiO2 or titanate resistors
-
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- Glass Compositions (AREA)
Description
この発明は、ｎ−形導電率を示し、オーム性導
電率特性を有する接触層をそなえるセラミツク電
気構成部分に関する。 ｎ−形セラミツク材料上の接触のオーム性導電
率特性を得るためには、少なくとも前記材料に隣
接する層が還元性を有する金属より成るべきこと
が必要である。 これは、例えば、米国特許第3027529号明細書
に、還元性を有する金属、例えば、アルミニウム
の薄い蒸着層上を銅、銀又は前記金属の合金の電
着又は金属化層で補強したような層を用いると記
載される。概して、最外層は、良好なはんだ付け
適性が要求される。 ある適用にあたつて、セラミツク表面は、機械
的処理、例えば、研削、研磨又はのこ引きにかけ
ねばならない。ところが、既知の方法による接触
層をそなえるような構成部分は、350℃以上の使
用温度でじゆうぶんな安定性を示さないことを確
かめた。更に、このような構成部分は、温かい湿
り空気（40℃−90％RH（相対湿度））中での寿命
試験に合格することができないことを確かめた。 この発明は、ｎ−形導電率を示し、オーム性導
電率特性を有する接触層をそなえるセラミツク電
気構成部分を提供する。 この発明に従つて、上記構成の構成部分は、還
元性を有する蒸着層に隣接する層が次の組成： ガラス質結合剤 10〜25重量％ アルミニウム粒子５重量％ 銀粒子50重量％ の混合物より成ることを特徴とする。 この主要な特徴を満たす構成部分は、450℃も
の使用温度での繰り返し放置にすぐれた耐性を有
し、また上記の温かい湿り空気の試験にも耐え
る。 この発明に従う接触層の最上層における銀の存
在は、それが機械仕上表面を有する構成部分の耐
性に関係する場合は必要がない。還元性を有する
層を蒸着により設けることは、不可欠である。 しかし、ｎ−導電性セラミツク構成部分の若干
の適用のためには、普通より高い、接触層の耐摩
滅性が要求される。これは、なかんずく正の抵抗
温度係数を有する抵抗体より成る電動機保護装置
における場合であり、そこでは、電動機をオンに
スイツチする度に可動接触子により接触表面が接
触される。 構成部分の接触層の耐磨滅性に関しては、特別
の要求がなされる用途に特に向けられるこの発明
の好ましい例によれば、構成部分は、還元性を有
する層に隣接する層が次の重量％組成： ガラス質結合剤 10〜25重量％ アルミニウム粒子５重量％ 銀粒子 20〜50重量％ を有することを特徴とする。 ガラス質結合剤としては、ガラスが何らの酸化
成分をも含有せず、かつ軟化温度が約650℃より
低いことを条件に任意の組成物を用いることがで
きる。接触層を生じる出発物として用いうるペー
ストにおいては、ガラスは、例えば、10μｍの粒
度を有する摩砕フリツトの形で用いられ、金属粒
子も、例えば、この大きさで用いられる。 適当なガラス組成物の例は：
電率特性を有する接触層をそなえるセラミツク電
気構成部分に関する。 ｎ−形セラミツク材料上の接触のオーム性導電
率特性を得るためには、少なくとも前記材料に隣
接する層が還元性を有する金属より成るべきこと
が必要である。 これは、例えば、米国特許第3027529号明細書
に、還元性を有する金属、例えば、アルミニウム
の薄い蒸着層上を銅、銀又は前記金属の合金の電
着又は金属化層で補強したような層を用いると記
載される。概して、最外層は、良好なはんだ付け
適性が要求される。 ある適用にあたつて、セラミツク表面は、機械
的処理、例えば、研削、研磨又はのこ引きにかけ
ねばならない。ところが、既知の方法による接触
層をそなえるような構成部分は、350℃以上の使
用温度でじゆうぶんな安定性を示さないことを確
かめた。更に、このような構成部分は、温かい湿
り空気（40℃−90％RH（相対湿度））中での寿命
試験に合格することができないことを確かめた。 この発明は、ｎ−形導電率を示し、オーム性導
電率特性を有する接触層をそなえるセラミツク電
気構成部分を提供する。 この発明に従つて、上記構成の構成部分は、還
元性を有する蒸着層に隣接する層が次の組成： ガラス質結合剤 10〜25重量％ アルミニウム粒子５重量％ 銀粒子50重量％ の混合物より成ることを特徴とする。 この主要な特徴を満たす構成部分は、450℃も
の使用温度での繰り返し放置にすぐれた耐性を有
し、また上記の温かい湿り空気の試験にも耐え
る。 この発明に従う接触層の最上層における銀の存
在は、それが機械仕上表面を有する構成部分の耐
性に関係する場合は必要がない。還元性を有する
層を蒸着により設けることは、不可欠である。 しかし、ｎ−導電性セラミツク構成部分の若干
の適用のためには、普通より高い、接触層の耐摩
滅性が要求される。これは、なかんずく正の抵抗
温度係数を有する抵抗体より成る電動機保護装置
における場合であり、そこでは、電動機をオンに
スイツチする度に可動接触子により接触表面が接
触される。 構成部分の接触層の耐磨滅性に関しては、特別
の要求がなされる用途に特に向けられるこの発明
の好ましい例によれば、構成部分は、還元性を有
する層に隣接する層が次の重量％組成： ガラス質結合剤 10〜25重量％ アルミニウム粒子５重量％ 銀粒子 20〜50重量％ を有することを特徴とする。 ガラス質結合剤としては、ガラスが何らの酸化
成分をも含有せず、かつ軟化温度が約650℃より
低いことを条件に任意の組成物を用いることがで
きる。接触層を生じる出発物として用いうるペー
ストにおいては、ガラスは、例えば、10μｍの粒
度を有する摩砕フリツトの形で用いられ、金属粒
子も、例えば、この大きさで用いられる。 適当なガラス組成物の例は：
【表】
であり、いわゆる厚膜技術で用いられる他の既知
のガラスも用いることができる。 ガラス質結合剤の役目は、アルミニウム粒子上
に存在する自然酸化物層をその中に溶解して、金
属を遊離させるようにすることである。 ペーストをかける前に、それを焼成中に揮発及
び／又は燃焼する仮結合剤を混合する。このよう
な結合剤は、ペーストに適当なレオロジー特性を
与えるために加えられる。このような結合剤の例
は、安息香酸ベンジルとエチルセルロースの混合
物又はエチルセルロースのブタノール−１及び酢
酸ブチルカルビトールの混合物中の溶液である。 次に、この発明を二つの例によつて一層詳細に
説明する。 例 １ ｎ−導電性BaTiO3上の二、三の接触層、すな
わち： (a) 原子比80：20で、0.1μｍの厚さに真空蒸着さ
せたNiCr層、0.3μｍの銀蒸着層及び蒸着銀層
上に５〜10μｍの厚さでかけた既知の銀ペース
トの組合せを用い全体を450℃で５分間焼成し
たもの、 (b) ペーストの形でスクリーン印刷によりかけ、
14.7〜15.0重量％のIn、3.65〜3.75重量％のGa、
73.5〜75.2重量％の銀及び６〜８％のエナメル
粉末を含有するIn−Ga−Ag層並びにこの上に
同じくスクリーン印刷により５〜10μｍの厚さ
にかけたAg−ペーストの組合せを用い、第１
層をかけた後に全体を620℃で20分間焼成し、
第２層をかけた後全体を620℃で10分間焼成し
たもの、 (c) スクリーン印刷によりかけ同じく620℃で20
分間焼成した同じ組成のIn−Ga−Ag層並びに
乾燥物質で約20重量％のガラス粉末及び80重量
％のAl粉末を含んで成るAlペーストの５〜10μ
ｍ厚さの層の組合せで、全体を620℃で20分間
焼成したもの の特性をこの発明に従う次の４種の接触層組合
せ： (d) 真空蒸着した2μｍ厚さのアルミニウムの層、
その上に乾燥物質で約20重量％のガラス粉末お
よび80重量％のAl粉末を含んで成るAlペース
トの、５〜10μｍ厚さのスクリーン印刷層を置
き、全体を650℃で20分間焼成したもの、 (e) 原子比80：20で真空蒸着したNiCrの0.1μｍ
厚さの層、0.3μｍの銀の蒸着層及びその上の、
(d)と同じ厚さ及び組成のAlペーストのスクリ
ーン印刷層から成り、全体を同様に650℃で20
分間焼成した組合せ、 (f) Alペースト層をスクリーン印刷でなくスプ
レーイングで設けたほかは(d)と同じもの、 (g) Alペースト層をスクリーン印刷でなくスプ
レーイングで設けたほかは(e)と同じもの と比較する。 次の第１表に得られた特性、すなわちオーム接
触の性質、40℃、90％RHの湿り空気中での寿命
試験に関する安定性及び多くの温度に保つた場合
の安定性の概括を示す 結果は、次の認定により記録される： ＋＋ 極めて良好 ＋ 良好 ＋− 許容しうる − 悪い −− 極めて悪い
のガラスも用いることができる。 ガラス質結合剤の役目は、アルミニウム粒子上
に存在する自然酸化物層をその中に溶解して、金
属を遊離させるようにすることである。 ペーストをかける前に、それを焼成中に揮発及
び／又は燃焼する仮結合剤を混合する。このよう
な結合剤は、ペーストに適当なレオロジー特性を
与えるために加えられる。このような結合剤の例
は、安息香酸ベンジルとエチルセルロースの混合
物又はエチルセルロースのブタノール−１及び酢
酸ブチルカルビトールの混合物中の溶液である。 次に、この発明を二つの例によつて一層詳細に
説明する。 例 １ ｎ−導電性BaTiO3上の二、三の接触層、すな
わち： (a) 原子比80：20で、0.1μｍの厚さに真空蒸着さ
せたNiCr層、0.3μｍの銀蒸着層及び蒸着銀層
上に５〜10μｍの厚さでかけた既知の銀ペース
トの組合せを用い全体を450℃で５分間焼成し
たもの、 (b) ペーストの形でスクリーン印刷によりかけ、
14.7〜15.0重量％のIn、3.65〜3.75重量％のGa、
73.5〜75.2重量％の銀及び６〜８％のエナメル
粉末を含有するIn−Ga−Ag層並びにこの上に
同じくスクリーン印刷により５〜10μｍの厚さ
にかけたAg−ペーストの組合せを用い、第１
層をかけた後に全体を620℃で20分間焼成し、
第２層をかけた後全体を620℃で10分間焼成し
たもの、 (c) スクリーン印刷によりかけ同じく620℃で20
分間焼成した同じ組成のIn−Ga−Ag層並びに
乾燥物質で約20重量％のガラス粉末及び80重量
％のAl粉末を含んで成るAlペーストの５〜10μ
ｍ厚さの層の組合せで、全体を620℃で20分間
焼成したもの の特性をこの発明に従う次の４種の接触層組合
せ： (d) 真空蒸着した2μｍ厚さのアルミニウムの層、
その上に乾燥物質で約20重量％のガラス粉末お
よび80重量％のAl粉末を含んで成るAlペース
トの、５〜10μｍ厚さのスクリーン印刷層を置
き、全体を650℃で20分間焼成したもの、 (e) 原子比80：20で真空蒸着したNiCrの0.1μｍ
厚さの層、0.3μｍの銀の蒸着層及びその上の、
(d)と同じ厚さ及び組成のAlペーストのスクリ
ーン印刷層から成り、全体を同様に650℃で20
分間焼成した組合せ、 (f) Alペースト層をスクリーン印刷でなくスプ
レーイングで設けたほかは(d)と同じもの、 (g) Alペースト層をスクリーン印刷でなくスプ
レーイングで設けたほかは(e)と同じもの と比較する。 次の第１表に得られた特性、すなわちオーム接
触の性質、40℃、90％RHの湿り空気中での寿命
試験に関する安定性及び多くの温度に保つた場合
の安定性の概括を示す 結果は、次の認定により記録される： ＋＋ 極めて良好 ＋ 良好 ＋− 許容しうる − 悪い −− 極めて悪い
【表】
ｎ−導電性BaTiO3の表面上の層の多数の次の
組合せの耐磨滅性に関する特性を測定した： (a) 厚さ0.1μｍのNiCr（80：20）とその上の厚さ
0.3μｍの銀層との（真空）蒸着組合せ、及び蒸
着組合せ上に40μｍの厚さでスクリーン印刷に
より設けた、20重量％のガラスと80重量％の
Alを含んで成るAlペースト、 (b) (a)と同じ蒸着組合せの上に無機物質として47
重量％のAg、5.5重量％のAl及び残りの百分率
のガラスフリツトを含んで成るペーストをスク
リーン印刷により設けたもの、 (c) (a)と同じ蒸着組合せの上に無機物質として35
重量％のAlと残りの百分率のガラスを含んで
成るペーストをスクリーン印刷により設けたも
の。 機械的磨滅は、次の寿命試験により試験され
た。いわゆる電動機始動接点の単ペンを構成部分
の表面上１分当り16回の度数で0.5mmの距離にわ
たつて往復させる。ばね接点上の圧力は約3Nで
ある。組立体を垂直に置き生成じんが逃げるよう
にする。耐磨滅性の尺度として、ｎ−導電性
BaTiO3、正の温度係数を有する抵抗体により制
御される電流のしや断が起こる時間を測定する。 しや断が接触(a)では40分後に、(b)では25時間後
に、(c)では100〜400時間後にやつと起こる。 この発明の範囲内で用いうるAlAgペーストの
他の組成は次のとおりである： Ag23、Al40各重量％、残りガラス（無機物質
中）、 Ag55.5、Al16.6各重量％、残りガラス（無機
物質中）。 後の方の組成は、例えば、次の形で与えられ
る： Ag 40.0重量％ Al 12.0重量％ ガラスフリツト20.0重量％（例えば、前に列挙
した組成３） 有機結合剤の有機溶媒溶液 28.0重量％。
組合せの耐磨滅性に関する特性を測定した： (a) 厚さ0.1μｍのNiCr（80：20）とその上の厚さ
0.3μｍの銀層との（真空）蒸着組合せ、及び蒸
着組合せ上に40μｍの厚さでスクリーン印刷に
より設けた、20重量％のガラスと80重量％の
Alを含んで成るAlペースト、 (b) (a)と同じ蒸着組合せの上に無機物質として47
重量％のAg、5.5重量％のAl及び残りの百分率
のガラスフリツトを含んで成るペーストをスク
リーン印刷により設けたもの、 (c) (a)と同じ蒸着組合せの上に無機物質として35
重量％のAlと残りの百分率のガラスを含んで
成るペーストをスクリーン印刷により設けたも
の。 機械的磨滅は、次の寿命試験により試験され
た。いわゆる電動機始動接点の単ペンを構成部分
の表面上１分当り16回の度数で0.5mmの距離にわ
たつて往復させる。ばね接点上の圧力は約3Nで
ある。組立体を垂直に置き生成じんが逃げるよう
にする。耐磨滅性の尺度として、ｎ−導電性
BaTiO3、正の温度係数を有する抵抗体により制
御される電流のしや断が起こる時間を測定する。 しや断が接触(a)では40分後に、(b)では25時間後
に、(c)では100〜400時間後にやつと起こる。 この発明の範囲内で用いうるAlAgペーストの
他の組成は次のとおりである： Ag23、Al40各重量％、残りガラス（無機物質
中）、 Ag55.5、Al16.6各重量％、残りガラス（無機
物質中）。 後の方の組成は、例えば、次の形で与えられ
る： Ag 40.0重量％ Al 12.0重量％ ガラスフリツト20.0重量％（例えば、前に列挙
した組成３） 有機結合剤の有機溶媒溶液 28.0重量％。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ｎ−形導電率を示し、オーム性導電率特性を
有する接触層をそなえるセラミツク電気構成部分
であつて、接触層が少なくとも二つの副層から成
り、それらのうちセラミツク表面に隣接する層が
還元性を有し、蒸着により設けられたセラミツク
電気構成部分において、還元性を有する層に隣接
する層が次の組成： ガラス質結合剤 10〜25重量％ アルミニウム粒子５重量％ 銀粒子50重量％ の混合物より成ることを特徴とする接触層を有す
るｎ−形導電性セラミツク電気構成部分。 ２ 還元性を有する層に隣接する層が次の組成： ガラス質結合剤 10〜25重量％ アルミニウム粒子５重量％ 銀粒子 20〜50重量％ を有する特許請求の範囲第１項記載のセラミツク
電気構成部分。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8503142A NL8503142A (nl) | 1985-11-15 | 1985-11-15 | N-type geleidend keramisch elektrisch onderdeel met contactlagen. |
| NL8503142 | 1985-11-15 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62123612A JPS62123612A (ja) | 1987-06-04 |
| JPH0357601B2 true JPH0357601B2 (ja) | 1991-09-02 |
Family
ID=19846873
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61268768A Granted JPS62123612A (ja) | 1985-11-15 | 1986-11-13 | 接触層を有するｎ−形導電性セラミツク電気構成部分 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0223303A1 (ja) |
| JP (1) | JPS62123612A (ja) |
| KR (1) | KR870005417A (ja) |
| NL (1) | NL8503142A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4910544A (en) * | 1988-02-15 | 1990-03-20 | Asahi Kogaku Kogyo K.K. | Focus adjusting apparatus in zoom lens camera |
| EP0603565B1 (en) * | 1992-11-24 | 1999-05-12 | TDK Corporation | Chip varistor and its production method |
| ATE405264T1 (de) | 2000-02-08 | 2008-09-15 | Euro Celtique Sa | Zusammensetzungen mit kontrollierter freisetzung, die einen opioid agonist und antagonist enthalten |
| JP3926822B2 (ja) * | 2005-02-03 | 2007-06-06 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1415406B1 (de) * | 1958-04-30 | 1970-08-20 | Siemens Ag | Keramischer Widerstand mit hohem positiven Temperaturkoeffizienten seines Gesamtwiderstandswertes |
| DE1490271A1 (de) * | 1958-04-30 | 1968-12-05 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung sperrschichtfreier Kontaktierungen an keramischen Kaltleitern |
| GB1151648A (en) * | 1966-10-17 | 1969-05-14 | Nat Lead Co | Conductive Coatings |
| US3547835A (en) * | 1969-06-09 | 1970-12-15 | Du Pont | Processes of producing and applying silver compositions,and products therefrom |
| GB1556638A (en) * | 1977-02-09 | 1979-11-28 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Method for manufacturing a ceramic electronic component |
-
1985
- 1985-11-15 NL NL8503142A patent/NL8503142A/nl not_active Application Discontinuation
-
1986
- 1986-11-13 JP JP61268768A patent/JPS62123612A/ja active Granted
- 1986-11-13 KR KR860009578A patent/KR870005417A/ko not_active Withdrawn
- 1986-11-13 EP EP86201990A patent/EP0223303A1/de not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NL8503142A (nl) | 1987-06-01 |
| JPS62123612A (ja) | 1987-06-04 |
| KR870005417A (ko) | 1987-06-08 |
| EP0223303A1 (de) | 1987-05-27 |
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